發光器件、發光器件封裝及包括發光器件封裝的照明系統的製作方法

2023-05-22 12:59:51 2

專利名稱：發光器件、發光器件封裝及包括發光器件封裝的照明系統的製作方法
技術領域：
實施方案涉及發光器件、發光器件封裝和包括發光器件封裝的照明系統。
背景技術：
氮化物半導體因其高的熱穩定性和寬的帶隙能而正在光學器件和高功率電子器 件領域引起眾多 關注。特別地，使用氮化物半導體的藍色發光器件(LED)、綠色LED和UV LED已經商業化並得到廣泛使用。根據相關技術，不僅GaN襯底而且由不同材料(例如矽、藍寶石和碳化矽(SiC)) 形成的異質型襯底均用於生長GaN外延層。當在這類異質型襯底上生長GaN基材料時，由 於晶體晶格係數和熱膨脹係數之間的失配，導致在生長的薄層中包含如穿透位錯(TD)的 許多缺陷。而且，根據相關技術，使用基於乾式或溼式蝕刻的隔離工藝來提供LED晶片之間 的隔離。然而，LED在基於蝕刻的隔離工藝期間可能受到等離子體或化學品的損害，由此使 晶片可靠性變差。

發明內容
實施方案提供一種具有低晶體缺陷的發光器件(LED)、LED封裝和照明系統。實施方案還提供一種包括光提取效率得到改善的LED、LED封裝和照明系統。實施方案還提供一種用於晶片間隔離的隔離工藝數目減少和光提取效率改善的 LED、LED封裝和照明系統。在一個實施方案中，一種發光器件(LED)包括發光結構，所述發光結構包括第二 導電型半導體層、有源層和第一導電型半導體層；和在所述發光結構上的第一電極，其中所 述發光結構的一部分具有斜面。在另一實施方案中，一種發光器件(LED)封裝包括具有發光結構和在所述發光 結構上的第一電極的LED，所述發光結構包括第二導電型半導體層、有源層和第一導電型半 導體層；和包括所述LED的封裝體，其中所述發光結構的一部分具有斜面。在另一實施方案中，一種照明系統包括發光模塊，所述發光模塊包括發光器件 (LED)封裝，所述發光器件(LED)封裝包括具有發光結構和在所述發光結構上的第一電極 的LED，所述發光結構包括第二導電型半導體層、有源層和第一導電型半導體層；和包括所 述LED的封裝體，其中所述發光結構的一部分具有斜面。一個或更多個實施方案的細節在附圖和下文的說明中給出。將從說明書和附圖以 及權利要求中清楚得到其它特徵。


圖1是根據第一實施方案的發光器件(LED)的截面圖。圖2至6是示出根據第一實施方案的LED的製造方法的截視圖。
圖7和11是第二實施方案的LED的截面圖。圖12是根據一個實施方案的LED封裝的截面圖。圖13是根據一個實施方案的發光單元的透視圖。圖14是根據一個實施方案的背光單元的分解透視圖。
具體實施例方式下文中，將參照附圖描述發光器件、發光器件封裝和包括該發光器件封裝的照明系統。在實施方案的描述中，應理解當層(或膜)稱為在另一層或襯底「上/上方」時， 其可直接在所述另一層或襯底上，也可存在中間層。此外，應理解當層被稱為在另一層「下 /下方」時，其可以直接在所述另一層下，也可存在一個或多個中間層。另外，也應理解當層 稱為在兩層「之間，，時，其可以是在所述兩層之間僅有的層，或也可存在一個或更多個中間層。(第一實施方案)圖1是根據第一實施方案的發光器件(LED)的截面圖。根據該實施方案的發光器件(LED) 190可包括發光結構和設置在發光結構上的第 一電極125。所述發光結構包括第二導電型半導體層140、設置在第二導電型半導體層140 上的有源層130和設置在有源層130上的第一導電型半導體層120。發光結構可具有斜面。 圖1中未描述的附圖標記將在下文參照圖2至5描述。