半導體樹脂模塑用脫模膜的製作方法

2023-05-23 06:32:16 2

專利名稱：：半導體樹脂模塑用脫模膜的製作方法
技術領域：
：本發明涉及半導體樹脂模塑用脫模膜，特別涉及可降低模具汙染的半導體樹脂模塑用脫模膜。
背景技術：
：通常，為了將半導體元件(晶片)從外部環境(外界氣體、汙染物質、光、磁、高頻波、衝擊等)中保護、隔離起來，用樹脂(模塑樹脂)將其密封，以將晶片收容於內部的半導體封裝的形態安裝在基板上。代表性的是通過傳遞成形而形成的半導體封裝，傳遞成形是指將環氧樹脂等熱固性樹脂(模塑樹脂)加熱熔融後，移送至安裝了半導體晶片的模具內，使其填充、固化。在模塑樹脂中添加固化劑、固化促進劑、填充劑等的同時，為確保成形的封裝從模具中的順暢的脫模性，還添加了脫模劑。另一方面，隨著人們對半導體封裝的大幅度的生產性提高的需求，存在樹脂附著在模具上、需要頻繁地清洗汙染的模具，和對應於大型封裝而採用低收縮性密封樹脂時、即使通過添加脫模劑也無法得到足夠的脫模性等的問題，因此，開發了使用樹脂模塑用脫模膜(以下稱為"脫模膜")的技術，並取得了一定的成果(例如，參照專利文獻13等)，該技術是在以脫模膜被覆模具的樹脂成形部(模腔面)的狀態下將樹脂注入模具內，藉此在不使密封樹脂與模具的模腔面直接接觸的情況下形成半導體封裝。然而，最近，用於半導體元件的封裝的模塑樹脂為應對環境問題，逐漸變更為非滷化模塑樹脂，此外，為應對半導體的細間距化(finepitch)、薄型化、疊層晶片封裝化及LED等，模塑樹脂的低粘度化和液態樹脂化更進了一層。因此，在半導體元件的樹脂模塑工序中，來自高溫環境下的熔融模塑樹脂的氣體和低粘度物質的發生量增大，透過上述模塑用脫模膜的氣體和低粘度物質與高溫的模具接觸，模具汙染更為嚴重。此外，脫模膜的被覆是用真空使該膜吸附支持在模具面上來進行的，但是膜中的低聚物(oligomer)等揮發性成分可能會移動至上述被吸附的模具側，引起模具汙染。即使是在上述使用脫模膜的情況下，安裝膜的一側的模具也容易被汙染，此外，一旦發生了汙染，就會產生為了其洗淨而不得不停止半導體的模塑工序，使半導體的生產效率下降的問題。另外，從該角度來看，上述專利文獻12中記載了為減少透過的汙染物質，在脫模膜的一面(與模具面接觸的面)形成金屬或金屬氧化物的蒸鍍層的技術方案。然而，該金屬蒸鍍層等是直接與模具面物理性地接觸來使用的，金屬粉末等易從膜表面或膜的切面上剝離，其在半導體樹脂模塑工序中的使用受到限制。此外，專利文獻12中用二氧化碳氣體的透過率規定了脫模膜的氣體透過性，但其作為評價來自樹脂等的低粘度物質等的透過性的指標並不妥當。另外，雖然脫模膜被要求與模塑樹脂間具有較高的脫模性，但對於上述脫模膜，存在未就這些問題作任何考慮，脫模性不足的問題。此外，使用凹凸較大的形狀的模具時，在樹脂密封前使脫模膜真空吸附在模具上的時候，該脫模膜被要求具有模具隨動性，模具隨動性是指可跟隨模具的該凹凸充分延伸至與其對應的周長。