具有寬帶反射特性的幹涉式光學調製器的製作方法

2023-05-22 17:13:26 2

專利名稱：：具有寬帶反射特性的幹涉式光學調製器的製作方法
技術領域：
：本發明的領域涉及微機電系統(MEMS)，且更明確地說，涉及包括MEMS的顯示器。
背景技術：
：微機電系統(MEMS)包含微機械元件、激活器和電子元件。可使用沉積、蝕刻和/或其它蝕刻掉襯底和/或已沉積材料層的部分或者添加層以形成電裝置和機電裝置的微加工工藝來產生微機械元件。一種類型的MEMS裝置稱為幹涉式調製器。如本文所使用，術語幹涉式調製器或幹涉式光調製器指的是一種使用光學幹涉原理選擇性地吸收且/或反射光的裝置。在某些實施例中，幹涉式調製器可包括一對導電板，其中之一或兩者可能整體或部分透明且/或具有反射性，且能夠在施加適當電信號時進行相對運動。在特定實施例中，一個板可包括沉積在襯底上的固定層，且另一個板可包括通過氣隙與固定層分離的金屬薄膜。如本文更詳細描述，一個板相對於另一個板的位置可改變入射在幹涉式調製器上的光的光學幹涉。這些裝置具有廣範圍的應用，且在此項技術中，利用且/或修改這些類型裝置的特性使得其特徵可被發掘用於改進現有產品和創建尚未開發的新產品，將是有益的。
發明內容揭示本發明的許多示範性實施例。在一個實施例中，揭示一種光學裝置，所述光學裝置包括光學堆疊，其包括第一層，其具有第一折射率；在所述第一層上的第二層，所述第二層具有小於第一折射率的第二折射率；及在所述第二層上的第三層，所述第三層具有大於第二折射率的第三折射率；及第四層，其為至少部分光學吸收性的，其中光學堆疊與第四層在裝置處於第一狀態下時彼此相距第一距離，且在裝置處於第二狀態下時彼此相距第二距離，所述第一距離不同於所述第二距離。在一個實施例中，揭示一種形成光學裝置的方法，所述方法包括形成第一層，所述第一層具有第一折射率；在第一層上形成第二層，所述第二層具有小於第一折射率的第二折射率；在第二層上形成第三層，所述第三層具有大於第二折射率的第三折射率；在第三層上形成犧牲層；在犧牲層上形成第四層，所述第四層為至少部分光學吸收性的；及移除所述犧牲層。在一個實施例中，揭示一種調製光的方法，所述方法包括提供光學裝置，所述光學裝置包括光學堆疊，所述光學堆疊包括第一層，其具有第一折射率；在所述第一層上的第二層，所述第二層具有小於第一折射率的第二折射率；及在所述第二層上的第三層，所述第三層具有大於第二折射率的第三折射率；及第四層，其為至少部分光學吸收性的，其中光學堆疊與第四層在裝置處於第一狀態下時彼此相距第一距離，且在裝置處於第二狀態下時彼此相距第二距離，所述第一距離不同於所述第二距離；將第一電壓施加到裝置以將所述裝置置於第一狀態下；及將第二電壓施加到裝置以將所述裝置置於第二狀態下。在一個實施例中，揭示一種光學裝置，所述光學裝置包括用於反射及透射光的第一裝置，所述第一裝置具有第一折射率；用於反射及透射光的第二裝置，所述第二裝置在所述第一裝置上，所述第二裝置具有小於第一折射率的第二折射率；及用於反射及透射光的第三裝置，所述第三裝置在所述第二裝置上，所述第三裝置具有大於第二折射率的第三折射率；及用於反射及吸收光的第四裝置，其中第三裝置與第四裝置在裝置處於第一狀態下時彼此相距第一距離，且在裝置處於第二狀態下時彼此相距第二距離，所述第一距離不同於所述第二距離。圖1是描繪幹涉式調製器顯示器的一個實施例的一部分的等角視圖，其中第一幹涉式調製器的可移動反射層處於鬆弛位置，且第二幹涉式調製器的可移動反射層處於激活位置。圖2是說明併入有3X3幹涉式調製器顯示器的電子裝置的一個實施例的系統框圖。圖3是圖1的幹涉式調製器的一個示範性實施例的可移動鏡位置對所施加電壓的圖。圖4是可用於驅動幹涉式調製器顯示器的一組行和列電壓的說明。圖5A說明圖2的3X3幹涉式調製器顯示器中的顯示器數據的一個示範性幀。圖5B說明可用於寫入圖5A的幀的行和列信號的一個示範性時序圖。圖6A和圖6B是說明包括多個幹涉式調製器的視覺顯示器裝置的實施例的系統框圖。圖7A是圖1的裝置的橫截面。圖7B是幹涉式調製器的替代實施例的橫截面。圖7C是幹涉式調製器的另一替代實施例的橫截面。圖7D是幹涉式調製器的又一替代實施例的橫截面。圖7E是幹涉式調製器的額外替代實施例的橫截面。圖8為具有寬帶反射特性的幹涉式調製器的橫截面。圖9包含總結圖8的幹涉式調製器的實施例的結構及光學特性的表及曲線圖。圖10包含總結圖8的幹涉式調製器的實施例的結構及光學特性的表及曲線圖。圖11包含總結圖8的幹涉式調製器的實施例的結構及光學特性的表及曲線圖。圖12包含總結圖8的幹涉式調製器的實施例的結構及光學特性的表及曲線圖。圖13包含總結圖8的幹涉式調製器的實施例的結構及光學特性的表及曲線圖。圖14包含總結圖8的幹涉式調製器的實施例的結構及光學特性的表及曲線圖。圖15包含總結圖8的幹涉式調製器的實施例的結構及光學特性的表及曲線圖。圖16包含總結圖8的幹涉式調製器的實施例的結構及光學特性的表及曲線圖。圖17包含總結圖8的幹涉式調製器的實施例的結構及光學特性的表及曲線圖。圖18包含總結圖8的幹涉式調製器的實施例的結構及光學特性的表及曲線圖。圖19包含總結圖8的幹涉式調製器的實施例的結構及光學特性的表及曲線圖。具體實施例方式以下詳細描述針對本發明的某些特定實施例。然而，本發明可以許多不同方式實施。如從以下描述中將了解，所述實施例可實施在經配置以顯示不論運動(例如，視頻)還是固定(例如，靜止圖像)的且不論文字還是圖畫的圖像的任何裝置中。更明確地說，預期所述實施例可實施在多種電子裝置中或與多種電子裝置關聯，所述多種電子裝置例如(但不限於)行動電話、無線裝置、個人數據助理(PDA)、手持式或可攜式計算機、GPS接收器/導航器、相機、MP3播放器、攝像機、遊戲控制臺、手錶、時鐘、計算器、電視監視器、平板顯示器、計算機監視器、汽車顯示器(例如，裡程表顯示器等)、座艙控制器和/或顯示器、相機視圖的顯示器(例如，車輛中後視相機的顯示器)、電子相片、電子廣告牌或指示牌、投影儀、建築結構、包裝和美學結構(例如，一件珠寶上的圖像顯示器)。具有與本文中描述的裝置類似的結構的MEMS裝置也可用於例如電子切換裝置的非顯示器應用中。圖1中說明包括幹涉式MEMS顯示器元件的一個幹涉式調製器顯示器的實施例。在這些裝置中，像素處於明狀態或暗狀態。在明(「接通」或「開啟」)狀態下，顯示器元件將入射可見光的大部分反射到用戶。當在暗(「斷開」或「關閉」)狀態下時，顯示器元件將極少的入射可見光反射到用戶。依據實施例而定，可顛倒「接通」和「斷開」狀態的光反射性質。MEMS像素可經配置以主要在所選顏色下反射，從而除了黑色和白色以外還允許彩色顯不器。圖1是描述視覺顯示器的一系列像素中的兩個相鄰像素的等角視圖，其中每一像素包括MEMS幹涉式調製器。在一些實施例中，幹涉式調製器顯示器包括這些幹涉式調製器的一行/列陣列。