微波爐預定模式切換的製作方法

2023-05-23 06:08:16

專利名稱：微波爐預定模式切換的製作方法
技術領域：
本發明涉及用於對被布置在腔體中的裝載物(load)進行加熱的微波爐領域，且 特別是，本發明涉及適於在模場(mode field)之間切換的微波爐。更具體而言，所述微波 爐包括被設計以便支持至少兩種預定模式的腔體和被連接至所述腔體的頻率可控的微波 源。所述微波爐進一步包括用於切換所述微波源的工作頻率以便實現均勻加熱目的的控制 單元。
背景技術：
微波加熱技術涉及在腔體中饋送微波輻射。當藉助於微波爐對以食品形式存在的 裝載物進行加熱時，要考慮多方面因素。這些因素中的絕大多數因素對於所屬領域技術人 員而言是眾所周知的，所述因素例如包括在使食品吸收最大量的可用微波功率從而達到 令人滿意的效率的同時，對食品進行均勻加熱的需求。
正如所屬領域技術人員已公知地那樣，不均勻的微波輻射加熱可能是由於模場中
存在熱點(hot spot)和冷點(cold spot)造成的。為了消除或減弱熱點和冷點效應，傳統
的解決方案是在加熱過程中用轉盤使位於微波爐腔體中的裝載物產生旋轉，或者是使用所
謂的"模式攪拌器(mode stirrer)"連續改變腔體內的模式圖像(pattern)。這些技術的缺
點在於無法充分滿足加熱均勻性的要求且在這些技術中涉及到了旋轉或移動部件的使用。 另一種可選方式是，在美國專利US5632921中，披露了一種微波爐，其中在第一饋
送孔與第二饋送孔之間存在二次布置，且在來自被連接至該第一饋送孔的第一波導饋送
裝置的微波輸入與來自被連接至該第二饋送孔的第二波導饋送裝置的微波輸入之間存在
九十度的相移，這種微波爐旨在在腔體中產生旋轉微波圖像，由此實現更均勻的加熱。然
而，其缺點在於，這種微波爐需要相當先進的結構才能將微波饋送至微波爐的腔體且需要
非標準的腔體設計。 因此，需要提供能夠克服上述這些問題的新的方法和裝置。

發明內容
本發明的一個目的在於完全或部分地克服現有技術的上述不利和缺點並且為上 面的技術和現有技術提供一種改進的可選方式。 總的說來，本發明的目的是提供一種改善了加熱均勻性的微波爐。
本發明的該目的和其它目的是通過一種具有在獨立權利要求中限定出來的特徵 的方法和微波爐實現的。本發明的優選實施例的特徵之處在於這些獨立權利要求。
因此，根據本發明的第一方面，提供了一種根據權利要求1所述的微波爐。所述微 波爐包括腔體和頻率可控的微波源。所述腔體適於接收將要被加熱的裝載物(物體、物質 或食品)。所述腔體被設計以便支持至少兩種預定模式(或模場)。對於每種預定模式而 言，所述腔體中的諧振頻率是已知的。進一步地，所述微波爐包括頻率可控的微波源，所述 微波源被連接至所述腔體以便經由至少一個饋送埠將微波饋送進入所述腔體內。所述微
4波爐進一步包括適於測量(或用於測量)從所述腔體反射的信號(以便改變產生的微波的 頻率)的測量單元，所述信號與所述微波源的工作頻率呈函數關係。進一步地，所述微波爐 包括控制單元，所述控制單元被連接至所述微波源且適於基於所述測得的信號識別所述腔 體中的諧振頻率。所述控制單元進一步適於基於所述已知諧振頻率從所述識別出的諧振頻 率中選出用於所述預定模式的至少兩個諧振頻率，並且用所述選出的頻率切換所述微波源 的工作頻率。 根據本發明的第二方面，提供了一種用根據權利要求14所述的微波對裝載物進 行加熱的方法。所述方法包括提供適於接收所述裝載物的腔體的步驟。所述腔體被設計以 便支持至少兩種預定模式(或模場)。對於每種預定模式而言，所述腔體中的諧振頻率是已 知的。所述方法進一步包括提供頻率可控的微波源以便經由至少一個饋送埠將微波饋送 進入所述腔體內的步驟。所述方法進一步包括測量從所述腔體反射的信號的步驟和基於所 述測得的信號識別所述腔體中的諧振頻率的步驟，所述信號與所述微波源的工作頻率呈函 數關係。所述方法進一步包括基於所述已知諧振頻率從所述識別出的諧振頻率中選出用於 所述預定模式的至少兩個諧振頻率的步驟。隨後用所述選出的頻率切換所述微波源的工作 頻率。 根據本發明的第三方面，提供了一種可被載入根據本發明的第一方面的微波爐內
的電腦程式產品，所述電腦程式產品包括用於導致所述微波爐的處理器件實施根據本 發明的第二方面的步驟的軟體編碼部分。特別是，所述電腦程式產品被限定以便導致所 述處理器件實施所述測量步驟、所述識別步驟、所述選擇步驟和所述切換步驟。 本發明利用了這樣一種認知，即微波腔體可被設計以便支持預定模式或模場，所 述預定模式或模場隨後可在所述微波爐的工作過程中被識別以便控制(切換)所述微波輻 射源的頻率。特別是，本發明基於這樣的理解，即可使用頻率可控的微波源在兩種模式或 模場之間切換。本發明的所述方法和微波爐的優點在於由於所述腔體被設計用於預定模 式(即已知諧振頻率)，因此可在所述測得的信號的所有可能的反射率最小值(reflection minima)中迅速識別並選擇所述微波爐的工作頻率。 有利地，所述腔體被設計以便支持導致產生互補加熱圖像的至少兩種模式或模 場，由此在所述腔體中提供均勻加熱。用於進行切換的頻率因而提供了互補的加熱圖像，從 而使得通過第二加熱圖像(或第二模式)補償了第一加熱圖像(或第一模式)中熱點和冷 點的存在。換句話說，可通過第二模場的加熱圖像消除或至少減弱第一模場中熱點和冷點 的效應，即腔體中熱點和冷點的存在。結果是，本發明提供了一種改進了加熱均勻性的微波 爐。 在所述模式之間進行的所述切換可被認為導致在所述腔體中產生了類似旋轉的
模場，特別是如果所述腔體被設計以便支持兩種以上模式的情況下更是如此。 所述控制單元因此有利地適於選擇導致產生了互補加熱圖像的頻率。由於模式會
例如由於裝載物產生的變化(例如幾何形狀、重量或狀態產生的變化)而被扭曲，因此所述
