反激增壓保護電路的製作方法
2023-05-13 03:20:56 2
反激增壓保護電路的製作方法
【專利摘要】一種反激增壓保護電路，包括電源模塊、變壓模塊、直流整流濾波模塊、開關模塊、控制模塊和反饋模塊，在電路中添加第一穩壓管，且將第一穩壓管與光耦迴路串聯，通過設定合理的第一穩壓參數，能大大拓展光耦迴路中控制晶片TL431的極限使用電壓，當使用電壓大於控制晶片TL431的極限使用電壓時，串聯一個電壓值為使用電壓與控制晶片極限使用電壓的差值的第一穩壓管，即可使電路的使用電壓達到要求，電路簡單可靠，且成本低。
【專利說明】反激增壓保護電路
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及電路保護【技術領域】，特別是涉及一種反激增壓保護電路。
【背景技術】
[0002]反激電路是指電路主開關管導通時，二次側二極體關斷，變壓器儲能；主開關管關斷時，二次側二極體導通，變壓器儲能向負載釋放的電路。
[0003]目前，常用脈寬調製方式進行電源過壓保護，電路中後級電路的電壓反饋到脈寬調製晶片的電壓反饋端，再由脈寬調製晶片將反饋的電壓信號與內部的基準電壓進行比較後，由脈寬調製晶片控制MOS管的導通與斷開。
[0004]後級電路中設置的控制晶片TL431有相應的極限電壓，在反饋模塊中會檢測到不同的電壓值，當遇到檢測到的電壓值大於控制晶片TL431的極限電壓時，通常會採用單獨的電源給TL431供電，以使TL431的電壓滿足被檢測電壓的要求。
[0005]但是，採用單獨的電源給TL431供電增加了電路的複雜程度，增加了成本。
【發明內容】
[0006]基於此，本實用新型在於克服現有技術的缺陷，提供一種電路簡單可靠、成本低的反激增壓保護電路。
[0007]其技術方案如下:
[0008]一種反激增壓保護電路，包括電源模塊、變壓模塊、直流整流濾波模塊、開關模塊、控制模塊和反饋模塊，所述變壓模塊包括輸入繞組和輸出繞組，且所述輸入繞組和輸出繞組相互感應；所述輸入繞組的同名端與所述電源模塊的輸出端連接、所述輸入繞組的異名端與所述開關模塊的輸入端連接，所述控制模塊的輸入端與所述開關模塊的輸出端連接，所述控制模塊的輸出端與開關模塊的控制端連接，且所述開關模塊的輸出端接地；所述輸出繞組的異名端與所述直流整流濾波模塊連接，所述輸出繞組的同名端接地；所述反饋模塊的輸入端連接所述直流整流濾波模塊，所述反饋模塊的輸出端與所述控制模塊連接；所述控制模塊包括脈寬調製晶片、採樣電阻、定時電阻和定時電容，所述脈寬調製晶片的電壓採樣端和所述開關模塊的輸出端均連接所述採樣電阻的一端，所述採樣電阻的另一端接地；所述定時電阻和定時電容串聯連接，所述脈寬調製晶片的定時端與所述定時電阻和定時電容的公共端連接，所述定時電阻的另一端與所述脈寬調製晶片的基準電壓端連接，所述定時電容的另一端接地，所述脈寬調製晶片的接地端接地；所述脈寬調製晶片的輸出端與所述開關模塊的控制端連接，所述脈寬調製晶片的電源端與所述電源模塊的輸出端連接；所述反饋模塊包括第一穩壓管和光耦迴路，所述第一穩壓管與所述光耦迴路串聯，所述第一穩壓管的陰極和所述光耦迴路的一端均與所述直流整流濾波模塊的輸出端連接，所述第一穩壓管的陽極與所述光耦迴路的另一端連結，且所述光耦迴路接地。
[0009]下面對進一步技術方案進行說明:
