碳化矽晶體和製造碳化矽晶體的方法

2023-05-13 00:38:16 2

專利名稱：碳化矽晶體和製造碳化矽晶體的方法
技術領域：
本發明涉及碳化矽晶體(SiC)和製造SiC晶體的方法。
背景技術：
SiC晶體具有大的能帶隙，並具有最大擊穿電場和大於矽(Si)的熱導率，且SiC晶體具有與Si —樣高的載流子遷移率，並且電子飽和漂移速度和擊穿電壓也高。因此，期望將其用於要求獲得更高效率、更高擊穿電壓和更大容量的半導體器件中。在這種半導體器件中使用的SiC晶體利用表示氣相生長法的升華法進行製造，如日本特開2005-008473號公報(專利文獻1)、日本特開2005-314217號公報(專利文獻2) 等中公開的。專利文獻1公開了通過將雜質氮濃度不高於50ppm的石墨坩堝用於生長SiC晶體而使生長的SiC晶體中的氮濃度降低。專利文獻2公開了一種通過使用硼濃度不高於 0. Ilppm的碳原料和硼濃度不高於0. OOlppm的矽原料來生長SiC晶體的方法。引文列表專利文獻專利文獻1 日本特開2005-008473號公報專利文獻2 日本特開2005-314217號公報

發明內容
技術問題本發明人注意到，將研磨用SiC粉末(下文中也稱為GC(綠色碳化矽))用作用於生長SiC晶體的原料。該GC含有大量雜質如鋁(Al)和鐵(Fe)，且難以將雜質如Al和!^e 從GC中除去。因此，在上述專利文獻1的製造方法中，使用GC作為原料在生長的SiC晶體中導致高雜質濃度。同時，在上述專利文獻2的製造方法中，儘管硼雜質濃度低，但是使用 GC原料作為原料在生長的SiC晶體中導致高濃度的雜質如Al和狗。當在生長的SiC晶體中的雜質如Al和!^e的濃度高時，品質因這些雜質而下降。考慮到上述問題製造了本發明，本發明的目的是提供一種能夠抑制品質下降的 SiC晶體和製造SiC晶體的方法。解決問題的手段根據本發明的SiC晶體的!^e濃度不高於0. Ippm,且其Al濃度不高於lOOppm。本發明人對如下進行了專注研究應降低SiC晶體中的!^e和Al雜質的濃度範圍以減小由雜質導致的對品質的影響。結果，本發明人發現，通過將狗和Al降低至上述範圍， 可減小對於SiC晶體的品質的影響。因此，根據本發明的SiC晶體，可以實現抑制了品質下降的SiC晶體。在上述SiC晶體中，優選地，微管密度不高於ΙΟ/cm2。在上述SiC晶體中，優選地， 蝕坑密度不高於10000/cm2。
為了改善SiC晶體的品質，本發明人進行了專心研究，結果成功實現了微管密度和蝕坑密度的至少一種處於上述範圍的SiC晶體。隨後，本發明人還發現，如果微管密度和蝕坑密度的至少一種處於上述範圍，則可以將SiC晶體適當地用於半導體器件。因此，通過使用其中微管密度和蝕坑密度的至少一種處於上述範圍的SiC晶體，可以提高半導體器件的品質。根據本發明的製造SiC晶體的方法包括以下步驟。準備研磨用SiC粉末(GC)作為第一原料。通過利用加熱使該第一原料升華，並析出SiC晶體，從而生長第一 SiC晶體。 通過粉碎所述第一 SiC晶體而形成第二原料。通過利用加熱使所述第二原料升華，並析出 SiC晶體，從而生長第二 SiC晶體。本發明人注意到了作為用於製造SiC晶體的起始原料的GC，並進行了專心研究以提高通過利用GC製造的SiC晶體的品質。結果，本發明人想到，通過將利用第一原料生長的第一 SiC晶體粉碎以製造第二原料，並通過利用所述第二原料以生長第二 SiC晶體，與第一 SiC晶體相比，所述第二 SiC晶體可含有較少的雜質如！^和Al。基於這種觀點，本發明使用通過將利用GC作為第一原料而生長的第一 SiC晶體粉碎而獲得的材料作為第二原料， 即使使用GC作為起始原料，也可以由此降低第二 SiC晶體中的雜質濃度。由此，可抑制在製造的SiC晶體中由雜質導致的品質下降。在上述製造SiC晶體的方法中，優選地，在形成第二原料的步驟中，將所述第二原料形成為在不小於1 μ m且不大於3mm的範圍內存在粒度分布的多個峰，且在所述粒度分布的每一個峰的中心開始至其士50%的範圍內存在95%以上的顆粒。