一種Zigbee的紅外線傳感器製作方法
2023-04-24 15:06:01 3
一種Zigbee的紅外線傳感器製作方法
【專利摘要】本發明公開一種Zigbee的紅外線傳感器，由紅外線傳感器電路、信號採集電路、Zigbee模塊、天線、主機和電源模塊組成，所述紅外線傳感器電路與信號採集電路相連，所述信號採集電路與Zigbee模塊相連，所述Zigbee模塊通過天線與主機相連，所述電源模塊分別與紅外線傳感器電路、信號採集電路和Zigbee模塊相連。該紅外線傳感器具有能檢測是否有人入侵，且減少家庭布線，抗幹擾能力強的特點。
【專利說明】一種Zigbee的紅外線傳感器製作方法
【技術領域】
[0001]本發明屬於傳感器領域，具體涉及一種Zigbee的紅外線傳感器製作方法。
【背景技術】
[0002]無線傳感網絡是近幾年應用較多的網絡之一，隨著網際網路技術的發展對無線傳感網絡的研究也會有大的發展，Zigbee技術正是眾多無線傳感網路技術中比較成熟的一種，它具有最低的功耗和成本、足夠的傳輸速度和距離、較大的網絡容量和較好的安全特性等特點。
[0003]本 申請人:設計的Zigbee的紅外線傳感器，可應用於非接觸開關機放到報警等控制裝置中，在自動控制，電器節能，安防等領域具有廣闊的應用前景。目前，市場上的紅外線傳感器多採用陶瓷體材料製作，工序繁瑣且成本高。此外，陶瓷體材料厚達幾十微米，器件熱容較大，相應速率提高受到限制。
【發明內容】
[0004]本發明的目的是為了克服現有技術的不足，提供一種Zigbee的紅外線傳感器製作方法，本方法製作出的紅外線傳感器熱導較低，可靠性高，響應速度快，並且耗費低。
[0005]為了實現上述目的，本發明是通過以下技術方案實現的:
一種Zigbee的紅外線傳感器製作方法，按照如下步驟進行:
(1)提供襯底；
(2)在所述襯底中細加工形成多個凹槽，在所述凹槽內填充第一釋放犧牲層，在所述襯底表面覆蓋膜片；
(3)在所述膜片上形成下部電極；
(4)進行氣相釋放工藝去除第一釋放犧牲層；
(5)在所述膜片和下部電極上形成熱電層；
(6)在基片上表面上形成紅外結構吸收層，在該基片中局部地形成多個像素，在該紅外結構吸收層的形成步驟中，沉積一種膠質微粒的分散體，從而形成一種覆蓋於所述基片的吸收層，所述吸收層在熱電層的上面；
(7)然後去除部分所述吸收層以便形成多個基本吸收區，它們分別與所述多個像素連接。
[0006]作為進一步的說明，以上所述紅外結構吸收層的形成包括以下幾個步驟:
(1)把具有多個開孔的掩模放到所述基片上，這些開孔確定出所述基本吸收區；
(2)沉積由膠質微粒形成的所述紅外結構吸收層；
(3)去除所述掩模使得局部去除上述基本上是均勻的層，以便只讓這種層保留在多個所述基本吸收區中。
作為進一步的說明，以上所述膠質微粒是由Ti或TiN構成的，其直徑小於90微米，所述紅外結構吸收層的厚度小於10微米。[0007]作為進一步的說明，以上所述膜片為多孔聚醯亞胺。
[0008]作為進一步的說明，以上所述襯底為SOI襯底。
[0009]與現有技術相比，本發明的有益效果是:本發明提供的傳感器熱導較低，可靠性高，響應速度快；加工工藝成熟，量產成本較低，工藝較簡單。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0010]圖1是本發明Zigbee的紅外線傳感器局部俯視圖；
圖2是圖1的A-A劑面不意圖。
[0011]附圖標記:
1-接點區，2-導電通道，3-紅外光結構吸收層，4-紅外傳感器，5-下部電極，6-上部電極，7-像素，8-熱電層，9-膜片，10-襯底，11-凹槽，12-基片。
【具體實施方式】
[0012]下面結合實施例對本發明作進一步詳細的描述，但本發明的實施方式並不局限於實施例表示的範圍。
[0013]實施例1:
如圖1和2所示，一種Zigbee的紅外線傳感器製作方法，按照如下步驟進行:
(1)提供襯底10，襯底10為SOI襯底；