每一幹涉式調製器包含一對反射層，其定位成彼此相距可變且可控制的距離以形成具有至少一個可變尺寸的諧振光學間隙。在一個實施例中，可在兩個位置之間移動所述反射層之一。在第一位置(本文中稱為鬆弛位置)中，可移動反射層定位成距固定部分反射層相對較大的距離。在第二位置(本文中稱為激活位置)中，可移動反射層定位成更緊密鄰近所述部分反射層。視可移動反射層的位置而定，從所述兩個層反射的入射光相長地或相消地進行幹涉，從而針對每一像素產生全反射狀態或非反射狀態。圖1中像素陣列的所描繪部分包含兩個相鄰幹涉式調製器12a和12b。在左側幹涉式調製器12a中，說明可移動反射層14a處於距包含部分反射層的光學堆疊16a預定距離處的鬆弛位置中。在右側幹涉式調製器12b中，說明可移動反射層14b處於鄰近於光學堆疊16b的激活位置中。如本文所引用的光學堆疊16a和16b(統稱為光學堆疊16)通常包括若干熔合層(fusedlayer)，所述熔合層可包含例如氧化銦錫(ITO)的電極層、例如鉻的部分反射層和透明電介質。因此，光學堆疊16是導電的、部分透明且部分反射的，且可通過(例如)將上述層的一者或一者以上沉積到透明襯底20上來製造。部分反射層可由為部分反射的多種材料(例如，各種金屬、半導體及電介質)形成。部分反射層可由一個或一個以上材料層形成，且層中的每一者可由單一材料或材料的組合形成。在一些實施例中，光學堆疊16的層經圖案化成為多個平行條帶，且如下文中進一步描述，可在顯示器裝置中形成行電極。可移動反射層14a、14b可形成為沉積金屬層(一層或多層)的一系列平行條帶(與行電極16a、16b垂直)，所述金屬層沉積在柱18和沉積於柱18之間的介入犧牲材料的頂部上。當蝕刻去除犧牲材料時，可移動反射層14a、14b通過所界定的間隙19而與光學堆疊16a、16b分離。例如鋁的高度導電且反射的材料可用於反射層14，且這些條帶可在顯示器裝置中形成列電極。在不施加電壓的情況下，間隙19保留在可移動反射層14a與光學堆疊16a之間，其中可移動反射層14a處於機械鬆弛狀態，如圖1中像素12a所說明。然而，當將電位差施加到選定的行和列時，形成在相應像素處的行電極與列電極的交叉處的電容器變得帶電，且靜電力將所述電極拉在一起。如果電壓足夠高，那麼可移動反射層14變形且被迫抵靠光學堆疊16。光學堆疊16內的介電層(在此圖中未圖示)可防止短路並控制層14與16之間的分離距離，如圖1中右側的像素12b所說明。不管所施加的電位差的極性如何，表現均相同。以此方式，可控制反射像素狀態對非反射像素狀態的行/列激活在許多方面類似於常規LCD和其它顯示技術中所使用的行/列激活。圖2到圖5B說明在顯示器應用中使用幹涉式調製器陣列的一個示範性工藝和系統。圖2是說明可併入有本發明各方面的電子裝置的一個實施例的系統框圖。在所述示範性實施例中，所述電子裝置包含處理器21，其可為任何通用單晶片或多晶片微處理器(例如ARM、Pentium、PentiumII、PentiumIII、PentiumIV、PentiumPro、8051、MIPS、PowerPC、ALPHA)，或任何專用微處理器(例如數位訊號處理器、微控制器或可編程門陣列)。如此項技術中常規的做法，處理器21可經配置以執行一個或一個以上軟體模塊。除了執行作業系統外，所述處理器可經配置以執行一個或一個以上軟體應用程式，包含網絡瀏覽器、電話應用程式、電子郵件程序或任何其它軟體應用程式。在一個實施例中，處理器21還經配置以與陣列驅動器22通信。在一個實施例中，所述陣列驅動器22包含將信號提供到顯示器陣列或面板30的行驅動器電路24和列驅動器電路26。在圖2中以線1-1展示圖1中說明的陣列的橫截面。對於MEMS幹涉式調製器來說，行/列激活協議可利用圖3中說明的這些裝置的滯後性質。可能需要(例如)10伏的電位差來促使可移動層從鬆弛狀態變形為激活狀態。然而，當電壓從所述值減小時，可移動層在電壓降回10伏以下時維持其狀態。在圖3的示範性實施例中，可移動層直到電壓降到2伏以下時才完全鬆弛。因此，在圖3中所說明的實例中，存在約3到7V的經施加電壓窗口，在所述窗口內，裝置在鬆弛狀態或激活狀態中均是穩定的。此窗口在本文中稱為「滯後窗口」或「穩定窗口」。對於具有圖3的滯後特性的顯示器陣列來說，可設計行/列激活協議使得在行選通期間，已選通行中待激活的像素暴露於約10伏的電壓差，且待鬆弛的像素暴露於接近零伏的電壓差。在選通之後，所述像素暴露於約5伏的穩態電壓差使得其維持在行選通使其所處的任何狀態中。在此實例中，每一像素在被寫入之後經歷3-7伏的「穩定窗口」內的電位差。此特徵使圖1中說明的像素設計在相同的施加電壓條件下在激活或鬆弛預存在狀態下均是穩定的。因為幹涉式調製器的每一像素(不論處於激活還是鬆弛狀態)本質上是由固定反射層和移動反射層形成的電容器，所以可在滯後窗口內的一電壓下維持此穩定狀態而幾乎無功率消耗。本質上，如果所施加的電壓是固定的，那麼沒有電流流入像素中。在典型應用中，可通過根據第一行中所需組的激活像素斷言所述組列電極來產生顯示幀。接著將行脈衝施加到行1電極，從而激活對應於所斷言的列線的像素。接著改變所述組已斷言列電極以對應於第二行中所需組的激活像素。接著將脈衝施加到行2電極，從而根據已斷言的列電極而激活行2中的適當像素。行1像素不受行2脈衝影響，且維持在其在行1脈衝期間被設定的狀態中。可以連續方式對整個系列的行重複此過程以產生幀。通常，通過以每秒某一所需數目的幀的速度連續地重複此過程來用新的顯示器數據刷新且/或更新所述幀。用於驅動像素陣列的行和列電極以產生顯示幀的廣泛種類的協議也是眾所周知的且可結合本發明使用。圖4、圖5A和圖5B說明用於在圖2的3X3陣列上形成顯示幀的一個可能的激活協議。圖4說明可用於使像素展示出圖3的滯後曲線的一組可能的列和行電壓電平。在圖4實施例中，激活像素涉及將適當列設定為-Vbias，且將適當行設定為+ΔV，其分別可對應於_5伏和+5伏。鬆弛像素是通過將適當列設定為+Vbias，且將適當行設定為相同的+AV，從而在像素上產生零伏電位差而實現的。在行電壓維持在零伏的那些行中，不管列處於+Vbias還是-Vbias，像素在任何其最初所處的狀態中均是穩定的。同樣如圖4中所說明，將了解，可使用具有與上述電壓的極性相反的極性的電壓，例如，激活像素可涉及將適當列設定為+Vbias，且將適當行設定為_Δν。在此實施例中，釋放像素是通過將適當列設定為-Vbias，且將適當行設定為相同的_Δν，從而在像素上產生零伏電位差而實現的。圖5Β是展示施加到圖2的3X3陣列的一系列行和列信號的時序圖，所述系列的行和列信號將產生圖5Α中說明的顯示器布置，其中被激活像素為非反射的。在對圖5Α中說明的幀進行寫入之前，像素可處於任何狀態，且在本實例中所有行均處於0伏，且所有列均處於+5伏。在這些所施加的電壓的情況下，所有像素在其既有的激活或鬆弛狀態中均是穩定的。在圖5Α的幀中，像素(1，1)、(1,2),(2,2),(3,2)和(3,3)被激活。