[0010]所述光耦迴路包括光耦、控制晶片、第一限流電阻、第一分壓電阻和第二分壓電阻；所述光耦包括發射器和接收器，所述發射器的輸入端與所述第一限流電阻一端連接，所述第一限流電阻的另一端與所述第一穩壓管的陽極連接，所述第一穩壓管的陰極與所述直流整流濾波模塊的輸出端連接，所述發射器的輸出端與所述控制晶片的輸入端連接；所述接收器的輸入端與所述脈寬調製晶片的頻率補償端連接，所述接收器的輸出端接地；所述第一分壓電阻和第二分壓電阻串聯連接，所述控制晶片的控制端與所述第一分壓電阻和第二分壓電阻的公共端連接，所述第一分壓電阻的另一端與所述直流整流濾波模塊的輸出端連接，所述第二分壓電阻的另一端接地，所述控制晶片的輸出端接地；所述控制晶片在直流輸出電壓高於其電壓閾值時導通。
[0011]所述光耦迴路還包括補償電容和第一濾波電容；所述補償電容的兩端分別與所述控制晶片的輸入端和控制端連接，所述第一濾波電容與所述第二分壓電阻並聯連接。
[0012]還包括第一偏置電阻和第二偏置電阻，所述第一偏置電阻的兩端分別連接所述脈寬調製晶片的基準電壓端和電壓採樣端；所述第二偏置電阻的兩端分別連接所述電源模塊的輸出端和所述脈寬調製晶片的電壓採樣端。
[0013]所述變壓模塊還包括反饋繞組、第一電阻、第一二極體、第一電容和第二穩壓管，所述反饋繞組感應所述輸出繞組的電壓，所述反饋繞組的異名端與所述第一二極體的正極連接，所述第一二極體的負極與所述第一電阻的一端連接，所述反饋繞組的同名端接地，所述第一電阻的另一端和所述第一電容的一端的公共端與所述第二穩壓管的陰極和所述脈寬調製晶片的電源端連接，所述第一電容的另一端與所述反饋繞組的同名端連接，所述脈寬調製晶片的電壓採樣端與所述第二偏置電阻的公共端連接所述第二穩壓管的陽極。
[0014]所述直流整流濾波模塊包括第二二極體和第二濾波電容，所述第二二極體的正極與所述輸出繞組的異名端連接，所述第二二極體的負極為所述直流整流濾波模塊的輸出端，所述第二濾波電容一端與所述第二二極體的負極連接，所述第二濾波電容另一端接地。
[0015]所述直流整流濾波模塊還包括第二電阻、第三濾波電容、第一濾波電感、第四濾波電容和第三電阻；所述第二電阻的兩端分別與所述第二二極體的正極和所述第三濾波電容的一端連接，所述第三濾波電容的另一端與所述第二二極體的負極連接；所述第一濾波電感的兩端分別與所述第二濾波電容的正極和所述第四濾波電容的一端連接，所述第四濾波電容的另一端與所述第二濾波電容的負極連接；所述第三電阻與所述第四濾波電容並聯。
[0016]所述開關模塊包括N溝道MOSFET、第三偏置電阻、第二限流電阻和第五濾波電容，所述N溝道MOSFET的漏極為所述開關模塊的輸入端，所述N溝道MOSFET的源極為所述開關模塊的輸出端，所述N溝道MOSFET的柵極為所述開關模塊的控制端，且所述N溝道MOSFET的柵極通過所述第二限流電阻與所述脈寬調製晶片的輸出端連接，所述第三偏置電阻連接在所述N溝道MOSFET的柵極和源極之間；所述第五濾波電容的兩端分別與所述N溝道MOSFET的漏極和源極連接。
[0017]所述控制模塊包括濾波單元，所述濾波單元包括濾波電阻和第六濾波電容，所述濾波電阻的兩端分別連接所述開關模塊的輸出端和所述脈寬調製晶片的電壓採樣端；所述第六濾波電容的一端連接所述脈寬調製晶片的電壓採樣端，另一端接地。
