離子束電荷量控制方法

2023-05-14 14:34:46

專利名稱：離子束電荷量控制方法
離子束電荷量控制方法技術領域束髮明涉及豐導休製造技米領城，特別涉及一種離子東的電荷特性檢測 方法。
技術背景隨著半導體製造技術的飛速發展，半導體器件為了達到更快的運算速度、 更大的數據存儲量以及更多的功能，半導體晶片朝向更高的元件密度、高集成度方向發展，CMOS (互補金屬氧化物半導體電晶體)器件的柵極特徵尺寸 已經進入深亞微米階段，柵極長度變得越來越細且長度變得較以往更短。為 了獲得較好的電學特性，例如載流子遷移率、閾值電壓和驅動電流，通常需 要在器件的特定區域進行雜質離子注入，例如向MOS電晶體的源極區和漏極 區注入N型或P型雜質。為避免短溝效應，還需對源極區和漏極區的延伸區域 進行輕摻雜，通常稱為延伸摻雜，以使源/漏結區變淺。圖l為對MOS器件的 源/漏極區進行延伸摻雜的剖面示意圖。圖2為對MOS器件的源/漏極區進行重 摻雜的剖面示意圖。如圖l所示，在半導體襯底100上形成柵極140之後，注入 雜質離子形成延伸摻雜區域120和130。然後，如圖2所示，在柵極140兩側形 成側牆(offset spacer ) 141,採用自對準工藝，在源極區和漏極區執行重摻雜 形成源極121和漏極131。對於NMOS器件而言，n型雜質離子為磷(P+)或砷 (As);對於PMOS器件而言，p型雜質離子主要為硼(B+)。對於65nm以下的工藝節點，離子注入劑量和均勻性需要得到很好的控制。 在離子注入中，電離的雜質原子經靜電場加速注射到晶片表面，通過測量離 子電流可以嚴格控制注入劑量，通過控制靜電場可以控制雜質離子的穿透深 度。注入工藝所用的劑量範圍從很輕摻雜的10"cm^到諸如源/漏極的低電阻區 所用的1016cm—2,某些特殊的應用要求注入劑量大於1018cm-2 。在對整個晶片進行注入時，離子注入系統首先將含有注入物質的氣體送 入反應室，矽工藝中常用的氣體有BF3、 AsH3和PH3; GaAs工藝中常用的氣體 為SiH4和H2。圖3為離子注入時在晶片表面積累電荷的剖面示意圖。如圖3所 示，在放電腔室將氣體激發為帶電離子212,帶電離子212通常為帶正電的離 子。在電極的作用下帶電離子212形成離子束。在許多情況下，矽襯底表面具
有的一個或多個材料層，例如二氧化矽或光刻膠等。當離於注入時，暴露在矽片表面的材料，例如光刻膠或氧化層200都是絕緣體，離子轟擊矽片表面時 會發射出二次電子，使這些層充滿電荷211而使晶片表面帶電。晶片表面絕緣層上聚集的電荷會建立起空間電場，隨著離子注入過程的 推移，聚集正電荷的絕緣層會隨著電荷聚集量的增加而對離子束產生越來越 強的排斥作用。這樣，靠近絕緣層的村底區域注入的離子數量便會減少，從 而使矽片表面離子注入的均勻程度下降。此外，MOS電晶體薄的柵極氧化層 極易因多晶矽或金屬層表面傳導的電荷產生的隧道電流所損壞，造成器件的 良率降低。申請號為02156342.X的中國專利申請公開了 一種在晶片處理和器件制 造、特別是等離子體和離子注入工藝期間晶片表面出現的電荷的檢測方法。 該方法在村底中形成由MOS電晶體和MOS電容器組成的檢測電路。檢測電路 將聚集在晶片上的電荷傳送給一個電荷收集極板，通過讀取極板上的電荷來 獲得電荷量。該方法雖然能夠檢測晶片表面的帶電電荷，但並未給出如何消 除離子束的正電荷對晶片的充電現象。而且該方法需要在襯底上形成單獨的 器件結構作為電荷檢測電路，佔用了晶片面積，提高了工藝複雜程度和製造 成本。