控制單元可適於確定，在從所述測得的信號中識別出來且對應於預定模式的諧振頻率中，
哪個諧振頻率可用於進行饋送。 本發明的有利之處還在於其可被實施於具有標準設計和/或帶有標準饋送結構 的微波爐中。
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本發明的有利之處還在於其不需要任何移動或旋轉部件，由此提供了一種機械 上可靠的微波爐。 進一步地，本發明的有利之處在於，其提供了一種改進了能量效率的微波爐，原因 在於該微波爐的工作頻率對應於所述測得的信號中的反射率最小值。 所述腔體可被設計以使得，在與第一預定模式相對應的加熱圖像中出現的熱點和 冷點並不對應於在與第二預定模式相對應的加熱圖像中出現的具有相同位置的熱點和冷 點。優選地，第一模場中的熱點和冷點可分別由第二模場中的冷點和熱點直接補償。換句 話說，與第一模場中的熱點或冷點相對應的腔體位置並不分別對應於第二模場中的熱點或 冷點。儘管上面僅描述了用於兩個模場的情況，但本發明還可被實施用於兩個以上的模場， 由此在兩個以上的值之間切換所述微波源的頻率。 進一步地，對於特定的腔體設計而言，其模式會例如由於裝載物產生的變化(例 如幾何形狀、重量或狀態產生的變化)而被扭曲。如果裝載物產生變化，則可在另一諧振頻 率處獲得以扭曲形式存在的與已知諧振頻率相對應的預定模式。 根據一個實施例，所述控制單元適於通過將所述識別出的諧振頻率與預定模式的 所述已知諧振頻率進行比較的方式選出用於所述預定模式的諧振頻率。另一種可選方式 是，所述控制單元可適於通過使所述識別出的諧振頻率與代表預定模式的所述已知諧振頻 率的頻率間隔相匹配的方式選出用於所述預定模式的諧振頻率。如果發現識別出的諧振頻 率處於代表已知諧振頻率或預定模式的頻率間隔內，則認為所述識別出的諧振頻率對應於 所述預定模式。進一步地，根據所述扭曲情況，所述控制單元可選擇是否使用所述識別出的 頻率進行饋送。嚴重的扭曲可能表明優選並不使用這種扭曲的模式進行饋送，所述嚴重的 扭曲例如為由於所述腔體中產生的變化而導致在所述測得的信號中的與預定模式相對應 的反射率最小值頻率中出現了較大程度的切換。 應該意識到在由所述測量單元測得的所述反射信號中識別出來的所述諧振頻率 是與所述測得的信號中的反射率最小值相對應的頻率。有利地，所述控制單元可適於識別 出反射率最小值低於預定值的那些諧振頻率，從而使得僅需要對有限數量的諧振頻率進行 分析。 根據一個實施例，基於預定的烹飪功能和/或預定裝載物來選擇用於進行饋送的 頻率，這樣做的有利之處在於各種烹飪功能和/或各種類型的裝載物可能需要不同的加 熱類型，即不同的模場類型。可以設想，對於特定的烹飪功能而言，所述預定模式中的一些 模式比其它預定模式更為適合。例如，對於液體裝載物(例如湯)、冷凍裝載物(例如肉) 和爆米花(感受體)來來說，可通過選擇用於每種裝載物類型的最優模式的方式分別對它 們進行更高效地加熱。 根據又一實施例，所述微波爐可進一步包括用於存儲所述已知諧振頻率和/或代 表所述已知諧振頻率的頻率間隔的存儲介質。特別是，所述存儲介質可被實施為查閱表，在 所述查閱表中，在所述已知諧振頻率與預定烹飪功能之間或者在所述已知諧振頻率與預定 裝載物之間建立起了對應關係。進一步地，所述存儲介質還可存儲與多種眾所周知(或者 典型)的裝載物相對應的完整的反射特性(或反射信號)，所述反射特性與所述特定腔體的 頻率呈函數關係。 —旦所述控制單元已選出了所述微波源的工作頻率，則可實施在所述選出的頻率之間進行切換的算法。所述算法中的參數可取決於預定烹飪功能和/或預定裝載物。所述 烹飪功能或裝載物類型可以是由使用者限定的參數輸入，所述參數例如是藉助於微波爐上 的旋鈕輸入的。 根據一個實施例，所述控制單元可適於調節選自以下參數組群中的至少一個參 數，所述參數組群包括在工作周期中的所述選出的頻率的序列順序、在用於切換的所述頻 率中的每個頻率下的工作時間、以及在用於切換的所述頻率中的每個頻率下的所述微波源 的輸出功率水平。 所述微波源可以是任何頻率可調(或頻率捷變)的微波源。特別是，所述微波源 可以是基於固態的微波發生器，所述微波發生器包括半導體元件。 通過研究以下詳細披露內容、附圖和所附權利要求書將易於理解本發明的進一步 的目標、特徵和優點。所屬領域技術人員將可以認識到本發明的不同特徵可進行組合以便 產生除下文描述的那些實施例以外的實施例。


通過下面對本發明的優選實施例進行的示例性且非限制性的詳細描述並結合附 圖將更好地理解本發明的上述以及附加的目的、特徵和優點，其中
圖1示意性地示出了根據本發明的一個實施例的微波爐；
圖2示意性地示出了測量單元的一個實例； 圖3是框圖，圖中示出了根據本發明的一個實施例的微波爐的整體功能； 圖4a是曲線圖，圖中示出了取自理想點源(在數值研究過程中使用的假想源)的
電流與頻率的函數關係，這是一種研究給定腔體中的理論諧振頻率的便利方式； 圖4b示出了從頂部開口進行激勵的模式TM411的反射特性和從腔體中的左壁進
行激勵的模式TM312的反射特性，所述腔體例如為結合圖9示出和描述的腔體，且藉助於在
每個波導中引入調諧元件的方式使饋送波導相匹配； 圖5a是腔體的水平剖面中的示意性三維(3D)視圖，該腔體中沒有裝載物，該腔體 的尺寸為280X228X169mm，模式為TM姐，激勵頻率為2408. 5MHz ;
圖5b是與圖5a所示視圖相對應的示意性二維(2D)視圖； 圖6a是圖5a所示腔體的垂直剖面中的示意性3D視圖，模式為11411，激勵頻率為 2408. 5MHz ; 圖6b是與圖6a所示視圖相對應的示意性2D視圖； 圖7a是圖5a所示腔體的水平剖面中的示意性3D視圖，模式為TM^，激勵頻率為 2481. 3MHz ; 圖7b是與圖7a所示視圖相對應的示意性2D視圖； 圖8a是圖5a所示腔體的垂直剖面中的示意性3D視圖，模式為TM^，激勵頻率為 2481. 3MHz ; 圖8b是與圖8a所示視圖相對應的示意性2D視圖； 圖9示意性地示出了根據本發明的另一實施例的微波爐的腔體； 圖10是圖9所示腔體的水平剖面中的扭曲場圖的示意圖，且布置在腔體中的裝載