[0018]所述電源模塊包括第七濾波電容、第八濾波電容、第二濾波電感、第三二極體、第四二極體、第四電阻、第五電阻和三極體；所述第七濾波電容一端與電壓輸入端連接，另一端接地；所述第二濾波電感輸入端與電壓輸入端連接，輸出端與所述第八濾波電容一端連接，所述第八濾波電容另一端接地；所述第三二極體、第四二極體和第四電阻串聯連接，且與所述第八濾波電容並聯連接，所述第三二極體的正極與所述第八濾波電容一端連接，所述第四電阻一端與所述第八濾波電容另一端連接；所述第五電阻一端與所述第三二極體的正極連接，另一端與所述三極體的發射極連接，所述三極體的基極與所述第四二極體的負極連接，所述三極體的集電極與所述第二穩壓管的陰極及所述脈寬調製晶片的電源端連接。
[0019]下面對前述技術方案的原理、效果等進行說明:
[0020]在電路中添加第一穩壓管，且將第一穩壓管與光耦迴路串聯，通過設定合理的第一穩壓參數，能大大拓展光耦迴路中控制晶片TL431的極限使用電壓，當使用電壓大於控制晶片TL431的極限使用電壓時，串聯一個電壓值為使用電壓與控制晶片極限使用電壓的差值的第一穩壓管，即可使電路的使用電壓達到要求，電路簡單可靠，且成本低。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0021]圖1是本實用新型反激增壓保護電路的電路原理圖；
[0022]圖2是脈寬調製晶片UC3843的內部原理框圖。
[0023]附圖標記說明:
[0024]100.反激增壓保護電路，110.電源模塊，120.變壓模塊，140.開關模塊，130.直流整流濾波模塊，150.反饋模塊，160.控制模塊，162.濾波單元，210.誤差放大器，220.比較器，230.PWM鎖存器。
【具體實施方式】
[0025]下面對本實用新型的實施例進行詳細說明:
[0026]如圖1所示，一種反激增壓保護電路100，包括電源模塊110 ;變壓模塊120，用於對電源模塊110輸出的整流濾波電壓進行降壓；直流整流濾波模塊130，用於對降壓後的整流濾波電壓進行整流濾波、且從直流整流濾波模塊130的輸出端輸出直流輸出電壓；開關模塊140，用於對整流濾波模塊進行開關控制，從而獲取穩定的電壓值；反饋模塊150，用於採集直流輸出電壓；以及控制模塊160。變壓模塊120包括輸入繞組TIAa-b和輸出繞組TIAe-f，且輸入繞組TIAa-b和輸出繞組TlAe_f相互感應；輸入繞組TlAa_b的同名端TlAa與電源模塊110的輸出端連接、輸入繞組TIAa-b的異名端TlAb與開關模塊140的輸入端連接，控制模塊160的輸入端與開關模塊140的輸出端連接，控制模塊160的輸出端與開關模塊140的控制端連接，且開關模塊140的輸出端接地；輸出繞組TIAe-f的異名端TlAe與直流整流濾波模塊130連接，輸出繞組TIAe-f的同名端TlAf接地。反饋模塊150的輸入端連接直流整流濾波模塊130，反饋模塊150的輸出端與控制模塊160連接，反饋模塊150在直流輸出電壓高於電壓閾值時發送反饋信號，使頻率補償端COMP的電位被拉低。控制模塊160包括脈寬調製晶片Ul、採樣電阻R5、定時電阻Rll和定時電容C4，如圖2所示，脈寬調製晶片Ul的電壓米樣端Ics和開關模塊140的輸出端均連接米樣電阻R5的一端,米樣電阻R5的另一端接地；定時電阻Rll和定時電容C4串聯連接，脈寬調製晶片UI的定時端RT/CT與定時電阻Rl I和定時電容C4的公共端連接，定時電阻Rl I的另一端與脈寬調製晶片Ul的基準電壓端Verf連接，定時電容C4的另一端接地，脈寬調製晶片Ul的接地端Gnd接地；脈寬調製晶片Ul的輸出端Output與開關模塊140的控制端連接，脈寬調製晶片Ul的電源端Vcc與電源模塊110的輸出端連接。本實施例中的脈寬調製晶片Ul的型號為UC3843。
