顯示板及其製造方法

2023-04-22 21:10:01 1

專利名稱：顯示板及其製造方法
技術領域：
本發明涉及有反射層的顯示板及其製造方法。
背景技術：
液晶顯示板有透過型和反射型。透過型具有使來自配置在液晶顯示板背面側的背光燈的光透過液晶顯示板而進行顯示的構造，在暗處容易看見。反射型具有用配置在液晶顯示板內部或液晶顯示板背面側的反射層來反射從外部來的光而進行顯示的構造，在明處容易看見。為了在暗處在明處都容易看見，公知具有透過型和反射型的兩種構造的半透過型(透過型和反射型兩用)液晶顯示板。在液晶顯示板的內部形成反射層情況，從外部來的光因反射層不散射時，由於在特定方向反射亮度高的光，所以不能辨認周圍的顯示。因此，通常在反射層的表面形成微小的凸凹。日本公開公報2004-20688號公報公開了具備帶有微小的凸凹的反射層的反射型液晶顯示板。該在先文獻記載的液晶顯示板，在玻璃基板的上面設置由鋁構成的平坦反射層，在包含反射層的玻璃基板的上面設置絕緣膜，在絕緣膜的與反射層對應的部分上設置附帶截面反梯形形狀的多個傾斜面的通孔，在包含帶傾斜面通孔的絕緣膜的上面，設置由ITO構成的象素電極，該象素電極具有追隨包含帶傾斜面通孔的絕緣膜的凸凹表面的凸凹表面。
而且，在上述構成的液晶顯示元件中，平坦的反射層僅有文字通過的光反射功能，但由於象素電極追隨包含帶傾斜面通孔的絕緣膜的凸凹表面而被形成為凸凹狀，所以利用在該部分的折射而發揮光散射功能，作為全體能使外光進行散射反射。
可是，在上述構成的液晶顯示元件中，由於利用由被形成為凸凹狀的ITO構成的象素電極的折射來發揮光散射功能，散射性小，而且，由於帶傾斜面通孔的傾斜角是相同的，所以反射光是規則的，有不能得到充分的光散射反射的問題。

發明內容
因此，本發明的目的在於提供有充分的光散射反射功能的顯示板及其製造方法。
為了完成上述目的，本發明的顯示板，其特徵是具有基板、設置在上述基板上的並具有凸凹表面的有機膜、追隨上述有機膜的上述凸凹表面而設置的反射膜、和至少與上述反射膜一部分重疊而設置的象素電極。
另外，本發明的顯示板的製造方法，其特徵是包含以下步驟準備具有一面的基板；準備一面具有凸凹的有機膜；在上述基板的上述一面上複製上述有機膜，以使上述有機膜的一面顯示出來；在上述絕緣膜上形成反射膜；在上述反射膜上形成透明的象素電極，並使至少一部分重疊。


圖1是作為本發明第1實施方式的有源矩陣型半透過反射型的液晶顯示元件主要部分的截面圖。
圖2是圖1所示的液晶顯示元件的薄膜電晶體基板側的透過平面圖。
圖3是作為本發明第2實施方式的液晶顯示元件的與圖1同樣的截面圖。
圖4是作為本發明第3實施方式的液晶顯示元件的與圖1同樣的截面圖。
圖5是作為本發明第4實施方式的液晶顯示元件的與圖1同樣的截面圖。
圖中1-薄膜電晶體基板，2-掃描線，3-數據線，4-薄膜電晶體，5-象素電極，5a-透過用象素電極部，5b-反射用象素電極部，6-反射膜，7-輔助電容電極，22-間隙限制膜。
具體實施例方式
(第1實施方式)圖1表示作為本發明第1實施方式的有源矩陣型半透過反射型的液晶顯示元件的主要部分的截面圖，圖2表示其中薄膜電晶體基板側的透過平面圖。此時，圖1是相當於沿圖2的IA-IA線部分的截面圖。該液晶顯示元件具備由玻璃基板等構成的薄膜電晶體基板1和相向基板31。