(2)在襯底10中細加工形成多個凹槽11，在凹槽11內填充第一釋放犧牲層，在襯底10表面覆蓋膜片9，膜片9為多孔聚醯亞胺；
(3)在膜片9上形成下部電極5；
(4)進行氣相釋放工藝去除第一釋放犧牲層；
(5)在膜片9和下部電極5上形成熱電層8；
(6)在基片12上表面上形成紅外結構吸收層3，在該基片12中局部地形成多個像素7，在該紅外結構吸收層3的形成步驟中，沉積一種膠質微粒的分散體，從而形成一種覆蓋於基片12的紅外結構吸收層，紅外結構吸收層3在熱電層8的上面；紅外結構吸收層的厚度小於10微米；
(7)然後去除部分紅外結構吸收層3以便形成多個基本吸收區，它們分別與多個像素7連接。
[0014]紅外結構吸收層3的形成包括以下幾個步驟:
(1)把具有多個開孔的掩模放到基片12上，這些開孔確定出基本吸收區；
(2)沉積由膠質微粒形成的紅外結構吸收層3，膠質微粒是由Ti構成的，其直徑小於90微米；
(3)去除掩模使得局部去除上述基本上是均勻的層，以便只讓這種層保留在多個基本吸收區中。
[0015]
實施例2:
如圖1和2所示，一種Zigbee的紅外線傳感器製作方法，按照如下步驟進行:
(I)提供襯底10，襯底10為SOI襯底； (2)在襯底10中細加工形成多個凹槽11，在凹槽11內填充第一釋放犧牲層，在襯底10表面覆蓋膜片9，膜片9為多孔聚醯亞胺；
(3)在膜片9上形成下部電極5；
(4)進行氣相釋放工藝去除第一釋放犧牲層；
(5)在膜片9和下部電極5上形成熱電層8；
(6)在基片12上表面上形成紅外結構吸收層3，在該基片12中局部地形成多個像素7，在該紅外結構吸收層3的形成步驟中，沉積一種膠質微粒的分散體，從而形成一種覆蓋於基片12的紅外結構吸收層，紅外結構吸收層3在熱電層8的上面；紅外結構吸收層的厚度小於10微米；
(7)然後去除部分紅外結構吸收層3以便形成多個基本吸收區，它們分別與多個像素7連接。
[0016]紅外結構吸收層3的形成包括以下幾個步驟:
(1)把具有多個開孔的掩模放到基片12上，這些開孔確定出基本吸收區；
(2)沉積由膠質微粒形成的紅外結構吸收層3，膠質微粒是由TiN構成的，其直徑小於90微米；
(3)去除掩模使得局部去除上述基本上是均勻的層，以便只讓這種層保留在多個基本吸收區中。
【權利要求】
1.一種Zigbee的紅外線傳感器製作方法，其特徵在於，按照如下步驟進行: (1)提供襯底； (2)在所述襯底中細加工形成多個凹槽，在所述凹槽內填充第一釋放犧牲層，在所述襯底表面覆蓋膜片； (3)在所述膜片上形成下部電極； (4)進行氣相釋放工藝去除第一釋放犧牲層； (5)在所述膜片和下部電極上形成熱電層； (6)在基片上表面上形成紅外結構吸收層，在該基片中局部地形成多個像素，在該紅外結構吸收層的形成步驟中，沉積一種膠質微粒的分散體，從而形成一種覆蓋於所述基片的吸收層，所述吸收層在熱電層的上面； (7)然後去除部分所述吸收層以便形成多個基本吸收區，它們分別與所述多個像素連接。
2.根據權利要求1所述的Zigbee的紅外線傳感器製作方法，其特徵在於，所述紅外結構吸收層的形成包括以下幾個步驟: (1)把具有多個開孔的掩模放到所述基片上，這些開孔確定出所述基本吸收區； (2)沉積由膠質微粒形成的所述紅外結構吸收層； (3)去除所述掩模使得局部去除上述基本上是均勻的層，以便只讓這種層保留在多個所述基本吸收區中。
3.根據權利要求1或2所述的Zigbee的紅外線傳感器製作方法，其特徵在於，所述膠質微粒是由Ti或TiN構成的，其直徑小於90微米，所述紅外結構吸收層的厚度小於10微米。
4.根據權利要求3所述的Zigbee的紅外線傳感器製作方法，其特徵在於:所述膜片為多孔聚醯亞胺。
5.根據權利要求4所述的Zigbee的紅外線傳感器製作方法，其特徵在於，所述襯底為SOI襯底。
【文檔編號】H01L31/18GK103515485SQ201310459741
【公開日】2014年1月15日 申請日期:2013年9月29日 優先權日:2013年9月29日
【發明者】王萌, 唐新來, 李健軍 申請人:柳州市宏億科技有限公司