為了實現此目的，在行1的「線時間(linetime)」期間，將列1和2設定為-5伏，且將列3設定為+5伏。因為所有像素均保留在3-7伏的穩定窗口中，所以這並不改變任何像素的狀態。接著用從0升到5伏且返回零的脈衝選通行1。這激活了(1，1)和(1，2)像素且鬆弛了(1，3)像素。陣列中其它像素均不受影響。為了視需要設定行2，將列2設定為-5伏，且將列1和3設定為+5伏。施加到行2的相同選通接著將激活像素(2，2)且鬆弛像素(2，1)和(2，3)。同樣，陣列中其它像素均不受影響。通過將列2和3設定為-5伏且將列1設定為+5伏來類似地設定行3。行3選通設定行3像素，如圖5A中所示。在對幀進行寫入之後，行電位為零，且列電位可維持在+5或-5伏，且接著顯示器在圖5A的布置中是穩定的。將了解，可將相同程序用於數十或數百個行和列的陣列。還將了解，用於執行行和列激活的電壓的時序、序列和電平可在上文所概述的一般原理內廣泛變化，且上文的實例僅為示範性的，且任何激活電壓方法均可與本文中描述的系統和方法一起使用。圖6A和圖6B是說明顯示器裝置40的實施例的系統框圖。顯示器裝置40可為(例如)蜂窩式電話或行動電話。然而，顯示器裝置40的相同組件或其稍微變化形式也說明例如電視、可攜式媒體播放器及計算機等各種類型的顯示器裝置。顯示器裝置40包含外殼41、顯示器30、天線43、揚聲器45、輸入裝置48和麥克風46。外殼41通常由所屬領域的技術人員眾所周知的多種製造工藝中的任一者形成，所述工藝包含注射模製和真空成形。另外，外殼41可由多種材料中的任一者製成，所述材料包含(但不限於)塑料、金屬、玻璃、橡膠和陶瓷，或其組合。在一個實施例中，外殼41包含可去除部分(未圖示)，所述可去除部分可與其它具有不同顏色或含有不同標記、圖畫或符號的可去除部分互換。如本文中所描述，示範性顯示器裝置40的顯示器30可為包含雙穩態顯示器(bi-stabledisplay)在內的多種顯示器中的任一者。在其它實施例中，如所屬領域的技術人員眾所周知，顯示器30包含例如如上所述的等離子、EL、OLED,STNIXD或TFTIXD等平板顯示器，或例如CRT或其它電子管裝置等非平板顯示器。然而，出於描述本實施例的目的，如本文中所描述，顯示器30包含幹涉式調製器顯示器。圖6B中示意說明示範性顯示器裝置40的一個實施例的組件。所說明的示範性顯示器裝置40包含外殼41且可包含至少部分封圍在所述外殼41中的額外組件。舉例來說，在一個實施例中，示範性顯示器裝置40包含網絡接口27，所述網絡接口27包含耦合到收發器47的天線43。收發器47連接到處理器21，處理器21連接到調節硬體52。調節硬體52可經配置以調節信號(例如，對信號進行濾波)。調節硬體52連接到揚聲器45和麥克風46。處理器21也連接到輸入裝置48和驅動器控制器29。驅動器控制器29耦合到幀緩衝器28且耦合到陣列驅動器22，所述陣列驅動器22進而耦合到顯示器陣列30。根據特定示範性顯示器裝置40設計的要求，電源50將功率提供到所有組件。網絡接口27包含天線43和收發器47使得示範性顯示器裝置40可經由網絡與一個或一個以上裝置通信。在一個實施例中，網絡接口27也可具有某些處理能力以減輕對處理器21的要求。天線43是所屬領域的技術人員已知的用於發射和接收信號的任何天線。在一個實施例中，所述天線根據IEEE802.11標準(包含IEEE802.11(a)、(b)或(g))來發射和接收RF信號。在另一實施例中，所述天線根據藍牙(BLUETOOTH)標準來發射和接收RF信號。在蜂窩式電話的情況下，所述天線經設計以接收CDMA、GSM、AMPS或其它用於在無線手機網絡內通信的已知信號。收發器47預處理從天線43接收到的信號，使得處理器21可接收所述信號並進一步對所述信號進行處理。收發器47還處理從處理器21接收到的信號使得可經由天線43從示範性顯示器裝置40發射所述信號。在替代實施例中，收發器47可由接收器代替。在又一替代實施例中，網絡接口27可由可存儲或產生待發送到處理器21的圖像數據的圖像源代替。舉例來說，所述圖像源可為數字視頻光碟(DVD)或含有圖像數據的硬碟驅動器，或產生圖像數據的軟體模塊。處理器21大致上控制示範性顯示器裝置40的全部操作。處理器21接收例如來自網絡接口27或圖像源的壓縮圖像數據的數據，並將所述數據處理成原始圖像數據或處理成易被處理成原始圖像數據的格式。處理器21接著將已處理的數據發送到驅動器控制器29或發送到幀緩衝器28以供存儲。原始數據通常是指識別圖像內每一位置處的圖像特性的信息。舉例來說，這些圖像特性可包含顏色、飽和度和灰度級。在一個實施例中，處理器21包含微控制器、CPU或邏輯單元以控制示範性顯示器裝置40的操作。處理器21還可經配置以執行一個或一個以上軟體應用程式，包括網頁瀏覽器、電話應用程式、電子郵件程序或任何其它軟體應用程式。處理器21還可經配置以執行一個或一個以上軟體應用程式，包括網頁瀏覽器、電話應用程式、電子郵件程序或任何其它軟體應用程式。調節硬體52通常包含放大器和濾波器，以用於將信號發射到揚聲器45，且用於從麥克風46接收信號。調節硬體52可為示範性顯示器裝置40內的離散組件，或可併入在處理器21或其它組件內。驅動器控制器29直接從處理器21或從幀緩衝器28取得由處理器21產生的原始圖像數據，並適當地重新格式化所述原始圖像數據以供高速發射到陣列驅動器22。具體來說，驅動器控制器29將原始圖像數據重新格式化為具有類似光柵的格式的數據流，使得其具有適於在顯示器陣列30上進行掃描的時間次序。接著，驅動器控制器29將已格式化的信息發送到陣列驅動器22。儘管驅動器控制器29(例如IXD控制器)通常與系統處理器21關聯而作為獨立的集成電路(IC)，但可以許多方式實施這些控制器。其可作為硬體嵌入處理器21中，作為軟體嵌入處理器21中，或與陣列驅動器22完全集成在硬體中。通常，陣列驅動器22從驅動器控制器29接收已格式化的信息且將視頻數據重新格式化為一組平行波形，所述波形以每秒多次的速度被施加到來自顯示器的χ-y像素矩陣的數百且有時數千個引線。在一個實施例中，驅動器控制器29、陣列驅動器22和顯示器陣列30適用於本文描述的任意類型的顯示器。舉例來說，在一個實施例中，驅動器控制器29是常規顯示器控制器或雙穩態顯示器控制器(例如，幹涉式調製器控制器)。在另一實施例中，陣列驅動器22是常規驅動器或雙穩態顯示器驅動器(例如，幹涉式調製器顯示器)。在一個實施例中，驅動器控制器29與陣列驅動器22集成。此實施例在例如蜂窩式電話、手錶和其它小面積顯示器的高度集成系統中是普遍的。在又一實施例中，顯示器陣列30是典型的顯示器陣列或雙穩態顯示器陣列(例如，包含幹涉式調製器陣列的顯示器)。輸入裝置48允許用戶控制示範性顯示器裝置40的操作。在一個實施例中，輸入裝置48包含例如QWERTY鍵盤或電話鍵區的鍵區、按鈕、開關、觸敏屏幕或壓敏或熱敏薄膜。