一種用於2.5d封裝的中間互聯層及其製備方法
2023-04-24 16:06:46 2
一種用於2.5d封裝的中間互聯層及其製備方法
【專利摘要】本發明公開的一種用於2.5D封裝的中間互聯層，包括基體，基體採用環氧樹脂製成，在基體內設置有若干露出基體的銅柱或錫球，其製備方法包括如下步驟：(1)採用矽片或金屬框架製成一襯底；(2)在襯底的指定區域內形成若干銅柱或錫球；(3)在襯底形成有銅柱或錫球這一面上採用塗覆或熱壓方法製備一層環氧樹脂層，環氧樹脂層淹沒掉所述銅柱或錫球；(4)研磨環氧樹脂層直至露出銅柱或錫球；(5)在環氧樹脂層的研磨麵上布線；(6)去掉襯底製成的中間互聯層或者將需要倒裝焊的管芯焊接在中間互聯層的一個面上再去掉襯底。本發明與現有技術相比，採用環氧樹脂等有機材料作為中間互聯層，不需要TSV等複雜的工藝，加工工藝非常簡單。
【專利說明】—種用於2.5D封裝的中間互聯層及其製備方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及半導體器件封裝【技術領域】，特別涉及一種用於2.封裝的中間互聯層及其製備方法。
【背景技術】
[0002]目前用於2.封裝的中間互聯層主要有兩類技術，一類技術是採用PCB襯底作為中間互聯層，另一類技術是採用矽片作為中間互聯層。採用PCB襯底作為中間互聯層的工藝成熟，但其存在以下兩種缺點:一種缺點是PCB的厚度很厚，與現代電器小型化和薄層化不相吻合；第二種缺點是PCB和環氧樹脂之間存在分層的風險，易出現可靠性問題。採用矽片作為中間互聯層的技術需要採用粘片、剝離、TSV鑽孔和CVD/PVD/銅電鍍技術，工藝複雜。
【發明內容】
[0003]本發明的目的之一是針對現有技術所存在的上述諸多問題而提供一種用於2.5D封裝的中間互聯層，該中間互聯層採用環氧樹脂作為中間互聯層，工藝簡單。
[0004]本發明的目的之二在於提供上述用於2.5D封裝的中間互聯層的加工工藝。
[0005]為了實現上述發明目的，本發明所採用的技術方案如下:
[0006]一種用於2.封裝的中間互聯層，包括基體，所述基體採用環氧樹脂製成，在所述基體內設置有若干露出所述基體上、下表面的銅柱或錫球。
[0007]上述用於2.5D封裝的中間互聯層的製備方法，包括如下步驟:
[0008](I)採用矽片或金屬框架製成一襯底；
[0009](2)在所述襯底的指定區域內用電鍍的方法形成若干銅柱或採用植球的方法製作錫球；
[0010](3)在所述襯底形成有銅柱這一面上採用塗覆或熱壓方法製備一層環氧樹脂層，所述環氧樹脂層淹沒掉所述銅柱或錫球；
[0011](4)研磨所述環氧樹脂層直至露出銅柱或錫球；
[0012](5)在環氧樹脂層的研磨麵上布線；
[0013](6)去掉所述襯底製成所述的中間互聯層或者將需要倒裝焊的管芯焊接在中間互聯層的一個面上再去掉襯底。
[0014]封裝時，將需要倒裝焊的管芯焊接在中間互聯層的一個面上，管芯焊接好以後也可以採用環氧樹脂進行封裝，在中間互聯層的另一個面上植球即可。
[0015]由於採用了如上的技術方案，本發明與現有技術相比，採用環氧樹脂等有機材料作為中間互聯層，不需要TSV等複雜的工藝，加工工藝非常簡單。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0016]圖1為本發明在襯底的指定區域內用電鍍的方法形成若干銅柱的示意圖。
[0017]圖2為本發明在襯底形成有銅柱這一面上採用塗覆或熱壓方法製備一層環氧樹脂層並研磨環氧樹脂層直至露出銅柱的示意圖。
[0018]圖3為本發明在環氧樹脂研磨麵上布線的示意圖。
[0019]圖4為本發明將需要倒裝焊的管芯焊接在中間互聯層的一個面上的示意圖。
[0020]圖5為本發明去掉襯底後在中間互聯層的另一個面上植球的示意圖。
[0021]圖6為本發明在管芯上封裝環氧樹脂的示意圖。
【具體實施方式】
[0022]參見附圖，圖中給出的用於2.5D封裝的中間互聯層的製備方法，包括如下步驟:
[0023](I)採用矽片或金屬框架製成一襯底10 ；
[0024](2)參見圖1，在襯底10的指定區域內用電鍍的方法形成若干銅柱20 ；
[0025](3)參見圖2在襯底10形成有銅柱20這一面11上採用塗覆或熱壓方法製備一層環氧樹脂層30，環氧樹脂層30淹沒掉銅柱20 ；
[0026](4)參見圖2，研磨環氧樹脂層30直至露出銅柱20 ；
[0027](5)參見圖3，在環氧樹脂層30的研磨麵31上布線40 ；
[0028](6)參見圖4，將需要倒裝焊的管芯50焊接在環氧樹脂層30的研磨麵31上的布線40上；
[0029](7)參見圖5，去掉襯底10並在環氧樹脂層30另一個面32上植錫球60即可。
[0030]當然，參見圖6，也可以在管芯50上封裝環氧樹脂70。
【權利要求】
1.一種用於2.ro封裝的中間互聯層，包括基體，所述基體採用環氧樹脂製成，在所述基體內設置有若干露出所述基體上、下表面的銅柱或錫球。
2.權利要求1所述的用於2.5D封裝的中間互聯層的製備方法，其特徵在於，包括如下步驟: (1)採用矽片或金屬框架製成一襯底； (2)在所述襯底的指定區域內用電鍍的方法形成若干銅柱或用植球的方法製造錫球； (3)在所述襯底形成有銅柱這一面上採用塗覆或熱壓方法製備一層環氧樹脂層，所述環氧樹脂層淹沒掉所述銅柱或錫球； (4)研磨所述環氧樹脂層直至露出銅柱或錫球； (5)在環氧樹脂層的研磨麵上布線； (6)去掉所述襯底製成所述的中間互聯層或者將需要倒裝焊的管芯焊接在中間互聯層的一個面上再去掉襯底。
【文檔編號】H01L23/31GK104051369SQ201410311847
【公開日】2014年9月17日 申請日期:2014年7月2日 優先權日:2014年7月2日
【發明者】楊凡力 申請人:上海朕芯微電子科技有限公司