形成磁性材料的方法以及由此形成的製品的製作方法
2023-04-24 15:10:56 4
形成磁性材料的方法以及由此形成的製品的製作方法
【專利摘要】本申請公開形成磁性材料的方法以及由此形成的製品。在襯底上形成磁性材料層的方法，該方法包括：將襯底配置在腔內；將襯底的溫度控制在一襯底溫度下，該襯底溫度等於或低於大約250℃；以及將一種或多種前體引入腔內，該一種或多種前體包括：鈷(Co)、鎳(Ni)、鐵(Fe)或其組合，其中前體在襯底溫度下化學地分解，並且磁性材料層被形成在襯底上，該磁性材料包括一種或多種前體的至少一部分，並且該磁性材料具有至少約1特斯拉(T)的磁通密度。
【專利說明】形成磁性材料的方法以及由此形成的製品
【背景技術】
[0001]形成磁性材料的方法經常涉及高溫。如果可包括已沉積的層或結構的襯底對高溫敏感，則當前利用的形成磁性材料的方法可影響或甚至摧毀已沉積的層或結構的特性。因此，仍然需要不依賴高溫工藝地沉積磁性材料的方法。
【發明內容】
[0002]本文公開的是在襯底上形成磁性材料層的方法，該方法包括:將襯底配置在腔內；將襯底的溫度控制在一襯底溫度下，該襯底溫度等於或低於大約250°C ;以及將一種或多種前體引入腔內，該一種或多種前體包括:鈷(Co)、鎳(Ni)、鐵(Fe)或其組合，其中前體在襯底溫度下化學地分解，並且磁性材料層被形成在襯底上，該磁性材料包括一種或多種前體的至少一部分，並且該磁性材料具有至少約I特斯拉(T)的磁通密度。
[0003]一種製品包括襯底以及沉積在襯底上的磁性材料層，其中該磁性材料包括鈷(Co)、鐵(Fe)、鎳(Ni)或其組合，該磁性材料具有至少約I特斯拉的磁通密度，磁性材料的粒度尺寸從大約IOnm至大約50nm，並且該磁性材料包括重量小於約I %的氧並包括通過俄歇電子光譜法(Auger Electron Spectroscopy)無法檢測到的程度的非磁性雜質。
[0004]本文公開的是在襯底上形成磁性材料層的方法，該方法包括:將襯底配置在腔內；將襯底的溫度控制在一襯底溫度下，該襯底溫度等於或低於大約250°C ;以及將一種或多種前體引入腔內，該一種或多種前體包括鈷(Co)、鎳(Ni)、鐵(Fe)的羰基化合物或其組合，其中磁性材料層被形成在襯底上，該磁性材料包括一種或多種前體的至少一部分，並且該磁性材料具有至少約I特斯拉(T)的磁通密度。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0005]圖1A和圖1B示出本文公開的示例性製品。
[0006]這些附圖不一定按比例示出。附圖中所使用的相同數字表示相同組件。然而，應當理解，在給定附圖中使用數字表示組件並不旨在限制在另一附圖中用相同數字標記該組件。
【具體實施方式】
[0007]在以下描述中，參照構成本說明書一部分的一組附圖，其中通過解說示出了若干具體實施例。應當理解，可構想並作出其他實施例而不背離本公開的範圍或精神。因此，以下詳細描述不具有限制性含義。
[0008]除非另有規定，否則在說明書和權利要求書中使用的表示特徵大小、量和物理性質的所有數字應當理解為在任何情況下均由術語「大約」修飾。因此，除非相反地指出，否則在上述說明書和所附權利要求中闡述的數值參數是近似值，這些近似值可利用本文中公開的教示根據本領域技術人員所尋求獲得的期望性質而變化。
[0009]藉由端點對數值範圍的陳述包括歸入該範圍內的所有數字(例如，I至5包括1、1.5、2、2.75、3、3.80、4和5)以及該範圍內的任何範圍。
[0010]如本說明書和所附權利要求書中所使用的，單數形式「一」、「一個」和「該」涵蓋具有複數引用物的實施例，除非該內容另外明確地指出。如本說明書和所附權利要求書中所使用的，術語「或」一般以包括「和/或」的含義來使用，除非該內容另外明確地指出。