[0027]所述反饋模塊150包括第一穩壓管ZE2和光耦迴路，所述第一穩壓管ZE2與所述光耦迴路串聯，所述第一穩壓管ZE2的陰極和所述光耦迴路的一端均與所述直流整流濾波模塊130的輸出端連接，所述第一穩壓管ZE2的陽極與所述光耦迴路的另一端連結，且所述光耦迴路接地。
[0028]在電路中添加第一穩壓管ZE2，且將第一穩壓管ZE2與光耦迴路串聯，通過設定合理的第一穩壓參數，能大大拓展光耦迴路中控制晶片TL431的極限使用電壓，當使用電壓大於控制晶片TL431的極限使用電壓時，串聯一個電壓值為使用電壓與控制晶片極限使用電壓的差值的第一穩壓管ZE2，即可使電路的使用電壓達到要求，電路簡單可靠，且成本低。
[0029]當控制晶片TL431的極限電壓是40V，如果需要檢測大於40V的電壓時，就不能直接使用了 ；如:控制晶片TL431的極限使用電壓為40V，串聯一個15V的第一穩壓管ZE2，那麼控制晶片TL431的使用電壓就能達到55V，如果串聯一個100V的第一穩壓管ZE2，那麼控制晶片TL431的使用電壓就能達到140V。
[0030]如圖1所示，在其中一個實施例中，光耦迴路包括光耦U3、控制晶片U2、第一限流電阻R8、第一分壓電阻R7和第二分壓電阻R4。本實施例中控制晶片U2採用TL431晶片，控制晶片U2的參考端為控制開關的控制端，控制晶片U2的陰極為控制開關的輸入端，控制晶片U2的陽極為控制開關的輸出端。光耦U3包括發射器U3A和接收器U3B，所述發射器U3A的輸入端與所述第一限流電阻R8—端連接，所述第一限流電阻R8的另一端與所述第一穩壓管ZE2的陽極連接，所述第一穩壓管ZE2的陰極與所述直流整流濾波模塊130的輸出端連接；發射器U3A的輸出端與控制晶片U2的輸入端連接，接收器U3B的輸入端與脈寬調製晶片Ul的頻率補償端COMP連接，接收器U3B的輸出端接地；第一分壓電阻R7和第二分壓電阻R4串聯連接，控制晶片U2的控制端與第一分壓電阻R7和第二分壓電阻R4的公共端連接，第一分壓電阻R7的另一端與直流整流濾波模塊的輸出端連接，第二分壓電阻R4的另一端接地，控制晶片U2的輸出端接地；控制晶片U2在直流輸出電壓高於其電壓閾值時導通。
[0031]在其中一個實施例中，光耦迴路還包括補償電容C22和第一濾波電容CR4 ;補償電容C22的兩端分別與控制晶片U2的輸入端和控制端連接，第一濾波電容CR4與第二分壓電阻R4並聯連接。
[0032]本實施例中脈寬調製晶片Ul的頻率補償端COMP可直接通過接收器接地，即接收器與補償端COMP之間、接收器與地線之間不連接電阻等其它元器件，當接收器導通後使得頻率補償端COMP電位能夠快速拉低，使過流保護反應更加靈敏。
