校正試樣和螢光x射線分析裝置與螢光x射線分析方法
2023-04-22 20:32:26 2
專利名稱：校正試樣和螢光x射線分析裝置與螢光x射線分析方法
技術領域：
本發明涉及螢光X射線分析用的校正試樣和具有它的螢光X射線分析裝置與採用該裝置的螢光X射線分析方法。
背景技術：
在過去，在測定對試樣照射一次X射線而產生的螢光X射線的強度的螢光X射線分析裝置中，定期地進行所謂的偏差校正，其中，對同一試樣的測定X射線強度因各種原因產生的伴隨時間而發生變化(drift)的情況進行校正。如果進行該偏差校正，則針對比如用於形成標準曲線的全部標準試樣，針對每個元素修正測定X射線強度，則每當校正時需要許多的工夫和時間。於是，在用於偏差校正時事先設定校正試樣、測定構成基準的X射線強度，在進行偏差校正時，僅僅測定已設定的校正試樣，根據此時的測定X射線強度和構成上述基準的測定X射線強度，求出偏差校正係數，將該偏差校正係數用於分析對象試樣的測定X射線強度，進行校正。由此，在螢光X射線分析中，採用各種校正試樣。比如，用於對在矽襯底上形成金屬膜的試樣進行分析的場合，具有在矽襯底上形成Au、Pt、Co等的金屬膜的校正試樣(專利文獻I)。另外，具有裝載於薄膜上的微量粉末試樣、保持於濾紙、聚合物膜上的微量溶液試樣、薄膜試樣等的螢光X射線分析所採用的校正試樣。該校正試樣由聚醯亞胺膜、混合有該聚醯亞胺膜上的分析對象元素的聚醯亞胺膜形成(專利文獻2)。作為該校正試樣的變形例，人們知道有在金屬箔、襯底上形成混合有分析對象元素的聚醯亞胺膜的校正試樣。此外，在原油或石油製品中包含的硫磺的濃度的測定中，在硫磺的濃度是已知的重油密封於容器內部的標準試樣的場合，由於因液體洩漏或沉澱等造成的濃度變化產生伴隨時間的變化，無法長期使用，故具有採用固體的模擬試樣作為標準試樣的方法。該模擬試樣由圓板狀的鑰主體與吸收體形成，該吸收體設置於該鑰主體的一次X射線照射側上，由聚對苯二甲酸乙二酯、聚醯亞胺構成(專利文獻3)。現有技術文獻專利文獻專利文獻1:日本特開2005—156213號公報專利文獻2 :日本特開2010— 204087號公報專利文獻3 :日本特開平7 — 5127號公報
發明內容
發明要解決的課題專利文獻I中記載的校正試樣用於在矽襯底上形成金屬膜的試樣，即固體試樣的分析。在專利文獻2中記載的校正試樣用於微量粉末試樣或薄膜試樣等的固體試樣的分析，並且用於保持於濾紙或聚合物膜上的微量溶液試樣的分析。由於該校正試樣用於微量粉末試樣或微量溶液試樣等的微量試樣的分析，故由校正試樣產生的本底按照儘可能地小的方式構成。在專利文獻3中記載的模擬試樣僅僅用於原油或石油製品中包含的硫磺的濃度的測定，不用於其它的元素、其它的液體試樣。該模擬試樣由圓板狀的鑰主體與設置於該鑰主體的一次X射線照射側的吸收體形成，但是，該吸收體用於衰減由鑰主體產生的螢光X射線強度，對於由試樣產生的本底沒有任何的考慮。由於在液體試樣中，在作為溶劑的水、有機溶劑等中，包含作為主成分的氫、碳、氧等的輕元素，故大量地產生散射X射線，在所測定的X射線中不但具有螢光X射線，而且大量地包含散射X射線，因該散射X射線而產生大的本底。但是,在過去,考慮了由液體試樣產生的本底的固體的校正試樣還沒有出現。像這樣，在過去還沒有下述校正試樣，即，可正確地進行測定X射線強度的伴隨時間的變化(drift)的校正，並且可長期使用，該測定X射線強度包含由液體試樣產生的本
。本發明是針對上述過去的問題而提出的，本發明的目的在於提供可長期使用、並且可進行正確的偏差校正的液體試樣的螢光X射線分析用的校正試樣、具有它的螢光X射線分析裝置、採用該裝置的螢光X射線分析方法。用於解決課題的技術方案為了實現上述目的，本發明的校正試樣為固體的校正試樣，該校正試樣用於在液體試樣的螢光X射線分析中，對分析對象金屬元素的測定X射線強度的伴隨時間的變化進行校正，其中，包括分析對象金屬元素的金屬層與厚度為Irnm以上的輕元素層重合地形成，該輕元素層中，氫、硼、碳、氮、氧和氟中的至少I種輕元素具有最大摩爾份數，在上述金屬層中，與上述輕元素層相對的那一面的相反側表面為分析面。
