薄膜電晶體陣列板的製作方法
2023-04-23 05:49:41
專利名稱：薄膜電晶體陣列板的製作方法
技術領域：
本發明涉及薄膜電晶體陣列板(array panel)。
背景技術：
諸如液晶顯示器(LCD)和有機發光顯示器(OLED)的平板顯示器通常包括顯示板，該顯示板具有多個像素、多個連接到像素的信號線、多個用於驅動顯示板的驅動器以及用於控制驅動器的控制器。
驅動器通常包括多個安裝於貼附在顯示板的柔性印刷電路板(FPC)上或直接安裝於顯示板上的集成電路(IC)晶片。從具有多個電路元件的印刷電路板(PCB)向驅動器晶片供應控制信號和驅動電壓，所述電路元件包括安裝於印刷電路板上的控制器和電壓產生器。
當驅動晶片直接安裝於顯示板上時，信號線的末端部分延伸到顯示區外部的接觸區，在那裡信號線電連接和物理連接到輸出端子。接觸區包括多個導電膜和信號線的末端部分。接觸區提供於顯示板和PCB之間，用於傳輸控制信號、驅動電壓和圖像數據。
令人遺憾的是，在接觸區處導電膜和驅動晶片之間的連接常常質量不好，在製造顯示板期間會造成導電膜被用於斷開信號線連接的蝕刻劑侵蝕。因此，需要一種在顯示板的信號線和驅動晶片之間提供連接的改善的方法。
發明內容
根據本發明的實施例，提供了一種薄膜電晶體陣列板，其包括多條柵線和多條與柵線交叉的數據線。多個開關元件被連接到柵線和數據線，多個像素電極被連接到開關元件。層間絕緣層形成於柵線和數據線之間。還提供有覆蓋柵線、數據線和開關元件的鈍化層，其具有多個暴露數據線的部分的第一接觸孔，其中上述開關元件和像素電極通過第一接觸孔連接。多個輔助接觸形成於鈍化層上且通過鈍化層中的多個第二接觸孔連接到數據線。多條輔助線通過層間絕緣層中的多個第三接觸孔連接到數據線，其中所述第三接觸孔不與第二接觸孔重疊且完全被鈍化層覆蓋。
在另一實施例中，提供了一種薄膜電晶體陣列板，其包括多條柵線和多條和柵線交叉的數據線。多個開關元件被連接到柵線和數據線，且多個像素電極被連接到開關元件。層間絕緣層形成於柵線和數據線之間。還提供有覆蓋柵線、數據線和開關元件的鈍化層，其具有多個暴露數據線的部分的第一接觸孔，其中所述開關元件和像素電極通過第一接觸孔連接。多個輔助接觸形成於鈍化層上且通過鈍化層中的第二接觸孔連接到數據線。多個輔助線形成於鈍化層上，其中所述輔助線與輔助接觸附近的數據線重疊。
在另一實施例中，提供了一種薄膜電晶體陣列板，其包括多條數據線和覆蓋數據線的鈍化層。多個輔助接觸形成於鈍化層上且通過鈍化層中的多個接觸孔連接到數據線。多條輔助線也形成於鈍化層上並與輔助接觸附近的數據線重疊。
本發明的這些和其他實施例將從結合附圖進行的以下詳細描述中變得更加明了。
圖1為根據本發明實施例的LCD的方框圖；圖2為根據本發明實施例的LCD的像素的等效電路圖；圖3為根據本發明實施例的LCD的示意性布局圖；圖4為圖1-3所示的TFT陣列板的顯示區的示範性布局圖；圖5為沿線V-V』截取的圖4所示的顯示區的截面圖；圖6為數據驅動器附近的、圖1-3所示的TFT陣列板的區域A的放大布局圖，區域A包括連接數據線和數據驅動IC的接觸區；以及圖7為沿線VII-VII』截取的圖6所示的周邊區域的截面圖。
具體實施例方式
下面將參考附圖更詳細描述本發明，附圖中示出了本發明的優選實施例。不過，本發明可以以多種不同形式實施，不應被理解為局限於這裡所述的實施例。
在附圖中，為清晰起見放大了層和區域的厚度。全文中類似的附圖標記指代類似的元件。應當理解的是，當諸如層、區域或基板的元件被稱為在另一元件「上」時，它可能直接在另一元件上或還可以存在中間元件。相反，當元件被稱為「直接」在另一元件「上」時，則不存在中間元件。
現在將參考附圖描述根據本發明實施例的顯示裝置的示例。
圖1為根據本發明實施例的LCD的方框圖，而圖2為根據本發明實施例的LCD的像素的等效電路圖。