根據該實施方案的LED和製造LED的方法，可以使用選擇性生長工藝來在LED結 構中生長具有低晶體缺陷的GaN基材料，由此提供高內部效率、高可靠性和良好的電流擴散。而且，可以減少因通過調節發光結構的側表面的斜度獲得的晶片形狀所導致的在 有源層130中產生的光子路徑以改善光提取效率。此外，可以實施選擇性生長工藝以獲得高品質半導體層，減少在製造垂直型器件 時用於晶片間隔離的隔離工藝數目，並且改善光提取效率。在下文中，將參照圖2至6描述根據第一實施方案的LED方法。參照圖2，可以準備第一襯底100。第一襯底100可以是藍寶石(Al2O3)單晶襯底、 Si襯底或SiC襯底，其包括半導體層和異質型材料，但是不限於此。可以在第一襯底100上 實施溼清洗工藝以除去第一襯底100表面的雜質。可以在第一襯底100上形成半導體層110。例如，可以在第一襯底100上形成未 摻雜的GaN層，但是不限於此。由於形成該層110，所以可以改善第一導電型半導體層120 的生長。而且，它可以防止晶體缺陷向上延伸。此外，半導體110可以是具有IXlO15 5X IO15Cm-3或更低的摻雜濃度的輕度摻雜的半導體層。在非導電半導體層110上形成第一圖案210以暴露出其部分區域M。第一圖案210 可以保留在晶片間邊界區域中。例如，第一圖案210可以是氧化物層(例如，SiO2)或氮化 物層，但是不限於此。例如，可以使用等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)工藝來沉積SiO2, 然後可以使用圖案化工藝來形成暴露出部分區域M的第一圖案210。在第一實施方案中，非導電型半導體層110可具有與第一導電型半導體層120、有源層130和第二導電型半導體層140不同的結晶方向。因此，第一導電型半導體層120、有 源層130和第二導電型半導體層140可被蝕刻為垂直圖案形狀，而非導電型半導體層110 可被蝕刻為保持預定斜度。 參照圖3，在暴露的非導電半導體層110上形成第一導電型半導體層120。例 如，可 使用化學氣相沉積(CVD)工藝、分子束外延(MBE)工藝、濺射工藝或氫化物氣相外延(HVPE) 工藝來形成用於第一導電型半導體層120的η型GaN層。此外，第一導電型半導體層120 可以通過將三甲基鎵氣體(TMGa)、氨氣(NH3)、氮氣(N2)或含有η型雜質例如矽(Si)的矽 烷氣體(SiH4)注入工藝室內來形成。此時，第一導電型半導體層120可以從晶種區朝第一圖案210橫向生長。第一圖 案210上的第一導電型半導體層120具有幾乎沒有勢能(potential)的高品質結晶。根據該實施方案的LED和製造LED的方法，使用選擇性生長工藝在LED結構中生 長具有低晶體缺陷的GaN基材料，由此提供高內部效率、高可靠性和良好的電流擴散。此外，可以實施選擇性生長工藝來獲得具有低晶體缺陷的半導體層，減少在製造 垂直型器件時用於晶片間隔離的隔離工藝數目，並且提高光提取效率。在第一導電型半導體層120上形成有源層130。有源層130可具有通過一次或更 多次交替堆疊具有不同能帶的氮化物半導體層來形成量子阱結構。例如，有源層130可具 有包括通過注入三甲基鎵氣體(TMGa)、氨氣(NH3)、氮氣(N2)或三甲基銦氣體(TMIn)形成 的InGaN/GaN結構的多量子阱結構，但是不限於此。此時，可以在第一導電型半導體層120的頂表面上形成有源層130。例如，可以在 第一導電型半導體層120的側表面上形成掩模圖案(未顯示)，並且可以在第一導電型半導 體層120的頂表面上形成有源層130。參照圖4，在有源層130和第一導電型半導體層120上形成第二導電型半導體層 140。