物的介電常數e 二4-j2，模式為TM^;
圖11是圖10所示腔體模式中的處於裝載物上表面處的加熱圖像的示意圖；
圖12是圖9所示腔體的水平剖面中的扭曲場圖的示意圖，且布置在腔體中的裝載 物的介電常數e 二4-j2，模式為TM^; 圖13是圖12所示腔體模式中的處於裝載物上表面處的加熱圖像的示意圖；
圖14是從圖9所示腔體中的TM411模式中獲得的處於裝載物上表面處的水平平面 中的加熱圖像的示意圖，且裝載物的介電數據e =40_j8; 圖15是從圖9所示腔體中的TM312模式中獲得的處於裝載物上表面處的加熱圖像 的示意圖，且裝載物的介電數據e =40-」8;禾口
圖16是根據本發明所述的方法的概略圖。 所有這些附圖都是示意性的，並不一定是按比例進行繪製的，且圖中通常僅示出 了闡明本發明所必需的部件，其中可省略或僅建議性地示出其它部件。
具體實施例方式
參見圖1，圖中示出了具有根據本發明的一個實施例的特徵和功能的微波爐100。
微波爐100包括由包封表面限定出的腔體150。腔體150的其中一個側壁可裝配 有門155，該門使得能夠將裝載物，如食品，引入腔體150中。進一步地，腔體150設有至少 一個饋送端120，通過所述饋送埠將微波饋送至微波爐100的腔體150。腔體150大體上 由金屬製成。 儘管結合圖1所述的微波爐100具有矩形包封表面，但應該意識到微波爐的腔體 並不限於這種形狀且可例如具有圓形剖面。 微波爐100進一步包括頻率可調的微波源110，所述微波源藉助於傳輸線或波導 130被連接至腔體150的饋送端120。該傳輸線可以例如為同軸纜線。
儘管結合圖1所述的腔體150包括一個以上的用於將微波傳輸進入腔體150內的 饋送埠 (孔)，但腔體150也可設置單個饋送埠。進一步地，還設置了用於將微波從微 波源110導引至饋送端120的饋送結構。該饋送結構可包括至少一個主波導或傳輸線130 且可選地可包括從主波導或傳輸線130上分支出來的多個次級波導或傳輸線135，以便將 微波從微波源110導引至一個或多個饋送埠 120。 進一步地，微波爐可包括切換裝置160，每個切換裝置與饋送埠 120相關聯，且 被布置在傳輸線130中以便停止向相應的饋送埠 120進行的饋送。 根據一個實施例，微波源110是基於固態的微波發生器，所述微波發生器例如包 括碳化矽(SiC)或氮化鎵(GaN)部件。其它半導體部件也可適於構成微波源110。除了使 得可能控制所產生的微波的頻率以外，基於固態的微波發生器的優點還包括使得可能控制 發生器的輸出功率水平且具有固有的窄帶特徵。由基於固態的發生器發射出的微波的頻率 通常構成了較窄的頻率範圍，如2. 4GHz至2. 5GHz。然而，本發明並不限於該頻率範圍且該 基於固態的微波源110可適於在以915MHz為頻率中心的頻率範圍內進行發射，該頻率範圍 例如為875-955MHz，或者可也使用任何其它的適當頻率範圍(或帶寬)。本發明例如可應 用於具有915MHz、2450MHz、5800MHz和22. 125GHz的中頻的標準源。另一種可選方式是，微 波源110可以是頻率可調的磁控管，例如文獻GB2425415中披露的磁控管。
根據本發明，腔體150被設計以便支持至少兩種預定模式或模場(在下文中僅被稱作模式)。對於每種預定模式而言，腔體150中的諧振頻率是已知的。在工作過程中，已 知諧振頻率被用作用於確定被傳輸至腔體150的頻率的基準值，即被用作用於確定微波源 IIO的工作頻率的基準值。 進一步地，微波爐100包括用於測量，或者適於測量，從腔體150反射的信號的測 量單元(或器件)162，所述反射信號與微波源110的工作頻率呈函數關係。被傳輸至腔體 的微波可被裝載物吸收、被腔體的元件吸收或者被腔體中存在的其它物體吸收、或者從腔 體(或饋送埠 )反射回來。由測量單元162測得的反射信號代表了從腔體150反射的輻 射。例如，切換裝置160可包括用於測量從饋送埠 120反射的微波功率的測量單元162。 這種測量的結果隨後被傳輸至控制器件或單元180 (下文會對其進行更詳細地描述)，所述 控制器件或單元使用該測量結果控制由微波源110產生的微波的頻率(即控制微波源110 的工作頻率)。實際上，如果與腔體150之間並未實現完美聯接的話，則一些微波功率將通 過饋送埠 120被反射回來，被反射進入傳輸線130內。對是否與腔體150之間存在令人 滿意的聯接進行控制的一種有利且因此優選的方式是，測量從饋送埠 120反射的功率， 這例如是在切換裝置160處進行的。應該意識到在饋送埠處反射的信號水平可取決於 被傳輸的微波的頻率。圖2示出了如何在設置了一個饋送埠 120的情況下進行這種測量 的優選實例，所述饋送埠包括位於水平面中的狹槽183。定向聯接器181被布置在與位於 狹槽183上方的傳輸線130相鄰的位置處，所述傳輸線位於所述狹槽上遊。定向聯接器181 的存在形式為與傳輸線130平行地延伸穿過一定距離的線路，所述一定距離與傳輸線130 中的波導的波長的四分之一相對應。因此將藉助於該定向聯接器181檢測到在狹槽183上 遊傳播的潛在微波功率，且隨後可通過已公知的方式測量該功率。 另一種可選方式是，或除了上述方式以外，為了直接測量腔體中的諧振，測量單元 162可以是探針，所述探針包括位於其末端處的用於感測從腔體反射的信號的場傳感器。這 種探針適當地可用於腔體的設計階段中。 測量單元162可被整合為控制單元180中的子單元，或者被布置為被連接至控制 單元180的獨立單元。 