[0011]「包括」、「包含」或類似術語表示涵蓋但不受限於，即表示包括但不是排他的。應該注意到，「頂部」和「底部」(或類似「上」和「下」的其它術語)被嚴格地用於相對的描述，並不暗示所描述的要素所處的物件的任何總體取向。
[0012]本文披露了形成磁性材料層的方法以及包括磁性材料層的製品。本文利用的方法可通過或不通過籽晶層來達成，可在層組成上給予高度控制，並可給予厚度的精確控制。使用所披露方法形成的磁性材料層可相對高度地共形在二維或三維表面或結構上，可具有理想的粒度尺寸，可具有低摻雜水平，並可具有理想的磁特性。
[0013]所披露的方法是化學汽相沉積(CVD)方法。CVD是一種工藝，其中層通過前體的分解而沉積。所披露的方法可使用任何CVD裝置或系統來實現。可利用來執行所披露的方法或製造所披露的製品的示例性CVD裝置包括例如諸如ASM EmerALDiDS ASM Pulsar (ASM國際N.V.，荷蘭)、Veeco NEXUS CVD (Veeco儀器公司，普萊恩維，紐約)之類的工業規模CVD工具或來自牛津儀器(牛津儀器，牛津郡，英國)的CVD儀器。
[0014]所披露的方法的第一步驟包括將襯底配置在腔內。將襯底配置在腔內可通過簡單地將襯底放置在腔內或通過將襯底放置或定位在被設計成保持該襯底的裝置或設備中來實現的。在一些實施例中，腔或者包括腔或與腔相關聯的組件可被設計成保持襯底，這可被稱為襯底保持器。在一些實施例中，襯底保持器可提供水平面以支承襯底。
[0015]所披露的方法可利用任何類型的襯底。襯底可由任何一種或多種材料製成,並可具有任意二維或三維結構。在一些實施例中，襯底也可選擇地包括(使用任何方法)已形成在其上的其它層或結構。在一些實施例中，襯底可包括已形成的二維或三維外形。在一些實施例中，襯底可包括形成在其上或其中的磁性讀取器和/或寫入器。
[0016]本文中利用的腔可以是較大裝置或系統的一部分。腔可被設計或配置成控制腔內的壓力，控制腔內的組成(例如氣體)，控制腔內的組成的壓力，控制腔內的溫度，或其某些組合。腔也可被設計或配置成控制本文未討論或提到的其它參數。
[0017]所披露的方法也包括控制襯底溫度的步驟。襯底的溫度在本文中被稱為襯底溫度。在一些實施例中，襯底的溫度更具體地說就是襯底體積(the bulk of the substrate)的溫度。在一些實施例中，襯底溫度可受襯底保持器的控制或影響。在這些實施例中，襯底保持器可包括或被配置有加熱器，該加熱器耦合於襯底保持器。加熱器可包括例如一個或多個電阻加熱元件、輻射加熱系統(例如滷素鎢絲燈)或其組合。
[0018]所披露的方法總體將襯底溫度控制在相對低的溫度下。在一些實施例中，襯底溫度可被控制在等於或低於250°C。在一些實施例中，襯底溫度可被控制在等於或低於225°C。在一些實施例中，襯底溫度可被控制在大約200°C。一般來說，襯底溫度使已存在於襯底內或襯底上的層或結構不受有害影響。所披露的方法給出了在不有害地影響已形成在襯底之上或之內的層或結構的溫度下形成磁性材料的方法。
[0019]所披露的方法還包括將一種或多種前體引入腔的步驟。本文中利用的前體指化合物，其一部分最終成為所沉積的磁性材料的一部分。本文利用的前體被選擇以使它們在襯底溫度下化學地分解。化學地分解意味著前體化合物中的至少一個鍵將會斷裂並且前體將分割成元素、更簡單的化合物或分子組成(它可以是或不是穩定的、帶電荷的，或兩者兼有)。化合物將化學分解的溫度經常被稱為分解溫度。
[0020]前體一般包括在被形成的磁性材料中的至少一種元素。在一些實施例中，前體可包括金屬，例如:鈷(Co)、鎳(Ni)、鐵(Fe)或其組合。在一些實施例中，前體也可包括稀土金屬，該稀土金屬可被利用來摻雜Co、N1、Fe或其組合。在一些實施例中，前體可包括Co、N1、Fe或其組合。在一些實施例中，前體可包括例如Co和Fe。