例如，第二導電型半導體層140可以通過將三甲基鎵氣體(TMGa)、氨氣(NH3)、氮氣(N2) 或含有P型雜質例如鎂(Mg)的二乙基環戊二烯鎂(EtCp2Mg) {Mg(C2H5C5H4)2I注入工藝室中 來形成，但是不限於此。此時，第二導電型半導體層140可以形成為圍繞有源層130和第一導電型半導體 層120的側表面。參照圖5，可以在第二導電型半導體層140、有源層130和第一導電型半導體層120 的側表面上實施溼式或乾式蝕刻工藝。在第二導電型半導體層140、有源層130和第一導電型半導體層120的側表面的蝕 刻過程中，可以移除第一圖案210以允許蝕刻非導電型半導體層110並同時保持預定斜度。根據第一實施方案，當實施蝕刻工藝以調節所生長的LED的半導體層120、130和 140的橫向斜度時，移除暴露於蝕刻溶液的第一圖案210，並且蝕刻作為非導電型半導體層 110的未摻雜GaN以保持預定斜度。例如，非導電型半導體層110可具有約55° 89°的 角度，但是不限於此。此外，根據第一實施方案，可以蝕刻掉通過移除暴露於蝕刻溶液的第一圖案210 所生長的GaN的側表面的一部分以保持預定斜度。也就是說，根據該實施方案，當實施選擇 性生長工藝時，在側表面上出現多種模式的生長平面。因此，生長平面的一部分與化學蝕刻 溶液反應以形成具有預定斜度的平面。例如，第二導電型半導體層140、有源層130和第一導電型半導體層120可以蝕刻為形成垂直輪廓。可以蝕刻作為非導電型半導體層110的未 摻雜GaN以保持預定斜度。此外，根據該實施方案，發光結構的斜面可包括均勻平面或不均勻平面。例如，斜面可以是均勻平面或不均勻平面，其取決於蝕刻。在第一實施方案中，可以使用KOH蝕刻溶液作為蝕刻溶液，但是不限於此。參照圖6，在第二導電型半導體層140上形成第二電極150。第二電極150可包括 歐姆層、反射層和連接層中的至少其一。例如，第二電極層150可以是ρ型歐姆接觸層152，並且可以通過多次堆疊單金屬 或金屬合金以提供有效的空穴注入來形成，但是不限於此。第二電極150可以是反射層或 透明層。例如，當第二電極150是反射層時，第二電極150可包括含有Al、Ag的金屬層或包 含Al或Ag的合金的金屬層。此外，第二電極 150 可由 ITO、IZO(In-ZnO)、GZO(Ga-ZnO)、AZO(Al-ZnO)、 AGZO (Al-Ga ZnO)、IGZO (In-Ga ZnO)、IrOx, RuOx, RuOx/1 TO, Ni/IrOx/Au 和 Ni/Ir0x/Au/IT0 中的至少一種形成，但是不限於此。可以在第二電極150上形成第二襯底160以在後續工藝中有效地實施第一襯底 100的移除。如果第一導電型半導體層120具有大於約70 μ m的厚度，則可以省去第二襯底 160的形成工藝。第二襯底160可由具有良好導電性的金屬、金屬合金或導電半導體材料形成以有 效地注入電子空穴。例如，第二襯底160可由銅(01)、01合金、5丨66、6315丨、66、6&48、2110 或SiC中的一種或更多種形成。第二襯底160可利用電化學金屬沉積法或利用低共熔金屬 的接合法形成。移除第一襯底100。可利用高功率雷射或化學蝕刻工藝移除第一襯底100。此外， 可利用物理研磨工藝移除第一襯底100。移除第一襯底100以暴露出第一導電型半導體層 110。所暴露出的第一導電型半導體層110可具有在移除第一襯底100時產生的表面損傷。 該表面損傷可利用溼式或乾式蝕刻工藝移除。移除非導電型半導體層110的一部分，並且在第一導電型半導體層120上形成第 一電極125。可以在非導電型半導體層110的頂表面上實施乾式或溼式蝕刻工藝以在除第 一電極125之外的區域中形成粗糙結構。