高純度鋁塗層硬陽極化的製作方法
2023-05-14 22:31:56 2
專利名稱：高純度鋁塗層硬陽極化的製作方法
高純度鋁塗層硬陽極化技術領域
本發明大體上關於用於等離子體處理腔室設備中的工具及部件。更具體地說，本發明關於一種用於生產對腐蝕性等離子體環境具有耐受性的等離子體處理腔室部件的方法。
背景技術：
半導體處理涉及數個不同化學及物理工藝，藉此在基板上產生微型集成電路。組成集成電路的材料層通過化學氣相沉積、物理氣相沉積、外延生長等方法形成。所述材料層中的一些材料層使用光刻膠掩模及溼式或乾式蝕刻技術來圖案化。用以形成集成電路的基板可為矽、砷化鎵、磷化銦、玻璃或其它適當的材料。
典型的半導體處理腔室包括界定處理區的腔室主體；氣體分配組件，所述氣體分配組件適於從氣體供應器供應氣體至處理區中；氣體激發器，例如，等離子體發生器，所述氣體激發器用以激發處理氣體以處理位於基板支撐組件上的基板；以及排氣裝置。在等離子體處理期間，被激發的氣體通常由離子及高反應性物種組成，被激發的氣體蝕刻且腐蝕處理腔室部件(例如，在處理期間保持基板的靜電夾盤)的暴露部分。另外，處理的副產物經常沉積於腔室部件上，通常必須利用高反應性氟周期性地清潔所述腔室部件。用以從腔室主體內部移除處理的副產物的原位清潔工序可能進一步腐蝕處理腔室部件的完整性。在處理及清潔期間來自反應性物種的侵襲降低了腔室部件的壽命，且提高了維修頻率。另外，來自腔室部件的受腐蝕部分的薄片可變成在基板處理期間微粒汙染的來源。因此，必須在基板處理期間在數個工藝周期之後且在腔室部件提供不一致或不良特性之前更換腔室部件。因此，期望能促進腔室部件的等離子體耐受性，以增長處理腔室的使用壽命、減短腔室停工時間、降低維修頻率並改進基板產量。
傳統上，可將處理腔室表面陽極化以提供針對腐蝕性處理環境的一定程度的保護。或者，可將介電層及/或陶瓷層，諸如氮化鋁(AlN)、氧化鋁(Al2O3)、氧化矽(SiO2)或碳化矽(SiC)，塗覆及/或形成於部件表面上以促進腔室部件的表面保護。用以塗覆保護層的若干傳統方法包括物理氣相沉積(PVD)、化學氣相沉積(CVD)、濺射、等離子體噴霧塗覆、氣溶膠沉積(AD)等方法。傳統的塗覆技術通常使用相當高的溫度以提供足夠熱能來將期望量的材料濺射、沉積或噴射在部件表面上。然而，高溫處理可使表面性質退化或不利地改變被塗覆表面的微結構，造成塗覆層具有因溫度上升而導致的不良均勻性及/或表面裂縫。此外，若塗覆層或下方表面具有微裂縫，或未均勻地施加塗層，則部件表面可隨著時間退化且最終會將下方部件表面暴露於腐蝕性等離子體侵襲。
因此，需要一種用於形成對處理腔室環境更具耐受性的腔室部件的改進方法。發明內容
本發明的實施例提供一種用於等離子體處理腔室設備中的腔室部件。根據本發明的一個實施例，提供腔室部件，所述腔室部件包括鋁主體，所述鋁主體具有經拋光的鋁塗層及硬陽極化塗層，經拋光的鋁塗層安置於主體的外表面上，且硬陽極化塗層安置於鋁塗層上，其中經拋光的鋁塗層被拋光至8Ra或更光滑的光潔度。
在本發明的另一實施例中，提供一種用於等離子體處理腔室中的設備，所述等離子體處理腔室具有適於支撐基板的基板基座。所述設備通常包括平板，所述平板具有多個穿過所述平板而形成的穿孔，且所述多個穿孔經設置以控制等離子體的帶電及中性物種的空間分布，所述平板具有安置於平板的外表面上的經拋光的鋁層及安置於所述鋁層上的硬陽極化塗層，其中所述鋁層拋光至8Ra或更光滑的光潔度。
