用於布局驗證的基於模式片斷的熱點資料庫系統的製作方法

2023-05-12 19:56:26

專利名稱：用於布局驗證的基於模式片斷的熱點資料庫系統的製作方法
技術領域：
本發明的實施例主要涉及半導體製造。更具體地，本發明的實 施例涉及用於識別集成電路(IC)晶片布局中對製造錯誤敏感的位 置的方法和系統。
背景技術：
IC製造技術的進步已經使IC晶片上的最小特徵尺寸不斷減小。事實上，當前的最小特徵尺寸比常規光成像系統中使用的光的波長 小。因此，在設計的布局和實際製造的電路元件外形之間越來越難 獲得合理的保真度，其通常表示為解析度和焦深。現有的刻線解析度增強技術(RET),如光學鄰近校正(OPC)、相移掩模(PSM)，關注可製造性的物理設計，其在物理設計過程中既考慮產量又 考慮可靠性，在連接納米級製造過程中的設計和製造之間的差距中 變得日益重要。很多產量和可靠性問題可歸結於某些布局配置，稱 為"工藝熱點"或"熱點"，其對工藝問題，如應力和光刻工藝波 動敏感。因此希望識別和去除這些工藝熱點配置以及用更加產量友 好的配置代替它們。常規地，布局設計工程師使用製造者提供的設計規則來表示局 部的工藝熱點。典型的設計規則檢查員可檢測布局中的這種工藝熱 點，這有助於對工藝熱點進行校正以服從規則。但是，設計規則不 足以檢測佔據較大布局區域(例如lxljun^的區域)的一組緊密布局 的對象引起的工藝熱點。注意，這些"大"的熱點典型地由"鄰近 效應"引起，它是來自相互鄰近的一組幾何形狀的特殊布局配置的 聚集的物理歲文應(可包括光刻效應和積4成應力效應)。因為鄰近效應涉及的工藝複雜度，這些鄰近效應導致的熱點不能被一組設計規則有效地說明。
為了解決這個問題，製造者引入了一種稱為"模式片斷"的新型的熱點描述技術。注意，不使用設計規則，模式片斷提供可引起工藝熱點的布局配置的直接圖像基於的表示。注意，製造者可例行地發布新的"模式片斷"，使設計者能用它們檢測熱點。因此，設計者可使用模式匹配技術識別設計布局中的這些模式片斷。
遺憾的是，修改布局以解決識別的基於模式片斷的熱點的自動技術典型地對設計者不可用。注意，模式片斷本身不足以讓設計者對識別的熱點做出校正的決定。這是因為每個熱點是由與全部模式片斷相關的鄰近效應引起的，以及熱點圖像不指明需要改變哪一個組成的幾何形狀以去除或減少熱點的程度。
因此，需要一種當識別出熱點時自動校正布局中基於模式片斷的熱點的技術。

發明內容
本發明的一個實施例提供了一種產生基於模式片斷的熱點資料庫用於執行自動的基於模式片斷的布局驗證的系統。在操作期間，系統接收指定在布局中要避免的製造熱點的模式片斷列表，其中每個模式片斷包括一組相互鄰近的幾何形狀。接下來，對於每個模式片斷，系統幹擾模式片斷以便為組成的幾何形狀組確定第 一 變更範圍，其中被幹擾的模式片斷不再導致製造熱點。然後系統從第一變更範圍提取用於校正模式片斷的一組校正指導描述。隨後，系統在基於模式片斷的熱點資料庫中存儲該模式片斷以及該組校正指導描述。
在對此實施例的一個變更中，系統從IC製造者接收模式片斷列表。
在對此實施例的 一個變更中，通過幹擾幾何形狀組中的每個幾何形狀確定幾何形狀的變更範圍，系統幹擾模式片斷以確定第 一變系統確定對 於相關的幾何形狀組的第二變更範圍，其中被幹擾的模式片斷保持 製造熱點。在對此實施例的又一個變更中，通過幹擾幾何形狀組中的每個 幾何形狀確定幾何形狀的變更範圍，系統幹擾模式片斷以確定第二 變更範圍，其中被幹擾的模式片斷保持製造熱點。在對此實施例的一個變更中，系統使用基於模式片斷的熱點數 據庫用於布局驗證。具體地，系統接收用於驗證的布局。接下來， 通過對基於模式片斷的熱點資料庫中每個存儲的模式片斷執行模式 匹配，系統識別布局中的一個或多個製造熱點。接下來，對於每個 識別的熱點，系統取回與基於模式片斷的熱點資料庫中匹配的模式 片斷相關的一組校正指導描述。然後系統使用該組校正指導描述校正i口、別的熱點。在對此實施例的又 一 個變更中，通過識另'J既與存儲的模式片斷 相似又落在與存儲的模式片斷相關的第二變更範圍中的模式，系統 識別製造熱點。在又一個變更中，系統通過使用範圍才莫式匹配(RPM)才支術識 別製造熱點。在對此實施例的一個變更中，系統從第 一變更範圍提取一組才交 正指導描述，通過識別來自第一變更範圍的幾何形狀組的變更的 多個組合；對每個識別的組合計算得分，其衡量對相應的製造熱點 的校正程度；以及組合變更的多個組合與相關的得分以獲得該組校 正指導描述。在對此實施例的一個變更中，在幹擾模式片斷以確定第一變更 範圍時，系統識別違反一組預定的設計規則的幾何形狀組的第三變 更範圍。系統隨後從第 一和第二變更範圍排除第三變更範圍。在對此實施例的一個變更中，系統在幹擾模式片斷之前使用合 並技術將模式片斷列表分類為減少的一組模式片斷。


