用於pet的優化閃爍體晶體的製作方法
2023-05-22 19:34:11
用於pet的優化閃爍體晶體的製作方法
【專利摘要】當在閃爍體晶體陣列中採用鏡面反射材料時，通過粗糙化多個預製拋光閃爍體晶體中每個的至少一側（16），緩和所述晶體中因重複內反射造成的光捕獲。鏡面反射材料（30）被施加（沉積、包裹等）到布置在陣列中的經粗糙化的晶體。每個晶體陣列均被耦合到矽光探測器（32），以形成探測器陣列，所述探測器陣列能夠被安裝在針對功能性掃描器等的探測器中。
【專利說明】用於PET的優化閃爍體晶體
【技術領域】
[0001]本申請具體而言應用於正電子發射斷層攝影(PET)成像系統。然而，將認識到，所描述的技術也可以應用於單光子發射計算機斷層攝影(SPECT)以及其他診斷系統，其他成像系統，或其他成像技術。
【背景技術】
[0002]PET、SPECT以及其他基於輻射的醫學成像模態對小巧且魯棒的輻射探測器模塊具有共同的需求。在過去，SPECT和PET輻射探測器模塊通常包括使用中間光引導層與閃爍體晶體光學耦合的光電倍增管(PMT)的陣列。閃爍體晶體將吸收的輻射粒子轉換成使用Anger邏輯通過光電倍增管探測並定位的光猝發。在一些輻射探測系統中，已由產生與光猝發的強度成比例的模擬信號的光電二極體代替了光電倍增管。光電二極體在強光的情形中，提供對光電倍增管的低成本、低電壓的替代。已開發出矽光電倍增器(SiPM)探測器，其包含了光電倍增管的高增益和穩定性以及模擬光電二極體的低成本、低電壓性質。
[0003]目前的PET系統是從LYSO(矽酸鑥釔)晶體的陣列構建的，每個晶體均分別以PTFE帶覆蓋，以防止光損耗以及晶體之間的串擾。然而，通過這些薄漫反射體層到相鄰像素的串擾約為10%。針對固態探測器，更好的反射體是期望的以減少串擾，並將讀出限制到非常少數的探測器像素，由於這種探測器的暗計數率而是必須的。
[0004]本申請涉及新型且改進的系統與方法，其方便改善閃爍體晶體性能，這克服了上文提及的問題以及其他問題。
【發明內容】
[0005]根據一個方面，用於核掃描器的輻射探測器陣列包括:閃爍體晶體的至少一個陣列，每個晶體具有至少一個經處理的表面，所述表面被處理以散射入射光；包裹每個閃爍體晶體的反射體層；以及耦合到每個陣列的至少一個光探測器。
[0006]根據另一個方面，一種增強探測器陣列中的光探測的方法，包括:粗糙化多個預製拋光閃爍體晶體中每個的至少一側；到經粗糙化的晶體施加反射體材料；並且將所述晶體布置在陣列中。所述方法還包括將多個陣列中對每個光學耦合到光探測器的陣列，以形成探測器陣列，並且將所述探測器陣列安裝在探測器模塊中。
[0007]根據另一個方面，一種增強功能性掃描器探測器陣列中的光探測的方法，包括:在一個或多個閃爍晶體處接收輻射，每個晶體具有經粗糙化的側面；並且在所述晶體中將所述輻射轉換成光。所述方法還包括:通過所述經粗糙化的側面反射掉所述光，緩和所述晶體中的重複內光反射，從而減少內反射；將所述光轉換成電信號:將所述電信號轉換成數字數據；將所述電信號重建成圖像；並且顯示所重建的圖像。
[0008]一個優點在於改善了光探測。
[0009]另一個優點在於提高了閃爍體光輸出效率。
[0010]本領域普通技術人員在閱讀和理解以下詳細描述後，將認識到本創新的進一步優點。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0011]本創新可以採取各種部件與部件的布置，以及各種步驟與步驟的安排的形式。附圖是出於圖示各個方面的目的而提供的，並且不得被解釋為對本發明的限制。
[0012]圖1圖示根據本文描述的一個或多個方面的閃爍體晶體，其方便緩和晶體中的光捕獲發生。