[0033]如圖1所不，在其中一個實施例中，還包括第一偏置電阻R9和第二偏置電阻R6,第一偏置電阻R9的兩端分別連接脈寬調製晶片Ul的基準電壓端Verf和電壓採樣端Ics，第二偏置電阻R6的兩端分別連接電源模塊110的輸出端和脈寬調製晶片Ul的電壓採樣端Ics0在電路中添加第一偏置電阻R9和第二偏置電阻R6，用於為脈寬調製晶片Ul的電壓採樣端Ics提供額外的電流偏置；第一偏置電阻R9從脈寬調製晶片Ul的基準電壓端Verf引進電源，電流經第一偏置電阻R9流經脈寬調製晶片Ul的電壓採樣端Ics、再經濾波電阻R13和採樣電阻R5流向大地；第二偏置電阻R6從電源模塊110的輸出端引進電源，電流經第二偏置電阻R6流經脈寬調製晶片Ul的電壓採樣端Ics、再經濾波電阻R13和採樣電阻R5流向大地；從電源模塊110輸出端輸出的流經開關模塊140的電流也經採樣電阻R5流向大地。濾波電阻R13的阻值一般在1ΚΩ左右，只需要零點幾毫安就可使濾波電阻R13的電壓達到零點幾伏，所以，可以調整第一偏置電阻R9和第二偏置電阻R6的阻值來設定通過濾波電阻R13的電流。在保證能穩定觸發脈寬調製晶片Ul檢測門限值的條件下，採樣電阻R5所需提供的電壓會因濾波電阻R13的電壓提供而降低，於是，採樣電阻R5的功率損耗也相應降低，提聞了廣品的轉換效率。
[0034]如圖1所示，變壓模塊120還包括反饋繞組TIBc-d、第一電阻R10、第一二極體D4、第一電容C9和第二穩壓管ZE1，反饋繞組TIBc-d感應輸出繞組TIAe-f的電壓，反饋繞組TIBc-d的異名端TlBc與第一二極體D4的正極連接，第一二極體D4的負極與第一電阻RlO的一端連接，反饋繞組TIBc-d的同名端TlBd接地，第一電阻RlO的另一端和第一電容C9的一端的公共端與第二穩壓管ZEl的陰極和脈寬調製晶片Ul的電源端Vcc連接，第一電容C9的另一端與反饋繞組TIBc-d的同名端TlBd連接，脈寬調製晶片Ul的電壓採樣端Ics與第二偏置電阻的公共端連接第二穩壓管ZEl的陽極。反饋繞組TIBc-d中感應的電壓經過第一電阻R10、第一二極體D4和第一電容C9的作用後接到脈寬調製晶片Ul的電源端Ncc為脈寬調製晶片Ul提供工作電壓。
[0035]在電路中添加第二穩壓管ZE1，用於主動輸出的過壓保護；電路中反饋繞組TIBc-d正比於輸出繞組TIAe-f，當電路的輸出電壓升高時，反饋繞組TlBc_d能感應到輸出繞組TIAe-f輸出電壓的抬升，於是，反饋繞組TIBc-d異名端TlBc的電壓就會升高；即第二穩壓管ZEl陰極與反饋繞組TIBc-d的異名端TlBc連接，所以，第二穩壓管ZEl的陰極電壓升高。通過選定合理的第二穩壓管ZEl的穩壓參數，能確保在一定的電壓時擊穿第二穩壓管ZE1，電流從第二穩壓管ZEl的陰極流往第二穩壓管ZEl的陽極，並經過濾波電阻和採樣電阻R5接地；當第二穩壓管ZEl被擊穿之後，會保持電壓不變，從第二穩壓管ZEl過來的電流抬升了濾波電阻和採樣電阻R5的電壓，即脈寬調製晶片Ul的電壓採樣端Ics的電位上升；脈寬調製晶片Ul將電壓採樣端Ics採樣得到的信號和頻率補償端COMP的電壓分別輸入內部的比較器220進行比較，並將比較結果輸入內部的PWM鎖存器230，輸出PWM信號並由脈寬調製晶片Ul的輸出端Output輸出，最終促使脈寬調製晶片Ul的輸出端Output關閉電壓輸出，從而關斷變壓器的輸入繞組TIAa-b的電壓輸入，變壓器失去了原邊的能量輸入，自然就抑制了輸出電壓的進一步上升從而達到保護後級電路的目的。其中，誤差放大器210—端與脈寬調製晶片Ul的電壓反饋端FB連接，且脈寬調製晶片Ul的電壓反饋端FB接地。