首先，參照圖2，對薄膜電晶體基板1側進行說明。在薄膜電晶體基板1的上面側(和相向基板31相向的內面側)，以矩陣狀設置掃描線2和數據線3，在其各交點附近設置薄膜電晶體4、象素電極5和反射膜6，而且，與掃描線2和數據線3平行地設置大致格子狀的輔助電容電極7。這裡，因使圖2明確的目的，在象素電極5的邊緣部寫上斜短實線的剖面線。
此時，象素電極5的大致右半部分成為透過用象素電極部5a，左半部分大致成為反射用象素電極部5b。象素電極5的四邊部與在其周圍配置的大致格子狀的輔助電容電極7重疊。在反射膜6的上側配置有反射用象素電極部5b。由此，象素電極5內，除去反射膜6形成區域和輔助電容電極7形成區域的區域是實際的透過用象素區域。即，透過用象素電極部5a內，除去輔助電容電極7形成區域的區域是實際的透過用象素區域。對應於反射膜6的區域是反射用象素區域。
輔助電容電極7是大致格子狀，由和數據線3重疊的第1輔助電容電極部7a、與掃描線2重疊的第2輔助電容電極部7b、和與薄膜電晶體4重疊的第3輔助電容電極部7c構成。在該情況下，在後面說明，但輔助電容電極7設置在和掃描線2不同層上，而且，其中的特別之處是，第1輔助電容電極7a，在厚度方向、即在圖2的紙面垂直方向上，分別經由絕緣膜被設置在數據線3和象素電極5之間。
而且，第1輔助電容電極7a的寬度比數據線3的寬度大某種程度。由此，第1輔助電容電極7a，即使有和數據線3正交方向的位置偏移，也能可靠地掩蓋數據線3，以使數據線3和象素電極5不直接相向。第1輔助電容電極7a被配置成遍及數據線3配置區域的大致全部區域。由此，第1輔助電容電極7a相對象素電極5，即使有和數據線3平行方向的位置偏移，也能可靠地與象素電極5的左右邊部重疊，從而能可靠地防止因該方向位置重合偏移引起的輔助電容變動。
第2輔助電容電極7b的寬度比掃描線2的寬度大某種程度。因此，第2輔助電容電極7b，即使有和掃描線2正交方向的位置偏移，也能可靠地與掃描線2重疊。另外，第2輔助電容電極部7b被配置成遍及掃描線2配置區域的大致全部區域。由此，第2輔助電容電極部7b相對象素電極5，即使有和掃描線2平行方向的位置偏移，也能可靠地與象素電極5的上下邊部重疊，從而能可靠地防止因該方向位置重合偏移引起的輔助電容的變動。
第3輔助電容電極7c和反射膜6被設置成覆蓋薄膜電晶體4。由此，能可靠地防止外光向薄膜電晶體4的入射。另外，由於用大致格子狀的輔助電容電極7和反射膜6掩蓋象素電極5的實際透過用象素區域以外，所以沒有必要在後述的相向基板31上置防止光洩露用的黑色掩膜(blackmask)，從而可以能增大開口率。
接著，參照圖1，說明該液晶顯示元件的具體構造。在薄膜電晶體基板1的上面的規定處，設置有包含由鉻和鉬等構成的柵電極11的掃描線2(參照圖2)。在包含柵電極11和掃描線2的薄膜電晶體基板1的上面設置有由氮化矽構成的柵絕緣膜12。
在柵電極11上的柵絕緣膜12上面規定處設置有由本徵非晶矽構成的半導體膜13。在柵電極11上的半導體膜13的上面規定處設置有由氮化矽構成的溝道保護膜14。在溝道保護膜14的上面兩側和其兩側的半導體膜13的上面，設置有由n型非晶矽構成的歐姆接觸層15、16。在歐姆接觸層15、16的上面設置有由鉻和鉬等構成的源·漏電極17、18。
而且，用柵電極11、柵絕緣膜12、半導體膜13、溝道保護膜14、歐姆接觸層15、16、源·漏電極17和18構成薄膜電晶體4。