[0013]圖2圖示根據本文描述的各個方面的系統，其採用經粗糙化的閃爍體晶體。
[0014]圖3圖示了示出在鏡面反射體材料上的反射率測量結果的圖，所述鏡面反射體材料例如為3M Vikuiti?增強鏡面反射體(ESR)。
[0015]圖4圖示了示出在「藍色增強」 Vikuiti?材料上的透射測量結果的圖。
[0016]圖5圖示了示出在22X4X4mm固態PET晶體中的自由路徑長度的蒙特卡洛模擬的圖表。
[0017]圖6圖示了示出對一個(頂、底或側)表面的粗糙化緩和了在這種反射體結構中的光子捕獲的圖。
[0018]圖7為示出在不同長度的閃爍晶體上測量的能量解析度的圖。
[0019]圖8示出根據本文描述的各個方面，通過粗糙化閃爍體晶體的一側以緩和在所述晶體中捕獲光來提高所述閃爍體晶體中的效率的方法。
[0020]圖9圖示根據本文描述的一個或多個方面，在減少用於採集掃描數據的閃爍體晶體中的重複內光反射的同時，生成圖像的方法。
【具體實施方式】
[0021 ] 當閃爍體晶體的全部側均為鏡面反射性時，光能夠被捕獲，在前後或在側壁間反彈，而不能離開所述閃爍體。例如，當採用具有矩形晶體的鏡面反射體時，光能夠被捕獲在形成的反射體結構中。在這種情況中，在所述晶體中生成的光子的僅一部分被透射到被光學耦合到沒有被所述反射體覆蓋的閃爍體的底表面的探測器中。由於所述晶體U=L 82)內部的全反射，絕大部分的光能夠在所述晶體的六個表面中的其他五個之間的螺旋軌跡上被「無限地」反射。本創新通過粗糙化或磨砂用於PET探測器閃爍晶體陣列中的閃爍體晶體的一個或多個表面，而克服了前述問題。
[0022]圖1圖示了根據本文描述的一個或多個方面的閃爍體晶體10，其方便緩和在所述晶體中的光捕獲發生。例如，一旦光子進入閃爍晶體，其可以從所述晶體的側壁被內部反射。粗糙化一個或多個表面(例如頂、底或側)減少了在這種反射體結構中的光子捕獲。儘管具有周圍反射體的拋光閃爍體晶體的光輸出隨著晶體長度增加而降低，但對一側表面的磨削使長(例如具有大致1.5:1或更大，2.5:1或更大，3.5:1或更大等的長寬比)晶體的光輸出增加了大致25%，高達以短得多的晶體可獲得的值。長晶體具有更強的輻射阻擋能力，並且尤其有利於例如在PET中採用的那些高能量。
[0023]晶體10包括頂表面12、與所述頂表面相對且面向正被掃描的受試者的底表面(在圖1中不可見)，以及四個側表面14。所述側表面之一為在圖1中經粗糙化的表面16。然而，將認識到，所述經粗糙化的表面不限於為側表面，而是可以為頂表面或底表面。所描述的技術採用粗糙的(磨削的、磨砂的、化學蝕刻的、噴砂的，等等)閃爍體頂表面、側表面或底表面，以用於對來自所述閃爍體晶體的光的有效收集。在一個實施例中，光輸出通過利用SiC-150紙進行磨削而得以改善，而無論磨削的方向。
[0024]在一個實施例中，所述閃爍體晶體為矽酸鑥釔(LYS0)。也預見到其他閃爍體，例如矽酸鑥(LSO)、矽酸鑥釓(LGSO)、矽酸鑥釓釔(LGYSO)等。也能夠採用諸如溴化鑭(LaBr )的較低密度閃爍體，或諸如鍺酸鉍(BGO)閃爍體的較高密度閃爍體。
[0025]經粗糙化的晶體10能夠被應用於，例如功能性掃描器探測器中的陣列中。一般地，晶體長度是閃爍材料阻擋能力的函數。例如，當使用針對PET的LYSO閃爍材料時，可以採用10-25mm長晶體。當使用LaBr閃爍材料時,可以採用20_35mm晶體。在另一範例中，可以當使用BGO閃爍材料時採用5-20mm長晶體。將認識到，晶體長度的前述範例本質上為說明性的，並且意圖說明隨著閃爍體阻擋能力增加，晶體長度能夠被減小。