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由於本發明的校正試樣是固體，其中，包括分析對象金屬元素的金屬層與厚度為Imm以上的輕元素層重合地形成，該輕元素層中，氫、硼、碳、氮、氧和氟中的至少I種輕元素具有最大摩爾份數，故不產生蒸發、沉澱、變質等造成的伴隨時間的變化，可長期使用。另夕卜，上述金屬層為照射一次X射線的分析面，在該金屬層中實現透射的一次X射線射入輕元素層，由此，輕元素層的輕元素產生與分析對象的液體材料相同程度的散射X射線(本底)，這樣，可進行正確的偏差校正。在本發明的螢光X射線分析方法中，採用本發明的校正試樣進行液體試樣的螢光X射線分析。按照本發明的螢光X射線分析方法，由於採用本發明的校正試樣，故可實現與本發明的校正試樣相同的效果。在本發明的螢光X射線分析方法中，最好還採用本底校正試樣，該本底校正試樣僅僅由上述校正試樣的上述輕元素層形成，用於對液體試樣的本底X射線強度的伴隨時間的變化進行校正。在此場合，由於採用由上述金屬層和上述輕元素層形成的校正試樣、與僅僅由上述輕元素層形成的本底校正試樣的2種校正試樣，故可進行更加正確的偏差校正。本發明的螢光X射線分析裝置包括本發明的校正試樣；偏差校正機構，其根據上述校正試樣的分析對象金屬元素的測定X射線強度，對液體試樣的測定X射線強度的伴隨時間的變化進行校正。按照本發明的螢光X射線分析裝置，包括本發明的校正試樣；偏差校正機構，其根據上述校正試樣的分析對象金屬元素的測定X射線強度，校正液體試樣的測定X射線強度的伴隨時間的變化，故可實現與本發明的校正試樣相同的效果。最好，本發明的螢光X射線分析裝置還包括本底校正試樣，該本底校正試樣僅僅由上述輕元素層形成，用於校正液體試樣的本底X射線強度的伴隨時間的變化，上述偏差校正機構根據上述校正試樣的分析對象金屬元素的測定X射線強度和上述本底校正試樣的測定X射線強度，對液體試樣的測定X射線強度的伴隨時間的變化進行校正。在該場合，由於採用由上述金屬層和上述輕元素層形成的校正試樣、與僅僅由上述輕元素層形成的本底校正試樣的2種校正試樣，故可進行更加正確的偏差校正。
圖1為本發明的第I實施方式的螢光X射線分析裝置的外觀結構圖；圖2為該螢光X射線分析裝置所具有的校正試樣的側視圖；圖3為表示求出該校正試樣的金屬層和輕元素層的厚度的流程的圖；圖4為該校正試樣的變形例子的側面剖視圖；圖5為該校正試樣的另一變形例子的側視圖；圖6為本發明的第2實施方式的螢光X射線分析裝置所具有的本底校正試樣的立體圖。
具體實施例方式下面對本發明的第I實施方式的螢光X射線分析裝置進行說明。像圖1所示的那樣，該螢光X射線分析裝置包括試樣臺3，在該試樣臺3上裝載液體試樣S或校正試樣20 ；X射線源1，該X射線源I為對液體試樣S或校正試樣20照射一次X射線2的比如銠X射線管；分光兀件5,該分光兀件5對由液體試樣S或校正試樣20產生的二次X射線4進行分光；檢測器7，該檢測器7檢測通過分光元件5分光的二次X射線6 ;偏差校正機構9。分光兀件5和檢測器7構成檢測機構8。偏差校正機構9根據校正試樣20的分析對象金屬兀素的測定X射線強度，對液體試樣S的測定X射線強度的伴隨時間的變化進行校正。二次X射線4和6包括該螢光X射線和散射X射線。另外，最好，校正試樣20事先裝載於試樣交換機(圖中未示出)的規定位置或內