在本發明的一個實施例中，一種用於製造等離子體處理腔室部件的方法包括以下步驟:由鋁形成腔室部件的主體；拋光主體的表面；將鋁層沉積於主體上；拋光鋁層的表面；以及對鋁層進行硬陽極化。
在閱讀以下詳細的描述之後，本發明的額外實施例將必定為本領域普通技術人員所理解，所述詳細的描述圖示於以下附圖及圖式中。
通過結合附圖考慮以下的詳細描述，可容易地理解本發明的教示，在附圖中:
圖1示出根據本發明一實施例的具有塗層的腔室部件的剖視圖。
圖2描繪用於製造圖1的腔室部件的方法的一實施例的流程圖。
圖3示出圖1的腔室部件(具體為等離子體篩)的可替代實施例的透視圖。
圖4示出使用圖1的腔室部件的處理腔室。
為了促進理解，已儘可能使用相同標號來指示各圖所共有的相同元件。預期在一實施例中揭示的元件可有利地用於其它實施例上而無需特別記載。
具體實施方式
圖1示出可用於處理腔室內的等離子體處理腔室部件100的一實施例的剖視圖。儘管在圖1中將腔室部件100圖示為具有矩形橫截面，但是為了論述的目的，應理解腔室部件100可採用任何腔室部分的形式，包括，但不限於，腔室主體、腔室主體上部襯墊、腔室主體下部襯墊、腔室主體等離子體門、陰極襯墊、腔室蓋氣環、節流閘閥槽、等離子體篩、基座、基板支撐組件、噴頭、氣體噴嘴等。腔室部件100具有至少一個暴露表面114，所述至少一個暴露表面114在使用時暴露於處理腔室內的等離子體環境中。腔室部件100包括:主體102，主體102具有高純度鋁的共形鋁塗層106 ;以及硬陽極化塗層104，硬陽極化塗層104安置於鋁塗層106的外表面112上。主體102可視情況包括黏著層(以標號108用虛像示出)，所述黏著層安置於主體102的外表面110上從而改進鋁塗層106對主體102的黏著力。
鋁塗層106沿著鋁主體102的外表面110填充且橋接缺陷，同時鋁塗層106產生光滑且無裂縫的外表面112。因為在上面形成硬陽極化塗層104的外表面112是大體上無缺陷的，故不會存在供裂縫形成並經硬陽極化塗層104傳導的起始位置，從而產生了相對光滑且無缺陷的外表面114。鋁塗層106通常柔軟且具有延展性，且鋁塗層106由高純度鋁材料製成。鋁塗層106通常無金屬間化合物、無來自加工的表面缺陷(S卩，鋁塗層106未經過加工)，且不具有殘餘應力。使用諸如化學拋光的非機械拋光來拋光鋁塗層106，以改進鋁塗層106的外表面112的表面純度以用於陽極化。在一實施例中，外表面112拋光至16RMS或更加光滑，諸如8RMS或更低。拋光以移除表面雜質並形成均勻表面增強了上覆硬陽極化塗層104的裂縫耐受性。通常，鋁塗層106具有的厚度使得下方主體102不受硬陽極化工藝的影響。在一實施例中，鋁塗層106可具有至少0.002英寸(諸如0.003英寸)的厚度。
視情況，安置於外表面110上的黏著層108可改進鋁塗層106對腔室部件100的黏著力。黏著層108可另外作為主體102與鋁塗層106之間的阻擋層，以阻擋來自主體102的雜質遷移至後續沉積的鋁塗層106中。在一實施例中，黏著層108為薄鎳閃光層。
陽極化塗層104覆蓋且封裝鋁塗層106及主體102，且陽極化塗層104形成暴露於處理腔室的等離子體環境的表面114。陽極化塗層104通常對在工藝容積內存在的腐蝕性元素具有耐受性，並保護腔室部件不受腐化和磨損。在一特定實施例中，陽極化塗層104具有0.002英寸±0.0005英寸的厚度。在另一示例中，陽極化塗層104具有約0.0015英寸±0.0002英寸的厚度。