[0026]在一個實施例中，所述晶體被拋光為光滑的，並之後在一側上被粗糙化。能夠通過砂磨、磨削(溼法或幹法)、利用絲鋸等切割或鋸、噴砂、在一側上沉積額外的晶體材料(例如噴濺)、或任意其他合適的技術，執行粗糙化。在另一實施例中，不是在所有側面拋光所述晶體並在一側上進行粗糙化，而是能夠僅在五側拋光所述晶體，並將第六面從初始切割保留為粗糙的。
[0027]在另一實施例中，所述晶體被拋光為光滑的並被布置在陣列中。一旦被定位在所述陣列中，則粗糙化所有晶體的頂表面或底表面。
[0028]圖2圖示根據本文描述的各個方面，採用經粗糙化的閃爍體晶體10的系統20。所述系統包括掃描器22 (例如PET、SPECT、多模態掃描器等)，其具有一個或多個探測事件的探測器模塊24，所述事件被重建處理器26重建成解剖圖像，所述解剖圖像在諸如計算機上的監視器、工作站等的用戶接口 28上被呈現或以其他方式輸出給觀看者。探測器24包括經粗糙化的閃爍體晶體10的陣列，儘管出於說明的目的，僅示出一個經粗糙化的晶體10，其中經粗糙化的表面16面向頁面平面之外。在一個實施例中，所述探測器模塊為固態探測器模塊。每個經粗糙化的晶體10在除了光學耦合到光探測器32的表面或表面部分以外的所有表面上被包裹在鏡面反射體層30 (例如，3M的Vikuiti?或某種其他合適的鏡面反射體材料)中。一個或多個經粗糙化的晶體10被布置在陣列(例如，I X 1、2 X 2、3 X 3、4 X 4等)中，所述陣列被耦合到一個探測器32或探測器32的陣列，探測器32配準(一個或多個)所述晶體中的閃爍事件，並將閃爍事件數據(例如，幅度、時間戳等)傳輸到所述探測器模塊，以進一步傳輸到重建處理器，以存儲並重建於掃描受試者的圖像中。在一個實施例中，閃爍體16經由光引導34被耦合到(一個或多個)光探測器32。將認識到，根據一個實施例，光探測器32包括光電二極體。在另一實施例中，光探測器32包括娃光電倍增器(SiPM)設備。
[0029]鏡面反射體30包括具有不同折射率的極薄聚合物材料的多個層，例如在一個實施例中為40-100層。當利用例如具有在430nm處的峰值光輸出的LYSO晶體工作時，所述鏡面反射體被優化，以反射在400-550nm範圍內的光。在其他實施例中，所述鏡面反射體被優化，以反射處在涵蓋所採用的特定晶體的峰值光輸出的範圍內的光。
[0030]在一個實施例中，所述鏡面反射體為由3M製造的Vikuiti?產品。在另一實施例中，所述鏡面反射體包括不同材料的多個交替的層，所述不同材料中的每種具有不同的反射角。[0031]在掃描器22中採用所描述的閃爍體晶體10，每個均具有經粗糙化的側面，掃描器22可以為功能性掃描器。在一個實施例中,所述功能性掃描器為PET掃描器。如在本領域已知的，當電子與正電子相遇時，它們湮滅，從而根據動量守恆原理，發射兩個方向相反的511keV伽馬射線。在PET數據採集中，假設兩個基本上同時的511keV伽馬射線探測事件源自於相同的正電子-電子湮滅事件，該湮滅事件因此位於沿連接兩個基本上同時的511keV伽馬射線探測事件的「響應線」(LOR)的某處。該響應線有時也被稱作投影，並且所收集的PET數據被稱作投影數據。在常規PET中，基本上同時的511keV伽馬射線探測事件被定義為發生在選定的短時間窗口內，例如在彼此的三納秒以內的兩個511keV伽馬射線探測事件。由於相對於所述探測器元件的多變的湮滅位置，在基本上同時的伽馬光子探測事件之間出現小(最高三納秒)的時間差。
[0032]在另一實施例中，所述PET掃描器為飛行時間(TOF)PET掃描器。TOF PET成像利用對相對於探測器元件的多變湮滅位置的固有小時間差，以進一步沿響應線定位正電子-電子湮滅事件。一般地，湮滅事件發生在沿投影的在更近於首先發生的伽馬射線探測事件的點處。如果兩個伽馬射線探測事件在探測器的時間解析度以內同時發生，則湮滅事件發生在投影的中點。