在一個實施例中，麥克風46是用於示範性顯示器裝置40的輸入裝置。當使用麥克風46將數據輸入到所述裝置時，用戶可提供聲音命令以便控制示範性顯示器裝置40的操作。電源50可包含此項技術中眾所周知的多種能量存儲裝置。舉例來說，在一個實施例中，電源50是例如鎳鎘電池或鋰離子電池的可再充電電池。在另一實施例中，電源50是可再生能源、電容器或太陽能電池，包含塑料太陽能電池和太陽能電池塗料。在另一實施例中，電源50經配置以從壁式插座接收功率。在某些實施例中，如上文中所描述，控制可編程性駐存在驅動器控制器中，所述驅動器控制器可位於電子顯示器系統中的若干位置中。在某些實施例中，控制可編程性駐存在陣列驅動器22中。所屬領域的技術人員將了解，上述優化可實施在任何數目的硬體和/或軟體組件中且可以各種配置實施。根據上文陳述的原理而操作的幹涉式調製器的結構的細節可廣泛變化。舉例來說，圖7A-7E說明可移動反射層14及其支撐結構的五個不同實施例。圖7A是圖1的實施例的橫截面，其中金屬材料條帶14沉積在垂直延伸的支撐件18上。在圖7B中，可移動反射層14在系鏈(tether)32上僅在隅角處附接到支撐件。在圖7C中，可移動反射層14從可包括柔性金屬的可變形層34懸置下來。所述可變形層34直接或間接地連接到圍繞可變形層34的周邊的襯底20。這些連接在本文中稱為支柱。圖7D中說明的實施例具有支柱插塞42，可變形層34擱置在所述支柱插塞42上。如圖7A-7C所示，可移動反射層14保持懸置在間隙上方，但可變形層34並不通過填充可變形層34與光學堆疊16之間的孔而形成所述支柱。而是，支柱由平坦化材料形成，其用於形成支柱插塞42。圖7E中說明的實施例是基於圖7D中展示的實施例，但也可適於與圖7A-7C中說明的實施例以及未圖示的額外實施例的任一者一起發揮作用。在圖7E中所示的實施例中，已使用金屬或其它導電材料的額外層來形成總線結構44。這允許信號沿著幹涉式調製器的背面進行路由，從而消除許多原本可能必須形成在襯底20上的電極。在例如圖7中所示的那些實施例的實施例中，幹涉式調製器充當直接觀看裝置，其中從透明襯底20的前側觀看圖像，所述側與上面布置有調製器的一側相對。在這些實施例中，反射層14以光學方式遮蔽反射層的與襯底20相對側上的幹涉式調製器的若干部分，其包含可變形層34。這允許對遮蔽區域進行配置和操作而不會消極地影響圖像質量。此遮蔽允許圖7E中的總線結構44，其提供使調製器的光學性質與調製器的機電性質分離的能力，例如，尋址或由所述尋址引起的移動。這種可分離的調製器結構允許選擇用於調製器的機電方面和光學方面的結構設計和材料且使其彼此獨立地發揮作用。此外，圖7C-7E中所示的實施例具有源自反射層14的光學性質與其機械性質脫離的額外益處，所述益處由可變形層34執行。這允許用於反射層14的結構設計和材料在光學性質方面得以優化，且用於可變形層34的結構設計和材料在所需的機械性質方面得以優化。如本文中所揭示，例如圖7中說明的光學裝置的光學裝置可用以在用於電子裝置的顯示器中產生像素。這些光學裝置可經設計以在處於「明」狀態下時呈現出任何所要色彩。舉例來說，光學裝置可經設計以在處於「明」狀態下時優選地反射紅色、綠色、藍色或任一其它色彩的光。所述光學裝置還可經製造以在處於「明」狀態下時呈現出大體上白色。實現白「明」狀態的一種方式為由具有不同色彩(例如，黃色及青色)的多個子像素形成一像素，使得來自子像素的色彩由觀察者的眼睛在空間上平均開來以產生白像素的外觀。然而，由於每一子像素僅反射與特定色彩(例如，黃色或青色)相關聯的相對狹窄範圍的可見光，所以像素的總體反射率可比像素歸因於真實寬帶反射而呈現為白色的情況低。如上文所述，具有大體上白「明，，狀態的顯示器像素還可通過將其配置為具有相對寬帶反射特性而實現。舉例來說，此可(例如)通過以反射層14與光學堆疊16之間相對較薄的間隙對例如圖7中所說明的光學裝置的光學裝置進行配置而完成。然而，在一些情況下，可能需要導致所要寬帶反射特性的反射層14與光學堆疊16之間的間隙為狹窄的，使得削弱可歸因於幹涉效應的光從裝置的反射。此外，在光學裝置的製造中可能出現關於使裝置進行寬帶反射的相對較小的間隙的複雜性。舉例來說，歸因於製造而留在反射層14與光學堆疊16之間的空間中的不合需要的粒子可能使得難以實現小間隙。反射層14及光學堆疊16中的一者或一者以上中的非平面性還可能使得難以實現小間隙。一般來說，反射層14與光學堆疊16之間的間隙越小，則製造容差變得越具決定性。圖8說明具有大體上白「明」狀態的光學裝置800的又一實施例。如本文中所描述，由於裝置的相對寬帶反射特性，接著為光學裝置800的白「明，，狀態。歸因於光學裝置800的寬帶反射特性，在一些情況下，其可用以形成具有比實施在空間上平均化不同色彩的一個或一個以上子像素的技術的白像素大的亮度的顯示器像素。此外，光學裝置800可配置有比在經設計以反射寬帶範圍的可見光的其它光學裝置中可能所需的間隙寬的間隙。因此，當與由需要相對較薄幹涉間隙以實現白色外觀的光學裝置形成的白像素相比時，光學裝置800可提供關於製造過程的某些方面的益處。在一些實施例中，光學裝置800包括光學堆疊808，其具有具有第一折射率的第一層802；在第一層802上的第二層804，其具有小於第一折射率的第二折射率；及在第二層804上的第三層806，其具有大於第二折射率的第三折射率。光學裝置800還包括具至少部分光學吸收性的第四層810。當裝置800處於第一狀態(例如，未激活狀態)下時，光學堆疊808與第四層810彼此相距第一距離，且當裝置處於第二狀態(例如，激活狀態)下時，其彼此相距第二距離，第一距離不同於第二距離。光學裝置800的光學堆疊808形成於光學透射襯底820上。舉例來說，襯底820可包括玻璃或塑料。示意性說明於圖8中的光學堆疊808包含三個大體上光學透射層802、804、806。在一些實施例中，光學堆疊808的三個層802、804、806分別由具有相對較高折射率、相對較低折射率及相對較高折射率的材料形成。因此，在一些實施例中，光學堆疊808具有高-低-高折射率分布，但還可使用其它折射率分布。舉例來說，在一些實施例中，光學堆疊808可包括單一高折射率層。如本文中所揭示，可改變在光學堆疊808的實施例中的層的寬度及折射率以使光學裝置800展示出不同的光學特性。不應將光學堆疊808與(例如)在圖7A到7E中所說明的光學堆疊16(其在結構及組成上截然不同)混淆。光學堆疊808可由介電材料、光學透射導電材料(例如，具有復折射率的材料，例如，氧化銦錫)或其組合等形成。在一些實施例中，第一高折射率層802及第二高折射率層806各自具有大於約1.7的折射率，而在一些實施例中，這些高折射率層中的每一者具有大於約2的折射率。在一些實施例中，低折射率層804具有小於約1.5的折射率。如圖8中所說明，第二高折射率層806可包含多個子層805、807。