置有裝置。對第I實施方式的螢光X射線分析裝置的動作，即構成本發明的一個實施方式的螢光X射線分析方法進行說明。如果使螢光X射線分析裝置動作，則在最初測定校正試樣20，偏差校正機構9將分析對象金屬元素的二次X射線6的測定X射線強度作為基準強度Is而存儲。此後，依次地測定液體試樣S，在校正分析對象金屬元素的測定X射線強度時測定校正試樣20，求出分析對象金屬元素的二次X射線6的強度IM。如果求出強度IM，則根據偏差校正機構9求出的Im和在先存儲的基準強度Is，由下述式(I)計算偏差校正係數a。a = IS/IM(1)此外，偏差校正機構9將偏差校正係數a與所測定的液體試樣S的分析對象金屬元素的測定X射線強度In相乘，進行偏差校正。在上述例子中，將偏差校正係數a與測定X射線強度In相乘，進行偏差校正，但是，也可將偏差校正係數a與一次式標準曲線的梯度常數a相乘，對標準曲線進行校正，進行偏差校正。下面對第I實施方式的螢光X射線分析裝置所具有的固體的校正試樣20進行具體說明。像圖2所示的那樣，校正試樣20按照下述方式形成，該方式為將包括分析對象金屬元素的金屬層21與輕元素層22重合，該輕元素層22使氫、硼、碳、氮、氧和氟中的至少I種輕元素為最大摩爾份數，厚度為1_以上，金屬層21通過粘接劑而粘接於輕元素層22上。在上述金屬層21中，與輕元素層22相對的那一面的相反側表面為分析面23。最好，在第I實施方式的螢光X射線分析裝置所具有的校正試樣20中，金屬層21按照下述厚度2倍以內的方式而形成，該厚度產生相當於在液體試樣S中的分析對象元素為最大含量時產生的螢光X射線強度的螢光X射線強度，輕元素層22按照產生等同於液體試樣S的本底X射線強度的厚度而形成。根據圖3所示的流程，對像上述那樣，適合於液體試樣S的金屬層21的厚度和輕元素層22的厚度的求解方式進行說明。在第I階段SI，為了求出金屬層21的厚度和輕元素層22的厚度，確定由金屬層21而產生的螢光X射線強度(純X射線強度)和由輕元素層22而產生的本底X射線強度的相應的目標值。將在形成液體試樣S的標準曲線用的多個標準試樣中產生最大突光X射線強度的標準試樣的螢光X射線強度(純X射線強度)確定為金屬層21的目標值。將作為已形成的標準曲線的截距的X射線強度的本底X射線強度作為輕元素層22的目標值。在第2階段S2，採用在第I階段SI中作為目標值而確定的金屬層21的螢光X射線強度，通過FP法(Fundamental parametermethod)理論強度計算，計算構成該突光X射線強度的目標值的允許範圍內(比如，在目標值100 200%以內)的X射線強度的金屬層21的厚度。在第3階段S3，形成在第2階段S2計算的厚度的金屬層21，將該金屬層21重合於Imm以上的任意的厚度的輕元素層22上，形成校正試樣20。針對已形成的校正試樣20，通過螢光X射線分析裝置測定金屬層21的螢光X射線強度和輕元素層22的本底X射線強度。另外，關於將金屬層21和輕兀素層22重合而形成校正試樣20的方式,將在後面描述。在第4階段S4，判斷金屬層21的螢光X射線強度是否到達在第I階段SI中確定的目標值的允許範圍內的強度。如果金屬層21的螢光X射線強度到達目標值的允許範圍內的強度，則進行第5階段S5。如果在第4階段S4判斷金屬層21的螢光X射線強度沒到第I階段SI中確定的目標值的允許範圍內的強度，則進行第4A階段S4A。在第4A階段S4A，按照金屬層21的螢光X射線強度到達在第I階段SI中確定的目標值的允許範圍內的強度的方式改變金屬層21的厚度，返回到第3階段S3，在第4階段S4，在判定金屬層21的螢光X射線強度到達第I階段SI中確定的目標值的允許範圍內的強度之前，反覆進行從第4A階段S4A到第4階段S4的流程。在第5階段S5，判定輕元素層22的本底X射線強度是否到達在第I階段SI中確定的目標值的允許範圍內的強度。