圖1所示為集成電路設計和製造中的各種階段。
圖2所示為根據本發明的一個實施例的基於模式片斷的布局驗證系統。
圖3所示為指定橋接熱點的示例模式片斷。
圖4所示為根據本發明的 一 個實施例的處理製造者提供的模式片斷以產生校正指導描述的流程圖。
圖5所示為合併示例的一對原始模式片斷的過程。
圖6所示為根據本發明的一個實施例的幹擾模式片斷以確定校正指導描述的過程的流程圖。
圖7所示為根據本發明的 一 個實施例的幹擾模式片斷以確定一組校正指導描述的示例過程。
圖8所示為根據本發明的 一 個實施例的執行基於模式片斷的布局驗證的過程的流程圖。
具體實施例方式
給出下列說明是為了使本領域技術人員能實現和使用本發明，且在特定應用及其需求的上下文中提供。對所公開的實施例的各種
修改對本領域技術人員將是明顯的，以及此處限定的總體原則可應用於其他實施例和應用而不脫離本發明的精神和範圍。因此，本發
明不限於示出的實施例，而是與權利要求的最寬範圍相一致。
在此詳細說明書中描述的數據結構和代碼典型地存儲在計算機可讀存儲介質上，它可以是可存儲計算機系統可用的代碼和/或數據的任何設備或介質。這包括但不限於，易失存儲器、非易失存儲器、磁和光存儲設備如磁碟驅動器、磁帶、CD (壓縮盤)、DVD (數字多用途盤或數字視頻盤)，或者已知或將來開發的能夠存儲計算機可讀介質的其他介質。概述圖1所示為集成電路設計和製造中的各種階段。過程開始於產生產品概念(階段100),其使用電子設計自動化(EDA)軟體設計 過程實現(階段110)。當設計完成時，可以投片(階段140)。投 片之後，製造過程結束(階段150),以及執行封裝和組裝過程(階 段160)，最後導致完成的晶片(階段170)。EDA軟體設計過程(階段IIO)轉而包括階段112-130,下面 說明它。注意，此設計流程描述僅用於舉例說明。此說明不是要限 制本發明。例如，實際的集成電路設計可能需要設計者以與此處所 述順序不同的順序執行設計階段。下列討論提供了設計過程中階段 的更多細節。系統設計(階段112):設計者描述要實現的功能。他們也可執 行假設分析規劃以細化功能、核查成本。在這個階段可發生硬體-軟 件架構分離。在這個步驟可使用的SYNOPSYS公司的示例EDA軟 件產品包括MODEL ARCHITECT 、SABER 、 SYSTEM STUDIO⑧和DESIGNWARE⑧產品。邏輯設計和功能驗證(階段114):在這個階段，編寫用於系統 中模塊的VHDL或Verilog代碼以及針對功能準確性檢查設計。更具 體地，檢查設計以保證它產生正確的輸出。在這個步驟可使用的 SYNOPSYS公司的示例EDA軟體產品包括VCS 、 VERA 、 DESIGNWARE 、 MAGELLAN 、 FORMALITY , ESP⑧和LED A 產品。綜合和設計(階段116):這裡，VHDL/Verilog可被轉化成網 表。可針對目標技術優化網表。而且，可設計和實現測試以檢查完 成的晶片。在這個階段可使用的SYNOPSYS公司的示例EDA軟體 產品包括DESIGN COMPLIER 、 PHYSICAL COMPILER , TEST COMPILER , POWER COMPILER , FPGA COMPILER 、 TETRAMAX⑧和DESIGNWARE⑧產品。網表驗證(階段118):在這個階段，針對與定時限制兼容性以及與VHDL/Verilog原始碼一致性檢查網表。在這個階段可使用的SYNOPSYS公司的示例EDA軟體產品包括FORMALITY 、PRIMETIME(S)和VCS⑧產品。
設計^L劃(階段120):這裡，針對定時和頂級路由構造和分析晶片的總體平面布置圖。在這個階段可使用的SYNOPSYS公司的示例EDA軟體產品包括ASTRO⑧和IC COMPILER⑧產品。