[0021]前體也可包括一種或多種元素或元素基團，這些元素不包含在所形成的磁性材料中，它們在本文中被稱為犧牲元素。這些犧牲元素可出現在前體中以與感興趣元素(它最終將出現在磁性材料中)一起形成穩定的化合物。一旦前體化學地分解，出現在元素基團中的犧牲元素可被分裂成它們各自的元素。一旦化學分解，這些各個元素可被汽化並成為腔內氣體的一部分，由此不形成磁性材料部分。
[0022]在一些實施例中，犧牲元素、它們出現在的基團或兩者被選擇，由此在分解溫度下(其在一些實施例中等於或低於襯底溫度)，犧牲元素將被轉化成不被形成在磁性材料中的氣體。示例性犧牲元素因此可包括可在襯底溫度下形成穩定(熱力學有利的)的化合物的元素。示例性犧牲元素可以是有機的或可形成有機基團。有機元素是碳，而有機基團是含碳的基團。示例性犧牲元素可包括例如碳(C)、氧(O)或其組合(例如CO (—氧化碳))。在一些實施例中，犧牲元素可出現在基團或半族(moiety)或有機基團中的一種或多種前體內。示例性半族可包括羰基(CO)，它也可被表述為與金屬複合的一氧化碳。
[0023]具體地說，示例性前體包括例如羰基鐵(Fe (CO) 5)、羰基鈷(Co2 (CO) 8)以及羰基鎳(Ni (CO) 4)。在一些實施例中，Fe (CO) 5和Co2 (CO) 8可被利用作為前體。前體可以是液體、固體或氣體。在一些實施例中，前體可以是液體、固體或兩者。在一些實施例中，在所披露的方法中利用的一種前體可以是液體而另一種前體可以是固體。應當理解，可至少部分地通過前體被維持在的壓力和/或溫度規定狀態(固體、液體或氣體)。在一些實施例中，Fe (CO)5和Co2 (CO) 8例如可從Strem化學公司(紐伯裡波，麻薩諸塞)、Alfa Aesar (沃德山，麻薩諸塞)、Materion公司(前身Cerac公司，薩福克,英國)或Gelest公司(莫裡斯維爾，賓夕法尼亞)獲得。
[0024]前體也可至少部分地基於將它們轉化成氣體的能力來選擇，以便形成磁性材料層。示例性前體可作為液體維持，並受一溫度和/或壓力作用，該溫度和/或壓力在該液體被引入到腔內之前將其轉化成氣體。示例性前體可作為液體維持，並通過鼓泡技術的使用被傳遞(例如通過將液態前體包含在氣泡儲藏罐中，使惰性載氣經過其中，由此將前體帶入腔內)。示例性前體可作為固體維持，並在將其引入到腔內之前(要麼立即要麼等待較長時間)通過將前體沐浴溫度控制在例如前體化學物質的沸騰溫度之下或之上而使其汽化。在前體以氣態被引入到腔內的一些實施例中，前體的量更容易控制。在這些實施例中，前體在腔內的壓力可受控制以控制最終磁性材料中的每種組成的量。
[0025]隨著前體在腔內化學地分解，磁性材料層被形成在襯底上。將要形成磁性材料的前體部分在襯底表面起反應以形成要求的磁性材料。如前面提到的，磁性材料的組成可通過選擇正確的前體來控制，而磁性材料中的各個組成的量可通過控制腔內的前體壓力來控制，或其一些組合。可通過例如控制前體氣在腔內的壓力來控制前體在腔內的量。[0026]在一些實施例中，前體的壓力可從0.01毫託(mTorr)至0.5毫託。在一些實施例中，前體的壓力可從0.05毫託(mTorr)至0.2毫託。在一些實施例中，兩個組成的壓力比關聯於薄膜中的兩種組成的原子百分比。在Fe和Co系統的情形下，當壓力維持在0.01毫託至0.5毫託的範圍內時，Fe和Co前體的壓力比相當好地關聯於最終薄膜中的組成的原子百分比。