在柵絕緣膜12上面的規定處設置數據線3。這時，數據線3，從下依次形成本徵非晶矽層3a、n型非晶矽層3b、由鉻和鉬等構成的金屬層3c的3層構造。本徵非晶矽層3a、n型非晶矽層3b、金屬層3c與源·漏電極18形成區域上的半導體膜13、歐姆接觸層16和源·漏電極18連接。
在包含薄膜電晶體4和數據線3的柵絕緣膜12的上面，設置有由氮化矽構成的層間絕緣膜19。在層間絕緣膜19上面的規定處設置有由鉻和鉬等構成的輔助電容電極7(7a、7b、7c)。在包含輔助電容電極7的層間絕緣膜19上面設置有由氮化矽構成的覆蓋膜20。在源·漏電極17上的層間絕緣膜19和覆蓋膜20上設置有接觸孔21。
在覆蓋膜20上面的反射膜形成區域上，設置有表面凸凹的由環氧系樹脂和聚醯亞胺樹脂系等有機材料構成的間隙限制膜(有機膜)22。在間隙限制膜22的凸凹表面上設置有具有追隨該凸凹表面的凸凹表面的、由鋁和鋁合金等的鋁系列金屬構成的反射膜6。在反射膜6的凸凹表面上設置有具有追隨該凸凹表面的凸凹表面的、由自然氧化膜和氧化處理膜等構成的絕緣膜23。
在包含絕緣膜23的覆蓋膜20的上面規定處設置有由ITO構成的象素電極5，其經由接觸孔21與源·漏電極17連接。這時，在絕緣膜23上面設置的象素電極5為追隨絕緣膜23的凸凹表面的凸凹狀。象素電極5和反射膜6，在其之間介著絕緣膜23，所以電絕緣。在設置在絕緣膜23上面的象素電極5的上面規定處，設置有由樹脂等構成的柱狀襯墊24。
接著，說明將表面形成為凸凹的間隙限制膜22的形成方法。首先，在將表面形成為凸凹的模型凸凹表面上，用印刷法、旋轉塗敷法、模塗敷法等形成由環氧系樹脂和聚醯亞胺系樹脂等有機材料構成的間隙限制膜形成用膜，並使其上面平坦。接著，使模型上下反轉。將間隙限制膜形成用膜複製在圖1所示的覆蓋膜20上面。接著，當用光刻法使該複製的間隙限制膜形成用膜圖案形成時，如圖1所示，形成表面為凸凹的間隙限制膜22。
這裡，模型的凸凹表面，例如，能用使有凸凹的滾筒在樹脂薄膜上一面旋轉一面熱壓接的方法形成，在圖1中，間隙限制膜22的表面凸凹，圖示為大致一樣的傾斜角度和深度，但通過適宜變化滾筒凸凹的傾斜角度和深度，也能使模型的凸凹形成為傾斜角度和深度是隨機的，能在充填於該模型的間隙限制膜形成用膜的表面、即間隙限制膜22的表面上，形成傾斜角度和深度是隨機的凸凹。
作為其他的形成方法，通過印刷法、旋轉塗敷法、模塗敷法等，在圖1所示的覆蓋膜20上面，形成由環氧系列樹脂和聚醯亞胺系樹脂等有機材料構成的間隙限制膜形成用膜，並使其上面平坦。接著，使間隙限制膜形成用膜半硬化。接著，通過邊加熱邊旋轉表面有凸凹的滾筒，在半硬化狀態的間隙限制膜形成用膜上面形成凸凹。接著，當用光刻法使間隙限制膜形成用膜圖案形成時，如圖1所示，形成表面為凸凹的間隙限制膜22。
另外，在圖1中，間隙限制膜22的表面凸凹，被圖示成相對上面(水平面)的傾斜角度是60度以上，但這是因為圖面的關係，為了實際入射到液晶顯示元件的光在垂直方向反射，優選相對上面的傾斜角度大多數包含5度～20度左右。
為了在間隙限制膜22上形成反射膜6，通常，採用噴塗使反射膜形成用膜在間隙限制膜22上成膜，用光刻技術做成希望的形狀即可。接著，在反射膜6上形成絕緣膜23，通過噴塗使ITO在全面上成膜，用光刻技術形成象素電極5。這裡，在作為反射膜形成用膜使用鋁系列金屬的情況，用噴塗使反射膜形成用膜成膜時，由於表面形成自然氧化膜，作為其他工序沒有必要形成絕緣膜23。在作為其他工序形成絕緣膜23的情況，用CVD法或噴塗使氧化矽膜和氮化矽膜成膜，用蝕刻等進行圖案形成即可。
