軟激活電路的製作方法

2023-04-24 22:37:51 5

專利名稱：軟激活電路的製作方法
技術領域：
本發明涉及一種軟激活電路，特別是涉及一種可增加軟激活電路的等效電容值，使得軟激活電路可以以一較小電容值的電容來製作的軟激活電路。
背景技術：
軟激活(Soft-start)電路的原理，是使用一電阻電容(RC)的充電電路與一控制電路耦接，在負載剛接上電源的瞬間，利用電阻電容充電電路使得控制電路能讓流經負載的電流以較為緩慢的速率增加，意即使得通過負載的電流能得到控制，以減緩電源在接上負載時所產生的大電流對負載及其它耦接電路的傷害。
公知的一種軟激活電路如圖1所示，該軟激活電路10是由一固定的電流源11及一電容12所組成，並以電流源11與電容12之間的串聯節點A作為軟激活電壓的待測節點。
假設電流源11的電流為I、串聯節點A的軟激活電壓為V(soft-start)且電容12的電容值為C，由公式V(soft-start)/T＝I/C可知，由於電流I為固定值，因此若在軟激活電壓V(soft-start)固定的情況下想要得到較小的V(soft-start)/T比，則電容12的電容值為C需要足夠的大小才可滿足。若以目前適用於此型電路的常用電容值來說，其大小常是介於1nF～0.1uF之間，如此的電容值所對應的電容體積若置於一般的電器用品電路中，並以一外接電容的方式來運作自是沒有問題，然而若欲將此技術用於集成電路(IntegratedCircuits，IC)中，則會出現下列兩種困難1.具有上述電容值的電容體積過大，無法整合於集成電路的製造過程中，故無法符合集成電路體積日益縮小的潮流。
2.若欲以能夠搭配集成電路的製程尺寸的要求所製作出的電容，其電容值卻又不夠大到足以發揮軟激活電路的保護功能。

發明內容
本發明的主要目的是提供一種軟激活電路，其電路配置的方式可以降低自該軟激活電路產生的軟激活電壓與時間的比值，藉以放大該軟激活電路所含電容的有效值，使得該軟激活電路時可以以一較小電容值(即較小的體積)的該電容來製作。
本發明可通過如下措施實現根據本發明的構想，提出一種軟激活電路，其包括一第一電流源，其輸入端連接於一第一電壓；一電晶體，其一第一端連接於該第一電流源的輸出端，其一第二端連接於一第二電壓；以及一電容，其一端連接於該第一電流源的輸出端，其另一端連接於該電晶體的輸入端；利用該電晶體與該電容的耦接，降低自該軟激活電路產生的軟激活電壓與時間的比值，藉以增加該電容的等效電容值，使得該軟激活電路可以以一較小電容值的該電容來製作。
根據上述構想，其中該第一電流源是為一電流鏡。
根據上述構想，其中該電流鏡是由兩個相同的P型金氧半場效電晶體(MOSFET)耦接而成。
根據上述構想，其中該電流鏡的輸入端連接於一第二電流源的輸入端，該電流鏡的輸出端連接於該電晶體的該第一端及該電容的一端，該電流鏡的共源極端連接於該第一電壓。
根據上述構想，其中該第二電流源的輸出端連接於該第二電壓。
根據上述構想，其中該第一電壓大於該第二電壓。
根據上述構想，其中該電晶體為一npn型雙極面結型電晶體(bipolarjunction transistor，BJT)。
根據上述構想，其中該電晶體的該第一端為集極端，該電晶體的該第二端為射極端，該電晶體的控制端為基極端。
根據上述構想，其中該電晶體是為一達靈頓電晶體(Darlingtontransistor)。
根據上述構想，其中該達靈頓電晶體由一第一npn型雙極面結型電晶體及一第二npn型雙極面結型電晶體耦接而成，且該第一npn型雙極面結型電晶體的基極端為該電晶體的輸入端，該第一npn型雙極面結型電晶體的射極端連接於該第二npn型雙極面結型電晶體的基極端，該第一npn型雙極面結型電晶體的集極端連接於該第二npn型雙極面結型電晶體的集極端以構成該電晶體的該第一端，該第二npn型雙極面結型電晶體的射極端為該電晶體的該第二端。