[0033]在另一實施例中，所述功能性掃描器為單光子發射計算機斷層攝影(SPECT)掃描器。在SPECT成像中，一種或多种放射性藥物或放射性同位素被施予成像受試者，從而發射輻射從成像受試者發射，如在上文討論的。繞所述受試者旋轉被安裝到旋轉機架的探測器頭，以從多個方向探測輻射，每個方向均由被耦合到所述探測器頭的準直器限定。所述探測器頭可以在沿旋轉周期的多個離散或連續位置進行掃描的旋轉周期中繞成像受試者旋轉。或者，所述探測器頭可以在較小的弧度上旋轉或繞所述受試者進行多個旋轉周期。由所述探測器頭接收的發射數據、投影數據或測量正弦圖被重建，以生成SPECT圖像。用於重建發射數據的重建技術可以包括但不限於迭代重建、基於傅立葉變換的重建、濾波反投影、或某種其他合適的重建技術。
[0034]在另一實施例中，所述功能性掃描器(SPECT、PET，它們的變體等)被包括在多模態掃描器設備中，所述多模態掃描器設備包括所述功能性掃描器以及額外的成像設備，所述額外的成像設備例如為磁共振(MR)成像器、計算機斷層攝影(CT)掃描器等。
[0035]或者，將認識到，根據本文描述的一個或多個實施例，在其中採用閃爍晶體的掃描器探測器(PET、SPECT等)為固態探測器。
[0036]圖3圖示圖50，其示出在諸如3M Vikuiti?增強鏡面反射體(ESR)的鏡面反射體材料上的反射率測量結果(藍色曲線)。該範例中的所述鏡面反射體為65 薄的100%聚合物膜反射體，其被指定為在整個可見光譜上98.5%是反射性的，而無論入射角度。使用多層光學膜技術，所述鏡面反射體包括在非吸收性聚合物材料上。針對垂直入射的在400-500nm範圍內大致為100%的反射率顯著優於VM2000 (黑色曲線54)，VM2000為在圖50中示出的之前的3M產品，以用於對比。
[0037]圖4示出圖60，其示出在「藍色增強"Vikuiti?材料上的透射測量結果(曲線62)。該反射體材料顯示低達至少350nm的小於0.5%的透射，並因此理想地適於作為UV和可見光反射體。
[0038]圖5圖示圖表70，其示出在22 X 4 X 4mm固態PET晶體中對自由路徑長度的蒙特卡洛模擬。路徑長度範圍從Omm直到150mm，150mm是22mm的晶體長度的若干倍。這種長光學路徑長度可能在殘餘吸收的狀態中無意地結束，並由此降低可獲得的光輸出。
[0039]圖6圖示圖80，其示出對一個(頂、底，或側)表面的粗糙化緩和了在這種反射體結構中對可見光子的捕獲。儘管包裹在反射材料中的拋光閃爍晶體的光輸出隨著晶體長度增加顯著減小，但對一側表面的磨削使長晶體的光輸出增加了大致25%，即高達以短得多的晶體可獲得的值。在圖80中，圓點表示拋光晶體數據。方點表示針對以反射材料包裹的拋光晶體的數據點。「星數據」點針對一側被磨砂並且以反射材料包裹的拋光晶體。在圖6的圖示中，具有反射體和磨砂表面的22mm長晶體具有與僅具有反射(非粗糙化的)表面的5mm晶體相同的光輸出。
[0040]圖7為示出在不同長度的閃爍材料上測量的能量解析度的圖90。除了增強的光輸出以外，經由對一個晶體表面的磨砂，使在這種晶體上測量的能量解析度增加到9-9.5%的值，能量解析度在拋光晶體的情況中強烈依賴於晶體長度。在圖90中，圓點表示針對以反射材料包裹的拋光晶體的數據點。「星」數據點針對一側被磨砂並且以反射材料包裹的拋光晶體。方點表示利用K-螢光峰的分離評價的數據，其只能夠以適當高的能量解析度實現。