進一步地，微波爐100包括用於控制微波源110且由此控制被傳輸進入腔體150 內的微波的性質(如頻率和功率)的控制單元180。控制單元180被連接至微波源110和 測量單元162，從而使得微波源110使其頻率掃過可允許的帶寬且測量單元162測量從腔體 150反射的信號。控制單元180適於基於由測量單元162測得的信號來識別腔體150中的 諧振頻率。就這方面而言，識別出的諧振頻率是與測得的信號中的反射率最小值相對應的 頻率。特別是，控制單元180可適於識別出反射率最小值低於預定值(或閾值)的那些諧 振頻率。使用閾值的有利之處在於控制單元180減去了其中一些反射率最小值，由此減少 了需要進一步分析的反射率最小值數量。 控制單元180進一步適於基於已知諧振頻率從識別出的諧振頻率中選出與腔體 150的預定模式相對應的至少兩個頻率。例如，控制單元180可適於基於已知諧振頻率從識 別出的諧振頻率中選出與腔體150的預定模式中的每種模式相對應的至少一個頻率。
在第一種其它可選方式中，控制單元180可適於通過將識別出的諧振頻率與預定 模式的已知諧振頻率進行對比的方式來選擇頻率。如果識別出的諧振頻率對應於其中一個 已知諧振頻率，則可獲得處在該識別出的諧振頻率下的其中一種預定模式，即與該已知諧
9振頻率相對應的模式。然而，如果用於預定模式的該已知諧振頻率是在空腔的情況下確定 得出的話，則由於腔體中裝載物的存在會導致模式圖像產生扭曲，因此在已知諧振頻率值 與識別頻率值之間會出現不匹配的情況。進一步地，與頻率呈函數關係的反射信號還可取 決於裝載物的狀態(或狀況)，即，如果裝載物產生變化的話，則不會在同樣的頻率下觀察 到反射率最小值。因此，對於特定的預定模式而言，在識別出的諧振頻率與已知諧振頻率之 間可能存在一定程度的差異(不匹配)。在識別出的諧振頻率下觀察到的所產生的預定模 式是扭曲的(扭曲模式)。 在第二種其它可選方式中，控制單元180可適於通過使識別出的諧振頻率與代表 預定模式的已知諧振頻率的頻率間隔相匹配的方式來選擇與該預定模式相對應的頻率。作 為一個實例，如果腔體被設計以便支持當腔體為空腔時處在2460GHz的已知諧振頻率下的 模式的話，則在腔體中布置了裝載物的情況下，對於該腔體而言，識別出的例如為2459GHz 的諧振頻率很可能就與該模式是對應的，但產生了某種程度上的扭曲。相似地，如果腔體被 設計以便支持在腔體中布置了典型裝載物的情況下處在2460GHz的已知諧振頻率下的模 式的話，則對於該腔體和處於不同狀態下的該裝載物而言，處在例如2459GHz下的諧振頻 率可能就與該模式是對應的，但產生了扭曲。下面還將結合圖10-圖15對這種扭曲和由於 裝載物變化帶來的效應進行進一步說明。因此，對於被設計以便支持處在2460GHz的已知 諧振頻率下的模式的這種腔體而言，控制單元可適於在由測量單元162測得的反射信號中 在2455-2465GHz的頻率間隔內搜索諧振頻率。 拉制單元180進一步適於利用選出的頻率切換微波源110的工作頻率。因此，在 被分成多個時間段的工作周期中，被傳輸至腔體150的微波頻率可根據不同的時間段產生 變化。根據一個實施例，控制單元180適於基於預定烹飪功能和/或預定裝載物選擇頻率。 為此目的，微波爐100可設有如圖1中的附圖標記190所示的常用按鈕和旋鈕以便設定例 如烹飪功能和裝載物類型等工作參數，且設有顯示器195。控制單元180有利地適於在導致 產生了互補加熱圖像的所選出的頻率之間進行切換。 有利地，腔體被設計以便支持有限數量的模式，從而使得腔體中的諧振頻率，或反 射信號中的反射率最小值，被很好地分離開來。實現充分的頻率分離是有利的，原因在於這 有利於識別出測得的信號中的諧振頻率或模式。通常情況下，如果腔體尺度(即尺寸)增 加的話，則反射率最小值之間的頻率分離程度就會下降。在某一點上，即對於具有相對較大 尺寸的腔體而言，反射率最小值之間接近到使它們合併在一起的程度且在測得的信號中進 行諧振頻率的識別也變得較為困難。因此，本發明優選可應用於較小尺寸的腔體，該腔體例 如具有標準飯盒的尺寸大小，且典型的裝載物重量範圍為350g。然而，本發明也可應用於包 括這樣的腔體的微波爐，該腔體被設計以便支持任意數量的模場。下面將結合圖4-圖8和 圖9-圖15對其中的兩種典型腔體尺度進行描述。總的說來，本發明可應用於包括這樣的 腔體的微波爐，該腔體被設計以便支持至少兩種預定模場。 腔體150中可用模場的數量和/或類型取決於腔體150的設計。腔體150的設計 包括腔體150的物理尺寸和腔體150中的饋送埠 120的位置。在帶坐標系(x、y、z)的圖 中，腔體150的尺寸大體上由附圖標記h、 d和w表示，它們分別代表高度、深度和寬度。腔 體被設計以使其支持至少兩種模式(即，腔體尺寸不算太小)且使得模場的總數量保持在 有限程度上以便確保在這些模式之間存在充分的頻率分離(即，以便避免不同模式之間的反射率最小值出現合併，或至少將這種合併降至最低限度)。 饋送埠 120原則上可被布置在腔體150的任何壁部處。然而，對預定模式而言， 饋送埠通常有其最優位置。例如，饋送埠 120可被設置在腔體150的側壁或頂壁處，例 如圖1所示。進一步地，本發明可以設想使用一個以上饋送埠的實施方式。在這種構型 中，可使用第一饋送埠將處於第一頻率下的微波饋送進入腔體150內，同時可使用第二 饋送埠將處於第二頻率下的微波饋送進入腔體150內。還可基於所產生的加熱圖像選擇 與特定頻率相對應的饋送埠 。 通常情況下，在工作循環開始時通過測量單元162測量反射信號，且根據上述方 式選擇用於進行切換的頻率。然而，還可設想的是測量單元162適於連續地或周期性地監 控從腔體150反射的信號，以便動態地(即在工作周期中)選擇用於進行切換的頻率。測 量單元162可適於在由微波源110發送了脈衝之後測量從腔體150反射的信號。為了使與 工作周期相關的測量或者使工作周期內的測量實現同步，微波爐可進一步包括時鐘系統。