根據本發明的另一構想，提出一種軟激活電路，其包括一電流源，其輸出端連接於一第一電壓；一第一電流鏡，其輸入端連接於該電流源的輸入端，其共源極端連接於一第二電壓；一第一金氧半場效電晶體(MOSFET)，其源極端連接於該第二電壓，其柵極端連接於該第一電流鏡的共柵極端；一第二金氧半場效電晶體，其漏極端連接於該第一電流鏡的輸出端，其源極端連接於該第一電壓；一電容，其一端連接於該第一電流鏡的輸出端及該第二金氧半場效電晶體的漏極端，其另一端連接於該第二金氧半場效電晶體的柵極端；以及一第二電流鏡，其輸入端連接於該第一金氧半場效電晶體的漏極端，其共源極端連接於該第一電壓，其輸出端連接於該電容的另一端及該第二金氧半場效電晶體的柵極端；利用該第一電流鏡、該第一金氧半場效電晶體、該第二電流鏡及該第二金氧半場效電晶體與該電容的耦接，降低自該軟激活電路產生的軟激活電壓與時間的比值，藉以增加該電容的等效電容值，使得該軟激活電路可以以一較小電容值的該電容來製作。
根據上述構想，其中該第一電壓小於該第二電壓。
根據上述構想，其中該第一電流鏡是由兩個相同的第一P型金氧半場效電晶體電晶體耦接而成。
根據上述構想，其中該第一金氧半場效電晶體為一P型金氧半場效電晶體，且其信道區(Channel)寬長比(Aspect Ratio)小於該第一P型金氧半場效電晶體的信道區長寬比。
根據上述構想，其中該第二金氧半場效電晶體為一N型金氧半場效電晶體。
根據上述構想，其中該第二電流鏡是由一第一N型金氧半場效電晶體及一第二N型金氧半場效電晶體耦接而成。
根據上述構想，其中該第一N型金氧半場效電晶體的漏極為該第二電流鏡的輸入端，該第二N型金氧半場效電晶體的漏極為該第二電流鏡的輸出端。
根據上述構想，其中該第一N型金氧半場效電晶體的信道區寬長比大於該第二N型金氧半場效電晶體的信道區寬長比。
根據本發明的再一構想，提出一種軟激活電路，其包括一電流源，其輸出端連接於一第一電壓；一第一電流鏡，其輸入端連接於該電流源的輸入端，其共源極端連接於一第二電壓；一第一金氧半場效電晶體(MOSFET)，其源極端連接於該第二電壓，其柵極端連接於該第一電流鏡的共柵極；一第二金氧半場效電晶體，其漏極端連接於該第一電晶體的漏極端，其一源極端連接於該第一電壓；一電容，其一端連接於該第一金氧半場效電晶體的漏極端及該第二金氧半場效電晶體的漏極端，其另一端連接於該第二金氧半場效電晶體的柵極端；以及一第二電流鏡，其輸入端連接於該第一電流鏡的輸出端，其共源極端連接於該第一電壓，其輸出端連接於該電容的另一端及該第二金氧半場效電晶體的柵極端；利用該第一電流鏡、該第一金氧半場效電晶體、該第二電流鏡及該第二金氧半場效電晶體與該電容的耦接，降低自該軟激活電路產生的軟激活電壓與時間的比值，藉以增加該電容的等效電容值，使得該軟激活電路可以以一較小電容值的該電容來製作。
根據上述構想，其中該第一電壓小於該第二電壓。
根據上述構想，其中該第一電流鏡是由一第一P型金氧半場效電晶體及一第二P型金氧半場效電晶體耦接而成。
根據上述構想，其中該第一P型金氧半場效電晶體的漏極為該第一電流鏡的輸入端，該第二P型金氧半場效電晶體的漏極為該第一電流鏡的輸出端。
根據上述構想，其中該第一P型金氧半場效電晶體的信道區(Channel)寬長比(Aspect Ratio)大於該第二P型金氧半場效電晶體的信道區長寬比。
根據上述構想，其中該第一金氧半場效電晶體為一P型金氧半場效電晶體。
根據上述構想，其中該第二金氧半場效電晶體為一N型金氧半場效電晶體。
根據上述構想，其中該第二電流鏡是由一第一N型金氧半場效電晶體及一第二N型金氧半場效電晶體耦接而成。
根據上述構想，其中該第一N型金氧半場效電晶體的漏極為該第二電流鏡的輸入端，該第二N型金氧半場效電晶體的漏極為該第二電流鏡的輸出端。