[0036]如圖1所示，在其中一個實施例中，直流整流濾波模塊130包括第二二極體Dl和第二濾波電容Cl I，第二二極體Dl的正極與輸出繞組TIAe-f的異名端TlAe連接，第二二極體Dl的負極為直流整流濾波模塊130的輸出端，第二濾波電容Cll 一端與第二二極體Dl的負極連接，第二濾波電容Cll另一端接地。經直流整流濾波模塊130整流、濾波後的電流，可將正負變化的交流電壓變為單向脈動電壓，使電源的波動顯著性減小，滿足電流穩恆的用電器的用電要求。
[0037]在其中一個實施例中，直流整流濾波模塊130還包括第二電阻R15、第三濾波電容CS、第一濾波電感L1、第四濾波電容C12和第三電阻RD;第二電阻R15的兩端分別與第二二極體Dl的正極和第三濾波電容C8的一端連接，第三濾波電容C8的另一端與第二二極體Dl的負極連接；第一濾波電感LI的兩端分別與第二濾波電容Cll的正極和第四濾波電容C12的一端連接，第四濾波電容C12的另一端與第二濾波電容Cll的負極連接；第三電阻RD與第四濾波電容C12並聯；進一步保證交流電壓變為單向脈動電壓和電源的波動減小。
[0038]如圖1所示，在其中一個實施例中，開關模塊140包括N溝道MOSFET TRl、第三偏置電阻R12、第二限流電阻R3和第五濾波電容C10，N溝道MOSFET TRl的漏極為開關模塊140的輸入端，N溝道MOSFET TRl的源極為開關模塊140的輸出端，N溝道MOSFET TRl的柵極為開關模塊140的控制端，且N溝道MOSFET TRl的柵極通過第二限流電阻R3與脈寬調製晶片Ul的輸出端Output連接，第三偏置電阻R12連接在N溝道MOSFET的柵極和源極之間，第五濾波電容ClO的兩端分別與N溝道MOSFET TRl的漏極和源極連接。脈寬調製晶片Ul的輸出端Output輸出PWM信號控制N溝道MOSFET TRl的導通和關斷，從而控制變壓器的通斷狀態。
[0039]在其中一個實施例中，控制模塊160包括濾波單元162，濾波單元162包括濾波電阻R13和第六濾波電容C5，濾波電阻R13的兩端分別連接開關模塊140的輸出端和脈寬調製晶片Ul的電壓採樣端Ics ;第六濾波電容C5的一端連接脈寬調製晶片Ul的電壓採樣端Ics,另一端接地。
[0040]如圖1所示，電源模塊110包括第七濾波電容CO、第八濾波電容Cl、第二濾波電感L0、第三二極體D3、第四二極體D5、第四電阻R2、第五電阻Rl和三極體Q1。第七濾波電容CO 一端與電壓輸入端連接，另一端接地；第二濾波電感LO輸入端與電壓輸入端連接，輸出端與第八濾波電容Cl 一端連接，第八濾波電容Cl另一端接地；第三二極體D3、第四二極體D5和第四電阻R2串聯連接，且與第八濾波電容Cl並聯連接，第三二極體D3的正極與第八濾波電容Cl 一端連接,第四電阻R2 —端與第八濾波電容Cl另一端連接；第五電阻Rl —端與第三二極體D3的正極連接，另一端與三極體Ql的發射極連接，三極體Ql的基極與第四二極體D5的負極連接，三極體Ql的集電極與第二穩壓管ZEl的陰極及脈寬調製晶片Ul的電源端Vcc連接。可對輸入電壓可進行整流濾波，且三極體Ql可根據輸入電壓的高低控制三極體Ql是否導通，從而控制脈寬調製晶片Ul電源端Vcc是否與電源模塊110接通。