圖2描繪了可用於製造圖1中所示的腔室部件的方法200的一實施例的流程圖。如上所提及地，方法200可容易地適合於任何適合的腔室部件，所述腔室部件包括基板支撐組件、噴頭、噴嘴及等離子體篩等。
方法200開始於方塊202，由鋁形成主體102。在一實施例中，主體102由基礎鋁製成，諸如6061-T6鋁。非使用本文所述的方法200製造的傳統鋁部件具有不可靠的質量及不一致的表面特徵結構，從而可能導致在腔室部件100暴露於等離子體環境之後在部件100的表面上形成裂縫及裂紋。因而，需要如下文所詳述的進一步處理來產生穩健的等離子體耐受部件。
在方塊204，主體102的外表面110經拋光以降低表面缺陷，所述表面缺陷傳統上會導致在陽極化塗層處破裂。應注意，為了顆粒減少及膜壽命，本領域技術人員將把在主體102上具有較小表面裂縫及裂紋看作比硬陽極化塗層的厚度更加重要。可使用任何適合的電拋光或機械拋光方法或工藝來拋光外表面110，例如諸如由ANSI/ASME B46.1所描述的方法或工藝。在一實施例中，外表面110可拋光至8 ii in Ra或更光滑的光潔度。
在方塊206，鋁塗層106被沉積在主體102的外表面110上。鋁塗層106可由各種方法產生。在一實施例中，高純度鋁金屬層可電沉積於主體102的外表面110上。在另一實施例中，離子氣相沉積(IVD)工藝可用於將鋁塗層106沉積於主體102的外表面110上。
在方塊208，鋁塗層106的外表面112經拋光以從外表面112移除表面雜質。在一實施例中，可使用諸如化學拋光或電拋光等非機械拋光來拋光外表面112，以移除在表面上發現的雜質。例如，外表面112可拋光至in Ra或更光滑的光潔度。所述修整步驟有利地降低了在腔室部件100經硬陽極化之後形成裂縫或裂紋的可能性。
在方塊210，鋁塗層106的外表面112經硬陽極化以形成陽極化塗層104，陽極化塗層104保護腔室部件的下方金屬不受等離子體處理腔室內的腐蝕性工藝環境的影響。鋁塗層106可經陽極化以形成陽極化塗層104，陽極化塗層104具有足以提供充分保護而不受工藝環境影響的厚度，但不會厚到加重表面裂縫及裂紋。在一特定示例中，陽極化塗層具有0.002英寸±0.0005英寸的厚度。在另一示例中，陽極化塗層104具有約0.0015英寸的厚度。
視情況，在方塊212，腔室部件100可經清潔以移除位於陽極化塗層104的暴露表面114上的任何高點(high spot)或鬆散顆粒。在一實施例中，可用諸如Scotch Brite的非沉積材料來機械清潔腔室部件100，以移除可能在處理腔室的操作期間被釋放的大顆粒或鬆散附著的材料，但並非通過一般的清潔後工藝。在另一實施例中，可使用24小時清潔處理來清潔腔室部件100，24小時清潔處理足以移除在腔室部件100的表面上的小的殘餘材料。
用於高純度鋁塗層硬陽極化的方法200顯著改進了硬陽極化的完整性，防止在腔室部件的暴露表面中形成裂縫及裂紋。用於硬陽極化的氫氯酸試驗被認為在不滲透入基礎鋁的情況下暴露8小時是有益的。由如上所述具有硬陽極化的方法200產生的腔室部件可有利地在滲透入基礎鋁之前維持顯著較長的暴露且產生少量或不產生實體顆粒。此外，利用高純度鋁塗層106，關於金屬間化合物、表面缺陷及內部結構的基礎鋁材料的特性變得較不重要。因而，當製造用於真空環境中的腔室部件時，在硬陽極化塗層104之下的鋁塗層106允許對主體102使用多孔材料(諸如鑄鋁)，從而能提高製造產量，因為所述這些因素在滿足規格上變得較不重要。