根據上述構想，其中該第一N型金氧半場效電晶體的信道區寬長比大於該第二N型金氧半場效電晶體的信道區寬長比。
本發明的優點在於本發明的電路配置的方式可以降低自該軟激活電路產生的軟激活電壓與時間的比值，藉以放大該軟激活電路所含電容的有效值，使得該軟激活電路時可以以一較小電容值(即較小的體積)的該電容來製作，從而可以整合於集成電路的製造過程中，符合了集成電路體積日益縮小的潮流。
本發明還將結合附圖對實施例作進一步詳述。


圖1公知的軟激活電路的電路示意圖；圖2本發明第一較佳實施例的軟激活電路的電路示意圖；圖3本發明第二較佳實施例的軟激活電路的電路示意圖；以及圖4本發明第三較佳實施例的軟激活電路的電路示意圖。
其中，附圖標記說明如下軟激活電路10、20、30、40電流源11、21、31、41電流鏡22、32電容12、23、33、48npn型雙極面結型電晶體24、341、342P型金氧半場效電晶體221、222、321、322、42、43、44高電壓25、35、491低電壓26、36、492達靈頓電晶體34N型金氧半場效電晶體45、46、4具體實施方式
請參閱圖2，其為本發明第一較佳實施例的軟激活電路的電路示意圖。如圖2所示，該軟激活電路20是由電流源21、電流鏡22、電容23及npn型雙極面結型電晶體(BJT)24耦接而成。其中，電流鏡22是由兩個相同的P型金氧半場效電晶體(MOSFET)221及222耦接而成，且P型金氧半場效電晶體221及222的柵極端彼此相連接、源極端共同連接於高電壓25，而P型金氧半場效電晶體221的漏極端形成電流鏡22的輸入端，P型金氧半場效電晶體222的漏極端形成電流鏡22的輸出端。
另外，電流鏡22的輸入端連接於電流源21的輸入端，電流鏡22的輸出端連接於電容23的一端及npn(Negative-Positive-Negative負極-正極-負極)型雙極面結型電晶體24的集極端，而電容23的另一端則連接於npn型雙極面結型電晶體24的基極端，電流源21的輸出端及npn型雙極面結型電晶體24的射極端共同連接於低電壓26。
由圖2可看出，電流源21產生的定電流(假設其大小為I』)經由電流鏡22的映像，使得自npn型雙極面結型電晶體24的射極端流出的電流大小亦為I』。由於npn型雙極面結型電晶體的元件特性，使得流進npn型雙極面結型電晶體24的基極端的電流、流進npn型雙極面結型電晶體24的集極端的電流以及流出npn型雙極面結型電晶體24的射極端的電流彼此間具有一比例關係是1∶b∶(b+1)，因此流經電容23的電流(即流進npn型雙極面結型電晶體24的基極端的電流)大小則為I』/(b+1)，當b夠大時(以現代的npn型雙極面結型電晶體來說多在100至200間)，可將流經電容23的電流大小視為I』/b。將此I』/b值代入公式V(soft-start)/T＝I/C的電流I處，可得V(soft-start)/T＝(I』/b)/C，亦可看成V(soft-start)/T＝I』/(bC)。由此可知，在軟激活電壓V(soft-start)固定的情況下想要得到較小的V(soft-start)/T比值，若利用本發明所述的軟激活電路，可將電容23的等效電容值放大b倍，使得可以利用具一較小電容值的電容，製作軟激活電壓與時間比(V(soft-start)/T)足夠小的軟激活電路。
請參閱圖3，其為本發明第二較佳實施例的軟激活電路的電路示意圖。如圖3所示，該軟激活電路30是由電流源31、電流鏡32、電容33及達靈頓電晶體(Darlington transistor)34耦接而成。其中，電流鏡32是由兩個相同的P型金氧半場效電晶體321及322耦接而成，且P型金氧半場效電晶體321及322的柵極端彼此相連接、源極端共同連接於高電壓35，而P型金氧半場效電晶體321的漏極端形成電流鏡32的輸入端，P型金氧半場效電晶體322的漏極端形成電流鏡32的輸出端。