圖3以框圖的形式進一步示出了本發明的微波爐的總體功能。發生器IIO將微波 饋送至腔體150。通過測量單元162測量從腔體150反射的信號並將測得的信號傳輸至控 制單元180。控制單元180可包括用於對測得的信號進行分析的處理器185，且控制單元可 提取(或識別)出與反射率最小值相對應的諧振頻率。控制單元180進一步包括用於存儲 已知諧振頻率的存儲介質186。處理器180可使用該已知諧振頻率從所述提取或識別出的 諧振頻率中選出兩個或多個頻率來控制微波源110。如上所述，本發明的基本認識是如何在 測得的信號中從多個頻率中選出與反射率最小值相對應的頻率。隨後可根據算法對微波源 110的工作頻率進行調節，其中在工作周期中，在第一時間段T1內，微波源IIO在第一頻率 F1下工作，且在第二時間段T2內，微波源在第二頻率F2下工作。除了測得的反射以外，算 法參數的最優還可能取決於使用者給出的參數。如上所述，控制單元180還可包括時鐘系 統187。 下面將對支持有限數量的模式的腔體150的設計進行描述。 在充氣的腔體中，基於用於計算眾數諧振頻率的公式，等式l，來計算腔體尺寸 其中n是寬度尺寸的眾數指數(mode index) ，m是深度尺寸的眾數指數，p是高度 尺寸的眾數指數，在例如圖1所示的(x、 y、 z)坐標系中，w、 d和h分別是沿方向x、方向y 和方向z的腔體寬度、腔體深度和腔體高度，且c是真空中的光速。眾數指數表示腔體尺寸 中的半波長數量。 對於支持至少兩種預定模式的腔體設計而言，即對於具有兩個已知諧振頻率的腔 體而言，對其中一個腔體尺寸進行了賦值。在本實例中，寬度w的賦值為0. 280m。腔體被選 擇以便支持處在2. 410GHz的第一頻率下的第一模式和處在2. 485GHz的第二頻率下的第二 模式。這兩個選出的頻率還被稱作第一已知頻率和第二已知頻率。應該意識到本實施例 中使用的寬度w的值和諧振頻率的值僅是多種可能的值中的一些實例，且在本發明的範圍 內還可使用其它值。 通常情況下，該頻率是在允許的頻率帶寬內選擇的，在本實例中是在2.4GHz與 2. 5GHz之間選擇的。所選出的頻率優選具有充分的分離程度，從而使得反射率最小值不會合併。換句話說，所選出的頻率優選使得儘管與這些頻率相對應的模式可能變得扭曲，但 反射率最小值仍保持分離狀態且保持可識別的狀態。下面將結合圖10-圖15對扭曲效應進 行進一步說明。進一步地，所選出的兩個頻率之間的分離又是有限的，從而使得在腔體中存 在裝載物或者在腔體中產生變化或者腔體中布置的裝載物產生變化的情況下，反射率最小 值仍被包括在允許的頻率帶寬內。如果選出的兩個頻率與允許的帶寬的邊界(例如2. 4GHz 和2. 5GHz)離得過近，則會出現這樣的風險，S卩，在腔體中存在裝載物的情況下，相應的模 式將會被識別於這樣的反射率最小值處，該反射率最小值對應於處於允許的帶寬之外的頻 率(例如低於2. 4GHz)。 真空中的光速被認為等於299792458m/s。本發明還為這兩種預定模式選擇了值得 關注的眾數指數。在本實例中，第一模式被選擇為TM411模式，且第二模式被選擇為TM312模 式。這兩種模式還可被分別定義為模式1和模式2，這兩種模式的指數n(寬度)、m(深度) 和P(高度)分別具有以下值 模式1 (用於第一頻率)ni = 4叫=1 ;Pl = 1 ;且
模式2(用於第二頻率)n2 = 3 ;m2 = 1 ;p2 = 2。
隨後可根據等式2計算腔體高度
formula see original document page 12
在本實例中，腔體高度因而等於O. 169m 隨後可根據等式3計算腔體深度
formula see original document page 12 (等式2)formula see original document page 12

(等式3)
在本實例中，腔體深度因而等於0. 228m。
儘管上面的實例基於具有由笛卡爾坐標限定出的矩形包封表面的腔體，但應該意 識到該諧振條件還可應用於由柱面坐標或球面坐標限定出的包封表面。
進一步地，已經通過經驗觀察到了用於腔體設計的以下條件
(mi X p2)2 > (m2 X Pl)2 (等式4) 參見圖4-圖8，圖中示出了在具有上述設計(或尺寸)的腔體中實施的模擬試 驗的結果。腔體150被認為是裝滿空氣的空腔，具有矩形幾何形狀，寬度為280mm、深度為 228mm且高度為169mm。在理論上，對於TM411模式而言，該腔體至少在2410MHz下產生諧振， 對於TM^模式而言，該腔體至少在2485MHz下產生諧振。在本實施例中，微波源IIO被認為 是理想的點狀源(即，饋送埠 120的位置在本實例中並不重要)。當該點狀(集總)源在 腔體中驅動諧振時，從該源獲取的電流處於最小限度下。圖4a的曲線圖示出了從腔體反射的信號與採用所謂有限差分探測法(Finite Difference probing)而通過數值研究獲得的 頻率之間的函數關係。如圖4a所示，獲得了與預定模式的已知諧振頻率非常接近的諧振頻 率，即在2408. 5MHz(曲線中的第一反射率最小值U的頻率下和2481. 3MHz(曲線中的第 三反射率最小值U的頻率下產生了諧振。此外，還在2412.7MHz(曲線中的第二反射率 最小值U的頻率下觀察到了諧振。因此，在本實例中，控制單元將在對應於Rm^的頻率 與對應於Rmin3的頻率之間切換微波頻率，原因在於這些頻率與兩種預定模式是相對應的。