第二高折射率層806的子層805、807中的每一者可由具有大於約1.7的折射率的材料形成。然而，子層805、807不需具有相同的折射率。舉例來說，子層805、807可用以增強光學裝置800的光學或電性能。在一些實施例中，一個子層(例如，子層805)包括導電材料，例如，氧化銦錫(ITO)。如本文中所描述，所述子層可充當用於光學裝置的電激活的電極。雖然一個子層可基於其電性能而經選擇，但另一子層(例如，子層807)可基於其光學性能而經選擇。舉例來說，子層可由基於其折射率而選擇的介電材料形成，以便增強裝置800的光學性能。正如同第二高折射率層806可包含多個子層，以同樣方式，第一高折射率層802及低折射率層804還可包含多個子層(未說明)。在一些實施例中，第一高折射率層802包括ΙΤ0、氮化矽(Si3N4)、氧化鈦(TiO2)、氧化鋯(ZrO2)、氧化釔(Y2O3)、氧化銻(Sb2O3)、硒化鋅(ZnSe)、其組合或其它類似高折射率材料。第二高折射率層806可由與第一高折射率層802相同的材料形成。在一些實施例中，第一高折射率層802具有在約700A與約1350A之間的範圍中的厚度，而第二高折射率層806具有在約IOO人與約550人之間的範圍中的厚度。在一些實施例中，低折射率層804包括冰晶石(Na3AlF6)、氟化鎂(MgF2)、氟化的氧化矽(SiOx)、其組合等。在一些實施例中，低折射率層804具有在約900A與約1600A之間的範圍中的厚度。光學裝置800還包含至少部分光學吸收層810。舉例來說，在一些實施例中，對於光的可見波長，用以形成光學吸收層810的材料具有在約0.05與1.00之間的範圍中的消光係數。然而，還可使用具有在此範圍外的消光係數的材料。在一些實施例中，光學吸收層810大體平行於光學堆疊808，且由側壁818支撐。可以類似於圖7A到圖7E中所說明的反射層14的支撐結構的方式對用於支撐吸收層810的結構加以配置。當光學裝置800處於第一狀態(例如，未激活狀態)下時，光學吸收層810與光學堆疊808分開第一距離。在一些實施例中，第一距離處於約1300A與約2300A之間的範圍中。在其它實施例中，第一距離處於約3200人與約4400A之間的範圍中。第一狀態對應於光學裝置800的「明」狀態。在「明」狀態下，光學裝置800反射在襯底820處入射於裝置800上的寬帶範圍的可見光。因此，在一些實施例中，如本文中所描述，光學裝置800在「明」狀態下呈現為大體上白色。當光在光學裝置800的各種層(例如，802、804、806及810)之間的界面處經部分反射或透射時，幹涉效應引起由光學裝置800進行的光的反射。當裝置800處於第一狀態下時光學吸收層810與光學堆疊808之間的空間可填充有氣體(例如，空氣)。在其它實施例中，光學吸收層810與光學堆疊808之間的空間為至少部分真空。在一些實施例中，佔據吸收層810與光學堆疊808之間的空間的氣體的折射率大致為一。因此，結合光學堆疊808與吸收層810之間的空隙採用的光學堆疊808的折射率分布為高_低-高-低。當光學裝置800處於第二狀態(例如，激活狀態)下時，光學吸收層810與光學堆疊808分開第二距離。舉例來說，在一些實施例中，第二距離大致為零人。當光學裝置800處於第二狀態下時，光學吸收層810與光學堆疊808可彼此接觸，或者其可僅在彼此附近的範圍內。在一些實施例中，吸收層810包括鉬、鎳、矽、TiNxWy、氮化鈦(TiN)、鍺(結晶或非晶)、碳、鐵、鉻、鎢、氮化錫(SnNx)、SixGei_x合金或其組合。在一些實施例中，吸收層810具有在約30A與約3000人之間的範圍中的厚度。在其它實施例中，吸收層810具有大於3000A的厚度。在一些實施例中，吸收層810包括吸收子層及機械支撐子層(未圖示)。在一些實施例中，機械支撐子層可形成於吸收子層的與光學堆疊808相對的側上。機械支撐子層將穩定性添加到吸收層810，且還可充當用於裝置800的電激活的電極。舉例來說，機械支撐子層可由鎳形成。圖8說明在第一狀態(例如，未激活狀態)下的光學裝置。根據一個實施例，在第二狀態(例如，激活狀態)下，光學裝置800將呈現為類似於圖1中的光學裝置12b。第二狀態為「暗」狀態。與未激活狀態相比，在此狀態下，光學裝置800將增加量的光能耦合到吸收層810內。由於增加量的光能經吸收於吸收層810中而非由光學堆疊808反射，所以光學裝置800的反射率減小。如本文中所描述，當將電壓施加到光學裝置800的電極時，在大體與光學堆疊808的表面正交的方向上朝向光學堆疊808(或反過來)激活吸收層。將跨越兩個電極施加電壓。在光學裝置800的一個實施例中，在光學堆疊808內的ITO子層充當一個電極，而吸收層810(例如，吸收層810的機械支撐子層)充當另一電極。圖9說明光學裝置800的實施例的結構及光學特性。如表960中所說明，在圖9中說明的實施例中，第一高折射率層802具有大致996A的厚度，且包括ΙΤ0。低折射率層804具有大致957人的厚度，且包括冰晶石。第二高折射率層806包含子層805及807。子層805具有大致302A的厚度，且包括ΙΤ0。子層807具有大致200A的厚度，且包括氧化銻。光學堆疊808與吸收層810分開一氣隙。在「明」狀態下，氣隙具有大致1350人的厚度，且對於「暗」狀態，氣隙具有大致0人的厚度。吸收層810具有大致113A的厚度，且包括鉬。在一些實施例中，鉬由具有大致1000A或更高的厚度的鎳層支撐。表960還總結圖9中說明的光學裝置800的實施例的光學特性。如此項技術中所已知，可使用模擬技術或經由實驗來計算表960中的光學特性的值。在圖9中說明的實施例以及圖10到圖19中說明的實施例中，已確定對於光經由具有約1.52的折射率的玻璃襯底820入射於光學堆疊808上的情況的光學特性。此外，在每一情況下，圖9到圖19中呈現的光學特性假定吸收層810包含具有至少約IOOOA的厚度的鎳的機械支撐子層。然而，應理解，一些實施例包含由不同材料製成且/或具有不同折射率的襯底層820。此外，一些實施例包含具有具有不同厚度或由不同材料製成的機械支撐子層的吸收層，而其它實施例不包含機械支撐子層。然而，由於機械支撐子層對光學裝置800的光學特性的影響一般相對較小，所以圖9到圖19中說明的實施例的光學特性的值一般地表示具有其它類型的機械支撐子層的實施例或甚至不具有機械支撐子層的實施例。圖9中說明的光學裝置800具有在「明」狀態下為81.39%且在「暗」狀態下為4.53%的平均反射率。在此情況下，在根據在每一波長下的人類視覺響應對光學裝置800跨越可見光譜的反射率進行加權後，計算平均反射率。舉例來說，在得出平均反射率值的過程中較為大量地對在480nm到630nm的範圍中的反射率值進行加權，因為人眼對此頻帶中的光較敏感。曲線圖970以圖形方式說明依據波長而變的光學裝置800的反射率。