物理實現(階段122):放置(定位電路元件)和路由(連接電路元件)發生在這個階段。在這個階段可使用的SYNOPSYS公司的示例EDA軟體產品包括ASTRO 和IC COMPILER 產品。
分析和提取(階段124):在這個階段，在電晶體級驗證電路功能；而這允許假設分析細化。在這個步驟可使用的SYNOPSYS公司的示例EDA軟體產品包括ASTRORAIL 、 PRIMERAIL 、PRIMETIME⑧和STAR RC/XT⑧產品。
物理驗證(階段126):在這個階段，檢查設計以保證製造、電事項、光刻事項和線路的正確性。在這個階段可使用的SYNOPSYS公司的示例EDA軟體產品包括HERCULES⑧產品。
解析度增強(階段128):這個階段包括布局的幾何操作以提高設計的可製造性。在這個階段可使用的SYNOPSYS公司的示例EDA軟體產品包括PROTEUS 、 PROTEUS AF和PSMGED⑧產品。
DFM兼容性驗證(階段129):在這個階段，檢查設計(掩模布局)以保證製造、電事項、機械應力事項、光刻事項和線路的正確性。在這個階段可使用的SYNOPSYS公司的示例EDA軟體產品包括PRIME YIELD 、 SIVL 、 SEISMOS⑧產品。
掩模數據準備(階段130):這個階段提供"投片(tape-out)"數據用於產生掩模以產生完成的晶片。在這個階段可使用的SYNOPSYS公司的示例EDA軟體產品包括CATS 系列產品。
在上述一個或多個階段中可使用本發明的實施例。具體地，在物理實現階段122、物理-驗證階段126和DFM兼容性驗證階段129中可使用本發明的 一個實施例。基於模式片斷的布局驗證環境
圖2所示為根據本發明的一個實施例，基於模式片斷的布局驗證系統200。系統200與製造者202、模式片斷處理工具204、模式片斷資料庫206、熱點檢測工具208和布局設計者210相關。
在操作中，製造者202提供模式片斷列表212,它指定在布局中要避免的製造熱點。注意，製造者202可通過將列表印刷在用戶手冊中、GUI輸入或作為鑄造驗證工具輸出提供該列表。注意，模式片斷列表212可以被加密，使得僅授權的用戶可解密該模式片斷。還應注意，這個模式片斷列表典型地是製造者特有的，因為模式片斷是從特定的製造工具產生的。
圖3所示為指定橋接熱點的示例模式片斷300。注意模式片斷300包括邊界框312中的5個對象302 - 310。橋接熱點314標記在對象302與308之間的縫隙中或附近。注意，這個橋接熱點可使對象302和308當被印刷到晶片上時連接，因此導致短路。還注意，這個橋接熱點可能不被檢測為違反設計規則或另 一限制違反。相反，橋接熱點314是由熱點314附近的一組幾何形狀的特殊配置引起的"鄰近效應"導致的。從製造者的觀點來看，這個鄰近效應可以是單獨效應(如來自這組幾何形狀的每個組成幾何形狀的光刻效應和應力效應)的聚集。因此，很難通過一組設計規則描述圖3中的橋接熱點。注意，其他模式片斷可包括比模式片斷300更大或更小的一組幾何形狀。
再參考圖2,模式片斷列表212成為模式片斷處理工具204的輸入。在一些實施例中，在模式片斷處理工具204的輸入的模式描述語言接口 213被用來將每個基於圖像的模式片斷轉換成模式片斷處理工具204可操作的數學表示。
在本發明的一些實施例中，模式片斷處理工具204包括用於通過使用合併技術使模式片斷列表212合併成減少的組的模式片斷合併工具214。注意來自製造者的模式片斷列表典型地包括不相同但相似的模式片斷。在很多情況下，這種模式片斷與同一類型的熱點相
關。模式片斷合併工具214配置為識別這些相似的模式片斷並將它
們合併成單個代表性的模式片斷。在一些實施例中，模式片斷合併
工具214還將模式片斷列表212分類成一組類別。下面結合圖4詳細說明模式片斷合併工具214的操作。
模式片斷處理工具204還包括用於產生用於模式片斷列表的"校正指導描述，，的模式幹擾工具216，其中校正指導描述包括一個或多個校正建議，其可用於校正對應的模式片斷以去除相關的熱點或降低熱點嚴重性。模式片斷處理工具204還可創建數據結構