專利文獻1:日本專利特開2002-361643號公報(專利權利要求的範圍(權利要求1權利要求3)，(0002)(0028))專利文獻2:日本專利特開2004-79566號公報(專利權利要求的範圍(權利要求1權利要求3)(0002)〔0015))專利文獻3:日本專利特開2001-250838號公報(專利權利要求的範圍(權利要求16)〔0002〕(0032〕)發明的揭示本發明的目的是提供基於上述背景被強烈要求開發的，與以往相比氣體透過性顯著較低，且由模塑樹脂導致的模具汙染非常少的脫模膜。此外，本發明的目的是通過氣體透過率來規定可有效地抑制該模具汙染的脫模膜所必需的氣體透過性，該氣體透過率與來自作為模具汙染物質的樹脂等的低粘度物質更實際地相對應。本發明的目的還包括提供與模塑樹脂間具有更高的脫模性的脫模膜。藉由本發明，可提供下述具備粘接層的疊層體。(1)氣體屏蔽性半導體樹脂模塑用脫模膜的特徵在於，具有脫模性優良的脫模層(I)、支持該脫模層的塑料支持層(II)和由金屬或金屬氧化物構成的氣體透過抑制層(III)，該氣體透過抑制層(III)形成於該脫模層和支持層之間，且該脫模膜在17(TC下的二甲苯氣體透過性為10—I5(kmol*m/(S'ra2'kPa))以下。(2〕上述(1〕記載的脫模膜中，上述脫模層(I)由氟樹脂形成。〔3〕上述(2〕記載的脫模膜中，上述氟樹脂為乙烯/四氟乙烯系共聚物。(4〕上述〔1)〔3〕中任一項記載的脫模膜中，上述塑料支持層(II)在17CTC下拉伸200%時的拉伸強度為lMPa100MPa。〔5〕上述(1〕(4)中任一項記載的脫模膜中，上述塑料支持層(II)由乙烯/乙烯醇共聚物形成。〔6〕上述(1〕(5〕中任一項記載的脫模膜中，上述氣體透過抑制層(ni)形成於上述塑料支持層(ii)上。〔7〕上述〔1〕(6〕中任一項記載的脫模膜中，上述氣體透過抑制層(ni)是選自氧化鋁、氧化矽及氧化鎂的至少一種的氧化物。〔8)上述(1〕(6)中任一項記載的脫模膜中，上述氣體透過抑制層(III)是選自鋁、錫、鉻及不鏽鋼的至少一種的金屬層。(9)上述(1〕(8)中任一項記載的脫模膜中，在上述氣體透過抑制層(III)上形成樹脂保護層(in')。〔10)上述〔1〕〔9)中任一項記載的脫模膜中，上述脫模膜的至少一面被梨皮加工。利用本發明，可提供與以往相比氣體透過性顯著較低、由模塑樹脂導致的模具汙染非常少的脫模膜。此外，通過氣體透過率來規定可有效地抑制該模具汙染的脫模膜所必需的氣體透過性，該氣體透過率與來自作為模具汙染物質的樹脂等的低粘度物質更實際地相對應。利用本發明，還可提供與模塑樹脂間具有更高的脫模性的脫模膜。此外，本發明的脫模膜可提供模具隨動性優良的脫模膜。所以，通過使用本發明的脫模膜，半導體的樹脂模塑工序中模具的汙染非常少，可大幅減少模具清洗次數，因此能大幅提高半導體元件的樹脂模塑的生產效率。對附圖的簡單說明圖1是表示本發明的氣體屏蔽性脫模膜的層結構的說明圖。圖2是表示本發明的氣體屏蔽性脫模膜的層結構的說明圖。圖3是表示本發明的氣體屏蔽性脫模膜的層結構的說明圖。圖4是表示本發明的氣體屏蔽性脫模膜的層結構的說明圖。圖5是表示本發明的氣體屏蔽性脫模膜的層結構的說明圖。圖6是表示本發明的氣體屏蔽性脫模膜的層結構的說明圖。符號說明1:氣體屏蔽性脫模膜I:脫模層n:塑料支持層HI:金屬氧化物蒸鍍層等氣體屏蔽層(氣體透過抑制層)III':樹脂保護層實施發明的最佳方式下面，詳細說明本發明。