另外，在相向基板31的下面(和薄膜電晶體1相向側的內面)，設置有由樹脂構成的紅綠蘭的彩色濾色器32。在彩色濾色器32的下面設置有由ITO等透明導電材料構成的相向電極33。而且，薄膜電晶體基板1和相向基板31，在層疊於間隙限制膜22上的象素電極5上，形成柱狀襯墊24，將該柱狀襯墊24、間隙限制膜22(包含象素電極5、反射膜6、絕緣膜23)作為間隙部件，並經由密封材料(未圖示)相互粘合，在密封材料內側的兩基板1、31之間封入液晶34。
而且，在將上述構成的液晶顯示元件作為透過型使用的情況，使配置在薄膜電晶體基板1下面側的背光燈(未圖示)點亮時，從背光燈來的光透過薄膜電晶體基板1、柵絕緣膜12、層間絕緣膜19、覆蓋膜20、象素電極5中的實際透過用象素區域、液晶34、相向電極33、彩色濾色器32和相向基板31，出射到相向基板31的上面側，由此進行顯示。
另外，在將上述構成的液晶顯示元件作為反射型使用的情況，背光燈不點亮，從相向基板31上面側入射的外光透過相向基板31、彩色濾色器32、相向電極33、液晶34、象素電極5和絕緣膜23，並由反射膜6反射，該反射光經過與上述相反的光路出射到相向基板31的上面側，由此進行顯示。
這時，由於反射膜6用鋁系列金屬形成，而且有追隨於間隙限制膜22的凸凹表面的凸凹表面，因此該凸凹表面散射性大，且發揮具有各向異性的光散射反射功能。另外，由於反射膜6下的間隙限制膜22的膜厚，反射膜6和相向電極33之間的間隙為象素電極5的實際透過用象素區域和相向電極33之間的間隙的1/3～2/3、優選1/2左右，這樣便能形成反射率和透過率都是最佳的多間隙構造。
可是，在上述構成的液晶顯示元件中，象素電極5和反射膜6，由於在其間介有絕緣膜23，所以電絕緣。其結果是，在由鋁系列金屬構成的反射膜6的表面上形成了由自然氧化膜和氧化處理膜等構成的絕緣膜23後，在用光刻法形成由ITO構成的象素電極5時，能在由ITO構成的象素電極5和由鋁系列金屬構成的反射膜6之間不發生電池反應。
而且，在上述構成的液晶顯示元件中，由於在數據線3和象素電極5之間設置有具有比數據線3的寬度寬的形狀第1輔助電容電極7a，通過該第1輔助電容電極7a，能防止數據線3和象素電極5之間發生耦合電容，因而能不發生垂直串擾，能提高顯示特性。
(第2實施方式)圖3表示作為本發明第2實施方式的液晶顯示元件的與圖1相同截面圖。在該液晶顯示元件上，和圖1所示的情況不同的點是，代替絕緣膜23，在包含反射膜6和間隙限制膜22的覆蓋膜20上面，設置由氮化矽、氧化矽等無機材料構成的薄的絕緣膜25。這時，絕緣膜25由於較薄，所以在反射膜6的凸凹表面上被形成為追隨該凸凹表面的凸凹狀。象素電極5經由設置在絕緣膜25、覆蓋膜20和層間絕緣膜19上的接觸孔21，與源·漏電極17連接。
(第3實施方式)圖4表示作為本發明第3實施方式的液晶顯示元件的與圖1相同截面圖。在該液晶顯示元件中，和圖1所示的情況的較大不同的點是，在覆蓋膜20的上面設置由環氧系樹脂和聚醯亞胺系樹脂等有機材料構成的表面凸凹膜26，在表面凸凹膜26的凸凹表面上設置有具有追隨該凸凹表面的凸凹表面的反射膜6，在反射膜6的凸凹表面上設置有具有追隨該凸凹表面的凸凹表面的絕緣膜23，在包含絕緣膜23的表面凸凹膜26的凸凹表面上設置有具有追隨該凸凹表面的凸凹表面的象素電極5。