[0027]使用所披露的方法形成的磁性材料可通過其特性予以描述。可使用所披露的方法形成的磁性材料的一個例子是CoFex，其中X不一定是整數並落在從大於O至小於100的範圍內。要理解X指鐵的原子百分比，其中鈷(在該例中)具有100-x的量。在一些實施例中，使用所披露的方法形成的磁性材料是CoFex，其中X不一定是整數並可在10至90的範圍內。在一些實施例中，使用所披露的方法形成的磁性材料是CoFex，其中X不一定是整數並可在40至70的範圍內。在一些實施例中，使用所披露的方法形成的磁性材料是CoFex,其中X不一定是整數並可在55至65的範圍內。
[0028]使用所披露的方法形成的磁性材料層可具有多種性質。例如，該磁性材料可具有至少I特斯拉(T)的磁通密度。在一些實施例中，使用所披露的方法形成的磁性材料可具有至少1.8T的磁通密度。在一些實施例中，使用所披露的方法形成的磁性材料可具有至少
2.4T的磁通密度。磁性材料也可通過其表現出的矯頑力來描述。在一些實施例中，磁性材料可具有相對低的矯頑力。在一些實施例中，磁性材料可具有不大於500奧斯特(Oe)的矯頑力。在一些實施例中，磁性材料可具有從IOOe至500e的矯頑力。在一些實施例中,磁性材料可具有從50e至200e的矯頑力。可至少部分地通過例如控制磁性材料中的組成的特性和量來控制磁性材料的磁通密度和矯頑力。
[0029]磁性材料層也可通過構成層的材料的粒度尺寸來描述。本文中使用的粒度尺寸指平均粒度尺寸。磁性材料層的粒度尺寸可通過TEM、SEM、FIB，通過AFM的頂表面掃描或通過XRD掃描，使用橫截面圖或平面圖來測得。在一些實施例中，磁性材料層的粒度尺寸可使用TEM測得。在一些實施例中，磁性材料層的粒度尺寸可從10至lOOnm。在一些實施例中，磁性材料層的粒度尺寸可從20至50nm。
[0030]磁性材料層也可通過磁性材料中的雜質的量、特性或前述兩者來描述。如本文中所使用的，雜質是除了在磁性材料中所需元素以外的任何元素，例如磁性材料的CoFex層中除鈷和鐵以外的任何其它元素。雜質的特性、量或其兩者可使用多種方法確定，包括例如俄歇電子光譜法、SEM-EDX、TEM-EDX、SMS、XPS或RBS。在一些實施例中，雜質的特性、量或其兩者可使用俄歇電子光譜法來確定。在一些實施例中，可利用俄歇電子光譜法，因為它由於光譜的廣泛延伸(在能量方面，例如eV)能夠提供關於所有元素的信息。
[0031]在一些實施例中，使用所披露的方法形成的磁性材料層可被描述為具有一定程度的氧(O)作為雜質。在一些實施例中，使用所披露的方法形成的磁性材料層可被描述為具有不大於5原子百分比(at%)的氧。在一些實施例中，使用所披露的方法形成的磁性材料層可被描述為具有不大於I原子百分比的氧。在一些實施例中，使用所披露的方法形成的磁性材料層可被描述為具有低於使用俄歇電子光譜法能測得的程度的氧(例如低於0.1原子百分比)。
[0032]另一類型的雜質是非磁性雜質。本文中使用的非磁性雜質指除了那些需要的元素(例如CoFex中的鐵和鈷)和氧(僅因為氧在前面被單獨地考慮和討論)以外的元素。具體類型的非磁性雜質可包括例如碳。在一些實施例中，使用所披露的方法形成的磁性材料層可具有低於俄歇電子光譜法檢測程度的一些程度的非磁性雜質，所述俄歇電子光譜法通常能檢測到非常低程度的雜質，例如低於0.1原子百分比。使用電解沉積形成的磁性材料例如可具有一些程度的碳、氧或其兩者，這些元素是通過例如俄歇電子光譜法可檢測到的。
[0033]磁性材料層也可由磁性材料的體積性質(bulk properties)描述。例如，使用所披露的方法形成的磁性材料可能不具有與使用利用成核的方法形成的那些磁性材料相同的界面。例如，使用濺射技術形成的材料有時利用成核層以增進要求的晶體取向或減小粒度尺寸——該層將不出現在使用所披露的方法製成的材料中。類似地，使用成核方法形成的材料將具有若干界面，這些界面出現在從一個成核位點生長的一種晶體「突入」來自第二成核位點的另一晶體的位置。類似地，使用電解沉積形成的材料利用導電籽晶層來沉積合需的金屬或合金層——該層不需要出現在使用所披露的方法製造的材料中。