參考圖1，LCD包括LC板組件300、連接到板組件300的柵驅動器400和數據驅動器500。灰電壓發生器(gray voltage generator)800連接到數據驅動器500。信號控制器600控制以上的元件。
板組件300包括多個顯示信號線G1-Gn和D1-Dm，和多個連接到其上並基本排列為矩陣的像素PX。在圖2所示的結構視圖中，板組件300包括下板100和上板200，其間插置有LC層3。
顯示信號線G1-Gn和D1-Dm設置在下板100上且包括多條傳輸柵信號(也被稱為「掃描信號」)的柵線G1-Gn和多條傳輸數據信號的數據線D1-Dm。數據線G1-Gn基本沿行的方向延伸且基本彼此平行，而數據線D1-Dm基本沿列的方向延伸且基本彼此平行。
每個像素包括連接到柵線G1-Gn之一和數據線D1-Dm之一的開關元件Q；以及均連接到開關元件Q的LC電容器CLC和存儲電容器CST。可選地，可以省去存儲電容器CST。
開關元件Q包括TFT且提供在下板100上。開關元件Q具有三個端子連接到柵線G1-Gn之一的控制端子；連接到數據線D1-Dm之一的輸入端子；以及連接到LC電容器CLC和存儲電容器CST二者的輸出端子。
LC電容器CLC包括提供於下板100上的像素電極190和提供於上板200上的公共電極270，作為兩個端子。LC層3設置在兩個電極190和270之間並充當LC電容器CLC電介質。顯示電極190連接到開關元件Q。公共電極270被供以公共電壓Vcom並覆蓋上板200的整個表面。或者，公共電極270可以提供於下板100上，且電極190和270二者都可以為棒形或條形。
存儲電容器CST為LC電容器CLC的輔助電容器。存儲電容器CST包括像素電極190和分立的信號線，所述信號線提供於下板100上且通過絕緣體與像素電極190重疊。存儲電容器CST被供以預定電壓，例如公共電壓Vcom。或者，存儲電容器CST包括像素電極190和相鄰的柵線(「前一柵線，previousgate line」)，該柵線通過絕緣體與像素電極重疊。
對彩色顯示器而言，每一個像素唯一地表達三原色的一種(即，空間分割)或者依次表達三原色(即，時間分割)，使得三原色的空間或時間之和被識別為所需的顏色。圖2示出了空間分割一例，其中，在面對像素電極190的上板200的區域中為每個像素提供濾色器230(紅、綠和藍濾色器之一)。或者，濾色器230提供於下板100上的像素電極190上或下。
一個或多個偏振器(未示出)貼附到板100和200。
再次參考圖1，灰電壓發生器800產生兩組與像素的透射率相關的灰電壓。一組中的灰電壓相對於公共電壓Vcom具有正極性，而另一組中的灰電壓相對於公共電壓Vcom具有負極性。
柵驅動器400連接到板組件300的柵線G1-Gn，併合成來自外部器件的柵極開啟電壓Von和柵極關閉電壓Voff，以產生施加到柵線G1-Gn的柵信號。
數據驅動器500連接到板組件300的數據線D1-Dm並將數據電壓施加到數據線D1-Dm，數據電壓選自灰電壓發生器800所提供的灰電壓。
信號控制器600控制柵驅動器400和數據驅動器500，並可以安裝在印刷電路板(PCB)上。
現在參考圖3描述圖1和圖2所示的LCD的詳細示例。
圖3是根據本發明實施例的LCD的示意性布局圖。
如圖3所示，板組件300包括多條柵線(G1-Gn)和多條數據線(D1-Dm)。多個柵驅動IC晶片440和多個數據驅動IC晶片540安裝在板組件300上。柵驅動IC晶片440接近板組件300的左邊緣設置，數據驅動IC晶片540接近板組件300的上邊緣設置。PCB 550設置在板組件300的上邊緣附近，其上提供了諸如信號控制器600和灰電壓發生器800的幾個電路元件。板組件300和PCB 550通過多個FPC膜511和512電連接和物理連接。
最左側的FPC膜511包括多條數據傳輸線521和多條驅動信號線523。數據傳輸線521傳輸圖像數據，且連接到數據驅動IC晶片540的輸入端子。驅動信號線523傳輸電壓和控制信號，用於通過設置在板組件300上的驅動信號線321和323激活驅動IC晶片540和440。