這時，象素電極5經由設置在表面凸凹膜26、覆蓋膜20和層間絕緣膜19上的接觸孔21與源·漏電極17連接。另外，在和反射膜相向的部分的相向電極33的下面，設置有由環氧系樹脂和聚醯亞胺系樹脂等的透明有機材料構成的透明間隙限制膜35。另外，在象素電極5和輔助電容電極7之間的絕緣、因表面凸凹膜26是充分的情況，覆蓋膜20可以變薄，或者省略覆蓋膜20也可以。(第4
如圖5所示，在薄膜電晶體基板1的上面，設置有由氧化矽構成的第1基底絕緣膜41和由氮化矽構成的第2基底絕緣膜42。在第2基底絕緣膜42的上面規定處，設置有由多晶矽構成的半導體薄膜43。這時，半導體薄膜43中央部成為由本徵區域構成的溝道區域43a，其兩側成為由n型雜質注入區域構成的源區域43b和漏區域43c。
在包含半導體薄膜43的第2基底絕緣膜42的上面，設置有由氮化矽構成的柵絕緣膜12。在溝道區域43a上的柵絕緣膜12的上面規定處，設置有由鉻和鉬等構成的柵電極11。而且，在絕緣膜12的上面規定處，與柵電極11連接地設置有由鉻和鉬等構成的掃描線(未圖示)。
在包含柵電極11等的柵絕緣膜12的上面，設置有由氮化矽構成的第1層間絕緣膜44。在源區域43b和漏區域43c上的柵絕緣膜12和第1層間絕緣膜44上設置有接觸孔45、46。
在第1層間絕緣膜44的上面各規定處，設置有由鉻和鉬等構成的源·漏電極17、18，其經由接觸孔45、46與源區域43b和漏區域43c連接。在第1層間絕緣膜44的上面規定處，設置有由鉻和鉬等構成的數據線3，其與源·漏電極18連接。
而且，通過半導體薄膜43、柵絕緣膜12、柵電極11、第1層間絕緣膜44、接觸孔45、46、源電極17、漏電極18，構成薄膜電晶體4。
在包含源·漏電極17、18和數據線3的第1層間絕緣膜44的上面，設置有由氮化矽構成的第2層間絕緣膜47。在第2層間絕緣膜47上面規定處，設置有由鉻和鉬等構成的輔助電容電極7。在包含輔助電容電極7的第2層間絕緣膜47的上面，設置有由氮化矽構成的覆蓋膜20。在源·漏電極17上的第2層間絕緣膜47和覆蓋膜20上設置有接觸孔21。
在覆蓋膜20上面的反射膜形成區域上，設置有由環氧系樹脂和聚醯亞胺系樹脂等的有機材料構成的間隙限制膜22，其表面為凸凹狀。在間隙限制膜22的凸凹表面上，設置有具有追隨該凸凹表面的凸凹表面的、由鋁系列金屬構成的反射膜6。在反射膜6的凸凹表面上，設置有具有追隨該凸凹表面的凸凹表面的、由自然氧化膜和氧化處理膜構成的絕緣膜23。在包含絕緣膜23的覆蓋膜20上面規定處，設置有由ITO構成的象素電極5，使其經由接觸孔21與源·漏電極17連接。這時，設置在絕緣膜23上面的象素電極5也成為追隨絕緣膜23凸凹表面的凸凹狀。
(其他實施方式)在上述實施方式中，在間隙限制膜(有機膜)22上重疊設置反射膜6和象素電極5，但也可以不以該順序，而在象素電極5上形成反射膜6。這時，反射膜6和象素電極5不需要絕緣，也可以電導通。而且，柱狀襯墊24能形成在間隙限制膜22上以外的區域。
並且，對象素電極5(和反射膜6)成為在列方向排列成直線狀的條紋排列，在該象素電極5間、在列方向上將數據線3和第1輔助電容電極7a排列成直線狀的情況，進行了說明，但也可以適用於成為在每1行使每個象素電極5錯開半節距的所謂三角排列，在該情況下，數據線3和第1輔助電容電極7a，在象素電極5的各行間，與掃描線2平行地形成為象素電極5的半節距延長的曲折形狀。另外，作為開關元件使用薄膜電晶體，但也能適用二極體等其他開關元件。