為了進一步提高生長的晶體的品質，本發明人進行了專心研究。結果，本發明人注意到了第二原料的粒度分布並完成了上述發明。通過實現如上的第二原料的粒度分布，可以提高坩堝中第二原料的填充率。由此，可以低成本製造第二SiC晶體。此外，可降低對第二原料的升華氣體的濃度的影響，並可有效降低通過利用第二原料而生長的第二 SiC晶體的微管密度、蝕坑密度等。由此，可進一步減少生長的SiC晶體的品質下降。在上述製造SiC晶體的方法中，優選地，在形成第二原料的步驟中，形成的所述第二原料的狗濃度不高於0. Ippm,且其Al濃度不高於lOOppm。由此，可製造!^e濃度不高於0. Ippm且Al濃度不高於IOOppm的SiC晶體。在上述製造SiC晶體的方法中，所述形成第二原料的步驟優選包括用酸性溶液清洗經粉碎的第一 SiC晶體的步驟。因此，可有效地除去第一 SiC晶體中的重金屬如Fe。由此可進一步降低製造的SiC 晶體中的雜質濃度。上述製造SiC晶體的方法優選進一步包括通過粉碎所述第二 SiC晶體而形成第三原料的步驟；以及通過利用加熱使所述第三原料升華，並析出SiC晶體，從而生長第三 SiC晶體的步驟。本發明人想到，通過使用將生長的晶體粉碎而獲得的材料作為原料並生長SiC晶體，可降低在生長的SiC晶體中的雜質濃度。因此，通過重複通過使用將生長的SiC晶體粉碎而獲得的材料作為原料來生長SiC晶體的步驟，可逐漸降低在生長的SiC晶體中的雜質濃度。因此，通過將通過使用將生長的晶體粉碎而獲得的材料作為原料來生長SiC晶體的步驟重複三次以上，可進一步抑制製造的SiC晶體的品質下降。
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發明效果根據本發明的SiC晶體和製造SiC晶體的方法，可抑制由雜質導致的品質下降。


圖1是示意性示出本發明實施方式的SiC晶體的透視圖。圖2是示意性示出本發明實施方式的製造SiC晶體的方法的橫截面圖。圖3是示意性示出本發明實施方式的製造SiC晶體的方法的橫截面圖。圖4是用於說明本發明實施方式中第二原料的粒度分布的圖。圖5是示意性示出本發明實施方式的製造SiC晶體的方法的橫截面圖。圖6是示意性示出本發明實施方式的製造SiC晶體的方法的橫截面圖。
具體實施例方式下面將參考附圖描述本發明的實施方式。在以下附圖中，對相同或相應的部分分配相同的標號，並不再對其進行重複描述。圖1是示意性示出本發明實施方式的SiC晶體10的透視圖。首先，參考圖1描述本發明的一個實施方式中的SiC晶體10。如圖1所示，SiC晶體10是例如具有圓形平面形狀的襯底。SiC晶體10含有的!^e 濃度不高於0. Ippm,且Al濃度不高於lOOppm。然而，從易於實現的觀點來看，更低濃度的 Fe和Al是優選的，Fe濃度例如為不低於0. 002ppm, Al濃度為例如0. 02ppm。當由此降低 Fe和Al濃度時，可以有效地抑制微管密度或蝕坑密度的增加，也可以有效地抑制電阻率的變化。Fe和Al的濃度是例如利用ICP-AES測定的值。SiC晶體10的微管密度優選不高於10/cm2，且更優選不高於2/cm2。微管密度是例如通過利用諾馬斯基相差幹涉顯微鏡，由在500°C下在氫氧化鉀(KOH)熔體中浸漬1至10 分鐘而蝕刻的表面中計數的貫通中空缺陷數確定的值。SiC晶體10的蝕坑密度優選不高於10000/cm2，且更優選不高於9300/cm2。蝕坑密度是例如通過利用諾馬斯基相差幹涉顯微鏡，由在500°C下在KOH熔體中浸漬1至10分鐘而蝕刻的表面中計數的蝕坑數確定的值。SiC晶體10優選為單晶。儘管SiC晶體10的多型不受特別的限制，但是例如優選為 4H-SiC。接下來，參考圖1至6來描述本實施方式中的製造SiC晶體10的方法。在實施方式中，利用升華法製造SiC晶體10。應注意，圖2、3、5和6各自為示意性示出本實施方式的製造SiC晶體的方法的橫截面圖。圖4是用於說明本實施方式中第二原料的粒度分布的圖。首先，參考圖2等描述SiC晶體製造裝置的主要構造。所述製造裝置包含坩堝101 和用於加熱坩堝101的加熱部(未示出)。將加熱部設置在例如坩堝101的外周。在本實施方式中，坩堝101具有用於保持原料的下部和用作用於保持原料的下部的蓋的上部。坩堝101例如由石墨製成。儘管製造裝置可包含除上述之外的各種要素，但是為了便於描述，不再提供這些要素的描述和說明。