圖3示出可使用方法200產生的示例性腔室部件(圖示為等離子體篩300)的一實施例。等離子體篩300用於處理腔室中以在基板的表面上分配離子及自由基，所述基板放置在處理腔室內。如圖3中所示，等離子體篩300通常包括平板312，平板312具有穿過所述平板形成的多個穿孔314。在另一實施例中，平板312可為篩或網狀物，其中篩或網狀物的開孔區域對應由穿孔314提供的期望開孔區域。或者，也可利用平板及篩或網狀物的組八口 o
圖3A描繪了等離子體篩300的剖視圖。在所示的實施例中，平板312由主體302製成，主體302具有鋁塗層306及陽極化塗層304，陽極化塗層304安置於主體302的表面上，如上參考腔室部件100所述。在一實施例中，主體302可由鋁(例如6061-T6鋁)或任何其它適合的材料製成。如上所述，鋁塗層306可為使用各種方法(包括電沉積及IVD方法)沉積於主體302的外表面上的高純度鋁層。在一實施例中，陽極化塗層304可包括硬陽極化層，硬陽極化層保護主體302在等離子體處理期間不受等離子體篩300所遇到的離子的影響。應注意，在製造等離子體篩300期間，可在陽極化工藝之前遮蔽穿孔314及孔316 (在下文中描述)，以保持開孔的完整性。
回到圖3，可改變平板312整個表面的多個穿孔314的尺寸、間距及幾何排列。穿孔314的尺寸通常在0.03英寸(0.07cm)至約3英寸(7.62cm)的範圍。穿孔314可排列成方格網圖案。穿孔314可經排列以在約2%至約90%的平板312的表面中界定開孔區域。在一實施例中，一個或更多個穿孔314包括多個約半英寸(1.25cm)直徑的孔，所述多個孔排列成方格網圖案以界定約30%的開孔區域。預期所述孔可利用其它尺寸的孔或具有各種大小的孔排列成其它幾何或隨機圖案。所述孔的尺寸、形狀及圖案化可依據處理腔室內的工藝容積中的期望離子密度而變化。例如，更多小直徑的孔可用以增大在容積中自由基與離子密度的比。在其它情況下，數個較大孔可與小孔交錯以增大容積中的離子與自由基密度的比。或者，可在平板312的特定區域安置較大孔，以確定容積中離子分布的輪廓。
為了維持平板312相對於支撐在等離子體處理腔室中的基板之間以間距隔開的關係，平板312由從平板312延伸的多個支腳310支撐。為簡潔起見，在圖3A中示出一個支腳310。支腳310通常位於平板312的外周邊周圍，且可使用與如上所述的平板312相同的材料及工藝製造支腳310。在一實施例中，可使用三個支腳310來為等離子體篩300提供穩定支撐。支腳310通常將平板維持在相對於基板或基板支撐基座大體上平行的方向。然而，也可考慮通過具有變化長度的支腳來使用傾斜的方向。
支腳310的上端可壓入配合或螺紋旋入形成於凸座318中的相應盲孔316中，凸座318從平板312的底面側在三個位置延伸。或者，支腳310的上端可螺紋旋進平板312中或螺紋旋入支架中，支架則固定於平板312的底面。與處理條件不相牴觸的其它傳統的固定方法也可用以將支腳310固定於平板312。也可考慮將支腳310置於基座、適配器或外接基板支撐件的邊緣環上。或者，支腳310可延伸至形成於基座、適配器或邊緣環中的接收孔中。還可考慮其它固定方法(如通過螺旋、螺栓連接、接合等方法)，以將等離子體篩300固定於基座、適配器或邊緣環。當等離子體篩300固定至邊緣環時，等離子體篩300可為易於更換的工藝套組的一部分，以便於使用、維修、更換等。