根據本發明，由於在具有凸凹表面的有機膜上設置反射膜，在該反射膜上設置至少一部分重疊的象素電極，從而能使反射膜表面成為追隨有機膜凸凹表面的凸凹表面，由此由反射膜引起的反射有充分的光散射反射功能。
權利要求
1.一種顯示板，其特徵在於，具有基板(1)；設置在所述基板(1)上的、具有凸凹表面的有機膜(22、26)；追隨所述有機膜(22、26)的所述凸凹表面而設置的反射膜(6)；在所述反射膜(6)上至少重疊一部分而設置的象素電極(5)。
2.如權利要求1所述的顯示板，其特徵在於，還具有介於所述反射膜(6)和所述象素電極(5)之間的絕緣膜(23)。
3.如權利要求2所述的顯示板，其特徵在於，所述絕緣膜(23)由在所述反射膜(6)的表面形成的氧化膜構成。
4.如權利要求2所述的顯示板，其特徵在於，所述絕緣膜(23)由在所述反射膜(6)的表面設置的無機絕緣膜構成。
5.如權利要求2所述的顯示板，其特徵在於，所述反射膜(6)由氧化了的氧化層構成。
6.如權利要求1所述的顯示板，其特徵在於，所述反射膜(6)由鋁系列金屬構成，所述象素電極(5)由ITO構成。
7.如權利要求1所述的顯示板，其特徵在於，所述象素電極(5)具有在所述反射膜(6)上重疊而設置的反射用象素電極部；在與所述基板(1)的所述反射膜(6)相鄰的區域上設置的透過用象素電極部。
8.如權利要求1所述的顯示板，其特徵在於，所述反射膜(6)僅設置在所述有機膜(22)上。
9.如權利要求1所述的顯示板，其特徵在於，還具有與所述基板(1)相向的相向基板(31)，並在所述相向基板(31)的內面和所述有機膜(22、26)之間配置柱狀襯墊(24)。
10.如權利要求9所述的顯示板，其特徵在於，在與所述相向基板(31)的所述內面的所述有機膜(22、26)相向的區域上，設置有透明的間隙限制部(35)。
11.如權利要求1所述的顯示板，其特徵在於，在所述基板(1)和所述有機膜(22、26)之間設置薄膜電晶體(4)，所述象素電極(5)與所述薄膜電晶體(4)的源·漏電極(17)連接。
12.如權利要求11所述的顯示板，其特徵在於，具有介於所述反射膜(6)和所述象素電極(5)之間的絕緣膜(23)。
13.如權利要求12所述的顯示板，其特徵在於，所述反射膜(6)和所述象素電極(5)電絕緣。
14.如權利要求11所述的顯示板，其特徵在於，在所述薄膜電晶體(4)和所述有機膜(22、26)之間設置輔助電容電極(7)，在所述輔助電容電極(7)和所述薄膜電晶體(4)之間設置中間絕緣膜(19)。
15.如權利要求14所述的顯示板，其特徵在於，在所述基板(1)上設置與所述薄膜電晶體(4)的源·漏電極(18)連接的數據線(3)，所述輔助電容電極(7)具有經由所述中間絕緣膜(19)與所述數據線(3)重疊的部分(7a)，所述輔助電容電極(7)的與所述數據線(3)重疊的部分(7a)的寬度比所述數據線(3)的寬度寬。
16.如權利要求14所述的顯示板，其特徵在於，所述輔助電容電極(7)與所述象素電極(5)的全周邊部重疊。
17.一種顯示板，其特徵在於，具有具有薄膜電晶體(4)的薄膜電晶體基板(1)；與所述薄膜電晶體基板(1)相向而配置的相向基板(31)；在所述薄膜電晶體基板(1)和所述相向基板(31)之間形成的液晶；掩蓋在所述薄膜電晶體基板(1)上設置的所述薄膜電晶體(4)的覆蓋膜(20)；在所述覆蓋膜(20)上設置的有凸凹表面的絕緣膜(22、26)；在所述絕緣膜(22)的凸凹表面上設置的反射膜(6)；至少一部分設置在所述絕緣膜(22、26)上的透明的象素電極(5)。