本發明的半導體樹脂模塑用脫模膜l如圖l所示，其特徵在於，至少具有層結構，並且其在17(TC下的二甲苯氣體透過性為10—15(kmol*m/(s*m2'kPa))以下，該層結構由脫模性優良的脫模層(i)和支持該脫模層的塑料支持層(n)構成，在該脫模層和支持層之間形成由金屬或金屬氧化物構成的氣體透過抑制層(III)。(脫模層(I))本發明的脫模膜中的脫模層(I)是向半導體元件的被密封面配置，並與注入模具內的模塑樹脂接觸的層，是賦予固化後的模塑樹脂足夠的脫模性的層。作為形成脫模層的樹脂，是對環氧樹脂等模塑樹脂具有脫模性的樹脂即可，無特別限制，但特優選由脫模性優良的氟樹脂形成脫模層。作為氟樹脂，可例舉乙烯/四氟乙烯系共聚物(以下稱為"ETFE"。)、三氟氯乙烯系樹脂(以下稱為"CTFE"。)、聚四氟乙烯(以下稱為"PTFE"。)、偏氟乙烯系樹脂(以下稱為"VdF"。)、氟乙烯系樹脂(以下稱為"VF"。)、四氟乙烯/六氟丙烯系共聚物(以下稱為"FEP"。)、四氟乙烯/全氟(丙基乙烯基醚)系共聚物(以下稱為"PFA"。)、四氟乙烯/偏氟乙烯共聚物以及這些樹脂的複合物等。優選ETFE、PTFE、FEP及PFA，更優選ETFE。此外，ETFE在不損傷賦予脫模性這一本質的特性的範圍內，可含有基於一種以上的其它單體的重複單元。作為其它單體，可例舉丙烯、丁烯等a—烯烴類；以CHfCX(CF丄Y(這裡，X及Y獨立地是氫或氟原子，n為l8的整數。)表示的化合物；偏氟乙烯、氟乙烯、二氟乙烯(DFE)、三氟乙烯(TFE)、五氟丙烯(PFP)、六氟異丁烯(HFIB)等的不飽和基上含有氫原子的氟代鏈烯烴；六氟丙烯(HFP)、三氟氯乙烯(CTFE)、全氟(甲基乙烯基醚)(PMVE)、全氟(乙基乙烯基醚)(PEVE)、全氟(丙基乙烯基醚)(PPVE)、全氟(丁基乙烯基醚)(PBVE)、其它全氟(烷基乙烯基醚)(PAVE)等的不飽和基上不含有氫原子的氟代鏈烯烴。可使用l種或2種以上的這些其它單體。本發明的脫模膜l中，如圖1所示，脫模層(I)被具有必要的剛性的塑料支持層(II)支持，所以脫模層的厚度可以是足以賦予其脫模性的厚度。通常，作為厚度通常為375nm，較好為630nm。另外，圖中(III)是後面詳述的氣體透過抑制層。此外，該脫模膜中，如圖2所示，較好的是為使與支持層(II)相對的、與氣體透過抑制層(III)等層積、粘接的一側的脫模層(I)的表面的粘接性提高，按常規方法進行表面處理。作為表面處理法，可使用其自身公知的空氣中的電暈放電處理、有機化合物存在下的電暈放電處理、有機化合物存在下的等離子體放電處理、由惰性氣體、聚合性不飽和化合物氣體及烴氧化物氣體組成的混合氣體中的放電處理等，特優選空氣中的電暈放電處理。(塑料支持層(II))本發明的脫模膜中的塑料支持層(II)是層積脫模層(I)、支持它、賦予脫模膜必要的剛性和強度的層。此外，通過將脫模層(I)層積於該支持層上，可減少高價的ETFE等的使用量。作為形成上述塑料支持層(II)的樹脂，無特別限制，用於一般的脫模膜的樹脂的任一種均可使用，例如作為可使用的樹脂，可例舉聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯等聚酯樹脂，6—尼龍、6，6—尼龍、12—尼龍等聚醯胺，聚醯亞胺、聚醯胺醯亞胺、高密度聚乙烯、聚丙烯等聚烯烴、丙烯酸樹脂，聚碳酸酯、聚醚碸、聚醚醯亞胺、聚苯硫醚、乙烯/乙烯醇共聚物等。