如圖2中所示，準備了研磨用SiC粉末(GC)以作為第一原料17。例如，可使用市售的GC。將準備的第一原料17置於坩堝101中的下部中。隨後，如圖3所示，通過利用加熱使第一原料17升華，並從第一原料17的氣體中析出而生長第一 SiC晶體11。在通過使用GC作為原料來生長第一 SiC晶體11時，優選不設置晶種襯底。具體地，在第一原料17發生升華的溫度下，利用加熱部對第一原料17進行加熱。 作為這種加熱的結果，第一原料17升華並生成升華氣體。該升華氣體在設定在低於第一原料17的溫度的坩堝101中，即在坩堝101中的上部中，在與第一原料相對的位置處再次固化。作為生長溫度的實例，例如，將第一原料17保持在2000°C至3000°C的溫度下，將與第一原料17相對的位置保持在1900°C至2200°C的溫度，即低於第一原料17的溫度下。 此外，優選將坩堝101中的環境壓力保持為400託以下。因此，在與第一原料17相對的位置處生長第一 SiC晶體11。由此生長的第一 SiC晶體11例如為多晶。通過將第一原料17的溫度設定為2000°C以上，可提高第一 SiC晶體11的生長速度。通過將第一原料17的溫度設定為3000°C以下，可抑制坩堝101的損傷。儘管在生長期間，可以將生長溫度保持在恆定溫度下，然而在生長期間在特定速度下其也可發生變化。此外，通過將坩堝101中的環境壓力設定為400託以下，可提高生長速度。隨後，通過粉碎第一 SiC晶體11而形成第二原料12 (見圖幻。在該步驟中，例如， 實施以下操作。具體地，將坩堝101的內部冷卻至室溫。隨後，從坩堝101中取出生長的第一 SiC晶體11。例如使用粉碎機將該第一 SiC晶體11粉碎。應注意，粉碎方法不受特別限制。在該步驟中，如圖4中所示，優選將第二原料12形成為在不小於1 μ m且不大於 3mm的範圍內存在粒度分布的多個峰(圖4中，A、B和C三個峰)，且在粒度分布峰A、B和 C的各個中心A1、B1和Cl開始至其士50%的範圍內存在95%以上的顆粒。由於粒度分布峰A、B和C的中心Al、Bl和Cl不小於1 μ m且不大於3mm，且在粒度分布峰A、B和C的各個中心A1、B1和Cl開始至其士50%的範圍內存在95%以上的顆粒，因此，當利用第二原料 12填充坩堝101時，可提高填充率。因此，縮短了通過利用該第二原料12來生長第二 SiC 晶體14的生長時間，且可以抑制對於在生長期間升華的第二原料12的氣體濃度的影響。因此，可以提高通過利用該第二原料12生長的第二 SiC晶體14的品質。從這種觀點來看，優選將第二原料12形成為最小粒度峰A的中心Al存在於不小於1 μ m且不大於100 μ m的範圍內，最大粒度峰C的中心Cl存在於不小於200 μ m且不大於3mm的範圍內。類似地，優選進一步將第二原料12形成為其峰A包含不小於10重量％ 且不大於50重量％的顆粒，峰C包含不小於30重量％且不大於80重量％的顆粒，且剩餘的表示其他峰(圖4中，峰B)。這裡，「粒度分布峰A、B和C的各個中心A1、B1和Cl開始至其士50%的範圍內存在95%以上的顆粒」是指在相對於中心Al、Bl和Cl的粒度分別為150%粒度的A2、B2和 C2與相對於中心A1、B1和Cl的粒度分別為50%粒度的A3、B3和C3之間存在第二原料12 的全部顆粒的95%以上。應注意，粒度分布峰的數目可以是2、或4以上。此外，上述「粒度分布」是例如根據JIS R6001 1998測定的值。