18.如權利要求17所述的顯示板，其特徵在於，還有介於所述反射膜(6)和所述象素電極(5)之間的絕緣膜(23)。
19.如權利要求18所述的顯示板，其特徵在於，所述薄膜電晶體(4)具有柵電極(11)和源·漏電極(17、18)，所述象素電極(5)與所述源·漏電極(17)連接。
20.如權利要求19所述的顯示板，其特徵在於，所述反射膜(6)和所述象素電極(5)電絕緣。
21.如權利要求17所述的顯示板，其特徵在於，所述絕緣膜(22)被設置在與所述覆蓋膜(20)上的所述薄膜電晶體(4)對應的區域，所述象素電極(5)跨越設置在所述絕緣膜(22)上和所述覆蓋膜(20)上。
22.如權利要求21所述的顯示板，其特徵在於，在所述絕緣膜(22)上形成的所述反射膜(6)，其上面位於顯示板的間隙的1/3～2/3位置。
23.如權利要求17所述的顯示板，其特徵在於，所述絕緣膜(26)被設置在所述覆蓋膜(20)上的大致全部表面上。
24.如權利要求23所述的顯示板，其特徵在於，所述反射膜(6)具有追隨於所述絕緣膜(26)的凸凹表面的凸凹表面。
25.一種顯示板製造方法，其特徵在於，包含以下步驟準備有一面的基板(1)；準備一面有凸凹的有機膜(22、26)；在所述基板的所述一面上複製所述有機膜(22、26)，以使所述有機膜(22、26)的一面顯示出來；在所述有機膜(22、26)上形成反射膜(6)；在所述反射膜(6)上形成透明的象素電極(5)，並使至少一部分重疊。
26.如權利要求25所述的顯示板製造方法，其特徵在於，還包含在所述反射膜(6)和所述象素電極(5)之間形成絕緣膜(23)的步驟。
27.如權利要求25所述的顯示板製造方法，其特徵在於，形成所述有機膜(22、26)的步驟包含將所述有機膜(22)形成為島狀。
28.如權利要求25所述的顯示板製造方法，其特徵在於，準備所述基板(1)的步驟包含在所述基板(1)上形成具有柵電極(11)和源·漏電極(17、18)的薄膜電晶體(4)。
29.如權利要求28所述的顯示板製造方法，其特徵在於，形成所述象素電極(5)的步驟包含使所述象素電極(5)與所述薄膜電晶體(4)的所述源·漏電極(17)連接。
30.如權利要求29所述的顯示板製造方法，其特徵在於，準備所述基板(1)的步驟還包含在所述薄膜電晶體(4)上形成覆蓋膜(20)。
31.如權利要求30所述的顯示板製造方法，其特徵在於，形成所述有機膜(22、26)的步驟包含在與所述覆蓋膜(20)上的所述薄膜電晶體(4)對應的區域上，將所述有機膜(22)形成為島狀。
32.如權利要求31所述的顯示板製造方法，其特徵在於，形成所述象素電極(5)的步驟包含跨越被形成為所述島狀的所述有機膜(22)上、和所述覆蓋膜(20)上而形成所述象素電極(5)。
全文摘要
本發明提供一種顯示板，其特徵是具有基板(1)、設置在上述基板(1)上的並具有凸凹表面的有機膜(22、26)、追隨上述有機膜(22、26)的上述凸凹表面而設置的反射膜(6)、在上述反射膜(6)上至少重疊一部分而設置的象素電極(5)。
文檔編號G02F1/1343GK1782794SQ20051012917
公開日2006年6月7日 申請日期2005年9月19日 優先權日2004年9月21日
發明者中村彌生, 森川茂, 石井裕滿 申請人:卡西歐計算機株式會社