剩餘的FPC膜512包括多條驅動信號線522，用於將電壓和控制信號傳輸到電連接到其的數據驅動IC晶片540。
信號線521-523連接到PCB 550上的電路元件並接收來自它們的信號。
或者，驅動信號線523可以提供於分立的FPC膜(未示出)上。
如圖3所示，由橫向延伸的柵線和縱向延伸的數據線的交叉點界定的多個數據區域在板組件300上形成顯示區D。在顯示區D周圍設置光阻擋元件220(由陰影線區域表示)，用於阻擋到顯示區D的外部的光洩漏。
同樣如圖3所示，柵線和數據線在顯示區D中基本平行。在它們離開顯示區D的「扇出(fan-out)」區域中被分組成扇狀。在跨過阻擋元件220之後這些線又基本平行了。
數據驅動IC晶片540設置在顯示區D之外，並在橫向上依次布置。相鄰的數據驅動IC晶片540通過多個互連541連接。從最左側的FPC膜511傳輸到最左側的數據驅動IC 540的圖像數據通過互連541被傳輸到下一個數據驅動IC 540，依次類推。
多條檢測線125形成於板組件300上。在每個數據驅動IC晶片540的下方設置兩條檢測線125。每條檢測線125基本沿橫向延伸，向上彎曲，且包括檢查焊盤。檢測線125的數目可以有所變化。如圖3所示，數據線交替地連接到檢測線125。具體地說，兩條檢測線125中的一條連接到奇數序號的數據線(D1、D3等)，而兩條檢測線125中的另一條連接到偶數序號的數據線(D2、D4等)。
柵驅動IC晶片440安裝在顯示區D外部、板組件300的左邊緣附近，沿縱向布置。驅動信號線323位於柵驅動IC晶片440附近且將最左側FPC膜511的驅動信號線523電連接到最上側的柵驅動IC 440，或者電連接柵驅動IC晶片440。柵驅動IC晶片440可以僅形成在具有開關元件Q或驅動信號線323的下板100上，使得下板100包括多個薄膜電晶體和多條信號線(圖3未示出)。
圖3中的附圖標記「L」表示在製造工藝的最後步驟中由雷射器照射的切割線，用於斷開柵線121和數據線171彼此間的電連接。
如上所述，LC板組件300包括板100和200。配備有TFT的板100和200之一這裡被稱為「TFT陣列板。」現在參考圖4到圖7詳細描述根據本發明實施例的LCD的示範性TFT陣列板。
圖4為圖1-3所示的TFT陣列板的顯示區的示意性布局圖。圖5為截取自線V-V』的圖4所示的顯示區的截面圖。圖6為數據驅動器附近的、圖1-3所示的TFT陣列板的區域A的放大布局圖，區域A包括連接數據線和數據驅動IC的接觸區。圖7為沿線VII-VII』截取的圖6所示的周邊區域的截面圖。
優選由氧化矽(SiO2)或氮化矽(SiNx)製作的阻擋膜111形成於透明絕緣基板110上。阻擋膜111可以具有雙層結構。
優選由多晶矽製作的多個半導體島150形成於阻擋膜111上。每個半導體島150包括多個包含導電雜質的非本徵區。非本徵區包括多個重摻雜區和多個輕摻雜區。半導體島150還包括多個含有少量導電雜質的本徵區。本徵區包括溝道區154和存儲區157。重摻雜區包括由溝道區154分隔開的源極區和漏極區153和155，以及偽區158。輕摻雜區152較窄，設置於本徵區154、157以及重摻雜區153、155和158之間。設置在源極區153和溝道區154之間以及漏極區155和溝道區154之間的輕摻雜區152被稱為「輕摻雜漏極區」(LDD)。
優選由SiNx製成的柵極絕緣層140形成於半導體島150和阻擋膜111上。
在絕緣基板110上形成多個柵導體，其包括多條柵線121、多條存儲電極線131和多條輔助信號線122(參考圖6和圖7)。
用於傳輸柵信號的柵線121基本沿橫向延伸，並包括多個柵電極124，柵電極124向下突出，與半導體島151的溝道區154重疊。柵電極124還可以與輕摻雜區152重疊。每條柵線121都包括擴展的具有大面積的端部，用於接觸另一層或外部驅動電路。柵線121可以直接連接到用於產生柵信號的柵驅動電路，柵驅動電路可以集成在基板110上。