[0034]磁性材料層或所披露的其製造方法也可通過其厚度可控制的程度來描述。材料的厚度可通過沉積速率和沉積時間來控制。在一些實施例中，沉積速率可被控制在2nm/分鐘至IOOnm/分鐘的範圍內。
[0035]另外本文披露了製品。所披露的製品的一個例子可在圖1中看到。圖1A中的製品100包括襯底105以及磁性材料層110。襯底105和磁性材料層110可具有例如前述的那些性質。如圖1A所示的例子中看到的那樣，襯底105不是平坦的而是包括特徵，襯底也可被描述為具有非平坦的表面。襯底的非平坦表面可包括凹口、溝槽、通孔、階梯表面或其組合。襯底內或襯底上的非平坦表面或結構可以，但不一定，具有相對高的高寬比。磁性材料層110可被描述為大部分共形的或共形地沉積在襯底的下伏表面上。所披露的製品包括磁性材料層，該磁性材料層與襯底的非平坦表面的共形性優於物理汽相沉積(PVD)層在同一非平坦表面上的共形性。層的共形性可通過將層的水平部分的厚度與層的非水平(例如垂直)部分的厚度比較來描述。
[0036]在一些實施例中，可通過將垂直層的厚度除以水平層的厚度並乘以100獲得百分數來獲得共形性的百分比值。在一些實施例中，使用所披露的方法形成的層可具有大於35%的共形性。在一些實施例中，使用所披露的方法形成的層可具有大於40%的共形性。在一些實施例中，使用所披露的方法形成的層可具有大於50%的共形性，而在一些實施例中，它大約為60%。相反，使用之前利用的濺射技術形成的層一般可具有大約25-30%的共形性。
[0037]圖1B示出可包括可選用的籽晶層115的所披露製品的另一例子。可選用的籽晶層115(如果存在的話)可位於襯底105和磁性材料層110之間。可選用的籽晶層可為其上的磁性材料提供增進的成核。可選用的籽晶層可以——但不一定——被直接設置在磁性材料層下面以使兩者直接接觸。可選用的籽晶層可以一但不一定一被直接設置在襯底的頂部以使兩者直接接觸。可選用的籽晶層可由多種材料製成，包括例如釕(Ru)、鉭(Ta)、鎳(Ni)、鐵(Fe)、CoFe、NiFe、Cu, TaN, TiN, CoFeB, NiCu、Pd、Pt 或其組合。在一些實施例中，可選用的籽晶層可由諸如Ru、Ta或NiFe的材料製成。在一些實施例中，可選用的籽晶層可具有從0.5nm至20nm的厚度。在一些實施例中，可選用的籽晶層可具有從0.5nm至IOnm的厚度。在一些實施例中，可選用的籽晶層例如可具有大約5nm的厚度。
[0038]所披露的製品可包括磁性材料層和所披露的可選用籽晶層以外的層，即使這些其它層在本文中未予以描述。可利用所披露的方法的示例性製品可包括下列各項，例如:用於磁讀取器的層壓的側屏蔽；垂直或熱輔助磁記錄(HAMR)頭中的寫極或用於寫極的籽晶層；用於接觸焊盤的籽晶層；以及寫極或用於各寫頭中的側屏蔽的籽晶層。類似地，可利用所披露的方法的示例性製品可包括對諸如磁阻隨機存取存儲器(MRAM)之類的其它應用從階梯上的高共形性以及溝槽的填充能力獲益的任何製品。
[0039]本公開通過以下示例來說明。要理解，特定的示例、材料、量以及過程應當根據如此處所闡述的發明的範圍和精神來寬泛地解釋。
[0040]示例
[0041]通過傳輸線在襯底表面上直接注射各前體的化學汽相沉積(CVD)裝置被利用以通過改變Fe (CO) 5和Co2 (CO) 8的壓力以及沉積時間來從Fe (CO) 5和Co2 (CO) 8 (Alfa Aesar (沃德山，麻薩諸塞))沉積FeCo薄膜，如下面表1中示出的。使用俄歇、SEM-EDX和ICP-OES發現組成(Fe原子百分比和Co原子百分比)。使用振動樣本磁力計來測量磁性質。
[0042]表1
[0043]
【權利要求】