"pa"w"C7^7",其中； a"er"C/^的每個實例包括有區別的模式片斷和模式幹擾工具216產生的相應的校正指導描述。
更具體地，模式幹擾工具216配置為幹擾輸入模式片斷中的組成幾何形狀組以確定該組幾何形狀的第 一 變更範圍，其中被幹擾的模式片斷不再導致製造熱點。在一些實施例中，模式幹擾工具216還確定該組幾何形狀的第二變更範圍，其中被幹擾的模式片斷保持有效的熱點。模式幹擾工具216然後根據第一變更範圍產生校正建議，其可用於校正相應的熱點。下面結合圖4和圖6詳細說明模式幹擾工具216。注意，模式幹擾工具216還接收一組限制218,其可包括在模式幹擾過程中不能違反的設計限制。
模式片斷處理工具204將模式片斷與相應的校正指導描述一起輸出，並將它們存儲在模式片斷資料庫206中。注意，當客戶查詢存儲的模式片斷時，模式片斷資料庫206可返回請求的模式片斷和相關的校正指導描述。 —
模式片斷資料庫206耦合到客戶側熱點檢測工具208,其配置為對輸入布局執行布局驗證。更具體地，熱點檢測工具208可4企測給定布局中基於模式片斷的熱點。如圖2所示，熱點檢測工具208從布局設計者210接收設計布局220。在-驗證操作期間，熱點4企測工具208可訪問模式片斷資料庫206以取回存儲在資料庫206中的模式片斷和相關的4交正指導描述。然後熱點4全測工具208掃描輸入布局，使用模式匹配或模式識別技術找到資料庫206中每個模式片斷的匹
配。目標布局中每個匹配構成一個布局熱點。當才全測到熱點時，熱
點檢測工具208可將設計特徵標記為布局中的違》見。在本發明的一些實施例中， 一旦熱點被標識，熱點檢測工具208可取回與匹配的模式片斷相關的校正指導說明，以及可執行運行時或離線校正過程以去除布局中的熱點，或降低熱點嚴重性。下面結合圖6詳細說明熱點檢測工具208的操作。注意，熱點檢測工具208可將設計布局220的清除模式片斷熱點的版本返回到布局設計者210。
處理收到的模式片斷的過程
圖4所示為根據本發明的 一 個實施例的處理製造者提供的模式片斷以產生校正指導描述的流程圖。
在操作期間，系統從製造者接收原始模式片斷列表，其中每個模式片斷指定在布局中要避免的製造熱點(步驟402)。每個模式片斷包括包含在邊界框中的一組二維(2D)幾何形狀。在一些實施例中，模式片斷(即，相關的邊界框)可具有尺寸約為lxl(am2。但是，它們的尺寸也可大於或小於lxljxm2。在一個實施例中，4莫式片斷在每個方向具有至少2-3個節距的寬度。
收到這組模式片斷時，系統通過合併該組模式片斷將模式片斷列表分類成減少的一組模式片斷(步驟404)。注意，當製造者公布新的模式片斷時，它們典型地是未被合併或分類成一組類別的"原始"模式片斷。換句話說，多個原始的模式片斷可具有相似或基本相同的配置，會導致同一類型的熱點。在一些實施例中，通過從它們提取共同特徵，多個相似的原始模式片斷可合併成一個模式片斷，以及然後處理過的原始模式片斷可從列表中去除。
注意，使用合適的模式匹配技術，被合併的模式片斷可用於識別模式布局中任一去除的原始模式片斷。因此，使用合併的模式片斷代表多個相似的原始模式片斷可節省存儲空間和計算資源，因為在後續的布局驗證過程中，僅存儲和使用減少的 一組模式片斷。例如，圖5所示為合併示例的一對原始模式片斷502和504的過程。注意，兩個模式片斷都包括相似配置的3個相似的幾何形狀。更具體地，這個配置創建了鄰近效應，它在對應的垂直線段506和508上標記"X"的位置可導致"收縮"熱點。注意，原始模式片斷502與504之間的差異(如，幾何形狀510和512上加寬的線末端)與模式片斷的總尺寸相比是相當小的。因此，這兩個模式片斷可合併成單個模式片斷514,其可被分類成收縮熱點。於是可丟棄原始模式片斷502和504。注意，模式片斷514保留模式片斷502和504中的那些共同特徵，同時去除模式片斷502與504之間的一些差異。還注意，通過使用模式匹配技術，模式片斷514可用於識別布局中類似於原始模式片斷502和504的模式。
參考圖4，但是在本發明的一些實施例中，步驟404是可選的，使得這組輸入模式片斷可不被合併。
合併和分類原始模式片斷列表之後，系統對每個模式片斷執行幹擾操作以確定用於每個模式片斷的校正指導描述(步驟406)。在本發明的一些實施例中，這個幹擾操作還確定每個模式片斷的變更範圍，其中模式片斷保持有效的熱點。下面結合圖6詳細說明幹擾操作406。