存儲電極線131被供以預定電壓，例如公共電壓，且包括多個存儲電極137，它們向上和向下突出並與半導體島150的存儲區157重疊。
每條輔助信號線122基本沿縱向延伸並具有大面積的部分。
柵導體121、131和122優選由低電阻率材料製作，包括含有鋁(Al)或鋁合金的金屬。柵導體121、131和122可以具有多層結構，該多層結構兩層具有不同物理特性的膜。兩層膜中的一層優選由低電阻率的金屬製作，包括含Al的金屬，用於減小柵導體121、131和122中的信號延遲或電壓降。另一膜優選由諸如鉻(Cr)、鉬(Mo)、Mo合金、鉭(Ta)、或鈦(Ti)的材料製作，它們和諸如氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)的其它材料之間具有優良的物理、化學和電學接觸特性。
此外，柵導體121、131和122的側表面相對於基板110的表面傾斜大約30-90度的範圍內的傾斜角。
層間絕緣層160形成於柵導體121、131和122上。層間絕緣層160優選由具有較好平面度特性的光敏有機材料、例如由等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)形成的a-Si:C:O和a-Si:O:F的低介電常數絕緣材料，或者諸如SiNx和SiO2的無機材料製成。
層間絕緣層160具有多個接觸孔162，所述接觸孔分別暴露輔助信號線122的部分。此外，層間絕緣層160和柵極絕緣層140具有多個接觸孔163和165，所述接觸孔分別暴露源極區153和漏電極175。
在層間絕緣層160上形成多個數據導體，包括多條數據線171、多個漏電極175和多條數據連接線178。
用於傳輸數據電壓的數據線171基本沿縱向延伸並和柵線121交叉。每條數據線171包括多個通過接觸孔163連接到源極區153的源電極173，以及擴展部分179。數據線171的擴展部分179延伸到顯示區D之外的區域A，接觸數據驅動IC 540的輸出端子並通過接觸孔162連接到輔助信號線122。輔助信號線122與數據線171的擴展部分179重疊，和擴展部分179一起產生接觸區。
漏電極175與源電極173分開並通過接觸孔165連接到漏極區155。
數據連接線178基本沿縱向延伸並連接到數據線171的擴展部分179，以將數據線171連接到檢測線125(參見圖3)。
數據導體171、175和178優選由包括Cr、Mo、Ti、Ta或其合金的難熔金屬製作。它們可以具有多層結構，該多層結構優選包括低電阻率膜和提供較好接觸特性的膜。例如，該多層結構可以包括Mo下膜、Al中膜和Mo上膜以及上述Cr下膜和鋁釹(Al-Nd)上膜的組合，和Al下膜及Mo上膜。作為另一例，該多層結構可以包括Cr下膜和鉬鎢(MoW)上膜。
類似於柵導體121、131和122，數據導體171和175相對於基板110的表面具有傾斜的側面，傾角在大約30-80度的範圍內。
鈍化層180形成於數據導體171、175和178以及層間絕緣層160上。鈍化層180也優選由具有較好平面度特性的光敏有機材料、例如由PECVD形成的a-Si:C:O和a-Si:O:F的低介電常數絕緣材料、或諸如SiNX和SiO2的無機材料製成。鈍化層180包括由無機材料製作的第一絕緣層801和形成於第一絕緣層801上且由無機材料製作的第二絕緣層802。鈍化層180具有多個暴露漏電極175的接觸孔185和多個暴露數據線171端部的接觸孔182。暴露數據線171端部的接觸孔182和暴露輔助信號線122的接觸孔162彼此不重疊，且鈍化層180完全覆蓋接觸孔162。