其中，優選聚酯樹脂，更優選聚對苯二甲酸乙二酯。此外，它們以是拉伸的膜或未拉伸的膜。此外，塑料支持層(II)在17(TC下拉伸200%時的拉伸強度較好為lMPa10MPa。如果該支持層的強度較之過大，則脫模膜的伸長不充分，因此在使用凹凸較大的形狀的模具時等的情況下，在被真空吸附的脫模膜與模具之間產生空隙，成為脫模膜斷裂和樹脂洩漏的主要原因。此外，如果強度較之小，則會成為由塑料支持層的厚度、也由密封樹脂壓力等導致塑料支持層的樹脂滲出至脫模膜外而汙染裝置的主要原因。如果塑料支持層具有上述規定的拉伸強度，則脫模膜在高溫下柔軟，對凹凸較大的形狀的模具的模具隨動性優良，因而較好。如上所述，像凹凸較大的形狀的模具等那樣對脫模膜特別要求模具隨動性時，作為塑料支持層(n)，較好的是由乙烯/乙烯醇共聚物等樹脂構成。構成塑料支持層(II)的塑料膜或塑料片的厚度無特別限制，但通常為13OOum，較好為6200wm，更好為10100um左右。(由金屬或金屬氧化物構成的氣體透過抑制層(in))例如如圖l所示，本發明的脫模膜的特徵在於，在脫模層(I)與塑料支持層(n)之間形成由金屬或金屬氧化物構成的氣體透過抑制層(ni)。作為形成氣體透過抑制層(in)的金屬，例如可例舉鋁、錫、鉻及不鏽鋼等；此外，作為金屬氧化物，可例舉氧化鋁、氧化矽、氧化鎂、氧化鋯等。其中，優選氧化鋁、氧化矽、氧化鎂，更優選氧化鋁、氧化矽。由上述金屬氧化物形成氣體透過抑制層時，脫模膜的氣體屏蔽性優良，半導體樹脂模塑工序中的模具汙染顯著減少，因而較佳。形成由這些金屬氧化物構成的氣體透過抑制層(III)時，較為理想的是例如如圖2所示，在作為塑料支持層(n)的塑料膜上，通過真空蒸鍍、濺射(sputtering)、化學氣相蒸鍍(CVD)、離子鍍(ionplating)等常規的薄膜形成方法形成，將作為脫模層(I)的ETFE系樹脂膜等，較好的是用介以粘接劑的乾式層壓(drylaminate)、熱固化、UV固化等方法粘接於其上，層積而製成脫模f。此外，也可以將鋁等金屬箔千式層壓於支持層上。由金屬氧化物構成的氣體透過抑制層(III)的厚度通常為1100mn，較好為550nm，更好為1030nm。如果該厚度較之薄，則氣體透過抑制效果無法充分地體現，而以超過其的厚度也無法體現出更好的氣體抑制效果，此外，作為脫模膜的操作(handling)性變差，因而不佳。(樹脂保護層(nr))本發明的脫模膜中，在由金屬或金屬氧化物構成的氣體透過抑制層(ni)上形成用於保護其不受外部衝擊等的影響的樹脂保護層(nr)也是優選形態。作為該樹脂保護層(in'),是可如圖3所示，在形成於作為塑料支持層(iI)的塑料膜上的氣體透過抑制層(III)上，通過塗布、印刷、浸漬(dipping)等的塗覆(coating)方法形成的樹脂保護層即可，無特別限制，例如作為優選的樹脂可例舉三聚氰胺樹脂、丙烯酸系樹脂、聚偏二氯乙烯、乙烯一乙烯醇系樹脂及聚乙烯醇系樹脂等樹脂。其中，更優選三聚氰胺樹脂或丙烯酸系樹脂，最優選三聚氰胺樹脂。