曲線972說明光學裝置800在處於「明」狀態下時的反射率，而曲線974說明裝置800在處於「暗」狀態下時的反射率作為在「明」狀態下的光學裝置的經眼睛響應加權平均反射率與在「暗」狀態下的經眼睛響應加權平均反射率的比率計算表960中的對比率。對於圖9中說明的實施例，光學裝置的對比率為17.96。在一些實施例中，光學裝置800的層802、804、806、810的相對及絕對厚度可經選擇以使由一組選定材料形成的光學裝置的對比率最大化或大致最大化。表960還包含針對「暗」及「明」狀態兩者的U'及ν'坐標。這些為由光學裝置在這些狀態中的每一者下反射的光的表觀色的色度坐標。坐標對應於在國際照明委員會(CIE)標準色彩空間中界定的色域中的特定色彩。在一些實施例中，光學裝置800經設計使得「明」狀態下的(u'，ν')坐標對對應於例如D65的標準白色點，但視(例如)由多個光學裝置800構成的顯示器的預期觀看條件而定，可將其它白色點(例如，E、D50、D55、D75等)作為目標。舉例來說，對於D65，(u',ν')為大致(0.19，0.47)。圖10說明光學裝置800的另一實施例的結構及光學特性。如表1060中所說明，在圖10中說明的實施例中，第一高折射率層802具有大致734人的厚度，且包括ITO。低折射率層804具有大致I056A的厚度，且包括冰晶石。第二高折射率層具有大致454人的厚度，且包括氧化銻。光學堆疊808與吸收層810分開一氣隙。在「明」狀態下，氣隙具有大致1350A的厚度。吸收層810具有大致1000A的厚度，且包括鎳。圖10中說明的光學裝置800具有在「明」狀態下大致為90.29%且在「暗」狀態下大致為14.79%的平均反射率。曲線圖1070以圖形方式說明依據波長而變的光學裝置800的反射率。曲線1072說明光學裝置800在處於「明」狀態下時的反射率，而曲線1074說明裝置800在處於「暗」狀態下時的反射率。對於圖10中說明的實施例，光學裝置800的對比率大致為6.11。表1060還包含針對「暗」及「明」狀態兩者的u'及ν'坐標。「明」狀態下的u'坐標大致為0.196。「明」狀態下的ν'坐標大致為0.475。圖11說明光學裝置800的另一實施例的結構及光學特性。如表1160中所說明，在圖11中說明的實施例中，第一高折射率層802具有大致1243A的厚度，且包括氧化銻。低折射率層804具有大致Il79A的厚度，且包括冰晶石。第二高折射率層具有大致532人的厚度，且包括氧化銻。光學堆疊808與吸收層810分開一氣隙。在「明」狀態下，氣隙具有大致1500A的厚度。吸收層810具有大致767A的厚度，且包括矽。在一些實施例中，矽由具有大致1000人或更高的厚度的鎳層支撐。圖11中說明的光學裝置800具有在「明」狀態下大致為72.32%且在「暗」狀態下大致為0.59%的平均反射率。曲線圖1170以圖形方式說明依據波長而變的光學裝置800的反射率。曲線1172說明光學裝置800在處於「明」狀態下時的反射率，而曲線1174說明裝置800在處於「暗」狀態下時的反射率。對於圖11中說明的實施例，光學裝置800的對比率大致為122.77。表1160還包含針對「暗」及「明」狀態兩者的u'及ν'坐標。「明」狀態下的u'坐標大致為0.203。「明」狀態下的ν'坐標大致為0.459。圖12說明光學裝置800的另一實施例的結構及光學特性。如表1260中所說明，在圖12中說明的實施例中，第一高折射率層802具有大致1107人的厚度，且包括氧化銻。低折射率層804具有大致1022A的厚度，且包括冰晶石。第二高折射率層具有大致311入的厚度，且包括氧化銻。光學堆疊808與吸收層810分開一氣隙。在「明」狀態下，氣隙具有大致1200A的厚度。吸收層810具有大致1042A的厚度，且包括TiNxWy。在一些實施例中，TiNxWy由具有大致1000人或更高的厚度的鎳層支撐。圖12中說明的光學裝置800具有在「明」狀態下大致為67.32%且在「暗」狀態下大致為1.40%的平均反射率。曲線圖1270以圖形方式說明依據波長而變的光學裝置800的反射率。曲線1272說明光學裝置800在處於「明」狀態下時的反射率，而曲線1274說明裝置800在處於「暗」狀態下時的反射率。對於圖12中說明的實施例，光學裝置800的對比率大致為47.93。表1260還包含針對「暗」及「明」狀態兩者的u'及ν'坐標。「明」狀態下的u'坐標大致為0.199。「明」狀態下的ν'坐標大致為0.472。圖13說明光學裝置800的另一實施例的結構及光學特性。如表1360中所說明，在圖13中說明的實施例中，第一高折射率層802具有大致841人的厚度，且包括氧化銻。低折射率層804具有大致1026人的厚度，且包括冰晶石。第二高折射率層具有大致359人的厚度，且包括氧化銻。光學堆疊808與吸收層810分開一氣隙。在「明」狀態下，氣隙具有大致1500人的厚度。吸收層810具有大致961A的厚度，且包括結晶鍺。在一些實施例中，結晶鍺由具有大致1000A或更高的厚度的鎳層支撐。圖13中說明的光學裝置800具有在「明」狀態下大致為80.87%且在「暗」狀態下大致為3.36%的平均反射率。曲線圖1370以圖形方式說明依據波長而變的光學裝置800的反射率。曲線1372說明光學裝置800在處於「明」狀態下時的反射率，而曲線1374說明裝置800在處於「暗」狀態下時的反射率。對於圖13中說明的實施例，光學裝置800的對比率大致為24.09。表1360還包含針對「暗」及「明」狀態兩者的u'及ν'坐標。「明」狀態下的u'坐標大致為0.192。「明」狀態下的ν'坐標大致為0.476。圖14說明光學裝置800的另一實施例的結構及光學特性。如表1460中所說明，在圖14中說明的實施例中，第一高折射率層802具有大致I32I人的厚度，且包括氧化銻。低折射率層804具有大致954A的厚度，且包括冰晶石。第二高折射率層具有大致490人的厚度，且包括氧化銻。光學堆疊808與吸收層810分開一氣隙。在「明」狀態下，氣隙具有大致1500A的厚度。吸收層810具有大致131A的厚度，且包括非晶鍺。在一些實施例中，非晶鍺由具有大致1000A或更高的厚度的鎳層支撐。圖14中說明的光學裝置800具有在「明」狀態下大致為70.79%且在「暗」狀態下大致為0.98%的平均反射率。曲線圖1470以圖形方式說明依據波長而變的光學裝置800的反射率。曲線1472說明光學裝置800在處於「明」狀態下時的反射率，而曲線1474說明裝置800在處於「暗」狀態下時的反射率。對於圖14中說明的實施例，光學裝置800的對比率大致為72.55。表1460還包含針對「暗」及「明」狀態兩者的u'及ν'坐標。「明」狀態下的u'坐標大致為0.195。「明」狀態下的ν'坐標大致為0.461。圖15說明光學裝置800的另一實施例的結構及光學特性。如表1560中所說明，在圖15中說明的實施例中，第一高折射率層802具有大致I243人的厚度，且包括氧化銻。