另外，達靈頓電晶體34是由兩個相同的npn型雙極面結型電晶體341及342耦接而成，其中npn型雙極面結型電晶體341的基極端為達靈頓電晶體34的輸入端，npn型雙極面結型電晶體341和342的集極端彼此相接後連接於電流鏡32的輸出端，npn型雙極面結型電晶體341的射極端連接於npn型雙極面結型電晶體342的基極端，npn型雙極面結型電晶體342的射極端則連接於低電壓36。
並且，電流鏡32的輸入端連接於電流源31的輸入端，電流鏡32的輸出端連接於電容33的一端及npn型雙極面結型電晶體341和342的共集極端，而電容33的另一端則連接於達靈頓電晶體34的輸入端，電流源31的輸出端亦連接於低電壓36。
由圖3可看出，電流源31產生的定電流(假設其大小為I」)經由電流鏡32的映像，使得自npn型雙極面結型電晶體342的射極端流出的電流大小亦為I」。由於達靈頓電晶體的元件特性(假設流進npn型雙極面結型電晶體341的集極端與基極端的電流比值為b，npn型雙極面結型電晶體342亦同)，使得流進npn型雙極面結型電晶體341的基極端的電流與流出npn型雙極面結型電晶體342的射極端的電流彼此間具有一比例關是1∶(b+1)2，因此流經電容33的電流(即流進npn型雙極面結型電晶體341的基極端的電流)大小則為I」/(b+1)2，當b夠大時(以現代的npn型雙極面結型電晶體來說多在100至200間)，可將流經電容33的電流大小視為I」/t2。將此I」/b2值代入公式V(soft-start)/T＝I/C的電流I處，可得V(soft-start)/T＝(I」/b2)/C，亦可看成V(soft-start)/T＝I」/(b2C)。由此可知，在軟激活電壓V(soft-start)固定的情況下想要得到較小的V(soft-start)/T比值，若利用本發明所述的軟激活電路，可將電容23的等效電容值放大b2倍，使得可以利用具一極小電容值的電容，製作軟激活電壓與時間比(V(soft-start)/T)夠小的軟激活電路。
請參閱圖4，其為本發明第三較佳實施例的軟激活電路的電路示意圖，與第一及第二較佳實施例不同處在於，第三較佳實施例是為一互補式金氧半導體(Complementary MOS，CMOS)製成的電路布局。如圖4所示，該軟激活電路40是由電流源41、三顆P型金氧半場效電晶體(42、43及44)、三顆N型金氧半場效電晶體(45、46及47)及電容48耦接而成。其中，P型金氧半場效電晶體42與44的漏、源極端間的信道(Channel)寬長比(Aspect Ratio)是彼此相同，但卻皆為P型金氧半場效電晶體43的信道寬長比的倍數(假設為n倍)。而N型金氧半場效電晶體45的信道寬長比則為N型金氧半場效電晶體46的倍數(假設為m倍)。
在圖4中，P型金氧半場效電晶體42、43與44的源極端皆連接於高電壓491，而三者的柵極端彼此相連且共同短路於P型金氧半場效電晶體42的漏極端，另外P型金氧半場效電晶體42的漏極端與電流源41的輸入端相連接，電流源41的輸出端則連接至低電壓492。因此，P型金氧半場效電晶體42及43共同組成一個電流映像倍率為1/n的電流鏡，P型金氧半場效電晶體42及44亦共同組成一個電流映像倍率為1的電流鏡。
另外，N型金氧半場效電晶體45則以柵、漏極端短路的方式與P型金氧半場效電晶體43的漏極端相連接，N型金氧半場效電晶體45以共柵極端的方式與N型金氧半場效電晶體46組成一個電流映像倍率為1/m的電流鏡，共源極端則與低電壓492相連接。
最後，N型金氧半場效電晶體47的漏極端與電容48的一端共同連接至P型金氧半場效電晶體44的漏極端，N型金氧半場效電晶體47的柵極端與電容48的另一端短路後共同連接至N型金氧半場效電晶體46的漏極端，N型金氧半場效電晶體47的源極端亦與低電壓492相連接。