另外，根據情況的不同也可以用非晶質碳形成樹脂保護層(nr)。該樹脂保護層(in')的厚度通常為11500nm，較好為101000rnn，更好為50400nm左右。(二甲苯氣體透過性)本發明的脫模膜是170。C下的二甲苯氣體透過性為10—15(kmol*m/(S'm2*kPa))以下的氣體屏蔽性半導體樹脂模塑用脫模膜。本來，脫模膜的氣體透過性較好的是作為低粘度物質等對該膜的透過性進行評價，該低粘度物質來自作為模塑樹脂的環氧樹脂等。以往，如前述專利文獻1及專利文獻2所記載，通過二氧化碳氣體的膜透過性進行評價，但是該低粘度物質與二氧化碳氣體作為化學物質有很大的差異，相關性不能說充分。本發明者發現，與此相對，二甲苯蒸氣(氣體)在17(TC下的膜透過性可與來自環氧樹脂等的物質的氣體透過性良好地關聯。S口，發現二甲苯氣體的透過係數是從環氧樹脂等半導體樹脂模塑樹脂中產生的有機物的屏蔽性的良好的指標，該值越小，就表示半導體樹脂模塑工序中的模具汙染越少。並且發現，本發明中，通過將脫模膜的氣體透過性設為特定的值，具體地說，通過將170。C下二甲苯氣體的透過性設為10—15(kmolm/(sm2kPa))以下、較好為5X10—，kmol'm/(s'm、kPa))以下，模具的汙染性明顯減少。本發明的脫模膜的氣體透過性如後述實施例所述，是用透過率測定膜(試樣膜)將上部容器和下部容器的連通口(開口面)封閉，將二甲苯氣體導入保持於17(TC的上部容器，使二甲苯氣體通過該試樣膜向保持真空的下部容器透過，測定透過的該二甲苯氣體的濃度(壓力)隨時間的變化，從該穩定狀態下的壓力變化，作為17(TC環境下的二甲苯氣體透過係數算出的。(脫模膜的層結構)本發明的脫模膜可以是如下的膜基本結構是圖l所示的由脫模層(I)/氣體透過抑制層(III)/塑料支持層(II)構成的層結構，但也可以是圖3所示的由脫模層(i)/樹脂保護層(in')/氣體透過抑制層(III)/塑料支持層(II)構成的層結構；圖4所示的由脫模層(I)/氣體透過抑制層(III)/塑料支持層(II)/脫模層(I)構成的層結構；或圖5所示的由脫模層(I)/樹脂保護層(III')/氣體透過抑制層(ni)/塑料支持層(n)/脫模層(i)構成的層結構；還有圖6所示的由脫模層(i)/氣體透過抑制層(in)/塑料支持層(ii)/氣體透過抑制層(ni)/脫模層(i)構成的層結構。此外，氣體透過抑制層(ni)和樹脂保護層(nr)可層積數層，此時在塑料支持層(ii)上面有樹脂保護層(in')，在其上面可重複地層積氣體透過抑制層(in)和樹脂保護層(nr)。在任一層結構中，脫模層(i)與透過抑制層(ni)、或是脫模層(i)與樹脂保護層(ni')之間可以有粘接層。作為形成該粘接層的粘接劑，例如可以是異氰酸酯系、聚氨酯系、聚酯系等的任一種。該粘接層換算成幹膜厚較好的是在0.15um的範圍內，更好的是在0.22um的範圍內。此外，層積的順序無特別限制，但較好的是例如如圖2所示，在塑料支持層(II)上用真空蒸鍍等方法形成氣體透過抑制層(III)，然後層積脫模層(I)。此時，同樣較好的是如圖3所示，在氣體透過抑制層(ni)上進一步形成樹脂保護層(nr)，然後層積脫模層(i)。