圖4示意性地示出等離子體處理系統400。在一實施例中，等離子體處理系統400包含界定處理容積441的腔室主體425。腔室主體425包括可密封的流量閥隧道424以允許基板401從處理容積441進出。腔室主體425包括側壁426及蓋443。側壁426及蓋443可使用如上所述的方法200由鋁(包括多孔鋁)製造。等離子體處理系統400進一步包含天線組件470，天線組件470安置於腔室主體425的蓋443上。功率源415及匹配網絡417耦接至天線組件470以為等離子體產生提供能量。在一實施例中，天線組件470可包含一個或更多個螺線管狀交錯線圈天線，所述螺線管狀交錯線圈天線與等離子體處理系統400的對稱軸473同軸安置。如圖4中所示，等離子體處理系統400包括安置於蓋443上的外部線圈天線471及內部線圈天線472。在一實施例中，可獨立地控制線圈天線471、472。應注意，儘管在等離子體處理系統400中描述了兩個同軸天線，但是也可考慮其它配置方式，如單線圈天線、三個或更多個線圈天線配置。
在一實施例中，內部線圈天線472包括一個或更多個導電體卷繞成具有小螺距的螺旋，且形成內部天線容積474。當電流通過一個或更多個導電體時，磁場在內部線圈天線472的內部天線容積474中建立。如下所述，本發明的實施例在內部線圈天線472的內部天線容積474之內提供腔室延伸容積，以使用內部天線容積474中的磁場產生等離子體。
應注意，內部線圈天線472及外部線圈天線471可根據應用具有其它形狀，例如以匹配腔室壁的某一形狀，或在處理腔室內實現對稱或不對稱。在一實施例中，內部線圈天線472及外部線圈天線471可形成超矩形的內部天線容積。
等離子體處理系統400進一步包括基板支撐件440，基板支撐件440安置在工藝容積441中。基板支撐件440在處理期間支撐基板401。在一實施例中，基板支撐件440為靜電夾盤。偏壓功率420及匹配網絡421可連接至基板支撐件440。偏壓功率420對在處理容積441中產生的等離子體提供偏壓電位。
在所示的實施例中，基板支撐件440由環狀陰極襯墊456所圍繞。等離子體圍阻篩或擋板452覆蓋陰極襯墊456的頂部且覆蓋基板支撐件440的周邊部分。擋板452及陰極襯墊456可具有如上所述的鋁塗層及陽極化塗層，以改進擋板452及陰極襯墊456的使用壽命。基板支撐件440可含有對腐蝕性等離子體處理環境不相容或易損壞的材料，並且陰極襯墊456及擋板452分別將基板支撐件440與等離子體隔離和將等離子體包含在處理容積441內。在一實施例中，陰極襯墊456及擋板452可包括由硬陽極化層覆蓋的高純度鋁塗層，硬陽極化層對包含在處理容積441內的等離子體具有耐受性。
等離子體篩450安置於基板支撐件440的頂部，以控制在基板401的整個表面的等離子體的帶電及中性物種的空間分布。在一實施例中，等離子體篩450包括與腔室壁電氣隔離的大致平坦的構件，且包含垂直延伸穿過所述平坦構件的多個穿孔。在一實施例中，等離子體篩450為上文關於圖3及3A所述的等離子體篩300。等離子體篩450可包括如上所述的高純度鋁塗層及硬陽極化塗層，硬陽極化塗層對在處理容積441內的處理環境具有耐受性。
在一實施例中，蓋443具有開孔444以允許一種或更多種處理氣體進入。在一實施例中，開孔444可安置於等離子體處理系統400的中心軸附近且對應受處理的基板401的中心。