圖5-圖8示出了當利用處在2408. 5MHz和2481. 3MHz的頻率下的正弦波形對根 據上述設計的腔體進行激勵時的場圖。 圖5a和圖5b示出了微波爐腔體的水平剖面中的場圖(垂直電場)，腔體尺寸為 280X228X169mm，模式為TM祖，激勵頻率為2408. 5MHz。圖5a示出了腔體中的場圖的三維 (3D)視圖，而圖5b示出了該場圖在(x、y)平面中的二維(2D)視圖。圖中示出了對於在腔 體中產生的模式TM411而言的垂直電場幅度。具有較大幅度的區域51沿x方向大體上對稱 地分布，這些區域被具有較小幅度的區域52分開。在這些區域51、52之間，幅度的變化是 連續的。應該意識到模式TM411沿x方向呈現出電場的四個最大值(maximum)。
圖6a和圖6b示出了對於上述同一腔體而言，該腔體的垂直剖面中的場圖(垂直 電場)，模式為TM411 ，激勵頻率為2408. 5MHz 。圖6a示出了腔體中的場圖的3D視圖，而圖6b 示出了該場圖在(y、z)平面中的2D視圖。圖中示出了對於在腔體中產生的模式TM^而言 的垂直電場幅度。具有較大幅度的區域61沿z方向大體上對稱地分布，這些區域被具有較 小幅度的區域62分開。在這些區域61、62之間，幅度的變化是連續的。應該意識到模式 TM411沿z方向呈現出電場的兩個最大值。 圖7a和圖7b示出了對於上述同一腔體而言，該腔體的水平剖面中的場圖(垂直 電場)，模式為TM^，激勵頻率為2481. 3MHz。圖7a示出了腔體中的場圖的3D視圖，而圖7b 示出了該場圖在(x、y)平面中的2D視圖。圖中示出了對於在腔體中產生的模式TM^而言 的垂直電場幅度。具有較大幅度的區域71沿z方向大體上對稱地分布，這些區域被具有較 小幅度的區域72分開。在這些區域71、72之間，幅度的變化是連續的。應該意識到模式 TM312沿x方向呈現出電場的三個最大值。 圖8a和圖8b示出了對於上述同一腔體而言，該腔體的垂直剖面中的場圖(垂直 電場)，模式為TM312，激勵頻率為2481. 3MHz。圖8a示出了腔體中的場圖的3D視圖，而圖8b 示出了該場圖在(y、z)平面中的2D視圖。圖中示出了對於在腔體中產生的模式TM^而言 的垂直電場幅度。具有較大幅度的區域81沿z方向大體上對稱地分布，這些區域被具有較 小幅度的區域82分開。在這些區域81、82之間，幅度的變化是連續的。應該意識到模式 TM312沿z方向呈現出電場的三個最大值。 圖5-圖8所示的場圖清楚地表明具有上述設計(尺寸為280 X 228 X 169mm)和 預定模式(處在約2480MHz下的TM312模式處在約2410MHz下的TM411模式)的腔體提供了 互補的加熱圖像，由此導致產生了均勻的加熱。該腔體被設計以使得第一模式中的冷點或 冷區域(例如區域52和62)對應於第二模式中的熱點(例如區域71和81)，且反之亦然。
再次參見圖l，例如對於測試新設計的腔體而言，微波爐可進一步包括一排IR傳 感器200以便測量被置於腔體中的裝載物的溫度分布。
參見圖9_圖15，圖中示出了本發明的另一實施例。
13
圖9示出了已經利用上面結合等式1-等式4所述的方法設計出來的腔體950。在 本實施例中，腔體950具有280mm的寬度w、214mm的深度d和175mm的高度h。腔體設有兩個 獨立的孔或饋送埠以便將微波饋送進入腔體內。腔體被設計以便支持處在接近2410MHz 的第一頻率下的第一模式TM411和處在接近2450MHz的第二頻率下的第二模式TM312。第一 饋送埠 920a或頂部波導(z = h)被置於包封表面上，且位於半寬度(x = w/2)和半深度 (y = d/2)處，而第二饋送埠 920b被置於包封表面上的側壁處(當打開腔體的門時的左 手側，x = 0)，且位於半高度(z = h/2)和半深度(y = d/2)處，例如圖9所示。在本實例 中，與傳播方向垂直的波導尺寸為80X10mm。應該意識到腔體中饋送埠的位置並不限 於本實例中的位置，且饋送埠可位於腔體中的不同位置處。 儘管本實施例的腔體包括兩個獨立的饋送埠，但應該意識到本發明並不限於 這種實施例，且包括單個饋送埠或者兩個以上饋送埠的腔體同樣處在本發明的範圍 內。 用於特定模式的饋送埠優選被置於與該場的最大值相對應的位置處。 進一步地，在本實例中，覆蓋該剖面一半的解凍裝載物(e = 4-j2)被設定位於腔
體底面上方10mm的位置處。 現在將對結合圖9所述的腔體950中的兩種預定模式的所產生的場和加熱圖像進 行描述。 圖10示出了腔體950的水平剖面中的場圖(電場)，模式為TM^，激勵頻率為約 2410MHz。與空腔的模式圖像(參見圖5-圖8)的形式相比，被布置在腔體950中的裝載物 導致模式圖像產生了扭曲。如圖所示，該模式圖像在某種程度上產生了扭曲，且因此，具有 較大幅度的區域101和具有相比較而言較小幅度的區域102看起來不同於空腔的情況。將 圖10所示的場圖與圖5b所示的長度進行對比就可以清楚地表明場圖中的扭曲所產生的效 應。圖11示出了水平平面中的電場(加熱圖像)的幅度，該水平平面與裝載物(e =4_j2) 的上側或上表面處在同一水平高度下，在本實例中該水平平面處於圖9所示腔體的底平面 上方且與該底平面之間的距離為10mm加上裝載物高度。 圖12示出了腔體950的水平剖面中的在某種程度上產生了扭曲的場圖(電場)， 模式為TM^，激勵頻率為約2450MHz。如同TM411模式那樣，與空腔的模式圖像的形式相比， 被布置在腔體950中的裝載物導致模式圖像產生了扭曲。可將圖12所示的場圖與例如圖 7b所示的場圖進行對比來表明場圖中的扭曲所產生的效應。具有較大幅度的區域實例由 121表示且具有相比較而言較小幅度的區域實例由122表示。圖13示出了水平平面中的電 場(加熱圖像)的幅度，該水平平面與裝載物"=4-j2)的上側或上表面處在同一水平 高度下，在本實例中該水平平面處於圖9所示腔體的底平面上方且與該底平面之間的距離 為10mm加上裝載物高度。 可以看到，圖IO和圖12所示的加熱圖像是相對互補的。因此，通過在如圖10和圖 12所示的兩種模場或加熱圖像之間進行切換，即通過在與這兩種模式相對應的頻率之間進 行切換，可在腔體中獲得場的"假擬旋轉"，由此導致產生了相當均勻的加熱均勻性。應該意 識到實現均勻加熱還可能需要對於兩種諧振而言獲得相當等同的匹配度。在上述實例中， 並未考慮腔體與極短的假想波導之間的匹配情況。下面將對該匹配進行更詳細地描述。