此外，本發明的脫模膜在使用時吸附於模具面，因此為減少脫模膜的成分向模具面的轉移，在靠近模具面的一側也可以具有氣體透過抑制層(in)。(各層厚度)如果要對本發明的氣體屏蔽性脫模膜的各層的厚度進行總體地描述，則各層的厚度為脫模層(I)的厚度通常為375um，較好為630um。塑料支持層(II)的厚度通常為1300"m，較好為6200nm，更好為10100nm。形成於塑料支持層(II)上的氣體透過抑制層(III)的厚度通常為1100nm，較好為550nm，更好為1030nm。形成於氣體透過抑制層(III)等上的樹脂保護層(III')的厚度通常為11500nm，較好為101000nm，更好為50400nm左右。(梨皮形成)可對本發明的脫模膜中作為表面層的脫模層(I)及塑料支持層(II)進行梨皮加工。進行梨皮加工時的表面層的表面的算術表面粗糙度較好的是在0.013.5um的範圍內，更好的是在0.152.5ixm的範圍內。如果表面粗糙度在該範圍內，則可防止成形品的外觀缺陷，在使原材料利用率提高的同時，使標記於成形品上的批號的視覺辨認度提高的效果也優良。(模塑)在半導體元件的樹脂模塑工序中，本發明的半導體模塑用脫模膜自身可與以往的脫模膜一樣地使用。即，在成形模具內的指定位置上設置要模塑的半導體元件和本發明的脫模膜，合模後用真空吸引使該脫模膜吸附於模具面，將模塑樹脂在半導體元件與被覆模具面的半導體模塑用脫模膜之間注射成形即可。固化後的模塑樹脂與本發明的脫模膜可容易地脫模。實施例下面，例舉實施例對本發明作具體說明，但本發明的技術範圍不限定於此。另外，二甲苯氣體的透過係數是以如下方法測定的。〔二甲苯氣體透過係數(kmolm/(sm2kPa))的測定方法)以JISK7126—1987為基準用差壓法測定。這裡，試驗溫度為170°C，試樣氣體為二甲苯氣體，高壓側壓力為5kPa，試樣膜的透過面直徑為50mm。將二甲苯氣體導入保持於17(TC的上部容器，介以透過率測定膜(試樣膜)使二甲苯氣體向保持真空的下部容器透過，測定透過的該二甲苯氣體的濃度(壓力)隨時間的變化，從該穩定狀態下的壓力變化算出17(TC環境下的二甲苯氣體透過係數。(實施例1〕(1)使用厚12um的ETFE膜(旭硝子社制，商品名FluonETFE)作為脫模層(I)。另外，為提高粘接性，對該ETFE膜的一面(與支持層相對的面(粘接面))以40Wmin/m2的放電量進行電暈放電處理。此外，準備一種膜(凸版印刷社制，商品名GX膜(GXfilm))，該膜是將12pm的聚對苯二甲酸乙二酯膜作為塑料支持層(II)，在其一面上蒸鍍作為金屬氧化物的氧化鋁，形成氣體透過抑制層(III)，然後通過塗覆在其上形成樹脂保護層(nr)。(2)在上述膜(GX膜)的樹脂保護層(in')面上，以換算成幹膜厚度0.4um的厚度塗布聚酯系粘接劑(旭硝子社制，商品名AG—9014A),使其乾燥，如圖3所示與相對的脫模層(i)一起進行乾式層壓，得到層結構((i)/(nr)/(nD/(n))的脫模膜(以下稱為"脫模膜i"。)。(3)對所得脫模膜1，以上述方法測定17(TC環境下的二甲苯氣體透過係數。結果如表i所示。(4)以下述方法測定上述所得的脫模膜1對模塑用環氧樹脂的脫模性。