如果判定輕元素層22的本底X射線強度到達目標值的允許範圍內的強度，則進行第6階段S6。如果在第5階段S5判斷輕元素層22的本底X射線強度沒到在第I階段SI中確定的目標值的允許範圍內的強度，則進行第5A階段S5A。在第5A階段S5A中，為了使輕元素層22的本底X射線強度到達在第I階段SI中確定的目標值的允許範圍內的強度，改變輕元素層22的厚度，返回到第3階段S3，在於第5階段S5判定輕元素層22的螢光X射線強度到達在第I階段SI中確定的目標值的允許範圍內的強度之前，反覆進行從第5A階段S5A到第5階段S5的流程。在第6階段S6,確定金屬層21和輕兀素層22的厚度。作為校正試樣20的變形例子，對作為鎳鍍液的液體試樣S中的鎳進行分析的場合的校正試樣20進行說明。在該校正試樣20的場合，像圖4所示的那樣，比如，作為厚度IOum的鎳箔21的金屬層21按照與密貼於輕元素層22的頂面上的方式通過環狀固定件50而固定,該輕元素層22作為比如厚度(高度)IOmm的長方體狀的丙烯酸樹脂22,該金屬層21的外表面構成分析面23。長方體狀的丙烯酸樹脂22由作為輕元素的碳、氫、氧構成，氫具有最大的摩爾份數。長方體狀的丙烯酸樹脂22的尺寸為比如橫向100mm、縱向100mm、厚度(高度)10mm。作為該鎳鍍液的液體試樣S用的校正試樣20的金屬層21和輕元素層22的厚度為通過圖3所示的流程而求出的值。環狀固定件50由環狀板51和固定螺釘52構成，固定螺釘52與形成於輕元素層22的頂部(固定環狀固定件50的部分)上的螺紋孔25螺合，金屬層21按照夾持於輕元素層22的頂面和環狀固定件50的底面(與輕元素層22面對的面)之間的方式固定。另外，金屬層21的固定方法不限於上述那樣的環狀固定件50，也可通過其它的固定件而固定。在圖2的校正試樣20中，金屬層21採用I個厚度IOOiim的鎳箔，但是，也可比如像圖5所示的那樣，按照通過粘接劑而粘接多個鎳箔21a、21b、21c中的相應鎳箔而將它們重合的方式形成，還可通過圖4所示的環狀固定件50將多個金屬箔固定。另外，在用於多個分析對象金屬元素的校正試樣20的場合，金屬層21既可按照將不同的分析對象金屬元素的金屬箔重合的方式形成，也可通過具有多個分析對象金屬元素的I個金屬箔形成。此夕卜，金屬層21也可不為金屬箔，還可按照在輕元素層22上通過蒸鍍(PVD、CVD等)、鍍覆等的方式疊置分析對象金屬元素的薄膜的方式形成。最好，金屬層21根據圖3所示的流程，按照與在液體試樣S中包含的分析對象金屬元素的濃度相對應的厚度而形成，作為厚度的具體的數值，比如，如果為高濃度則較厚，厚度最好在10 300 ii m的範圍內，如果為低濃度則較薄，厚度最好在I 10 ii m的範圍內，如果為極低濃度則最好在大於0不足10 ii m的範圍。在本實施方式中，校正試樣20按照在輕元素層22上進行粘接、密貼、蒸鍍金屬層21等的處理的方式形成，但是，還可按照在輕元素層22和金屬層21之間具有間隙的狀態進行重合的方式形成。輕元素層22採用丙烯酸樹脂，但是，可為氫、硼、碳、氮、氧和氟中的至少I種輕元素具有最大的摩爾份數的厚度為Imm以上的物質，還可為高分子有機化合物(聚丙烯、聚乙烯、聚醯亞胺、氟樹脂等)、石墨、氮化硼、金屬硼、石英、玻璃等。在石墨的場合，碳具有最大的摩爾份數，在氮化硼的場合，氮和硼均具有最大的摩爾份數。圖2、圖4、圖5所示的校正試樣20的輕元素層22可根據圖3所示的流程，按照與液體試樣S的種類相對應的厚度(高度)H而形成，厚度H的具體的數值最好比如，在I IOOmm的範圍內。輕元素層22的形狀不限於長方體狀,也可為圓柱、多稜柱等,還可接納於注入有液體試樣S的液體試樣容器內部。可通過像這樣形成輕元素層22，形成與液體試樣S相同程度的本底，與測定螢光X射線強度與散射X射線強度的比的液體試樣S達到相同的程度，故可進行正確的偏差校正。