如果對於該實例中所考慮的裝載物，即e = 4-j2的裝載物(例如凍肉末)，而言的兩種饋送波導是匹配的，則反射特性例如變為圖4b所示的那種特性。
圖4b示出了對於從頂部孔920a進行激勵的模式TM411而言的反射特性(圖4b中 的虛線)和對於從位於腔體950中的側壁處的孔920b進行激勵的模式TM312而言的反射特 性(圖4b中的實線)，且通過在每個波導中引入調諧元件的方式實現了饋送波導的匹配。 對於與頂部孔920a相對應的反射特性而言，識別出的反射率最小值處於約2410MHz的頻率 下，這對應於TM411模式。對於與側壁孔920b相對應的反射特性而言，識別出的反射率最小 值處於約2450MHz的頻率下，這對應於TM312模式。調諧元件(例如電容型心)是一種伸出 的物體，朝向波導凸出，這改變了波導或傳輸線的局部阻抗。 正如上面所述，裝載物由於其介電性質而將改變腔體的電尺寸。介電常數越高，則 這種改變將越大。因此，在設計過程中，對於典型的預期裝載物而言，即對於例如典型的冰 箱冷凍食品部分的有效介電性質而言，需要對一個或多個饋送系統進行調諧。在該過程中， 理論腔體尺寸還可根據以下等式按比例略微縮小
formula see original document page 15等式5
formula see original document page 15 等式6
formula see original document page 15 等式7 其中0《《p《y、Kl且《ply和^與裝載物的介電性質呈函數關係。通 常情況下，僅考慮腔體高度的變化就足夠了，即，僅限定l,就足夠了。在上述等式中，X^、 Y^和Z^分別代表新的或按比例縮小的腔體尺寸值，即寬度、深度和高度(例如參見圖1)，
且XtheOTy、 YtheOTy和ZtheOTy分別為腔體的寬度、深度和高度的理論計算值。 為了說明裝載物變化產生的效應，圖14和圖15示出了腔體的場圖，在所述腔體中 布置了這樣的裝載物，該裝載物的介電常數高於結合圖10-圖13所示的介電常數。在本實 例中，具有例如40-j 8的介電常數的裝載物，即用於重新加熱的一些典型食品，被布置在 腔體950中。圖14和圖15示出了在腔體的水平剖面中的，當分別用TM祖模式和TM^模式 對腔體進行激勵時，在裝載物的上表面處獲得的加熱圖像。將圖14所示場圖與圖15所示 場圖進行對比可以看出對於介電數據與典型的再熱食品裝載物相似的裝載物而言，也可 獲得互補的加熱圖像。 再次參見圖4a，裝載物(或裝載物的介電常數)產生的變化將導致反射率最小值 產生頻率偏移。通常情況下，裝載物的介電常數e取決於裝載物的本質，例如食品類型，和 /或裝載物的狀態(液體而非固體，或相反)。 進一步地，有利地使用閾值來限制將要由處理器分析的反射率最小值的數量。如 圖4a中的點源(假想)電流與頻率的函數關係圖所示，可使用閾值T1來消除或濾掉第二反 射率最小值Rm^，該第二反射率最小值並不對應於其中一種預定模式。在本實例中，儘管在 測得的信號中存在三個反射率最小值，但處理器僅對兩個反射率最小值進行識別和處理。
通常情況下，參見上述實例，在腔體設計過程中選擇的優選模場是導致產生了互 補加熱圖像的模場，由此改善了均勻加熱。 圖16概略性地示出了根據本發明的方法1600的總體步驟。方法1600是在適於 接收裝載物的腔體150中實施的。該腔體被設計以便支持至少兩種預定模式。對於每種預 定模式而言，腔體中的諧振頻率是已知的。該方法因此包括提供適於接收裝載物的腔體的 步驟1610。該腔體適於支持至少兩種模式，與所述至少兩種模式分別相對應的諧振頻率是已知的。進一步地，在步驟1620中提供頻率可控的微波源以便藉助於至少一個饋送埠將 微波饋送進入腔體內。該方法進一步包括步驟1630，該步驟對從腔體反射的信號進行測量， 所述信號與由微波源產生的微波的頻率(即，該微波源的工作頻率)呈函數關係。在步驟 1640中，基於該測得的信號對腔體中的諧振頻率進行識別。在步驟1650中，對於預定模式 而言，基於已知諧振頻率從識別出的諧振頻率中選出至少兩個頻率。隨後，在步驟1660中， 利用選出的頻率切換微波源的工作頻率。 根據一個實施例，控制單元180適於對所選出的用於在工作周期中進行切換的頻 率的序列順序進行調節。例如，如果選出四個頻率F1、F2、F3和F4，則可優選根據與這四個 頻率相關聯的相應的加熱圖像或預定模式，以序列順序(F4、F2、F1、F3)而不是以序列順序 (Fl、 F2、 F3、 F4)對微波源110進行工作。由於腔體被設計用於預定且眾所周知的模式，因 此可易於通過控制單元180確定最優的序列順序。 進一步地，控制單元180可適於調節處在用於進行切換的頻率中的每個頻率下的 工作時間和/或輸出功率水平。例如，如果反射信號與頻率的曲線圖表明分別對於兩個反 射水平Rl和R2而言在兩個頻率Fl和F2處出現了兩個反射率最小值，則可優選在頻率Fl 和F2下調節微波源110的工作時間和/或輸出功率水平，以便確保實現與Rl和R2之比呈 函數關係的均勻加熱。例如，如果Rl低於R2，則可優選使微波源110在第一頻率Fl下具有 比在第二頻率F2下更高的工作功率水平和/或更長的工作時間段。 