由圖4可看出，電流源41產生的定電流(假設其大小為I)經由P型金氧半場效電晶體42及44共同組成的電流鏡的映像，使得自P型金氧半場效電晶體44的漏極端流出的電流大小亦為I。
另外，經由P型金氧半場效電晶體42及43共同組成的電流鏡的映像，使得自P型金氧半場效電晶體43的漏極端流出的電流大小為I/n，該電流再經由N型金氧半場效電晶體45及46共同組成的電流鏡的映像，使得流進N型金氧半場效電晶體46的漏極端的電流大小變為I/(mn)。由於流進N型金氧半場效電晶體47的柵極端的電流與I/(mn)相比極小，因此可將流經電容48的電流大小視為I/(mn)。
由於(1)自P型金氧半場效電晶體44的漏極端流出的電流大小為I(2)流經電容48的電流大小視為I/(mn)，而當m及n夠大時(以現代的金氧半場效電晶體來說多在25以上)，將流經電容33的電流值I/(mn)代入公式V(soft-start)/T＝I/C的電流I處，可得V(soft-start)/T＝(I/mn)/C，亦可看成V(soft-start)/T＝I」/(mnC)。由此可知，在軟激活電壓V(soft-start)固定的情況下想要得到較小的V(soft-start)/T比值，若利用本發明所述的軟激活電路，可將電容23的等效電容值放大mn倍，使得可以利用具一極小電容值的電容，製作軟激活電壓與時間比(V(soft-start)/T)夠小的軟激活電路。
由以上三種較佳實施例可知，本發明所述的軟激活電路配置的方式確實可以放大電容的有效值，使得人們在製作軟激活電路時可以一較小電容值(即較小的體積)的電容即可達到較小的軟激活電壓與時間的比值，也就是達到緩慢控制通過負載的電流的增加速率，使得系統於激活時能夠更安全的作用；尤其是第三較佳實施例的軟激活電路，是以CMOS的製程作為電路的實施環境，以能夠搭配集成電路的製程尺寸的要求所製作出的電容，並以本發明所述的配置方式，使得有效電容值足夠大到能夠發揮軟激活電路的保護功能，因此可有效整合於集成電路的製程中，完全符合集成電路體積日益縮小的世界潮流。故本發明確實能夠解決公知軟激活電路的技術缺陷，進而達成本發明的研發目的。
本發明可由熟悉本技術的人員作多種修飾，但皆不脫離所附的權利要求所欲保護的範圍。
權利要求
1.一種軟激活電路，其特徵在於其包括一第一電流源，其輸入端連接於一第一電壓；一電晶體，其一第一端連接於該第一電流源的輸出端，其一第二端連接於一第二電壓；以及一電容，其一端連接於該第一電流源的輸出端，其另一端連接於該電晶體的輸入端；利用該電晶體與該電容的耦接，降低自該軟激活電路產生的軟激活電壓與時間的比值，藉以增加該電容的等效電容值，使得該軟激活電路可以以一較小電容值的該電容來製作。
2.如權利要求1所述的軟激活電路，其特徵在於該第一電流源為一電流鏡；該電流鏡是由兩個相同的P型金氧半場效電晶體耦接而成；該電流鏡的輸入端連接於一第二電流源的輸入端，該電流鏡的輸出端連接於該電晶體的該第一端及該電容的一端，該電流鏡的共源極端連接於該第一電壓；及/或該第二電流源的輸出端連接於該第二電壓。
3.如權利要求1所述的軟激活電路，其特徵在於該第一電壓大於該第二電壓；該電晶體為一npn型雙極面結型電晶體；及/或該電晶體的該第一端為集極端，該電晶體的該第二端為射極端，該電晶體的控制端為基極端。
4.如權利要求1所述的軟激活電路，其特徵在於該電晶體是為一達靈頓電晶體；及/或該達靈頓電晶體由一第一npn型雙極面結型電晶體及一第二npn型雙極面結型電晶體耦接而成，且該第一npn型雙極面結型電晶體的基極端為該電晶體的輸入端，該第一npn型雙極面結型電晶體的射極端連接於該第二npn型雙極面結型電晶體的基極端，該第一npn型雙極面結型電晶體的集極端連接於該第二npn型雙極面結型電晶體的集極端以構成該電晶體的該第一端，該第二npn型雙極面結型電晶體的射極端為該電晶體的該第二端。