另 一篇專利號為ZL02154880.3的中國專利中，介紹了 一種用與扼制襯底 電荷積累的離子束輻照裝置和方法，該方法通過在電子回旋加速器共振 (ECR)離子產生裝置中採用調製射頻功率輸出的方式建立ECR放電，獲得能 量可調的電子，通過改變調製頻率控制加入電子的能量，從而達到控制離子 束中電子的能量，降低或調整離子束在襯底表面的電荷電勢的積累。雖然該 方法能夠通過調整調製頻率得到具有合適的電荷電勢的離子束，其目的是降 低離子束的電荷電勢並維持一個合適的離子狀態。但是該方法並沒有解決如 何確定加入電子的劑量與襯底表面離子注入均勻度之間的關係問題，以及如 何通過控制加入電子的劑量使離子注入的均勻度達到最佳。 發明內容本發明的目的在於提供一種離子束電荷量控制方法，能夠通過監測離子注入能量的均勻度來確定晶H上加入電子的劑量是否達到最佳並相應地進行調整。為達到上述目的，本發明提供的一種離子束電荷量控制方法，用於正式 生產前的試片測試，包括在反應室內提供一半導體晶片作為測試試片；在所述試片表面形成絕緣層，所述絕緣層之間具有間隔，將所述試片表 面分為開闊區域和狹長區域對所述試片進行離子束注入並向所述離子束中加入電子；向所述試片表面、沿著所述開闊區域和狹長區域發射複數個光束並測量 複數個光反射率；根據所述反射率的變化趨勢調整所述加入電子的劑量。根據本發明的方法，形成所述絕緣層的步驟包括在所述試片表面澱積絕緣物質；塗布光刻膠並圖案化所述光刻膠形成絕緣層掩膜圖形； 刻蝕未被所述掩膜圖形覆蓋的絕緣層並去除所述光刻膠。 根據本發明的方法，所述絕緣物質為氧化矽或氮化矽。所述絕緣層的厚度為20A 30000A。所述狹長區域的寬度為lmm 200mm。所述開闊區域和狹長區域為相通的連續區域。所述連續區域沿所述試片的直徑方向對稱分布。 根據本發明的方法，若所述開闊區域的光反射率小於所述狹長區域的光反射率，則增加電子的加入削量；若所述開闊區域的光反射率大於所述狹長區域的光反射率，則減小電子的加入劑量。 根據本發明的方法，所述光為雷射。根據本發明的方法，測量反射率之後，所述方法還包括對試片進行退火的步驟。與現有技術相比，本發明具有以下優點本發明的離子東電荷量控制方法首先在測試晶片(試片)上形成特定布 局的絕緣層，該絕緣層之間具有間隔，將試片表面劃分成開闊區域，即面積 較大的區域(以下簡稱平原區)；和絕緣層之間的狹長區域(以下簡稱峽谷區)。 然後採用實際離子注入的工藝條件對試片進行離子注入，並向離子束中加入 適量的電子。離子注入過程中，離子束在整個晶片範圍內進行地毯式注入。 其中的帶正電的離子不斷地轟擊絕緣層和襯底表面。轟擊到襯底表面的離子 會破壞襯底表面的晶格結構，而轟擊到絕緣層表面的離子在絕緣層表面不斷
積累正電荷而使絕緣層帶正電。隨著離子注入過程的推移，帶正電的絕緣層 對離子束產生越來越強的排斥作用，從而削弱了峽谷區的離子注入能量，使 平原區和峽谷區襯底表面晶格的破壞程度不同，導致平原區和峽谷區對光的 反射率不同。通過加入適量電子，對離子束中的正電荷和絕緣層表面積累的 正電荷共同起到中和作用。那麼離子束中的正電荷電勢會有所降低，在絕緣 層表面積累的正電荷將減少，對離子束的排斥作用減弱，使峽谷區的離子轟 擊能量增加。峽谷區表面晶格的破壞程度與平原區表面晶格的破壞程度之間 的差異會改變。加入電子的量決定了這種差異的變化趨勢。