如圖7所示，界定接觸孔182的鈍化層180的部分相對於基板110的表面具有傾斜的側面，其傾角大約為45度。附圖標記S指示了鈍化層180的傾斜側面的位置。
和側斜坡陡峭的層相比，上述實施例的鈍化層180的薄且逐漸傾斜的側面在製造工藝期間防止了導電顆粒保留在接觸孔182附近的鈍化層180的側面處。此外，當把驅動晶片540連接到接觸區時，薄且逐漸傾斜的側面能夠改善驅動晶片540的接觸，由此提高接觸區的可靠性。
多個像素電極190、多個輔助接觸82和多條輔助線191和198形成於鈍化層180或層間絕緣層160上。輔助線191和198優選由至少一種諸如ITO或IZO的透明導體和(在提供反射模式或半透明模式的LCD中)一種諸如Al或Ag的不透明反射導體製作。
像素電極190位於顯示區D中，通過接觸孔185物理連接和電連接到漏電極175，使像素電極190通過漏電極175從漏極區155接收數據電壓。
再次參考圖2，被供以數據電壓的像素電極190和上板200上的公共電極270合作產生電場。電場決定著置於其間的LC層3中液晶分子的取向或在置於其間的發光構件(未示出)中產生電流。
如上所述，像素電極190和公共電極270形成液晶電容器CLC。像素電極190、連接到其的漏極區155和包括存儲電極137的存儲電極線131形成存儲電容器CST。
像素電極190可以重疊柵線121和數據線171以增大開口率，尤其當鈍化層180由低介電常數絕緣體製成時更是如此。
輔助接觸82設置在接觸孔182上，以連接到數據線171的擴展部分179，並位於顯示區D之外。輔助接觸82基本覆蓋數據線171的擴展部分179。或者，輔助接觸82可以僅設置在接觸孔182附近。
輔助接觸82保護著數據線171的暴露部分，防止侵蝕並改善數據線171和IC晶片540之間的連接。上述接觸結構也能夠應用到柵線121和柵驅動器400上。
輔助線191和198分別重疊數據線171和數據連接線178，在顯示區D之外，並延伸到傾斜部分S之內。優選地，輔助線191和198分別完全地覆蓋數據線171和數據連接線178。在提供半透明模式的LCD中，輔助線191和198可以在和像素電極190相同的層上包括不透明反射導體和透明導體。在本發明的實施例中，輔助線191和198完全重疊數據線171和178防止了在ITO或IZO上所用的蝕刻劑滲透入鈍化層180中或構圖像素電極190。它們之間的重疊進一步防止了有機層802鄰近接觸孔182的傾斜部分分離，由此阻止了接觸區中的信號線171和178被侵蝕和斷開，並改善了接觸區的可靠性。在輔助線191和198包括雙層結構的實施例中，接觸區的可靠性可以得到進一步提高。
上述接觸區的結構也可以應用到柵線121和柵驅動器400。
現在，將詳細描述上述LCD的運行。
信號控制器600被供以輸入圖像信號R、G和B以及輸入控制信號，用於控制圖像信號的顯示。舉例來說，輸入控制信號包括來自外部圖形控制器(未示出)的垂直同步信號Vsync、水平同步信號Hsync、主時鐘MCLK和數據使能信號(data enable signal)DE。信號控制器600生成柵控制信號CONT1和數據控制信號CONT2，並響應於輸入控制信號和輸入圖像信號R、G和B處理圖像信號R、G和B以適於板組件300的運行。信號控制器600將柵控制信號CONT1傳輸到柵驅動器400，將已處理的圖像信號DAT和數據控制信號CONT2通過信號線521-523和驅動信號線321和323傳輸到數據驅動器500。
柵控制信號CONT1包括用於指示柵驅動器400開始掃描的掃描起始信號STV、用於控制柵極啟動電壓Von的輸出時間的至少一個時鐘信號和用於定義柵極啟動電壓Von的持續時間的輸出使能信號(output enable signal)OE。
數據控制信號CONT2包括用於通知數據驅動器500水平周期開始的水平同步起始信號STH、用於指示數據驅動器500向數據線D1-Dm施加數據電壓的加載信號LOAD、用於反轉數據電壓(相對於公共電壓Vcom)的極性的反轉控制信號RVS以及數據時鐘信號HCLK。