儘管形成具有如上粒度分布的第二原料12的方法不受特別限制，但是第二原料 12可通過例如粉碎第一 SiC晶體11，並隨後進行選擇以獲得上述範圍內的粒度分布而形成。應注意，第二原料12可通過粉碎第一 SiC晶體11以具有如上粒度分布而形成。此外，在粉碎第一 SiC晶體11之後，優選用酸性溶液清洗經粉碎的第一 SiC晶體。 儘管酸性溶液不受特別限制，但是優選使用王水。通過使用酸性溶液，尤其是王水，可除去在粉碎期間附著至第一 SiC晶體11的重金屬如Fe。此外，進一步優選利用例如鹽酸進行清洗。如上形成的第二原料12優選包含的!^e濃度不高於0. Ippm,且其Al濃度不高於 IOOppm0此外，將如上形成的第二原料12置於坩堝101中的下部中。隨後，如圖5中所示，將晶種襯底13設置在坩堝101的上部中，從而與坩堝101中的第二原料12相對。晶種襯底13的主表面可以為圓形或四邊形。儘管用於晶種襯底13 的材料不受特別限制，但是從提高生長的第二 SiC晶體14的品質的觀點來看，優選SiC襯底，更優選與生長的多型體(結晶多型)相同的材料，這意味著，例如，在期望生長的SiC晶體是4H-SiC的情況下，晶種襯底13也是4H-SiC。應注意，該步驟可省略。隨後，如圖6中所示，通過利用加熱使第二原料12升華，並從第二原料12的氣體中析出而生長第二 SiC晶體14。在本實施方式中，在晶種襯底13上生長第二 SiC晶體14。 第二 SiC晶體14優選為單晶。由於生長第二 SiC晶體14的方法與生長第一 SiC晶體11 的方法基本上相同，因此不再對其進行重複描述。隨後，將坩堝101的內部冷卻至室溫。然後，從坩堝101中取出包含晶種襯底13 和第二 SiC晶體14的錠。可以將該錠用作圖1所示的SiC晶體10。S卩，圖1中的SiC晶體 10可通過如下製造通過使用第一原料17以生長第一 SiC晶體11 ；通過粉碎第一 SiC晶體 11以形成第二原料12 ；並通過使用第二原料12以生長第二 SiC晶體14。為了進一步減少SiC晶體10中的雜質，優選重複上述步驟。即，優選進一步實施通過粉碎第二 SiC晶體14而形成第三原料的步驟、通過加熱使第三原料升華並從第三原料的氣體中析出以生長第三SiC晶體的步驟。循環一次該步驟可將雜質減少例如約10%。當重複上述步驟時，降低了在生長的SiC晶體10中的雜質濃度，然而從製造優選用於半導體器件的SiC晶體的觀點來看，優選重複上述步驟，直至生長的SiC晶體中的!^e 濃度不高於0. Ippm且其中的Al濃度不高於lOOppm。此外，為了可靠地製造這種SiC晶體，進一步優選通過如下來製造SiC晶體重複上述步驟直至可以製造其中狗濃度不高於 0. Ippm且Al濃度不高於IOOppm的原料，並通過使用該原料來生長SiC晶體。通過實施上述步驟，可以製造包含晶種襯底和在所述晶種襯底上形成的SiC晶體的錠。可將該錠用作圖1中所示的SiC晶體10。或者，可通過從所述錠中除去晶種襯底13 而製造圖1中所示的SiC晶體10。在除去的情況下，可以僅除去晶種襯底13，或者可以除去晶種襯底13以及生長的SiC晶體的一部分。除去方法不受特別限制，且可以使用例如機械除去法如切割、研削和劈開。切割是指例如通過使用線狀鋸至少將晶種襯底13從錠中機械除去。研削是指通過使磨石在旋轉的同時接觸表面，從而在厚度方向上進行研削。劈開是指沿晶體晶格面將晶體分離。應注意，可以使用化學除去法如蝕刻。在所製造的SiC晶體10具有大厚度的情況下，圖1中所示的SiC晶體10可通過從生長的SiC晶體中切割多個SiC晶體片而製造。在這種情況下，可以降低用於製造一片 SiC晶體10的成本。之後，根據需要，可通過研削、研磨等將SiC晶體的一個表面或相反表面平坦化。如上所述，本實施方式中的製造SiC晶體10的方法包括準備研磨用SiC粉末作為第一原料17的步驟；通過利用加熱使所述第一原料17升華，並析出SiC晶體，從而生長第一 SiC晶體11的步驟；通過粉碎所述第一 SiC晶體11而形成第二原料12的步驟；以及通過利用加熱使所述第二原料12升華，並析出SiC晶體，從而生長第二 SiC晶體14的步驟。