採用圖2、圖4、圖5，在上面已說明的校正試樣20均分別構成本發明的一個實施方式。如果按照第I實施方式的螢光X射線分析裝置，該螢光X射線分析裝置所具有的校正試樣20為下述的固體，即金屬層21由分析對象金屬元素形成，輕元素層22由氫、硼、碳、氮、氧和氟中的至少I種輕元素具有最大的摩爾份數的厚度為1_以上的物質形成，並且輕元素層22的輕元素產生與液體試樣S相同程度的散射X射線(本底)，故可長期地使用，並且可正確地校正分析對象金屬元素的測定X射線強度的偏差。下面，對作為本發明的第2實施方式的螢光X射線分析裝置進行說明。第2實施方式的螢光X射線分析裝置與作為第I實施方式的螢光X射線分析裝置的區別在於前者包括第I實施方式的螢光X射線分析裝置具有的校正試樣20與本底校正試樣40 (圖6)的2種的校正試樣，該本底校正試樣40僅僅由校正試樣20的輕元素層22形成，用於對液體試樣S的本底X射線強度的伴隨時間的變化進行校正，偏差校正機構9根據校正試樣20的分析對象金屬元素的測定X射線強度和裝載於試樣臺3上的本底校正試樣40的測定X射線強度，對液體試樣S的測定X射線強度的伴隨時間的變化進行校正。但是由於其它的結構是相同的，故對不同點進行描述。另外，2種校正試樣20、40與第I實施方式的螢光X射線分析裝置相同，最好，事先裝載於試樣交換機的規定位置，或內置有裝置。對第2實施方式的螢光X射線分析裝置的動作，即構成本發明的一個實施方式的螢光X射線分析方法進行說明。如果使螢光X射線分析裝置動作，則最初測定本底校正試樣40，偏差校正機構9將本底X射線強度作為本底基準強度Ib而存儲。接著，在校正本底X射線強度時，測定本底校正試樣40，求出本底X射線強度I。。如果求出本底X射線強度I。，則偏差校正機構9根據已求出的強度I。和在先存儲的基準強度IB，由下述的式(2)計算本底校正係數3。3 = Ib/Ic(2)接著，如果與第I實施方式的螢光X射線分析裝置的動作相同測定校正試樣20，則偏差校正機構9計算偏差校正係數Ct。偏差校正機構9通過已計算的偏差校正係數Ct、本底校正係數P校正一次式標準曲線的梯度常數a和截距常數b，校正標準曲線。在標準曲線的校正後測定的液體試樣S根據校正的標準曲線而定量。由於第2實施方式的螢光X射線分析裝置包括與第I實施方式的螢光X射線分析裝置所具有的校正試樣20相同的校正試樣20、與僅僅由輕元素層22形成的本底校正試樣40，通過高濃度區域用的校正試樣20和低濃度區域用的本底校正試樣40的2種的校正試樣，對梯度常數a和截距常數b進行校正，校正標準曲線，故可更加正確地校正標準曲線。特別是，在分析對象金屬元素的測定X射線強度的伴隨時間的變化和本底X射線強度的伴隨時間的變化不同的場合，其效果很大。以上描述的螢光X射線分析裝置具有的圖2、圖4、圖5所示的校正試樣20也可採用將由校正試樣20產生的散射X射線作為內標準線而測定的散射線監視法(散射線內標準法)。散射線監視法為多用於散射X射線大量發生的液體試樣、有機化合物等的分析，通過採用分析對象金屬元素的測定X射線強度和本底(散射X射線)的X射線強度的比，對試樣S中的共存元素的影響進行補償的螢光X射線分析方法。在比如，可進行散射線監視法的多元素同時型螢光X射線分析裝置中包括測定由液體試樣S產生的分析對象金屬元素的二次X射線的測定通道(具有適合於分析對象金屬元素的分光元件和X射線檢測器)；測定由液體試樣S產生的散射X射線的本底通道(具有適合於本底測定的分光元件和X射線檢測器)，製作將通過測定通道測定的X射線強度Ia和通過本底通道測定的X射線強度Id的比Ia/Id作為縱軸，將所測定的液體試樣S的分析對象金屬元素的濃度作為橫軸的標準曲線，分析液體試樣S。