低折射率層804具有大致1371A的厚度，且包括冰晶石。第二高折射率層具有大致128人的厚度，且包括氧化銻。光學堆疊808與吸收層810分開一氣隙。在「明」狀態下，氣隙具有大致1500人的厚度。吸收層810具有大致376A的厚度，且包括碳。在一些實施例中，碳由具有大致1000人或更高的厚度的鎳層支撐。圖15中說明的光學裝置800具有在「明」狀態下大致為36.21%且在「暗」狀態下大致為0.26%的平均反射率。曲線圖1570以圖形方式說明依據波長而變的光學裝置800的反射率。曲線1572說明光學裝置800在處於「明」狀態下時的反射率，而曲線1574說明裝置800在處於「暗」狀態下時的反射率。對於圖15中說明的實施例，光學裝置800的對比率大致為139.31。表1560還包含針對「暗」及「明」狀態兩者的u'及ν'坐標。「明」狀態下的u'坐標大致為0.213。「明」狀態下的ν'坐標大致為0.460。圖16說明光學裝置800的另一實施例的結構及光學特性。如表1660中所說明，在圖16中說明的實施例中，第一高折射率層802具有大致907人的厚度，且包括氧化銻。低折射率層804具有大致1023人的厚度，且包括冰晶石。第二高折射率層具有大致474Α的厚度，且包括氧化銻。光學堆疊808與吸收層810分開一氣隙。在「明」狀態下，氣隙具有大致1350人的厚度。吸收層810具有大致180人的厚度，且包括鐵。在一些實施例中，鐵由具有大致1000A或更高的厚度的鎳層支撐。圖16中說明的光學裝置800具有在「明」狀態下大致為87.46%且在「暗」狀態下大致為7.09%的平均反射率。曲線圖1670以圖形方式說明依據波長而變的光學裝置800的反射率。曲線1672說明光學裝置800在處於「明」狀態下時的反射率，而曲線1674說明裝置800在處於「暗」狀態下時的反射率。對於圖16中說明的實施例，光學裝置800的對比率大致為12.33。表1660還包含針對「暗」及「明」狀態兩者的u'及ν'坐標。「明」狀態下的u'坐標大致為0.196。「明」狀態下的ν'坐標大致為0.475。圖17說明光學裝置800的另一實施例的結構及光學特性。如表1760中所說明，在圖17中說明的實施例中，第一高折射率層802具有大致803人的厚度，且包括氧化銻。低折射率層804具有大致1050A的厚度，且包括冰晶石。第二高折射率層具有大致484人的厚度，且包括氧化銻。光學堆疊808與吸收層810分開一氣隙。在「明」狀態下，氣隙具有大致1350Α的厚度。吸收層810具有大致60人的厚度，且包括鉻。在一些實施例中，鉻由具有大致1000人或更高的厚度的鎳層支撐。圖17中說明的光學裝置800具有在「明」狀態下大致為89.88%且在「暗」狀態下大致為11.50%的平均反射率。曲線圖1770以圖形方式說明依據波長而變的光學裝置800的反射率。曲線1772說明光學裝置800在處於「明」狀態下時的反射率，而曲線1774說明裝置800在處於「暗」狀態下時的反射率。對於圖17中說明的實施例，光學裝置800的對比率大致為7.81。表1760還包含針對「暗」及「明」狀態兩者的u'及ν'坐標。「明」狀態下的u'坐標大致為0.195。「明」狀態下的ν'坐標大致為0.474。圖18說明光學裝置800的另一實施例的結構及光學特性。如表1860中所說明，在圖18中說明的實施例中，第一高折射率層802具有大致1151人的厚度，且包括氧化銻。低折射率層804具有大致15人的厚度，且包括冰晶石。第二高折射率層具有大致469人的厚度，且包括氧化銻。光學堆疊808與吸收層810分開一氣隙。在「明」狀態下，氣隙具有大致1350A的厚度。吸收層810具有大致227人的厚度，且包括鎢。在一些實施例中，鎢由具有大致1000人或更高的厚度的鎳層支撐。圖18中說明的光學裝置800具有在「明」狀態下大致為73.66%且在「暗」狀態下大致為2.37%的平均反射率。曲線圖1870以圖形方式說明作依據波長而變的光學裝置800的反射率。曲線1872說明光學裝置800在處於「明」狀態下時的反射率，而曲線1874說明裝置800在處於「暗」狀態下時的反射率。對於圖18中說明的實施例，光學裝置800的對比率大致為31.07。表1860還包含針對「暗」及「明」狀態兩者的u'及ν'坐標。「明」狀態下的u'坐標大致為0.202。「明」狀態下的ν'坐標大致為0.478。圖19說明光學裝置800的另一實施例的結構及光學特性。如表1960中所說明，在圖19中說明的實施例中，第一高折射率層802具有大致987A的厚度，且包括氧化銻。低折射率層804具有大致IO(X)人的厚度，且包括冰晶石。第二高折射率層具有大致488人的厚度，且包括氧化銻。光學堆疊808與吸收層810分開一氣隙。在「明」狀態下，氣隙具有大致1350A的厚度。吸收層810具有大致112人的厚度，且包括鉬。在一些實施例中，鉬由具有大致1000A或更高的厚度的鎳層支撐。圖19中說明的光學裝置800具有在「明」狀態下大致為81.85%且在「暗」狀態下大致為5.34%的平均反射率。曲線圖1970以圖形方式說明依據波長而變的光學裝置800的反射率。曲線1972說明光學裝置800在處於「明」狀態下時的反射率，而曲線1974說明裝置800在處於「暗」狀態下時的反射率。對於圖19中說明的實施例，光學裝置800的對比率大致為15.33。表1960還包含針對「暗」及「明」狀態兩者的u'及ν'坐標。「明」狀態下的u'坐標大致為0.197。「明」狀態下的ν'坐標大致為0.482。在上述實施例中的任一者的情況下，可使用此項技術中已知的技術(例如，光刻)製造光學裝置800。舉例來說，參看圖8，可提供襯底820。光學堆疊808可接著形成於襯底820上。在一些實施例中，光學堆疊808的形成包括在襯底820上形成第一高折射率層802，在第一高折射率層802上形成低折射率層804及在低折射率層804上形成第二高折射率層806。周邊壁818或其它類型的支撐結構可形成於(例如)光學堆疊808之上或其周圍。可與光學堆疊808間隔開地形成光學吸收層810。舉例來說，此可通過在光學堆疊上形成犧牲層(未圖示)、在犧牲層上形成光學吸收層810且接著移除犧牲層而進行。多個光學裝置800可形成於襯底820上以產生併入有多個像素的顯示器。舉例來說，可將多個光學裝置800提供於襯底820上以產生單色、黑白顯示器。還可將多個光學裝置800用於其它類型的顯示器中，例如，紅綠藍白(RGBW)顯示器。已結合附圖描述了各種特定實施例。然而，廣泛多種變化為可能的。可添加、移除或重新布置組件及/或元件。另外，可添加、移除或重新排序處理步驟。雖然僅明確地描述了少數實施例，但對於所屬領域的技術人員來說，基於本發明，其它實施例將變得顯而易見。因此，希望本發明的範圍由對所附權利要求書的參考且並非僅關於明確描述的實施例來界定。