本發明人想到，通過粉碎利用第一原料17生長的第一 SiC晶體11以製造第二原料12、並通過利用第二原料12來生長第二 SiC晶體14，第二 SiC晶體14可含有比第一 SiC 晶體11更少的雜質如狗和Al。根據本實施方式中的製造SiC晶體10的方法，通過使用 GC原料作為第一原料17以生長第一 SiC晶體11，通過粉碎該第一 SiC晶體11以形成第二原料12，並且通過使用第二原料12來生長第二 SiC晶體14。因此，即使利用具有高濃度的 Fe和Al的GC作為起始原料，與第一 SiC晶體11相比，也可以降低第二 SiC晶體14中的雜質濃度。由此，可減少在製造的SiC晶體10中由雜質導致的品質下降。此外，可用於工業製造SiC晶體10的GC是易於獲得的。因此，可以較低的成本製造SiC晶體10。根據本實施方式中的製造SiC晶體10的這種方法，可製造其Fe濃度不高於 0. Ippm且Al濃度不高於IOOppm的SiC晶體10。本發明人對如下進行了專心研究應降低 SiC晶體10中的!^e和Al雜質的濃度範圍以減小由這些雜質導致的對品質的影響。結果， 本發明人發現，通過將狗和Al降低至上述範圍，可減小對SiC晶體10的品質(例如，晶體缺陷如微管或蝕坑)的影響。因此，根據本實施方式中的SiC晶體10，可以抑制品質的下降。實施例在本實施例中，對通過使用GC作為第一原料17以生長第一 SiC晶體11、通過粉碎第一 SiC晶體11以形成第二原料12、並通過使用第二原料12以生長第二 SiC晶體14的效果進行檢驗。(本發明例1)在本發明例1中，基本上根據上述實施方式中製造SiC晶體的方法來製造SiC晶體。具體地，首先，準備一般市售的磨料用GC作為第一原料17。如圖2中所示，將該第一原料設置在坩堝101的下部中，同時在與第一原料17的最外表面相對的坩堝101的蓋中不設置任何物質。隨後，通過利用加熱使第一原料17升華，並從第一原料17的氣體中析出，從而生長第一 SiC晶體11。這裡，將坩堝101的下部、即第一原料17的溫度設定為2300°C，將坩堝101的上部的溫度設定為2000°C，並將坩堝101中的壓力設定為1託。生長的第一 SiC 晶體11為多晶。隨後，粉碎第一 SiC晶體11。通過使用粉碎機實施粉碎。之後，利用王水清洗，並進一步利用鹽酸清洗經粉碎的第一 SiC晶體11。之後，如圖4所示，通過使用經粉碎的第一 SiC晶體11，使得存在三個粒度分布峰A、B和C，最小粒度峰A的中心小於1 μ m,最大粒度
8峰C的中心超過3mm而形成第二原料12。此外，將第二原料12形成為在粒度分布的每一個峰的中心開始至其士50%的範圍內存在95%以上的顆粒。根據JIS R60011998測定第二原料12的粒度分布。將該第二原料12設置在坩堝101中的下部中。隨後，如圖5中所示，準備微管密度為ΙΟ/cm2的4H_SiC以作為晶種襯底13。以與第二原料12相對的方式將該晶種襯底13設置在坩堝101中的上部中。隨後，通過利用加熱使該第二原料12升華，並從第二原料12的氣體中析出，從而生長第二 SiC晶體14。生長第二 SiC晶體14的方法與生長第一 SiC晶體11的方法相同。通過實施上述步驟，製造了本發明例1中的SiC晶體。S卩，採用第二 SiC晶體14 作為本發明例1中的Sic晶體。(本發明例2)本發明例2中的製造SiC晶體的方法與本發明例1中的方法基本相同，然而，不同之處在於，在形成第二原料12的步驟中，形成了其最大粒度峰C的中心不小於200 μ m且不大於3mm的第二原料12。(本發明例3)本發明例3中的製造SiC晶體的方法與本發明例1中的方法基本相同，然而，不同之處在於，在形成第二原料12的步驟中，形成了其最小粒度峰A的中心不小於1 μ m且不大於100 μ m的第二原料12。