[0041]圖8圖示根據本文中描述的各個方面，通過粗糙化閃爍體晶體的一側以緩和在晶體中捕獲光而提高在所述閃爍體晶體中的效率的方法。在100，粗糙化多個拋光閃爍體晶體中每個的一側或多側。能夠通過，例如，砂磨、磨削、切割、磨砂、施加研磨液、沉積額外的晶體材料、或任意其他合適的技術，執行粗糙化。在一個實施例中，使用溼法砂磨技術粗糙化所述晶體表面，所述溼法砂磨技術採用150粒度碳化矽(SiC)磨料。將認識到，每個晶體的超過一側可以被粗糙化。在102，向每個晶體除光輸出表面或表面部分以外的所有表面施加鏡面反射體材料。例如，所述鏡面反射體材料能夠被直接沉積在所述晶體上，經由蒸發過程施加，包裹所述晶體，或以其他方式被施加到所述晶體。所述鏡面反射體材料被優化、設計、選擇等，以反射處在包含或涵蓋正被使用的晶體材料的峰值光輸出波長的範圍內的光。例如，如果使用LYSO晶體，則所述鏡面反射體被選擇或優化為反射例如在350nm-500nm的範圍內的光，因為LYSO的峰值輸出波長大致為430nm。
[0042]在104，所述晶體被布置在陣列(例如，依賴於在其中採用所述晶體的探測器陣列的具體應用，為包括一個晶體的1X1陣列，包括四個晶體的2X2陣列等)中。在106，晶體的每個陣列均被耦合到光探測器(例如，矽光電倍增器等)的陣列，並且形成包括多個所述晶體陣列以及它們各自的光探測器的探測器陣列。能夠以1:1比率耦合閃爍體和光探測器。然而，也預見到具有比閃爍體更少或更多的光探測器。在108，所述探測器陣列能夠被安裝到在諸如PET掃描器、SPECT掃描器、多模態掃描器等的功能性掃描器中採用的探測器模塊。在110，掃描受試者。在112，接收掃描數據。在114，將所述掃描數據重建成圖像。在116，將所重建的圖像呈現給用戶或觀看者。
[0043]圖9圖示了根據本文描述的一個或多個方面，在減少用於採集掃描數據的閃爍體晶體中的重複內光反射的同時，生成圖像的方法。在130，(例如使用PET掃描器、SPECT掃描器等)掃描受試者。在132，在閃爍晶體處接收從所述受試者發射的輻射。在134，將所述輻射轉換為所述晶體內的光。在136，使用在每個晶體上經粗糙化的光散射表面，減少每個晶體內的光的重複內反射。使用本文中描述的技術中的一種或多種，粗糙化所述光散射表面。在138，將所述光轉換成電信號數據。在139，將所述電信號數據轉換成數字數據。在140，將所述數字數據重建成所述受試者的圖像。在142，向觀看者顯示所重建的圖像。
[0044]已參考若干實施例描述了本創新。他人在閱讀和理解前文的詳細描述後可以做出修改和變化。本創新旨在被解釋為包括所有這樣的修改和變化，只要它們落入權利要求書及其等價要件的範圍內。
【權利要求】
1.一種用於核掃描器的輻射探測器陣列，包括: 閃爍體晶體(10)的至少一個陣列，每個晶體(10)具有至少一個經處理的表面(16)，所述表面被處理以散射入射光； 反射體層(30)，其包裹每個閃爍體晶體；以及 至少一個光探測器(32 )，其被耦合到每個陣列。
2.根據權利要求1所述的探測器陣列，其中，所述閃爍體晶體包括以下中的一種或多種: 矽酸鑥釔(LYSO)晶體； 矽酸鑥(LSO)晶體； 矽酸鑥釓(LGSO)晶體； 矽酸鑥釓釔(LGYSO)晶體；以及 溴化鑭(LaBr )晶體。
3.根據前述權利要求中任一項所述的探測器陣列，其中，所述光探測器為矽光電倍增器(SiPM)設備。
4.根據前述權利要求中任一項所述的探測器陣列，其中，所述反射體層(30)包括鏡面反射體，所述鏡面反射體被優化以反射處在涵蓋所述閃爍體晶體的峰值光輸出波長的範圍內的光。
5.根據前述權利要求中 任一項所述的探測器陣列，其中，所述閃爍體晶體具有第一面、第二面以及四個側面，所述第一面被光學耦合到所述光探測器，所述第二面與所述第一面相對並且被設置為朝向待檢查的對象。