即，將裁成口字形狀的厚度0.l鵬的Al作為框架(間隔物(印acer))設置在脫模膜1與作為柔性印刷基板的基板材料的KAPTON膜(聚醯亞胺膜，杜邦公司商標)(對照膜)之間，將半導體用模塑用環氧樹脂注入該A1框架內。用175r環境下的平板壓機加壓，通過該模塑用環氧樹脂將脫模膜1與KAPT0N膜粘接。(這裡，以脫模膜1的脫模層(I)與環氧樹脂相接觸的狀態配置。)將該粘接了半導體用模塑用樹脂的脫模膜l切斷成寬25mm的長方形，一邊剝離其端部，一邊進行其與半導體模塑樹脂的180°剝離試驗，測定脫模強度。結果如表l所示。(5)將未模塑基板安裝在175t:環境下的傳遞成形的下模具上，將脫模膜1真空吸附在上模具上後，閉合上下模具，將半導體模塑用環氧樹脂在7MPa、90sec的條件下進行傳遞成形。在上述條件下反覆進行模注射(moldshot)，以目測檢測模具的汙染，結果即使重複2000次以上也無法觀察到模具汙染。(比較例l)(1)將厚50um的單體ETFE膜(旭硝子社制，商品名FluonETFE)直接作為脫模膜樣品(以下稱為"脫模膜2"。)用於試驗。(2)除用該脫模膜2替代上述脫模膜1夕卜，與實施例l相同算出17(TC環境下的二甲苯氣體透過係數，此外，與實施例1相同進行180。剝離試驗。結果如表1所示。(3)還與實施例1相同，用脫模膜2反覆進行模注射，結果不到2000次時模具汙染就變得顯著。(實施例2〕(1)除使用12um的乙烯/乙烯醇共聚物(可樂麗(kuraray)社制，商品名evalEF—F)作為塑料支持層(II)，使用在其一面上濺射10nm作為金屬的鋁、形成氣體透過抑制層(in)的膜，未形成樹脂保護層(nr)外，與實施例l相同得到脫模膜(以下稱為"脫模膜3"。)。(2)對脫模膜3，與實施例相同算出17(TC環境下的二甲苯氣體透過係數，此外，與實施例1相同用180。剝離試驗測定剝離強度。脫模膜3的二甲苯氣體透過係數為1X10—16(kmol'm/(S.m2*kPa))，由180°剝離試驗得到的脫模強度為0(N/m)。結果如表l所示。(3)還與實施例1相同，用脫模膜3反覆進行模注射，結果即使重複模注射2000次以上也未觀察到模具汙染。(4)將具有凹部的模具保持在17(TC，使脫模膜3真空吸附在該模具凹部上，結果可知，該脫模膜與模具之間幾乎沒有空隙，與實施例l相同，模具隨動性優良。tableseeoriginaldocumentpage13從表1的實施例1及2，以及比較例l的結果可知，本發明的脫模膜l及3不僅如其180。剝離試驗(N/cm)所示，是與半導體模塑用環氧樹脂的脫模性極優的脫模膜，而且其二甲苯氣體透過係數為8X10—17(kmolm/(sm2kPa))，或為1X10—16(kmol'm/(s.m、kPa))，比起本發明規定的值足夠地小。因此該結果表示，在使用該脫模膜1及3的傳遞成形試驗中，任何一個都表現出即使重複2000次以上也未觀察到模具汙染的優良的效果。與此相對，將ETFE膜自身作為脫模膜2使用時，雖然脫模性優良，但其二甲苯氣體透過係數為1X10—14(kmoltii/(s*m2*kPa))，比本發明規定的值差，擔心通過該膜的環氧樹脂成分向模具透過。