在一實施例中，等離子體處理系統400包括腔室延伸件451，腔室延伸件451安置於蓋443上而覆蓋開孔444。在一實施例中，腔室延伸件451安置在天線組件470的線圈天線內部。腔室延伸件451界定延伸容積442，延伸容積442經由開孔444與處理容積441流體連通。
在一實施例中，等離子體處理系統400包括擋板噴嘴組件455，擋板噴嘴組件455經安置穿過處理容積441及延伸容積442中的開孔444。擋板噴嘴組件455通過延伸容積442將一種或更多種處理氣體導引至處理容積441中。在一實施例中，擋板噴嘴組件455具有旁通路徑，所述旁通路徑允許處理氣體在不通過延伸容積442的情況下進入處理容積441。擋板噴嘴組件455可使用如上所述的方法200由鋁製造。
因為延伸容積442位於內部天線容積474內，所以延伸容積442中的處理氣體在進入處理容積441之前暴露於內部線圈天線472的磁場。延伸容積442的使用增大了在處理容積441內的等離子體強度，而不會增大施加於內部線圈天線472或外部線圈天線471的功率。
等離子體處理系統400包括泵430及節流閥435以提供真空並對處理容積441排氣。節流閥435可包括閘閥槽454。閘閥槽454可使用如上所述的方法200由鋁製造。等離子體處理系統400可進一步包括冷卻器445以控制等離子體處理系統400的溫度。節流閥435可安置在泵430與腔室主體425之間，且節流閥435可操作以控制腔室主體425內的壓力。
等離子體處理系統400還包括氣體輸送系統402以將一種或更多種處理氣體提供至處理容積441。在一實施例中，氣體輸送系統402位於外殼405中，夕卜殼405與腔室主體425直接相鄰地進行安置，諸如安置在腔室主體425下面。氣體輸送系統402選擇性地將位於一個或更多個氣體面板404中的一個或更多個氣體源耦接至擋板噴嘴組件455，以將處理氣體提供至腔室主體425。在一實施例中，氣體輸送系統402連接至擋板噴嘴組件455以將氣體提供至處理容積441。在一實施例中，外殼405位於接近於腔室主體425處，以減少改變氣體時的氣體過渡時間、將氣體的使用量減到最少並使廢氣最小化。
等離子體處理系統400可進一步包括用於升高及降低基板支撐件440的升降機427，基板支撐件440在腔室主體425中支撐基板401。
腔室主體425受下部襯墊422及上部襯墊423保護，下部襯墊422及上部襯墊423可為鋁且使用如上所述的方法200進行製造。
氣體輸送系統402可用於在瞬時速率下將至少兩種不同的氣體混合物供應至腔室主體425，如下文所進一步描述地。在可選的實施例中，等離子體處理系統400可包括光譜監視器，光譜監視器可操作以當溝槽在腔室主體425中形成時測量蝕刻溝槽的深度及沉積膜厚度，且所述光譜監視器具有使用其它光譜特徵來確定反應器的狀態的能力。等離子體處理系統400可容納各種基板尺寸，例如高達約300mm的基板直徑。
在如上所述的處理系統400中的各種腔室部件皆可使用如上所述的鋁塗層及硬陽極化來製造。這些腔室部件頻繁地暴露於等離子體處理環境中。舉例而言，鋁塗層及陽極化塗層可施加於腔室主體425、腔室主體上部襯墊423、腔室主體下部襯墊422、腔室主體等離子體門424、陰極襯墊456、腔室蓋氣環、節流閘閥槽454、等離子體篩450、擋板噴嘴組件455、擋板452及基座或基板支撐件440。