最初，通過測定通道和本底通道，同時地對校正試樣20進行測定，計算通過測定通道測定的作為X射線強度的基準強度Ip與通過本底通道測定的作為X射線強度的基準強度Ig的比Ip/Ig。在校正測定X射線強度時，通過測定通道和本底通道同時地對校正試樣20進行測定，計算通過測定通道測定的X射線強度^與通過本底通道測定的X射線強度I,的比iyiq。採用已計算的比ip/ig和已計算的比iyiq的比ap/ig)/(iyg校正標準曲線，進行偏差校正。校正試樣20可產生與分析對象的液體試樣S相同程度的本底，由於突光X射線強度與散射X射線強度的比與分析對象的液體試樣S的程度相同，故即使對於散射監視法，仍可進行正確的偏差校正。在第1、第2實施方式的螢光X射線分析裝置中，將校正試樣20用於標準曲線的校正，但是也可用於評價螢光X射線分析裝置的靈敏度穩定度的靈敏度穩定度試驗。最好，用於螢光X射線分析裝置的靈敏度穩定度試驗的穩定度試驗試樣產生與液體試樣S相同程度的強度的螢光X射線，具有與液體試樣S相同程度的螢光X射線與散射X射線強度的比，最好，比如金屬層21的厚度為5 i! m,輕元素層22的厚度為5mm。第1、第2實施方式的螢光X射線 分析裝置作為波長分散型螢光X射線分析裝置而進行了說明，但是，本發明的裝置也可為能量分散型螢光X射線分析裝置。標號說明標號I表不X射線源；標號2表不一次X射線；標號3表不試樣臺；標號4、6表示二次X射線；標號5表不分光兀件；標號7表不檢測器；標號8表示檢測機構；標號9表不偏差校正機構；標號20表不校正試樣；標號21表不金屬層;標號22表示輕元素層；標號23表不分析面；標號40表不本底校正試樣；符號S表不液體試樣。
權利要求
1.一種校正試樣，其為固體校正試樣，該校正試樣用於在液體試樣的螢光X射線分析中，對分析對象金屬元素的測定X射線強度的伴隨時間的變化進行校正， 其中，包含分析對象金屬元素的金屬層與厚度為1_以上的輕元素層重合地形成，該輕元素層中，氫、硼、碳、氮、氧和氟中的至少I種輕元素具有最大摩爾份數， 在上述金屬層中，與上述輕元素層相對的那一面的相反側表面為分析面。
2.—種螢光X射線分析方法,其採用權利要求1所述的校正試樣進行液體試樣的分析。
3.根據權利要求2所述的螢光X射線分析方法，其還採用本底校正試樣，該本底校正試樣僅僅由上述輕元素層形成，用於對液體試樣的本底X射線強度的伴隨時間的變化進行校正。
4.一種螢光X射線分析裝置，該螢光X射線分析裝置包括 權利要求1所述的校正試樣； 偏差校正機構，其根據上述校正試樣的分析對象金屬元素的測定X射線強度，對液體試樣的測定X射線強度的伴隨時間的變化進行校正。
5.根據權利要求4所述的螢光X射線分析裝置，還包括本底校正試樣，該本底校正試樣僅僅由上述輕元素層形成，用於對液體試樣的本底X射線強度的伴隨時間的變化進行校正， 上述偏差校正機構根據上述校正試樣的分析對象金屬元素的測定X射線強度和上述本底校正試樣的測定X射線強度，對液體試樣的測定X射線強度的伴隨時間的變化進行校正。
全文摘要
本發明的課題在於提供一種校正試樣和螢光X射線分析裝置與螢光X射線分析方法，提供液體試樣的螢光X射線分析用的校正試樣等，其可長期使用，且可進行正確的偏差校正。本發明的校正試樣為固體的校正試樣，該校正試樣用於在液體試樣的螢光X射線分析中，校正分析對象金屬元素的測定X射線強度的伴隨時間的變化，其中，包含分析對象金屬元素的金屬層與厚度為1mm以上的輕元素層重合地形成，該輕元素層中，氫、硼、碳、氮、氧和氟中的至少1種輕元素具有最大摩爾份數，在上述金屬層中，與輕元素層相對的那一面的相反側表面為分析面。
文檔編號G01N23/223GK103048346SQ20121039235
公開日2013年4月17日 申請日期2012年10月16日 優先權日2011年10月17日
發明者小林寬 申請人:株式會社理學