和預想的一樣，在使用該脫模膜2的傳遞成形試驗中，重複不到2000次時模具汙染就變得顯著。產業上利用的可能性利用本發明，可提供與以往相比氣體透過性顯著較低、由模塑樹脂導致的模具汙染非常少的脫模膜，此外，可提供具有對模塑樹脂的脫模性的脫模膜。所以，通過使用本發明的氣體屏蔽性脫模膜，半導體的樹脂模塑工序中模具的汙染非常少，可顯著減少模具清洗次數，能使半導體元件的樹脂模塑的生產效率大幅提高，因此產業上利用的可能性極大。本發明的脫模膜特別適用於半導體樹脂模塑用途，除此之外，也能用於各種需要脫模性的用途。這裡引用2006年4月25日提出申請的日本專利申請2006-120573號、以及2006年7月12日提出申請的日本專利申請2006-191872號的說明書、權利要求書、附圖以及摘要的全部內容作為本發明的說明書的揭示。權利要求1.氣體屏蔽性半導體樹脂模塑用脫模膜，其特徵在於，具有脫模性優良的脫模層(I)、支持該脫模層的塑料支持層(II)和由金屬或金屬氧化物構成的氣體透過抑制層(III)，該氣體透過抑制層(III)形成於該脫模層和支持層之間，且所述脫模膜在170℃下的二甲苯氣體透過性為10-15(kmol·m/(s·m2·kPa))以下。2.如權利要求l所述的脫模膜，其特徵在於，所述脫模層(I)由氟樹脂形成。3.如權利要求2所述的脫模膜，其特徵在於，所述氟樹脂為乙烯/四氟乙烯系共聚物。4.如權利要求13中任一項所述的脫模膜，其特徵在於，所述塑料支持層(II)在17(TC下拉伸200%時的拉伸強度為lMPa100MPa。5.如權利要求14中任一項所述的脫模膜，其特徵在於，所述塑料支持層(II)由乙烯/乙烯醇共聚物形成。6.如權利要求15中任一項所述的脫模膜，其特徵在於，所述氣體透過抑制層(III)形成於所述塑料支持層(II)上。7.如權利要求16中任一項所述的脫模膜，其特徵在於，所述氣體透過抑制層(ni)是選自氧化鋁、氧化矽及氧化鎂的至少一種的氧化物層。8.如權利要求16中任一項所述的脫模膜，其特徵在於，所述氣體透過抑制層(III)是選自鋁、錫、鉻及不鏽鋼中的至少一種的金屬層。9.如權利要求18中任一項所述的脫模膜，其特徵在於，在所述氣體透過抑制層(in)上形成樹脂保護層(in')。10.如權利要求19中任一項所述的脫模膜，其特徵在於，所述脫模膜的至少一面被梨皮加工。全文摘要本發明提供氣體透過性顯著較低，由模塑樹脂導致的模具汙染非常少，具有高脫模性的脫模膜。它是氣體屏蔽性半導體樹脂模塑用脫模膜，其特徵在於，具有脫模性優良的脫模層(I)、支持該脫模層的塑料支持層(II)和由金屬或金屬氧化物構成的氣體透過抑制層(III)，該氣體透過抑制層(III)形成於該脫模層和支持層之間，且該脫模膜在170℃下的二甲苯氣體透過性為10-15(kmol·m/(s·m2·kPa))以下。脫模層(I)較好的是由乙烯/四氟乙烯系共聚物等氟樹脂形成，此外作為金屬氧化物層，較好的是氧化鋁、氧化矽或氧化鎂等的氧化物層。文檔編號B29C33/56GK101427358SQ20078001409公開日2009年5月6日申請日期2007年4月20日優先權日2006年4月25日發明者奧屋珠生,有賀廣志,樋口義明申請人:旭硝子株式會社