如上所述，最優參數(序列順序、工作時間和輸出功率水平)還可能取決於由使用 者輸入的預定烹飪功能和/或預定裝載物類型。 有利地，控制單元180的存儲介質186被實施為查閱表，在所述查閱表中，在已知 諧振頻率與預定烹飪功能之間和/或在已知諧振頻率與預定裝載物之間建立起了對應關 系。 本發明可應用於利用微波進行加熱的家用器具如微波爐上。本發明的特定應用實 例是旨在對飯盒(重量範圍為350g的裝載物)進行加熱的微波爐，即具有相對較小容量的 微波爐。上面描述的本發明的方法還可被實施為電腦程式，當執行該程序時，該程序會在 微波爐中實施本發明的方法。可例如對該電腦程式進行下載升級並將其載入已經包括頻 率可控的微波源如固態微波源的微波爐內。 儘管已經描述了特定實施例，但所屬領域技術人員應該理解可在由所附權利要 求書限定的範圍內設想出多種變型和變化。 例如，儘管申請中描述了具有矩形剖面的腔體，但本發明還可設想被實施於可由 任何套組的正交曲線坐標限定的腔體中，該正交曲線坐標例如為柱面坐標或球面坐標。
1權利要求
一種微波爐(100)，所述微波爐包括腔體(150)，所述腔體適於接收將要被加熱的裝載物，所述腔體被設計以便支持至少兩種預定模式，其中，對於每種預定模式而言，所述腔體中的諧振頻率是已知的；頻率可控的微波源(110)，所述微波源被連接至所述腔體以便經由至少一個饋送埠(120)將微波饋送至所述腔體；適於測量從所述腔體反射的信號的測量單元(162)，所述信號與所述微波源的工作頻率呈函數關係；和控制單元(180)，所述控制單元被連接至所述微波源且適於基於所述測得的信號識別所述腔體中的諧振頻率；基於所述已知諧振頻率從所述識別出的諧振頻率中選出用於所述預定模式的至少兩個諧振頻率；並且用所述選出的頻率切換所述微波源的工作頻率。
2. 根據權利要求1所述的微波爐，其中所述控制單元適於通過將所述識別出的諧振頻率與預定模式的所述已知諧振頻率進行比較的方式選出用於所述預定模式的諧振頻率。
3. 根據權利要求1或2所述的微波爐，其中所述控制單元適於通過使所述識別出的諧振頻率與代表預定模式的所述已知諧振頻率的頻率間隔相匹配的方式選出用於所述預定模式的諧振頻率。
4. 根據前述權利要求中任一項所述的微波爐，其中所述識別出的諧振頻率是與所述測得的信號中的反射率最小值相對應的頻率。
5. 根據前述權利要求中任一項所述的微波爐，其中所述控制單元適於識別出反射率最小值低於預定值的那些諧振頻率。
6. 根據前述權利要求中任一項所述的微波爐，其中所述控制單元適於基於預定烹飪功能和/或預定裝載物選擇所述用於進行切換的頻率。
7. 根據前述權利要求中任一項所述的微波爐，其中所述控制單元適於選擇導致產生了互補加熱圖像的頻率。
8. 根據前述權利要求中任一項所述的微波爐，其中所述腔體具有被布置以便在所述腔體中激勵出互補模式的兩個或更多個饋送埠。
9. 根據前述權利要求中任一項所述的微波爐，所述微波爐進一步包括用於存儲所述已知諧振頻率和/或代表所述已知諧振頻率的所述頻率間隔的存儲介質(186)。
10. 根據權利要求9所述的微波爐，其中所述存儲介質被實施為查閱表，在所述查閱表中，在所述已知諧振頻率與預定烹飪功能之間或者在所述已知諧振頻率與預定裝載物之間建立起了對應關係。
11. 根據前述權利要求中任一項所述的微波爐，其中所述控制單元進一步適於在工作周期中調節用於對所述腔體進行饋送的所述選出的頻率的序列順序。
12. 根據前述權利要求中任一項所述的微波爐，其中所述控制單元進一步適於調節在用於對所述腔體進行饋送的所述頻率中的每個頻率下的工作時間。
13. 根據前述權利要求中任一項所述的微波爐，其中所述控制單元進一步適於調節在用於對所述腔體進行饋送的所述頻率中的每個頻率下的所述微波源的輸出功率水平。
14. 根據前述權利要求中任一項所述的微波爐，其中所述微波源是基於固態的微波發生器，所述微波發生器包括半導體元件。
15. 用微波對裝載物進行加熱的方法，所述方法包括以下步驟提供適於接收所述裝載物的腔體的步驟(1610)，所述腔體被設計以便支持至少兩種預定模式，其中，對於每種預定模式而言，所述腔體中的諧振頻率是已知的；提供頻率可控的微波源以便經由至少一個饋送埠將微波饋送進入所述腔體內的步驟(1620);測量從所述腔體反射的信號的步驟(1630)，所述信號與所述微波源的工作頻率呈函數關係；基於所述測得的信號識別所述腔體中的諧振頻率的步驟(1640);基於所述已知諧振頻率從所述識別出的諧振頻率中選出用於所述預定模式的至少兩個諧振頻率的步驟(1650);以及用所述選出的頻率切換所述微波源的所述工作頻率的步驟(1660)。
16. —種可被載入微波爐(100)內的電腦程式產品，所述電腦程式產品包括用於導致所述微波爐的處理器件執行根據權利要求15所述的測量步驟、識別步驟、選擇步驟和切換步驟的軟體編碼部分。
全文摘要
本發明涉及微波爐預定模式切換。一種用微波加熱裝載物的微波爐和方法。所述微波爐包括適於接收裝載物的腔體。所述腔體被設計以支持至少兩種預定模場。對於每種預定模場而言，已知所述腔體中的諧振頻率。所述微波爐還包括用以經由至少一個饋送埠將微波饋送進腔體內的頻率可控的微波源。所述方法包括測量從所述腔體反射的信號的步驟和基於測得信號識別所述腔體中的諧振頻率的步驟，所述信號是微波源的工作頻率的函數。所述方法還包括基於已知諧振頻率從所述識別出的諧振頻率中選出用於所述預定模式的至少兩個諧振頻率的步驟，和用所述選出的頻率切換所述微波源的工作頻率的步驟。本發明的優點在於使得能夠對腔體中的所述裝載物進行均勻加熱。
文檔編號H05B6/64GK101749757SQ200910262468
公開日2010年6月23日 申請日期2009年12月18日 優先權日2008年12月19日
發明者F·霍爾格倫, H·卡爾森, O·尼克拉森, U·諾德賀 申請人:惠而浦有限公司