1.一種在襯底上形成磁性材料層的方法，所述方法包括: 將襯底配置在腔內； 將所述襯底的溫度控制在襯底溫度下，所述襯底溫度等於或低於約250V ;以及 將一種或多種前體引入所述腔內，所述一種或多種前體包括:鈷(Co)、鎳(Ni)、鐵(Fe)或其組合， 其中所述前體在所述襯底溫度下化學地分解，以及 其中磁性材料的層被形成在所述襯底上，所述磁性材料包括所述一種或多種前體的至少一部分，並且所述磁性材料具有至少約I特斯拉(T)的磁通密度。
2.如權利要求1所述的方法，其特徵在於，所述襯底溫度等於或低於約225°C。
3.如權利要求1所述的方法，其特徵在於，所述襯底溫度大約為200°C。
4.如權利要求1所述的方法，其特徵在於，所述一種或多種前體包括羰基半族。
5.如權利要求1所述的方法，其特徵在於，所述一種或多種前體是從下組中選擇的:Fe (CO) 5、Co2 (CO)8 及其組合。
6.如權利要求1所述的方法，其特徵在於，所述磁性材料包括CoFex，其中X落在大於O至小於100的範圍內。
7.如權利要求6所述的方法，其特徵在於，所述CoFex具有大約2.4特斯拉(T)的磁通山/又ο
8.—種製品，包括: 襯底；以及 沉積在所述襯底上的磁性材料的層， 其中所述磁性材料包括鈷(Co)、鐵(Fe)、鎳(Ni)或其組合,所述磁性材料具有至少約I特斯拉的磁通密度，所述磁性材料的粒度尺寸從大約IOnm至大約50nm,並且所述磁性材料包括重量小於約I %的氧並包括通過俄歇電子光譜法無法檢測到的程度的非磁性雜質。
9.如權利要求8所述的製品，其特徵在於，還包括位於所述襯底和所述磁性材料的層之間的籽晶層。
10.如權利要求9所述的製品，其特徵在於，所述籽晶層是濺射沉積的釕(Ru)、鉭(Ta)、或鎳鐵(NiFe)。
11.如權利要求10所述的製品，其特徵在於，所述籽晶層具有約5nm的厚度。
12.如權利要求8所述的製品，其特徵在於，所述磁性材料包括Co和Fe，Ni和Fe，或Co、Ni 和 Fe。
13.如權利要求8所述的製品，其特徵在於，所述磁性材料包括CoFex，其中X落在從O至小於100的範圍內。
14.如權利要求8所述的製品，其特徵在於，所述襯底具有非平坦表面並且所述磁性材料的層具有與所述襯底的非平坦表面共形的表面。
15.如權利要求14所述的製品，其特徵在於，所述磁性材料的層與所述襯底的所述非平坦表面的共形性優於物理汽相沉積(PVD)的層在同一非平坦表面上的共形性。
16.—種在襯底上形成磁性材料層的方法，所述方法包括: 將襯底配置在腔內； 將所述襯底的溫度控制在襯底溫度下，所述襯底溫度等於或低於約250°C ;以及將一種或多種前體引入所述腔內，所述一種或多種前體包括鈷(Co)、鎳(Ni)、鐵(Fe)的羰基化合物，或其組合， 其中磁性材料的層被形成在所述襯底上，所述磁性材料包括所述一種或多種前體的至少一部分，並且所述磁性材料具有至少約I特斯拉(T)的磁通密度。
17.如權利要求16所述的方法，其特徵在於，所述襯底溫度等於或低於約225°C。
18.如權利要求16所述的方法，其特徵在於，所述襯底溫度大約為200°C。
19.如權利要求16所述的方法，其特徵在於，所述前體是Fe(CO)5和Co2(CO) 8。
20.如權利要求19所述的方法，其特徵在於，所述前體在所述腔內的壓力受到控制並且所述Fe(CO)5的壓力不高於所述Co2(CO)8的壓力。
21.如權利要求16所述的方法，其特徵在於，所述磁性材料的層的形成速率可被控制在2-1OOnm/分鐘的範圍內。
【文檔編號】H01L43/12GK103715351SQ201310459951
【公開日】2014年4月9日 申請日期:2013年9月27日 優先權日:2012年9月28日
【發明者】S·薩胡, M·朱, M·C·考茨基 申請人:希捷科技有限公司