在產生校正指導描述和可選地產生這組模式片斷的有效熱點範圍之後，系統將模式片斷和這組校正指導描述存儲在模式片斷熱點資料庫中(步驟408)。在一些實施例中，系統將每個模式片斷和相關的校正指導描述作為條目存儲在資料庫中"pa"emC/Zp"數據結構中。
注意，模式片斷熱點資料庫通過接收新的基於模式片斷的熱點和相關的校正指導描述可持續增長。 一旦建立，存儲的模式片斷和相關的校正指導描述可被迅速查詢和取回用於布局驗證和其他用途。
幹擾模式片斷的過程圖6所示為根據本發明的一個實施例的幹擾模式片斷以確定校正指導描述的過程的流程圖。
在操作期間，系統識別模式片斷中的組成幾何形狀組(步驟
602)。在一些實施例中，這個組成幾何形狀組是模式片斷邊界框中整個幾何形狀組。在其他實施例中，組成幾何形狀組包括緊鄰熱點的幾何形狀，其可以是邊界框中幾何形狀的子集。例如，在圖3中，組成幾何形狀組包括模式片斷300中全部5個對象302到310。
系統還接收一組設計限制(步驟604)。在一些實施例中，這組限制包括設計規則檢查限制(DRC )、光刻兼容性檢查限制(LCC )、應力限制、定時限制和其他設計限制。注意，在幹擾過程中檢查這些限制以保證不損害設計完整性。更具體地，當幹擾這組幾何形狀時檢查這些限制。如果發現變更範圍違反這些限制之一，這個範圍不用於熱點校正指導或不作為有效熱點範圍。
接下來，對於組成幾何形狀組中的每個，系統標識對於幾何形狀可改變的一組變量(步驟606 )。更具體地，系統首先識別形成幾何形狀的多邊形的 一組邊沿和/或部分，以及根據這些邊沿和部分確定可從其初始位置移動的那些。例如，圖5中的中間矩形516具有2個可移動邊沿518和520。矩形522具有3個可移動邊沿524、 526和528。類似地，矩形530具有可移動邊沿532、 534和536。每個可移動邊沿可用一個變量表示，例如，xl表示邊沿518,以及x2表示邊沿520。更具體地，每個變量表示從模式片斷的初始位置移動的距離。因此，在其初始位置具有"0"值。注意，每個可移動邊沿的移動方向典型地垂直於該邊沿。例如，通過按箭頭的方向移動對象516上邊沿518，對象516和522之間的縫隙可增加或減少。在以下討論中，使用規定向左或向下移動用相關變量的負值表示，而向右或向上移動用相關變量的正值表示。
在一些實施例中，系統可使用"模式描述語言"自動描述模式片斷中的這組幾何形狀。更具體地，模式描述語言提供這組幾何形狀的數學表示(例如，邊沿的寬度和位置)以及在這組幾何形狀中的相對位置。而且，系統可使用"範圍描述語言"自動描述這組幾何形狀的變更範圍。注意，範圍描述語言可提供這組幾何形狀的變更的數學表示(例如，可移動邊沿的變更範圍)。範圍描述語言的
更多細節提供在2006年3月31日提交的美國專利申請No. 11/394,466中，其名稱為"A Range Pattern Definition ofSusceptibility of Layout Regions to Fabrication Issues"， 發明人為Subarnarekha Sinha牙口 Charles C. Chiang,通過引用結合於jt匕。5主意，模式描述語言和範圍描述語言共同提供執行幹擾操作的技術。
回到圖6，系統接下來幹擾用於組成幾何形狀組的一組變量，以確定可去除相關的熱點或降低熱點嚴重性的變量的第一變更範圍(步驟608 )。更具體地，系統在變量的初始值附近的不同範圍中改變給定的幾何形狀的每個識別的變量。注意，對這組幾何形狀的任一改變導致修改的模式片斷。對於每個變更範圍，系統測試以確定修改的模式片斷是否不再導致熱點。在一些實施例中，系統可對修改的模式片斷應用光刻模型用於可印刷性測試。在改變變量時，系統還可對照限制測試變更範圍。例如，對於測試應力限制，系統可對修改的模式片斷應用應力模型並計算在一些預定位置，如幾何形狀中的拐角或彎曲的應力。那些違反限制的變更範圍被排除在第一變更範圍之外。注意，可去除或減少熱點，通過改變單個幾何形狀中的單個變量，改變單個幾何形狀中的多個變量，改變多個幾何形狀中每一個中的單個變量，或者改變多個幾何形狀中每一個中的
多個變量。