根據該實施方案的LED和製造LED的方法，使用選擇性生長工藝在LED結構中生 長具有低晶體缺陷的GaN基材料，由此提供高內部效率、高可靠性和良好的電流擴散。此外，可以減少因通過調節發光結構側表面的斜度獲得的晶片形狀所導致的在有 源層130中產生的光子路徑以提高光提取效率。此外，可以實施選擇性生長工藝來獲得具有低晶體缺陷的半導體層，減少在製造 垂直型器件時用於晶片間隔離的隔離工藝的數目，並且改善光提取效率。(第二實施方案)圖11根據第二實施方案的LED的截面圖，圖7和11是根據第二實施方案的LED 的截面圖。第二實施方案可採用第一實施方案的技術特徵，並且下文將僅主要描述與第一實 施方案不同的部件。
根據第二實施方案，發光結構的第一導電型半導體層127的一部分可以以預定角 度傾斜。例如，第一導電型半導體層127可包括第一導電型第一半導體層121和第一導電 型第二半導體層122。而且，第一導電型第一半導體層121可具有預定的斜度。在下文中，將參照圖7至11描述第二實施方案。參照圖7，準備第一襯底100。可以在第一襯底100上形成第一導電型第一半導體 層121。此時 ，可以在襯底100上形成非導電型半導體層(未顯示)，但是不限於此。在下文中，在第一導電型第一半導體層121上形成第二圖案220以暴露出其部分 區域M。第二圖案220可以保留在晶片間邊界區域中。例如，第二圖案220可以是氧化物層 (例如，SiO2)或氮化物層，但是不限於此。在第二實施方案中，第一導電型第一半導體層121可具有與隨後將形成的第一導 電型第二半導體層122、有源層130和第二導電型半導體層140不同的結晶方向。因此，第 一導電型第二半導體層122、有源層130和第二導電型半導體層140可被蝕刻為垂直圖案形 狀，而第一導電型第一半導體層121可被蝕刻為保持預定斜度。參照圖8，在第一導電型第一半導體層121上形成第一導電型第二半導體層122。 此時，第一導電型第二半導體層122可以從晶種區朝第二圖案220橫向生長。然後，在第一 導電型第二半導體層122上形成有源層130。參照圖9，在有源層130和第一導電型第二半導體層122上形成第二導電型半導體 層140。此時，第二導電型半導體層140可以形成為圍繞有源層130和第一導電型第二半導 體層122的側表面。參照圖10，可以在第二導電型半導體層140、有源層130和第一導電型第二半導體 層122的側表面上實施溼式或乾式蝕刻工藝。在第二導電型半導體層140、有源層130和第一導電型第二半導體層122的側表面 的蝕刻過程中，可以移除第二圖案220以允許蝕刻第一導電型第一半導體層121並同時保 持預定斜度。也就是說，在第二實施方案中，第一導電型第一半導體層121可具有與隨後將形 成的第一導電型第二半導體層122、有源層130和第二導電型半導體層140不同的結晶方 向。因此，第一導電型第二半導體層122、有源層130和第二導電型半導體層140可被蝕刻 為垂直圖案形狀，而第一導電型第一半導體層121可被蝕刻為保持預定斜度。參照圖11，在第二導電型半導體層140上形成第二電極150。例如，第二電極層 150可包括歐姆層(未顯示)、反射層(未顯示)、接觸層(未顯示)和第二襯底160。移除第一襯底100。第一襯底100可利用高功率雷射剝離或利用化學蝕刻工藝移 除。移除第一導電型第二半導體層122的一部分，並且在第一導電型第二半導體層 122上形成第一電極125。可以在第一導電型第一半導體層121的頂表面上實施乾式或溼 式蝕刻工藝以在除第一電極125之外的區域中形成粗糙結構。根據該實施方案的LED和製造LED的方法，使用選擇性生長工藝在LED結構中生 長具有低晶體缺陷的GaN基材料，由此提供高內部效率、高可靠性和良好的電流擴散。此外，可以減少因通過調節發光結構側表面的斜度獲得的晶片形狀所導致的在有 源層130中產生的光子路徑以提高光提取效率。