5.一種軟激活電路，其特徵在於其包括一電流源，其輸出端連接於一第一電壓；一第一電流鏡，其輸入端連接於該電流源的輸入端，其共源極端連接於一第二電壓；一第一金氧半場效電晶體，其源極端連接於該第二電壓，其柵極端連接於該第一電流鏡的共柵極端；一第二金氧半場效電晶體，其漏極端連接於該第一電流鏡的輸出端，其源極端連接於該第一電壓；一電容，其一端連接於該第一電流鏡的輸出端及該第二金氧半場效電晶體的漏極端，其另一端連接於該第二金氧半場效電晶體的柵極端；以及一第二電流鏡，其輸入端連接於該第一金氧半場效電晶體的漏極端，其共源極端連接於該第一電壓，其輸出端連接於該電容的另一端及該第二電晶體的柵極端；利用該第一電流鏡、該第一金氧半場效電晶體、該第二電流鏡及該第二金氧半場效電晶體與該電容的耦接，降低自該軟激活電路產生的軟激活電壓與時間的比值，藉以增加該電容的等效電容值，使得該軟激活電路可以以一較小電容值的該電容來製作。
6.如權利要求5所述的軟激活電路，其特徵在於該第一電壓小於該第二電壓；該第一電流鏡是由兩個相同的第一P型金氧半場效電晶體電晶體耦接而成；及/或該第一金氧半場效電晶體為一P型金氧半場效電晶體，且其信道區寬長比小於該第一P型金氧半場效電晶體的信道區長寬比。
7.如權利要求5所述的軟激活電路，其特徵在於該第二金氧半場效電晶體為一N型金氧半場效電晶體；該第二電流鏡是由一第一N型金氧半場效電晶體及一第二N型金氧半場效電晶體耦接而成；該第一N型金氧半場效電晶體的漏極為該第二電流鏡的輸入端，該第二N型金氧半場效電晶體的漏極為該第二電流鏡的輸出端；及/或該第一N型金氧半場效電晶體的信道區寬長比大於該第二N型金氧半場效電晶體的信道區寬長比。
8.一種軟激活電路，其特徵在於其包括一電流源，其輸出端連接於一第一電壓；一第一電流鏡，其輸入端連接於該電流源的輸入端，其共源極端連接於一第二電壓；一第一金氧半場效電晶體，其源極端連接於該第二電壓，其柵極端連接於該第一電流鏡的共柵極；一第二金氧半場效電晶體，其漏極端連接於該第一金氧半場效電晶體的漏極端，其一源極端連接於該第一電壓；一電容，其一端連接於該第一金氧半場效電晶體的漏極端及該第二金氧半場效電晶體的漏極端，其另一端連接於該第二金氧半場效電晶體的柵極端；以及一第二電流鏡，其輸入端連接於該第一電流鏡的輸出端，其共源極端連接於該第一電壓，其輸出端連接於該電容的另一端及該第二金氧半場效電晶體的柵極端；利用該第一電流鏡、該第一金氧半場效電晶體、該第二電流鏡及該第二金氧半場效電晶體與該電容的耦接，降低自該軟激活電路產生的軟激活電壓與時間的比值，藉以增加該電容的等效電容值，使得該軟激活電路可以以一較小電容值的該電容來製作。
9.如權利要求8所述的軟激活電路，其特徵在於該第一電壓小於該第二電壓。
10.如權利要求8所述的軟激活電路，其特徵在於該第一電流鏡是由一第一P型金氧半場效電晶體及一第二P型金氧半場效電晶體耦接而成；該第一P型金氧半場效電晶體的漏極為該第一電流鏡的輸入端，該第二P型金氧半場效電晶體的漏極為該第一電流鏡的輸出端；及/或該第一P型金氧半場效電晶體的信道區寬長比大於該第二P型金氧半場效電晶體的信道區長寬比。
全文摘要
本發明涉及一種軟激活電路，其包括一電流源、一第一電流鏡、一第二電流鏡、一第一金氧半場效電晶體、一第二金氧半場效電晶體以及一電容，利用該第一電流鏡、該第一金氧半場效電晶體、該第二電流鏡及該第二金氧半場效電晶體與該電容的耦接，降低自該軟激活電路產生的軟激活電壓與時間的比值，藉以增加該電容的等效電容值，使得該軟激活電路可以以一較小電容值的電容來製作。
文檔編號H03K17/00GK1553574SQ0312396
公開日2004年12月8日 申請日期2003年5月29日 優先權日2003年5月29日
發明者莊明南, 馮蔚文 申請人:沛亨半導體股份有限公司