在一些實施例中，當幹擾一組幾何形狀中識別的變量時，系統還確定用於該變量的第二變更範圍，其中被幹擾的模式片斷保持熱點。在一些實施例中，系統可使用範圍才莫式匹配(RPM)技術發現有效熱點的範圍。RPM技術的詳細描述提供在2007年4月11日提交的美國專利申請No.11/786,683中，其名稱為"Range PatternMatching for Hotspots Containing Vias and Incompletely SpecifiedRange Patterns"，發明人為Jingyu Xu, Subarnarekha Sinha和CharlesC.Chiang,通過引用結合於此。注意，用於熱點校正的第一變更範圍和用於有效熱點的第二變更範圍是互斥的。
系統接下來從第一變更範圍產生多個組合，其中每個組合提供用於熱點校正的唯一解決方案(步驟610)。注意，這些組合可包括單個幾何形狀上的單個變量範圍，單個幾何形狀上的多個變量範圍，多個幾何形狀上的多個變量範圍。注意，當這些組合中的每一個被應用到初始模式片斷時，可將熱點校正到不同的程度。例如， 一些可導致完全去除熱點，而其他僅降低熱點嚴重性。然後系統對每個組合計算分數以ff量對熱點的校正程度(步驟612)。在一些實施例中，系統使用一組預定的準則計算分數。
最後，系統對變更的多個組合與相關的分數進行組合，以獲得用於模式片斷的一組校正指導描述(步驟614)。然後這組校正指導描述與模式片斷一起存儲在資料庫中。
圖7所示為根據本發明的一個實施例的幹擾模式片斷700以確定一組校正指導描述的示例過程。注意，模式片斷700沒有DRC錯誤。
更具體地，才莫式片斷700包括3條相鄰的水平線對象702、 704和706,其中中間線對象704比頂部和底部的線對象702和706向右延伸得更遠。注意每個線對象的幾何形狀可由3個邊沿表示對象702的邊沿a！(頂部)、a2 (末端)和a3 (底部)；對象704的邊沿th (頂部)、b2 (末端)和b3 (底部)；以及對象706的邊沿Cl (頂部)、C2(末端)和C3 (底部)。3個線對象的配置創建鄰近效應，它可導致線對象704上標記"X"的位置的光刻熱點。更具體地，這是"收縮"熱點，可導致線對象704斷開連接，因此當印刷到晶片上時導致斷路。
在操作期間，系統試圖幹擾與一組邊沿a!、 a2、 a3、 b!、 b2、 b3、d、 C2和C3相關的一組變量。注意，圖7中每個變量旁邊的箭頭表示變量在幹擾期間移動的方向。例如，邊沿&可向上或下移動，而邊沿b2可向左或右移動。 <旦是，系統確定移動a^ a3、 bp b3、 d和C3將違反DRC限制。因此，僅剩下a2、 t)2和C2被幹擾。系統還確定移動t)2對校正熱點沒有效果。因此，僅剩下a2和C2被改變。
當幹4尤a2和C2時，系統確定對兩個變量在範圍[-20nm, 20nm]，熱點保持有效。因此，這些變更範圍可用於識別布局中相似的熱點。接下來，系統確定延長a2或者C2超過40nm(向右)違反DRC限制。另一方面，當a2和C2在範圍[20nm, 40nm]中變化時，熱點可#1校正。例如，通過選擇af21nm和/或c2=21nm,熱點可核j交正。系鄉克隨後識別這些改變的不同組合，並對於^又改變a2、 ^5l改變c2、或者&2和
C2都改變計算分數。注意，在這個例子中，可確定單獨改變a2和C2
導致相同的熱點校正分數，它比同時改變兩個變量的分數低。系統接下來將校正分數和相應的變更組合以形成一組校正指導描述(1 ) a2=21nm (不改變其他變量)；(2) c2=21nm (不改變其他變量)；以及(3 ) af21nm且c2=21nm (不改變其他變量)。
注意，上述過程是為了舉例說明幹擾過程以識別校正指導描述和有效熱點範圍，並非旨在限制怎樣執行幹擾過程。
基於模式片斷的布局驗證過程
圖8所示為根據本發明的一個實施例的執行基於模式片斷的布局驗證的過程的流程圖。
在操作期間，系統接收用於驗證設計布局(步驟802)。接下來，系統從模式片斷熱點資料庫取回存儲的基於圖像的模式片斷(步驟804 )。然後系統使用模式匹配/模式識別技術識別給定的設計布局中模式片斷的匹配並將匹配的特徵標記為熱點(步驟806 )。