數據驅動器500從信號控制器600接收針對像素行的圖像數據R、G和B的數據包，並響應於來自信號控制器600的數據控制信號CONT2，將圖像數據R、G和B轉換為從灰電壓發生器800所供的灰電壓中選擇的模擬數據電壓。此後，數據驅動器500將數據電壓施加到數據線D1-Dm。
響應於來自信號控制器600的柵控制信號CONT1，柵驅動器400將柵極啟動電壓Von施加到柵線G1-Gn，由此開啟連接到其上的開關元件Q。施加到數據線D1-Dm的數據電壓通過被激活的開關元件Q被提供到像素。
數據電壓和公共電壓Vcom之間的差別被表達為LC電容器CLC兩端的電壓(即，像素電壓)。LC電容器CLC中的LC分子取向取決於像素電壓的大小。分子取向決定了通過LC層3的光的偏振。偏振器將光的偏振轉換為光的透射率。
通過每個水平周期(等於水平同步信號Hsync和數據使能信號DE的一個周期)重複這一過程，在一幀中所有的柵線G1-Gn被依次供以柵極開啟電壓Von，由此將數據電壓施加到所有的像素。如此控制施加到數據驅動器500的反轉控制信號RVS，使得數據電壓的極性針對每一幀反轉(被稱為「幀反轉」)。也可以如此控制反轉控制信號RVS，使得在一幀中的一條數據線中流動的數據電壓的極性被反轉(例如，線反轉和點反轉)，或者在所接收的一個數據包中的數據電壓的極性被反轉(例如，列反轉和點反轉)。
現在將詳細描述這一過程。
在接收到掃描啟動信號STV之後，最上側的柵驅動IC 440從兩個電壓Von和Voff中選擇柵極開啟電壓Von並將所選的電壓Von提供給第一柵線G1。其餘的柵線G2-Gn被供以柵極關閉電壓Voff。連接到第一柵線G1的開關元件Q在施加柵極開啟電壓Von時被開啟，針對第一像素行的數據電壓通過被激活的開關元件Q被施加到第一像素行中的LC電容器CLC和存儲電容器CST。在第一像素行的電容器CLC和CST充電後，最上側的柵驅動IC 440將柵極關閉電壓Voff施加到第一柵線G1，關閉連接到其上的開關元件Q，並將柵極開啟電壓Von施加到第二柵線G2。
通過重複這一過程，最上側的柵驅動IC 440將柵極開啟電壓Von施加到所有連接到其上的柵線上，並向下一柵驅動IC 440輸出進位信號，表明第一柵驅動IC 400已經掃描完與其相連的所有柵線。
第二柵驅動IC 440在接收到進位信號之後，掃描所有與其連接的柵線並生成進位信號，在完成掃描時將該進位信號傳輸至下一柵驅動IC 440。
通過這種方式，完成剩餘柵驅動IC晶片的掃描。在最下側的柵驅動IC440完成掃描後，就掃描完了一幀。
雖然針對LCD描述了本發明的實施例，應當理解，上述說明也可以適用於其他平板顯示器，包括但不限於OLED。
根據本發明的各實施例，對信號線被連接到驅動IC的接觸區增加低電阻率的輔助信號線能夠防止信號延遲。多層結構的接觸區中連接導電層的接觸孔可以如此配置，使得諸接觸孔不彼此重疊。此外，輔助線可以完全覆蓋信號線。結果，可以減少接觸區中的有機層的分離和信號線的侵蝕與斷開。因此，可以提高接觸區的可靠性，可以最小化接觸區的接觸電阻並可以改善LCD的性能。
雖然在此描述了本發明的優選實施例，應當理解，本發明不局限於所披露的實施例。其他變化和/或改進由本公開所啟示並落在本發明的精神和範圍之內。因此，本發明的範圍僅由權利要求限定。
本申請要求於2004年9月3日向韓國知識產權局提交的韓國專利申請No.10-2004-0070341的優先權，其全部內容引入於此作為參考。
權利要求
1.一種薄膜電晶體陣列板，包括多條柵線；多條數據線，與所述柵線交叉；多個開關元件，連接到所述柵線和數據線；多個像素電極，連接到所述開關元件；層間絕緣層，形成於所述柵線和數據線之間；鈍化層，覆蓋所述柵線、數據線和開關元件，所述鈍化層具有多個暴露所述數據線的部分的第一接觸孔，其中，所述開關元件和像素電極通過所述第一接觸孔連接；多個輔助接觸，形成於所述鈍化層上並通過所述鈍化層中的多個第二接觸孔連接到所述數據線；以及多條輔助線，通過所述層間絕緣層中的多個第三接觸孔連接到所述數據線，其中，所述第三接觸孔不重疊所述第二接觸孔且完全被所述鈍化層覆蓋。