權利要求一種光學裝置，其包括光學堆疊，其包括第一層，其具有第一折射率；在所述第一層上的第二層，所述第二層具有小於所述第一折射率的第二折射率；以及在所述第二層上的第三層，所述第三層具有大於所述第二折射率的第三折射率；以及第四層，其為至少部分光學吸收性的，其中所述光學堆疊與所述第四層在所述裝置處於第一狀態下時彼此相距第一距離，且在所述裝置處於第二狀態下時彼此相距第二距離，所述第一距離不同於所述第二距離。2.根據權利要求1所述的光學裝置，其中所述第一層及所述第三層中的至少一者包括兩個或兩個以上子層。3.根據權利要求2所述的光學裝置，其中所述子層中的一者具有比所述第二折射率大的第四折射率。4.根據權利要求2所述的光學裝置，其中所述子層中的一者為導電的。5.根據權利要求1所述的光學裝置，其中所述光學堆疊與所述至少部分光學吸收層之間的區域具有比所述第三折射率小的第五折射率。6.根據權利要求1所述的光學裝置，其中所述第一層及所述第三層中的至少一者為導電的。7.根據權利要求1所述的光學裝置，其中所述第一折射率及所述第三折射率均大於約1.7。8.根據權利要求1所述的光學裝置，其中所述第二折射率小於約1.5。9.根據權利要求1所述的光學裝置，其中所述第一層或第三層包括氧化銦錫、氮化矽、氧化鈦、氧化鋯、氧化釔、氧化銻或硒化鋅。10.根據權利要求1所述的光學裝置，其中所述第二層包括冰晶石、氟化鎂或氟化的SiOx。11.根據權利要求1所述的光學裝置，其中所述第四層包括鉬、鎳、矽、TiNxWy、氮化鈦、鍺、碳、鐵、鉻、鎢、SixGei_x或氮化錫。12.根據權利要求1所述的光學裝置，其中所述第一層具有在約700埃與約1350埃之間的範圍中的厚度。13.根據權利要求1所述的光學裝置，其中所述第二層具有在約900埃與約1400埃之間的範圍中的厚度。14.根據權利要求1所述的光學裝置，其中所述第三層具有在約100埃與約550埃之間的範圍中的厚度。15.根據權利要求1所述的光學裝置，其中所述第四層具有在約30埃與約3000埃之間的範圍中的厚度。16.根據權利要求1所述的光學裝置，其中所述第一距離處於約1300人與約2300A之間或約3000人與4500人之間的範圍中。17.根據權利要求1所述的光學裝置，其中所述第二距離大致為零。18.根據權利要求1所述的光學裝置，其中所述光學裝置在所述第一狀態下具有第一反射率，且所述光學裝置在所述第二狀態下具有第二反射率，所述光學裝置的所述第一反射率與所述第二反射率的比率大於約十。19.根據權利要求18所述的光學裝置，其中所述比率大於約一百。20.根據權利要求1所述的光學裝置，其中所述光學裝置在所述第一狀態下具有大體上對應於標準白色點D65的可見光的反射光譜功率分布。21.根據權利要求1所述的光學裝置，其中所述第四層安裝於機械支撐層上。22.根據權利要求21所述的光學裝置，其中所述機械支撐層包括鎳。23.根據權利要求1所述的光學裝置，其中所述光學堆疊安裝於至少部分光學透射襯底上。24.根據權利要求23所述的光學裝置，其中所述至少部分光學透射襯底包括玻璃。25.根據權利要求1所述的光學裝置，其進一步包括顯不器；處理器，其經配置以與所述顯示器通信，所述處理器經配置以處理圖像數據；以及存儲器裝置，其經配置以與所述處理器通信。26.根據權利要求25所述的光學裝置，其進一步包括經配置以將至少一個信號發送到所述顯示器的驅動器電路。27.根據權利要求26所述的光學裝置，其進一步包括經配置以將所述圖像數據的至少一部分發送到所述驅動器電路的控制器。28.根據權利要求25所述的光學裝置，其進一步包括經配置以將所述圖像數據發送到所述處理器的圖像源模塊。29.根據權利要求28所述的光學裝置，其中所述圖像源模塊包括接收器、收發器及發射器中的至少一者。30.根據權利要求25所述的光學裝置，其進一步包括經配置以接收輸入數據且將所述輸入數據傳送到所述處理器的輸入裝置。31.一種形成光學裝置的方法，其包括形成第一層，所述第一層具有第一折射率；在所述第一層上形成第二層，所述第二層具有小於所述第一折射率的第二折射率；在所述第二層上形成第三層，所述第三層具有大於所述第二折射率的第三折射率；在所述第三層上形成犧牲層；在所述犧牲層上形成第四層，所述第四層為至少部分光學吸收性的；以及移除所述犧牲層。32.根據權利要求31所述的方法，其中在光學透射襯底上形成所述第一層。33.一種調製光的方法，其包括提供光學裝置，其包括光學堆疊，其包括第一層，其具有第一折射率；在所述第一層上的第二層，所述第二層具有小於所述第一折射率的第二折射率；以及在所述第二層上的第三層，所述第三層具有大於所述第二折射率的第三折射率；以及第四層，其為至少部分光學吸收性的，其中所述光學堆疊與所述第四層在所述裝置處於第一狀態下時彼此相距第一距離，且在所述裝置處於第二狀態下時彼此相距第二距離，所述第一距離不同於所述第二距離；將第一電壓施加到所述裝置以將所述裝置置於所述第一狀態下；以及將第二電壓施加到所述裝置以將所述裝置置於所述第二狀態下。34.根據權利要求33所述的方法，其中所述光學堆疊包括第一電極，且所述第四層包括第二電極。35.根據權利要求34所述的方法，其進一步包括跨越所述第一及第二電極施加所述第一及第二電壓。36.一種光學裝置，其包括第一裝置，其用於反射及透射光，所述第一裝置具有第一折射率；第二裝置，其用於反射及透射光，所述第二裝置在所述第一裝置上，所述第二裝置具有小於所述第一折射率的第二折射率；以及第三裝置，其用於反射及透射光，所述第三裝置在所述第二裝置上，所述第三裝置具有大於所述第二折射率的第三折射率；以及第四裝置，其用於反射及吸收光，其中所述第三裝置與所述第四裝置在所述裝置處於第一狀態下時彼此相距第一距離，且在所述裝置處於第二狀態下時彼此相距第二距離，所述第一距離不同於所述第二距離。37.根據權利要求36所述的光學裝置，其中所述第一裝置包括具有所述第一折射率的材料層，所述第二裝置包括具有所述第二折射率的材料層，且第三裝置包括具有所述第三折射率的材料層。38.根據權利要求36所述的光學裝置，其中所述第四裝置包括至少部分光學吸收材料層。全文摘要本發明提供一種適合於在視頻顯示器中形成像素的光學裝置800。所述光學裝置800包含第一層802，其具有第一折射率；在所述第一層802上的第二層804，所述第二層804具有小於所述第一折射率的第二折射率；及在所述第二層804上的第三層806，所述第三層806具有大於所述第二折射率的第三折射率；及第四層810，其為至少部分光學吸收性的，其中光學堆疊808與所述第四層810在所述裝置處於第一狀態下時彼此相距第一距離，且在所述裝置處於第二狀態下時彼此相距第二距離，所述第一距離不同於所述第二距離。文檔編號G02B26/00GK101801838SQ200880107832公開日2010年8月11日申請日期2008年8月19日優先權日2007年8月29日發明者徐剛申請人:高通Mems科技公司