(本發明例4)本發明例4中的製造SiC晶體的方法與本發明例1中的方法基本相同，然而，不同之處在於，在形成第二原料12的步驟中，形成了其最小粒度峰A的中心不小於1 μ m且不大於100 μ m,且其最大粒度峰C的中心不小於200 μ m且不大於3mm的第二原料12。(比較例1)比較例1中製造SiC晶體的方法與本發明例1中的方法基本相同，然而，不同之處在於，未實施通過粉碎第一 SiC晶體11以形成第二原料的步驟。即，採用第一 SiC晶體11 作為比較例1中的SiC晶體。(評價方法)如下測定本發明例1至4和比較例1中的SiC晶體的Al濃度、!^e濃度、微管密度和蝕坑密度。利用ICP (感應耦合等離子體)-AES (原子發射光譜法)測定Al和!^e濃度。應注意，Al檢測極限為0. 02ppm,且Fe檢測極限為0. 002ppm。微管密度(MPD)基於如下確定在將本發明例1至4和比較例1中的SiC晶體切片以具有與和晶種襯底13接觸的面相距IOmm的面，並在500°C下在KOH熔體中浸漬1至 10分鐘之後，通過利用諾馬斯基相差幹涉顯微鏡計數的在SiC晶體的蝕刻表面中的貫通中空缺陷數。此外，還計算了相對於晶種襯底13的微管密度的在晶種襯底13上生長的SiC 晶體的微管密度(表1中的晶體的MPD/晶種襯底的MPD)。蝕坑密度(EPD)基於如下確定在將本發明例1至4和比較例1中的SiC晶體切片以具有與和晶種襯底13接觸的面相距IOmm的面，並在500°C下在KOH熔體中浸漬1至 10分鐘之後，通過利用諾馬斯基相差幹涉顯微鏡計數的SiC晶體的蝕刻表面中的蝕坑數。下表1示出了這些結果。
權利要求
1.一種碳化矽晶體(10)，其鐵濃度不高於0. lppm，且其鋁濃度不高於lOOppm。
2.根據權利要求1所述的碳化矽晶體(10)，其微管密度不高於10/cm2。
3.根據權利要求1所述的碳化矽晶體(10)，其蝕坑密度不高於10000/cm2。
4.一種製造碳化矽晶體的方法，包括準備研磨用碳化矽粉末作為第一原料(17)的步驟；通過利用加熱使所述第一原料(17)升華，並析出碳化矽晶體，從而生長第一碳化矽晶體(11)的步驟；通過粉碎所述第一碳化矽晶體(11)而形成第二原料(1 的步驟；以及通過利用加熱使所述第二原料(1 升華，並析出碳化矽晶體，從而生長第二碳化矽晶體(14)的步驟。
5.根據權利要求4所述的製造碳化矽晶體的方法，其中在所述形成第二原料(1 的步驟中，將所述第二原料(12)形成為在不小於Iym且不大於3mm的範圍內存在粒度分布的多個峰，且在所述粒度分布的每一個峰的中心開始至其士50%的範圍內存在95%以上的顆粒。
6.根據權利要求4所述的製造碳化矽晶體的方法，其中在所述形成第二原料(1 的步驟中，形成的所述第二原料(12)的鐵濃度不高於0. lppm，且其鋁濃度不高於lOOppm。
7.根據權利要求4所述的製造碳化矽晶體的方法，其中所述形成第二原料(1 的步驟包括用酸性溶液清洗經粉碎的所述第一碳化矽晶體(11)的步驟。
8.根據權利要求4所述的製造碳化矽晶體的方法，進一步包括 通過粉碎所述第二碳化矽晶體(14)而形成第三原料的步驟；以及通過利用加熱使所述第三原料升華，並析出碳化矽晶體，從而生長第三碳化矽晶體的步驟。
全文摘要
本發明公開了一種SiC晶體(10)，其特徵在於，其Fe濃度為0.1ppm以下，且其Al濃度為100ppm以下。本發明還公開了一種製造SiC晶體的方法，包括以下步驟。準備研磨用SiC粉末作為第一原料(17)。利用加熱使所述第一原料(17)升華，並析出SiC晶體，從而生長第一SiC晶體(11)。粉碎所述第一SiC晶體(11)而形成第二原料(12)。通過利用加熱使所述第二原料(12)升華，並析出SiC晶體，從而生長第二SiC晶體(14)。由此可獲得能夠抑制品質下降的SiC晶體和製造SiC晶體的方法。
文檔編號C30B23/06GK102597339SQ201180004389
公開日2012年7月18日 申請日期2011年2月25日 優先權日2010年4月26日
發明者佐佐木信 申請人:住友電氣工業株式會社