利用上述示例及解釋，描述了本發明的實施例的特徵及精神。本領域技術人員將容易地觀察到，可對裝置進行許多修改及改變，同時保持本發明的教示。因此，上述揭示的發明應解釋為僅由所附權利要求書的範圍來限制。
權利要求
1.一種用於等離子體處理設備中的腔室部件，所述腔室部件包含: 鋁主體，所述鋁主體具有安置於所述主體的外表面上的經拋光的鋁塗層，以及安置於所述鋁塗層上的硬陽極化塗層，其中所述經拋光的鋁塗層拋光至8Ra或更光滑的光潔度。
2.如權利要求1所述的腔室部件，其特徵在於，所述經拋光的鋁塗層經非機械拋光。
3.如權利要求1所述的腔室部件，其特徵在於，所述經拋光的鋁塗層包含高純度鋁層。
4.如權利要求1所述的腔室部件，其特徵在於，所述經拋光的鋁塗層使用電沉積或離子氣相沉積(IVD)中的至少一個安置於所述鋁主體的所述外表面上。
5.如權利要求1所述的腔室部件，其特徵在於，所述硬陽極化塗層使用諸如ScotchBrite的非沉積材料來進一步機械地清潔。
6.一種用於等離子體處理腔室中的設備，所述等離子體處理腔室具有適於支撐基板的基板基座，所述設備包含: 平板，所述平板具有多個穿孔，所述多個穿孔穿過所述平板而形成並經設置以控制所述等離子體的帶電及中性物種的空間分布，所述平板具有安置於所述平板的外表面上的經拋光的鋁層及安置於所述鋁層上的硬陽極化塗層，其中所述鋁層拋光至8Ra或更光滑的光潔度。
7.如權利要求6所述的設備，其特徵在於，所述設備進一步包含: 多個支撐腳，所述多個支撐腳將所述平板支撐於所述基座上方。
8.如權利要求6所述的設備，其特徵在於，所述經拋光的鋁層經非機械拋光。
9.如權利要求6所述的設備，其特徵在於，所述經拋光的鋁層包含高純度鋁層。
10.如權利要求6所述的設備，其特徵在於，所述經拋光的鋁層使用電沉積或離子氣相沉積(IVD)中的至少一個安置於所述鋁主體的所述外表面上。
11.如權利要求6所述的設備，其特徵在於，所述硬陽極化塗層使用諸如ScotchBrite的非沉積材料來進一步機械地清潔。
12.一種用於製造腔室部件的方法，所述腔室部件用於等離子體處理環境中，所述方法包含以下步驟: 由鋁形成所述腔室部件的主體； 拋光主體的表面； 將鋁層沉積於所述主體上； 拋光所述鋁層的表面；以及 硬陽極化所述鋁層。
13.如權利要求12所述的方法，其特徵在於，拋光所述鋁層的所述表面的步驟包含以下步驟:將所述鋁層的所述表面拋光至8Ra或更光滑的光潔度。
14.如權利要求12所述的方法，其特徵在於，拋光所述鋁層的所述表面的步驟包含以下步驟:非機械地拋光所述鋁層的所述表面。
15.如權利要求12所述的方法，其特徵在於，沉積所述鋁層的步驟包含以下步驟:使用電沉積或離子氣相沉積(IVD)中的至少一個沉積所述鋁層。
16.如權利要求12所述的方法，其特徵在於，所述方法進一步包含以下步驟:使用諸如Scotch Brite的非沉積材料機械地清潔所述硬陽極化層
全文摘要
本發明關於一種用於等離子體處理腔室設備中的腔室部件或一種用於製造所述腔室部件的方法。所述腔室部件包括經拋光的高純度鋁塗層及硬陽極化塗層，所述硬陽極化塗層對等離子體處理環境具有耐受性。
文檔編號H05H1/46GK103189963SQ201180051653
公開日2013年7月3日 申請日期2011年9月30日 優先權日2010年10月28日
發明者A·H·烏耶, R·M·科克 申請人:應用材料公司