2.如權利要求1所述的陣列板，其中，所述鈍化層限定所述第二接觸孔的部分具有傾斜的側面。
3.如權利要求2所述的陣列板，還包括多條形成於所述鈍化層上的輔助線，其中，所述輔助線重疊所述數據線。
4.如權利要求3所述的陣列板，其中，所述輔助線覆蓋所述鈍化層的傾斜側面。
5.如權利要求4所述的陣列板，其中，所述輔助線包括由透明材料製成的透明導體；以及由導電材料製成的反射導體。
6.如權利要求3所述的陣列板，其中，所述鈍化層包括由有機材料製成的第一絕緣層；以及由無機材料製成的第二絕緣層。
7.如權利要求1所述的陣列板，其中，所述輔助線與所述柵線在相同的層上且連接到所述數據線。
8.如權利要求1所述的陣列板，其中所述輔助線包括含鋁的金屬。
9.一種薄膜電晶體陣列板，包括多條柵線；多條數據線，與所述柵線交叉；多個開關元件，連接到所述柵線和數據線；多個像素電極，連接到所述開關元件；層間絕緣層，形成於所述柵線和數據線之間；鈍化層，覆蓋所述柵線、數據線和開關元件，所述鈍化層具有多個暴露所述數據線的部分的第一接觸孔，其中，所述開關元件和像素電極通過所述第一接觸孔連接；多個輔助接觸，形成於所述鈍化層上並通過所述鈍化層中的多個第二接觸孔連接到所述數據線；以及多條形成於所述鈍化層上的輔助線，其中，所述輔助線重疊所述輔助接觸附近的數據線。
10.如權利要求9所述的陣列板，其中，所述鈍化層限定所述第二接觸孔的部分具有傾斜的側面。
11.如權利要求10所述的陣列板，其中，所述輔助線覆蓋所述鈍化層的傾斜側面。
12.如權利要求11所述的陣列板，其中，所述輔助線包括由透明材料製成的透明導體；以及由導電材料製成的反射導體。
13.如權利要求12所述的陣列板，其中，所述鈍化層包括由有機材料製成的第一絕緣層；以及由無機材料製成的第二絕緣層。
14.如權利要求9所述的陣列板，還包括多條輔助線，所述輔助線通過所述層間絕緣層中的多個第三接觸孔連接到所述數據線。
15.如權利要求14所述的陣列板，其中，所述第三接觸孔不重疊所述第二接觸孔且完全被所述鈍化層覆蓋。
16.如權利要求15所述的陣列板，其中，所述輔助線與所述柵線在相同的層上且連接到所述數據線。
17.如權利要求14所述的陣列板，其中，所述輔助線包括含鋁的金屬。
18.一種薄膜電晶體陣列板，包括多條數據線；鈍化層，覆蓋所述數據線；多個輔助接觸，形成於所述鈍化層上並通過所述鈍化層中的多個接觸孔連接到所述數據線；以及多條形成於所述鈍化層上的輔助線，其中，所述輔助線重疊所述輔助接觸附近的數據線。
19.如權利要求18所述的陣列板，還包括層間絕緣層；以及多條輔助線，通過所述鈍化層中的第二接觸孔連接到所述數據線，其中，所述第二接觸孔不重疊所述第一接觸孔且完全被所述鈍化層覆蓋。
20.如權利要求18所述的陣列板，還包括多個開關元件，連接到所述數據線；以及多個像素電極，連接到所述開關元件。
全文摘要
本發明公開了一種改進的薄膜電晶體陣列板。在一個實施例中，陣列板包括多條柵線、數據線和多個連接到柵線和數據線的開關元件。層間絕緣層形成於柵線和數據線之間。還提供了覆蓋柵線、數據線和開關元件的鈍化層，其具有多個暴露所述數據線的部分的第一接觸孔，其中，開關元件和像素電極通過第一接觸孔連接。多個輔助接觸形成於鈍化層上且通過鈍化層中的多個第二接觸孔連接到數據線。多條輔助線通過層間絕緣層中的多個第三接觸孔連接到數據線。
文檔編號G02F1/136GK1744322SQ20051009789
公開日2006年3月8日 申請日期2005年9月2日 優先權日2004年9月3日
發明者鄭震九, 樸慶珉, 柳春基 申請人:三星電子株式會社