6.根據權利要求5所述的探測器陣列，其中，每個側面具有長度和寬度，所述長度在所述第一面與所述第二面之間，所述長度為所述寬度的至少2.5倍。
7.根據前述權利要求中任一項所述的探測器陣列，其中，至少一個經粗糙化的側面為所述晶體的輻射接收側。
8.根據前述權利要求中任一項所述的探測器陣列，其中，所述至少一個經粗糙化的側面為所述晶體的被光學耦合到所述光探測器的側面。
9.根據前述權利要求中任一項所述的探測器陣列，其中，所述晶體的所述至少一個經粗糙化的側面為所述晶體的長側，所述長側為毗鄰輻射接收側的側面和被光學耦合到所述光探測器的側面。
10.根據前述權利要求中任一項所述的探測器陣列，其中，所述至少一個經粗糙化的側面(16)的粗糙度大致等於通過利用150粒度砂紙磨砂得到的粗糙度。
11.一種核掃描器，包括: 根據權利要求1至10中任一項所述的輻射探測器陣列； 重建處理器，其將來自所述光探測器的輸出信號重建成圖像；以及 顯示設備，其顯示所重建的圖像。
12.一種增強探測器陣列中的光探測的方法，包括: 粗糙化多個預製拋光閃爍體晶體中每個的至少一側； 向經粗糙化的晶體施加反射體材料； 將所述晶體布置在陣列中；將多個陣列中的每個光學耦合到光探測器的陣列，以形成探測器陣列；並且 將所述探測器陣列安裝在探測器模塊中。
13.根據權利要求12所述的方法，其中，所述閃爍體晶體包括以下中的一種或多種: 矽酸鑥釔(LYSO)晶體； 矽酸鑥(LSO)晶體； 矽酸鑥釓(LGSO)晶體； 矽酸鑥釓釔(LGYSO)晶體；以及 溴化鑭(LaBr )晶體。
14.根據權利要求12或13中任一項所述的方法，其中，所述光探測器為矽光電倍增器(SiPM)設備。
15.根據權利要求12至14中任一項所述的方法，其中，所述反射體層(30)包括鏡面材料，所述鏡面材料被優化以反射處在涵蓋所述閃爍體晶體的峰值光輸出波長的範圍內的光。
16.根據權利要求12至15中任一項所述的方法，其中，粗糙化多個預製拋光閃爍體晶體中每個的至少一側包括以下中的至少一種: 溼法砂磨每個晶體的所述至少一側； 幹法砂磨每個晶體的所述至少一側；` 噴砂每個晶體的所述至少一側； 磨削每個晶體的所述至少一側； 將每個晶體的所述至少一側暴露於磨砂劑；以及 將額外的晶體材料噴濺到每個晶體的所述至少一側上。
17.根據權利要求12至16中任一項所述的方法，其中，所述閃爍體晶體具有第一面、第二面以及四個側面，所述第一面被光學耦合到所述光探測器，所述第二面與所述第一面相對並且被設置為朝向待檢查的對象。
18.根據權利要求12至17中任一項所述的方法，其中，每個側面具有長度和寬度，所述長度在所述第一面與所述第二面之間，所述長度為所述寬度的至少2.5倍。
19.根據權利要求12至18中任一項所述的方法，其中，所述至少一個經粗糙化的側面的粗糙度大致等於通過利用150粒度砂紙砂磨得到的粗糙度。
20.根據權利要求12至19中任一項所述的方法，還包括: 利用所述光探測器，將來自所述閃爍晶體的光轉換成信號； 將所述信號重建成圖像；並且 將所重建的圖像顯示在顯示設備上。
21.一種增強功能性掃描器探測器陣列中的光探測的方法，包括: 在一個或多個閃爍晶體處接收輻射，每個晶體具有經粗糙化的側面； 在所述晶體中將所述輻射轉換成光； 通過所述經粗糙化的側面反射掉所述光，緩和所述晶體中的重複內光反射，從而減少內反射； 將所述光轉換成電信號； 將所述電信號轉換成數字數據；將所述數字數據重建成圖像；並且顯示所重建的圖像。`
【文檔編號】G01T1/20GK103518145SQ201280022703
【公開日】2014年1月15日 申請日期:2012年4月26日 優先權日:2011年5月12日
【發明者】H·K·維喬雷克, A·託恩, S·庫克 申請人:皇家飛利浦有限公司