此外，可以實施選擇性生長工藝以獲得具有低晶體缺陷的半導體層，減少在製造 垂直型器件時用於晶片間隔離的隔離工藝的數目，並且提高光提取效率。圖12是根據一個實施方案的LED封裝的截面圖。參照圖12，根據一個實施方案的LED封裝包括主體205、設置在主體205中的第三 電極層211和第四電極層212、設置在主體205中且電連接至第三電極層211和第四電極層 212的LED 190以及圍繞LED 190的模製件240。主體205可由矽材料、合成樹脂或金屬材料形成。可在LED 190周圍設置傾斜表面。第三電極層211和第四電極層212彼此電隔離並向LED 190供電。此外，第三電 極層211和第四電極層212可反射LED 190中產生的光以改善發光效率。此外，第三電極 層211和第四電極層212可將LED 190中產生的熱釋放到外部。圖1中顯示的垂直型LED可用作LED 190，但是不限於此。例如，橫向型LED可用 作 LED 190。LED 190可設置在主體205上或第三電極層211和第四電極層212上。LED 190可通過導線230電連接至第三電極層211和/或第四電極層212。在該 實施方案中，以垂直型LED 190為例進行說明，並且可以使用一根導線230作為例子，但是 不限於此。模製件240可圍繞LED 190以保護LED 190。此外，模製件240中可包含磷光體以 改變從LED 190發射的光的波長。根據一個實施方案的LED封裝可應用於照明系統。照明系統可包括圖13中所示 的發光單元和圖14中所示的背光單元。此外，照明系統可包括交通燈、車頭燈和標牌。圖13是根據一個實施方案的發光單元1100的透視圖。參照圖13，發光單元1100可包括殼體1110、設置在殼體1110中的發光模塊1130 和設置在殼體1110中用以接收來自外部電源的電力的連接端子1120。殼體1110可由具有改善的熱耗散特性的材料形成。例如，殼體1110可由金屬材 料或樹脂材料形成。發光模塊1130可包括襯底1132和安裝在襯底1132上的至少一個發光器件封裝 200。可以在絕緣材料上印刷電路圖案以形成襯底1132。例如，襯底1132可包括印刷電 路板(PCB)、金屬芯PCB、柔性PCB或陶瓷PCB。此外，襯底1132可由能夠有效反射光的材料形成。襯底1132的表面可塗覆有彩 色材料，例如，有效反射光的白色或銀色材料。所述至少一個發光器件封裝200可以安裝在襯底1132上。LED封裝200可包括至 少一個發光二極體100。發光二極體100可包括發射紅光、綠光、藍光或白光的彩色發光二 極管和發射紫外(UV)光的UV發光二極體。發光模塊1130可包括多個發光器件封裝200以獲得各種顏色和亮度。例如，白色LED、紅色LED和綠色LED可相互組合設置以確保高顯色指數(CRI)。連接端子1120可電連接至發光模塊1130以供電。如圖13所示，雖然連接端子1120以插座方式螺旋插入外部電源中，但是本公開不限於此。例如，連接端子1120可具有銷的形狀。因此，連接端子1120可插入外部電源中或利用互連裝置連接至外部電源。圖14是根據一個實施方案的背光單元1200的分解透視圖。根據一個實施方案的背光單元1200可包括導光板1210、發光模塊1240、反射構 件1220和底蓋1230，但是不限於此。發光模塊1240可為導光板1210提供光。反射構件 1220可設置在導光板1210下方。