[0041]以上所述實施例僅表達了本實用新型的【具體實施方式】，其描述較為具體和詳細，但並不能因此而理解為對本實用新型專利範圍的限制。應當指出的是，對於本領域的普通技術人員來說，在不脫離本實用新型構思的前提下，還可以做出若干變形和改進，這些都屬於本實用新型的保護範圍。
【權利要求】
1.一種反激增壓保護電路，包括電源模塊、變壓模塊、直流整流濾波模塊、開關模塊、控制模塊和反饋模塊，所述變壓模塊包括輸入繞組和輸出繞組，且所述輸入繞組和輸出繞組相互感應；所述輸入繞組的同名端與所述電源模塊的輸出端連接、所述輸入繞組的異名端與所述開關模塊的輸入端連接，所述控制模塊的輸入端與所述開關模塊的輸出端連接，所述控制模塊的輸出端與開關模塊的控制端連接，且所述開關模塊的輸出端接地；所述輸出繞組的異名端與所述直流整流濾波模塊連接，所述輸出繞組的同名端接地；所述反饋模塊的輸入端連接所述直流整流濾波模塊，所述反饋模塊的輸出端與所述控制模塊連接；其特徵在於，所述控制模塊包括脈寬調製晶片、採樣電阻、定時電阻和定時電容，所述脈寬調製晶片的電壓採樣端和所述開關模塊的輸出端均連接所述採樣電阻的一端，所述採樣電阻的另一端接地；所述定時電阻和定時電容串聯連接，所述脈寬調製晶片的定時端與所述定時電阻和定時電容的公共端連接，所述定時電阻的另一端與所述脈寬調製晶片的基準電壓端連接，所述定時電容的另一端接地，所述脈寬調製晶片的接地端接地；所述脈寬調製晶片的輸出端與所述開關模塊的控制端連接，所述脈寬調製晶片的電源端與所述電源模塊的輸出端連接；所述反饋模塊包括第一穩壓管和光耦迴路，所述第一穩壓管與所述光耦迴路串聯，所述第一穩壓管的陰極和所述光耦迴路的一端均與所述直流整流濾波模塊的輸出端連接，所述第一穩壓管的陽極與所述光耦迴路的另一端連結，且所述光耦迴路接地。
2.根據權利要求1所述的反激增壓保護電路，其特徵在於，所述光耦迴路包括光耦、控制晶片、第一限流電阻、第一分壓電阻和第二分壓電阻；所述光耦包括發射器和接收器，所述發射器的輸入端與所述第一限流電阻一端連接，所述第一限流電阻的另一端與所述第一穩壓管的陽極連接，所述第一穩壓管的陰極與所述直流整流濾波模塊的輸出端連接，所述發射器的輸出端與所述控制晶片的輸入端連接；所述接收器的輸入端與所述脈寬調製晶片的頻率補償端連接，所述接收器的輸出端接地；所述第一分壓電阻和第二分壓電阻串聯連接，所述控制晶片的控制端與所述第一分壓電阻和第二分壓電阻的公共端連接，所述第一分壓電阻的另一端與所述直流整流濾波模塊的輸出端連接，所述第二分壓電阻的另一端接地，所述控制晶片 的輸出端接地；所述控制晶片在直流輸出電壓高於其電壓閾值時導通。
3.根據權利要求2所述的反激增壓保護電路，其特徵在於，所述光耦迴路還包括補償電容和第一濾波電容；所述補償電容的兩端分別與所述控制晶片的輸入端和控制端連接，所述第一濾波電容與所述第二分壓電阻並聯連接。
4.根據權利要求1所述的反激增壓保護電路，其特徵在於，還包括第一偏置電阻和第二偏置電阻，所述第一偏置電阻的兩端分別連接所述脈寬調製晶片的基準電壓端和電壓採樣端；所述第二偏置電阻的兩端分別連接所述電源模塊的輸出端和所述脈寬調製晶片的電壓採樣端。