在一些實施例中，系統使用範圍模式匹配(RPM)技術識別給定布局中模式片斷的匹配。注意，常規技術是基於精確的模式表示。但是，實際的模式配置通常在布局之間或在布局的不同區域之間改變。為了捕獲這些改變，通常需要系統存儲大量相似、精確的模式表示。RPM技術模式通過限定熱點模式的幾何形狀參數，如長度、寬度和間隔範圍，可有效地代表一組相似的模式。因此，通過執行範圍模式匹配而不是精確模式匹配，系統可以有效提高熱點檢須'J'性能同時降低計算資源上的負擔。
接下來，系統確定是否已檢測到布局中的一個或多個熱點(步
驟808 )。如果不是，系統回到步驟804從資料庫取回下一個存儲的模式片斷。
否則，對於每個識別的熱點，系統乂人模式片斷熱點悽丈據庫取回與模式片斷相關的一組校正指導描述(步驟810)。注意，這組校正指導描述可以用模式描述語言和/或範圍描述語言表示。系統隨後基於這組校正指導描述對識別的熱點執行設計校正(步驟812)。
這時，系統確定布局是否已檢查了資料庫中的全部模式片斷(步驟814)。如果不是，系統返回步驟804取回資料庫中下一個存儲的模式片斷，重複步驟806到814。最後，當已處理完全部存儲的模式片斷，系統向布局設計者返回驗證過的布局，它沒有基於模式片斷的熱點(步驟816)。注意，上述布局驗證過程可按完全自動的方式執行(通過常規的資料庫操作)不用設計者手工提供模式片斷和相關的校正指導描述。
本發明的實施例的上述說明僅用於舉例說明。並非窮舉或將本發明限制為所公開的形式。因此，很多修改和變更對本領域技術人員是明顯的。此外，上述公開不是要限制本發明。本發明的範圍由所附權利要求限定。
權利要求
1.一種產生基於模式片斷的熱點資料庫用於執行自動的基於模式片斷的布局驗證的方法，所述方法包括接收指定在布局中要避免的製造熱點的模式片斷列表，其中每個模式片斷包括一組相互鄰近的幾何形狀；對於每個模式片斷，幹擾模式片斷以為組成幾何形狀組確定第一變更範圍，其中被幹擾的模式片斷不再導致製造熱點；從第一變更範圍提取校正指導描述組用於校正模式片斷；以及在基於模式片斷的熱點資料庫中存儲模式片斷以及校正指導描述組。
2. 根據權利要求1所述的方法，其中接收模式片斷列表包括從 IC製造者接收模式片斷列表。
3. 根據權利要求1所述的方法，其中幹擾模式片斷以確定第一 變更範圍包括千擾幾何形狀組中的每個幾何形狀以確定幾何形狀的 變更範圍，其中被幹擾的模式片斷不再導致製造熱點。
4. 根據權利要求1所述的方法，其中當幹擾模式片斷時，所述 方法還包括確定對於相關的幾何形狀組的第二變更範圍，其中被 幹擾的模式片斷保持製造熱點。
5. 根據權利要求4所述的方法，其中幹擾模式片斷確定第二變 更範圍包括幹擾幾何形狀組中的每個幾何形狀以確定幾何形狀的 變更範圍，其中被幹擾的模式片斷保持製造熱點。
6. 根據權利要求1所述的方法，其中所述方法還包括 接收用於驗證的布局；通過對基於模式片斷的熱點資料庫中每個存儲的模式片斷執行 模式匹配，識別布局中的一個或多個製造熱點；對於每個識別的熱點，取回與基於模式片斷的熱點資料庫中匹配使用校正指導描述組校正識別的熱點。
7. 根據權利要求6所迷的方法，其中識別製造熱點包括識別 既與存儲的模式片斷相似又落在與存儲的模式片斷相關的第二變更 範圍中的模式。
8. 根據權利要求6所述的方法，其中識別製造熱點包括使用範 圍模式匹配(RPM)技術。
9. 根據權利要求1所迷的方法，其中從第一變更範圍提取校正 指導描述組包括識別來自第一變更範圍的幾何形狀組的變更的多個組合； 對每個識別的組合計算得分，其衡量對相應的製造熱點的校正程度；以及組合變更的多個組合與相關的得分以獲得校正指導描述組。
10. 根據權利要求1所述的方法，其中當幹擾模式片斷以確定第 一變更範圍時，所述方法還包括識別違反一組預定的設計規則的幾何形狀組的第三變更範圍；以及從第一和第二變更範圍排除第三變更範圍。
11. 根據權利要求1所述的方法，其中在幹擾模式片斷之前，所 述方法還包括使用合併技術將模式片斷列表分類成減少的一組模式 片斷。
12. —種存儲指令的計算機可讀存儲介質，當指令被計算機執行 時導致計算機執行產生基於模式片斷的熱點資料庫用於執行自動的 基於模式片斷的布局驗證的方法，所述方法包括接收指定在布局中要避免的製造熱點的模式片斷列表，其中每個模式片斷包括一組相互鄰近的幾何形狀； 對於每個模式片斷，幹擾模式片斷以為組成幾何形狀組確定第 一 變更範圍， 其中被幹擾的模式片斷不再導致製造熱點；從第 一 變更範圍提取校正指導描述組用於校正模式片斷；以及在基於模式片斷的熱點資料庫中存儲模式片斷以及校 正指導描述組。