底蓋1230可容納導光板1210、發光模塊1240和反射構 件 1220。導光板1210擴散光以產生平面光。導光板1210可由透明材料形成。例如，導光 板1210可由丙烯酸樹脂類材料如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET) 樹脂、聚碳酸酯(PC)樹脂、環烯烴共聚物(COC)樹脂和聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)樹脂中 的一種形成。發光模塊1240可為導光板1210的至少一個表面提供光。因此，發光模塊1240可 用作包括背光單元的顯示設備的光源。發光模塊1240可接觸導光板1210，但是不限於此。特別地，發光模塊1240可包括 襯底1242和安裝在襯底1242上的多個發光器件封裝200。襯底1242可接觸導光板1210， 但是不限於此。襯底1242可以是包括電路圖案的PCB(未顯示)。然而，襯底1242也可包括金屬 芯PCB (MCPCB)或柔性PCB (FPCB)以及PCB，但是不限於此。多個發光器件封裝200中每一個的發光表面可以與導光板1210間隔預定的距離。反射構件1220可設置在導光板1210下方。反射構件1220反射入射到導光板1210 底表面上的光以使其沿向上的方向行進，由此改善背光單元的亮度。例如，反射構件1220 可由PET、PC和PVC樹脂中的一種形成，但是不限於此。底蓋1230可容納導光板1210、發光模塊1240和反射構件1220。為此，底蓋1230 可具有上側開放的盒形狀，但是不限於此。底蓋1230可由金屬材料或樹脂材料形成。此外，底蓋1230可利用壓製成型工藝或擠出成型工藝製成。一種發光器件(LED)包括第一半導體層、與第一半導體層相鄰的有源層和與有源 層相鄰的第二半導體層，所述第一半導體層是第一導電型，所述第二半導體層是第二導電 型。第三半導體層設置為與第一半導體層相鄰。第一半導體層、有源層、第二半導體層和第 三半導體層形成在第一方向上。第三半導體在第二方向上具有平坦表面，並且該平坦表面面向第一半導體層。第 三半導體層具有至少一個傾斜的側表面，並且第三半導體層的至少一個側表面的傾角在第 一方向和第二方向之間。第一半導體層、有源層或第二半導體層中的至少其一具有側表面， 該側表面的傾角大於所述第三半導體層的至少一個側表面的傾角。第一和第二方向相互垂直。所述傾角可以為55° 89°。至少一個側表面可以是均勻的表面或不均勻的表 面。第三半導體層可以是未摻雜的半導體層或輕度摻雜的半導體層。如果摻雜，則輕度摻 雜的半導體層具有IX IO15 5X IO15CnT3或更低的摻雜濃度。第三半導體層可具有未摻雜 的GaN層。第三半導體層可具有比第二半導體層更大的寬度。可在第三半導體層中形成凹陷，並且可在凹陷中提供第一電極。該凹陷可延伸到第一半導體層中。該凹陷的高度可以大於第一電極的厚度。第二電極可以設置為與第二半導體層相鄰。第二電極可以是歐姆層、反射層和 連接層中的至少其一。第二電極可由 ITO、IZO (In-ZnO)、GZO (Ga-ZnO)、AZO (Al-ZnO)、 AGZO (Al-Ga ZnO)、IGZO (In-Ga ZnO)、IrOx, RuOx, RuOx/1 TO, Ni/IrOx/Au 和 Ni/Ir0x/Au/IT0 中的至少一種形成。本說明書中提及的「 一個實施方案」、「實施方案」、「示例性實施方案，，等是指關於 實施方案所描述的具體特徵、結構或特徵包含在本發明的至少一個實施方案中。說明書中 各處使用的這類措辭不一定都是指相同的實施方案。