5.根據權利要求4所述的反激增壓保護電路，其特徵在於，所述變壓模塊還包括反饋繞組、第一電阻、第一二極體、第一電容和第二穩壓管，所述反饋繞組感應所述輸出繞組的電壓，所述反饋繞組的異名端與所述第一二極體的正極連接，所述第一二極體的負極與所述第一電阻的一端連接，所述反饋繞組的同名端接地，所述第一電阻的另一端和所述第一電容的一端的公共端與所述第二穩壓管的陰極和所述脈寬調製晶片的電源端連接，所述第一電容的另一端與所述反饋繞組的同名端連接，所述脈寬調製晶片的電壓採樣端與所述第二偏置電阻的公共端連接所述第二穩壓管的陽極。
6.根據權利要求1所述的反激增壓保護電路，其特徵在於，所述直流整流濾波模塊包括第二二極體和第二濾波電容，所述第二二極體的正極與所述輸出繞組的異名端連接，所述第二二極體的負極為所述直流整流濾波模塊的輸出端，所述第二濾波電容一端與所述第二二極體的負極連接，所述第二濾波電容另一端接地。
7.根據權利要求6所述的反激增壓保護電路，其特徵在於，所述直流整流濾波模塊還包括第二電阻、第三濾波電容、第一濾波電感、第四濾波電容和第三電阻；所述第二電阻的兩端分別與所述第二二極體的正極和所述第三濾波電容的一端連接，所述第三濾波電容的另一端與所述第二二極體的負極連接；所述第一濾波電感的兩端分別與所述第二濾波電容的正極和所述第四濾波電容的一端連接，所述第四濾波電容的另一端與所述第二濾波電容的負極連接；所述第三電阻與所述第四濾波電容並聯。
8.根據權利要求1所述的反激增壓保護電路，其特徵在於，所述開關模塊包括N溝道MOSFET、第三偏置電阻、第二限流電阻和第五濾波電容，所述N溝道MOSFET的漏極為所述開關模塊的輸入端，所述N溝道MOSFET的源極為所述開關模塊的輸出端，所述N溝道MOSFET的柵極為所述開關模塊的控制端，且所述N溝道MOSFET的柵極通過所述第二限流電阻與所述脈寬調製晶片的輸出端連接，所述第三偏置電阻連接在所述N溝道MOSFET的柵極和源極之間；所述第五濾波電容的兩端分別與所述N溝道MOSFET的漏極和源極連接。
9.根據權利要求1所述的反激增壓保護電路，其特徵在於，所述控制模塊包括濾波單元，所述濾波單元包括濾波電阻和第六濾波電容，所述濾波電阻的兩端分別連接所述開關模塊的輸出端和所述脈寬調製晶片的電壓採樣端；所述第六濾波電容的一端連接所述脈寬調製晶片的電壓採樣端，另一端接地。
10.根據權利要 求5所述的反激增壓保護電路，其特徵在於，所述電源模塊包括第七濾波電容、第八濾波電容、第二濾波電感、第三二極體、第四二極體、第四電阻、第五電阻和三極體；所述第七濾波電容一端與電壓輸入端連接，另一端接地；所述第二濾波電感輸入端與電壓輸入端連接，輸出端與所述第八濾波電容一端連接，所述第八濾波電容另一端接地；所述第三二極體、第四二極體和第四電阻串聯連接，且與所述第八濾波電容並聯連接，所述第三二極體的正極與所述第八濾波電容一端連接，所述第四電阻一端與所述第八濾波電容另一端連接；所述第五電阻一端與所述第三二極體的正極連接，另一端與所述三極體的發射極連接，所述三極體的基極與所述第四二極體的負極連接，所述三極體的集電極與所述第二穩壓管的陰極及所述脈寬調製晶片的電源端連接。
【文檔編號】H02M3/335GK203590041SQ201320541902
【公開日】2014年5月7日 申請日期:2013年9月2日 優先權日:2013年9月2日
【發明者】劉吉昌 申請人:廣州德勵電子科技有限公司