13. 根據權利要求12所述的計算機可讀存儲介質，其中接收模 式片斷列表包括從IC製造者接收模式片斷列表。
14. 根據權利要求12所述的計算機可讀存儲介質，其中幹擾模 式片斷，以確定第 一變更範圍包括幹擾幾何形狀組中的每個幾何形 狀以確定幾何形狀的變更範圍，其中被幹擾的模式片斷不再導致制 造熱點。
15. 根據權利要求12所述的計算機可讀存儲介質，其中當幹擾 模式片斷時，所述方法還包括確定對於相關的幾何形狀組的第二變 更範圍，其中被幹擾的模式片斷保持製造熱點。
16. 根據權利要求15所述的計算機可讀存儲介質，其中幹擾模 式片斷確定第二變更範圍包括幹擾幾何形狀組中的每個幾何形狀以 確定幾何形狀的變更範圍，其中被幹擾的模式片斷保持製造熱點。
17. 根據權利要求12所述的計算機可讀存儲介質，其中所述方 法還包括接收用於驗證的布局；通過對基於模式片斷的熱點資料庫中每個存儲的模式片斷執行 模式匹配，識別布局中的一個或多個製造熱點；對於每個識別的熱點，取回與基於模式片斷的熱點資料庫中匹配的模式片斷相關的校正指導描述組；使用校正指導描述組校正識別的熱點。
18. 根據權利要求17所述的計算機可讀存儲介質，其中識別制 造熱點包括識別既與存儲的模式片斷相似又落在與存儲的模式片斷 相關的第二變更範圍中的模式。
19. 根據權利要求17所述的計算機可讀存儲介質，其中識別制 造熱點包括使用範圍模式匹配(RPM)技術。
20. 根據權利要求17所述的計算機可讀存儲介質，其中從第一 變更範圍提取校正指導描述組包括識別來自第一變更範圍的幾何形狀組的變更的多個組合； 對每個識別的組合計算得分，其衡量對相應的製造熱點的校正程 度；以及組合變更的多個組合與相關的得分以獲得校正指導描述組。
21. 根據權利要求12所述的計算機可讀存儲介質，其中當幹擾 模式片斷以確定第一變更範圍時，所述方法還包括識別違反一組預定的設計規則的幾何形狀組的第三變更範圍；以及從第一和第二變更範圍排除第三變更範圍。
22. 根據權利要求12所述的計算機可讀存儲介質，其中在幹擾 模式片斷之前，所述方法還包括使用合併技術將模式片斷列表分 類成減少的一組模式片斷。
23. —種產生基於模式片斷的熱點資料庫用於執行自動的基於^ft式片斷的布局驗證的系統，包括接收機制，配置成接收指定在布局中要避免的製造熱點的模式 片斷列表，其中每個模式片斷包括一組相互鄰近的幾何形狀；幹擾機制，配置成幹擾模式片斷以為組成幾何形狀組確定第一 變更範圍，其中被幹擾的模式片斷不再導致製造熱點；提取機制，配置成從第 一 變更範圍提取校正指導描述組用於校正模式片斷；以及存儲機制，配置成在基於模式片斷的熱點資料庫中存儲模式片 斷以及校正指導描述組。
24. 根據權利要求23所述的系統，還包括 接收機制，配置成接收用於驗證的布局；識別機制，配置成通過對基於模式片斷的熱點資料庫中每個存儲 的模式片斷執行模式匹配，識別布局中的一個或多個製造熱點； 取回機制，配置成取回與基於模式片斷的熱點資料庫中匹配的模式片斷相關的校正指導描述組；校正機制，配置成使用校正指導描述組校正識別的熱點。
全文摘要
本發明的一個實施例提供了一種產生基於模式片斷的熱點資料庫用於執行自動的基於模式片斷的布局驗證的系統。在操作期間，系統接收指定在布局中要避免的製造熱點的模式片斷列表，其中每個模式片斷包括一組相互鄰近的幾何形狀。接下來，對於每個模式片斷，系統幹擾模式片斷以為組成幾何形狀組確定第一變更範圍，其中被幹擾的模式片斷不再導致製造熱點。然後系統從第一變更範圍提取用於校正模式片斷的一組校正指導描述。隨後，系統在基於模式片斷的熱點資料庫中存儲該模式片斷以及該組校正指導描述。
文檔編號G06F17/50GK101681393SQ200980000251
公開日2010年3月24日 申請日期2009年3月19日 優先權日2008年4月24日
發明者A·米羅斯拉維斯基, D·張, K·A·貝奧德特, K·Y·克萬, S·辛哈, Z·唐, 徐靜雨 申請人:新思科技有限公司