此外，當針對任意實施方案描述具體 特徵、結構或特徵時，本領域技術人員將預見到對於實施方案的其它特徵、結構或特性實現 該特徵、結構或特性。 雖然已經參照本發明的多個示例性實施方案說明了本發明，但是應理解本領域的 技術人員可以設計多種其它修改方案和實施方案，它們也在本公開內容的原理的精神和範 圍內。更具體地，可以對本公開內容、附圖和所附權利要求中的主題組合排列的組成部件和 /或布置進行各種變化和修改。除了對組成部件和/或布置進行變化和修改之外，替代應用 對於本領域的技術人員而言也是明顯的。
權利要求
一種發光器件(LED)，包括第一半導體層，與所述第一半導體層相鄰的有源層，和與所述有源層相鄰的第二半導體層，所述第一半導體層為第一導電型，所述第二半導體層為第二導電型；與所述第一半導體層相鄰的第三半導體層，所述第一半導體層、所述有源層、所述第二半導體層和所述第三半導體層形成在第一方向上，所述第三半導體層在第二方向上具有平坦表面並且面向所述第一半導體層，所述第三半導體層具有至少一個傾斜的側表面，並且所述第三半導體層的所述至少一個側表面的傾角在所述第一方向和所述第二方向之間，所述第一半導體層、所述有源層或所述第二半導體層中的至少其一具有傾角大於所述第三半導體層的所述至少一個側表面的傾角的側表面，並且所述第一方向和所述第二方向相互垂直。
2.如權利要求1所述的LED，其中所述傾角為55° 89°。
3.如權利要求1所述的LED，其中所述至少一個側表面是均勻的表面或不均勻的表面。
4.如權利要求1所述的LED，其中所述第三半導體層是未摻雜的半導體層。
5.如權利要求1所述的LED，其中所述第三半導體層是摻雜的半導體層。
6.如權利要求5所述的LED，其中所述摻雜的半導體層具有摻雜濃度為IXIO15 5X IO15Cm-3或更低的輕度摻雜的半導體層。
7.如權利要求1所述的LED，其中所述第三半導體層包括未摻雜的GaN層。
8.如權利要求1所述的LED，其中所述第三半導體層具有比所述第一半導體層更大的 寬度。
9.如權利要求1所述的LED，其中在所述第三半導體層中形成凹陷，並且在所述凹陷中提供第一電極。
10.如權利要求9所述的LED，其中所述凹陷延伸到所述第一半導體層中。
11.如權利要求9所述的LED，其中所述凹陷的高度大於所述第一電極的厚度。
12.如權利要求1所述的LED，包括與所述第二半導體層相鄰的第二電極。
13.如權利要求12所述的LED，其中所述第二電極包括歐姆層、反射層和連接層中的至少其一。
14.如權利要求13所述的LED，其中所述第二電極由ITO、IZO(In-ZnO),GZO(Ga-ZnO)、 AZO (Al-ZnO) ,AGZO (Al-Ga ZnO)、IGZO (In-Ga ZnO)、Ir0x、Ru0x、Ru0x/IT0、Ni/Ir0x/Au 和 Ni/ Ir0x/Au/IT0中的至少一種形成。
15.一種發光器件(LED)封裝，包括如權利要求1所述的LED並且包括容納所述LED的 封裝體。
16.一種照明系統，包括具有如權利要求15所述的發光器件(LED)封裝的發光模塊。
全文摘要
提供一種發光器件、發光器件封裝和包括該發光器件封裝的照明系統。發光器件(LED)包括發光結構和在所述發光結構上的第一電極，所述發光結構包括第二導電型半導體層、有源層和第一導電型半導體層。所述發光結構的一部分以預定角度傾斜。
文檔編號F21Y101/02GK101840983SQ20101013444
公開日2010年9月22日 申請日期2010年3月16日 優先權日2009年3月16日
發明者宋炫暾, 曹賢敬, 洪昶憙, 金炯九 申請人:Lg伊諾特有限公司