本發明的方法在 對測試晶片進行離子注入之後，通過向平原區和峽谷區表面發射雷射並測量 反射率，來測量晶格破壞程度的變化趨勢，從而確定離子束中加入電子的量 與晶格破壞程度之間的關係，進而確定加入電子的劑量與襯底表面離子注入 能量均勻度之間的關係。通過調整加入電子的劑量使離子束和絕緣層表面達 到一個合適的電荷電勢水平，獲得最佳的離子注入能量均勻度。為後續正式 晶片的生產提供了準確和有價值的電子加入劑量參數，確保離子注入達到良 好的效果。此外，在測量反射率之後，本發明的方法還可對試片進行退火， 以修復被破壞的晶格，從而可以重複使用上述本發明的方法進行測試。


通過附圖中所示的本發明的優選實施例的更具體說明，本發明的上述及 其它目的、特徵和優勢將更加清晰。在全部附圖中相同的附圖標記指示相同 的部分。並未刻意按比例繪製附圖，重點在於示出本發明的主旨。在附圖中， 為清楚明了，放大了層和區域的厚度。圖1為對MOS器件的源/漏極區進行延伸摻雜的剖面示意圖；圖2為對MOS器件的源/漏極區進行重摻雜的剖面示意圖；圖3為離子注入時在晶片表面積累電荷的剖面示意圖；圖4A為本發明方法在測試晶片上形成的絕緣層圖形示意圖；圖4B為圖4A所示示意圖沿B-B，線的剖面示意圖；圖4C為圖4A所示示意圖沿A-A，線的剖面示意圖；圖5為離子束在圖4B所示位置注入的情形的示意6A為離子束在圖4C所示位置注入的情形的示意圖；圖6B為向圖6A所示離子束中加入電子的情形的示意圖7為本發明的方法沿晶片表面直徑方向測量光反射率的示意圖； 圖8A為當電子加入量過小時測得的光反射率沿直徑方向的變化示意圖； 閨8B為當電子加入量過大時測得的光反射率沿直徑方向的變化示意圖； 圖8C為當電子加入量適宜時測得的光反射率沿直徑方向的變化示意圖。
具體實施方式
為使本發明的上述目的、特徵和優點能夠更加明顯易懂，下面結合附圖 對本發明的具體實施方式
做詳細的說明。在下面的描述中闡述了很多具體細節以便於充分理解本發明。但是本發 明能夠以很多不同於在此描述的其它方式來實施，本領域^支術人員可以在不 違背本發明內涵的情況下做類似推廣。因此本發明不受下面公開的具體實施 的限制。離子化的過程發生在通有源蒸氣的離化反應腔中。該反應腔保持約10—3託 的低壓。反應腔內部的氣體從熱燈絲(陰極)和金屬極板(陽極)之間流過。 相對於金屬極板而言，燈絲維持一個大的負電位，其表面被加熱到可以發射 電子的溫度。帶負電的電子被反應腔中的陽極所吸引而向陽極加速運動。電 子從燈絲運動到陽極的過程中與雜質源分子碰撞，產生包含大量雜質分子所 包含元素形成的正離子束。離子注入工藝是半導體製造技術中的重要工藝。為便於使用和控制，離 子注入大多採用氣態源，將氣態摻雜物原子離化產生離子。離子注入是一個 物理過程，也就是說注入動作不依賴於雜質與晶片材料的反應。摻雜原子被 離化、分離、加速形成離子束流，掃過晶片，對晶片表面進行物理轟擊，破 壞襯底表面晶格結構，使離子注入後襯底表面的粗糙度增加，使入射光產生 漫反射，從而使反射率降低，且離子轟擊的能量越強，光反射率越低。在許多情況下，晶片表面具有在一個或多個絕緣材料層，例如二氧化矽、 氮化矽或光刻膠。利用光刻工藝在矽片表面形成絕緣層圖形，然後將矽片置 於離子注入反應腔室內，當離子轟擊矽片表面時，高強度束流攜帶大量正電 荷使晶片表面的絕緣層帶電:，離子注入的過程中，離予束在整個晶片範圍內進行地毯式注入。其中的 帶正電的離子不斷地轟擊絕緣層和襯底表面。轟擊到襯底表面的離子破壞晶 格結構並進入襯底內部，而轟擊到絕緣層表面的離子在絕緣層表面釋放出二
次電子並不斷積累正電荷而^f吏絕^彖層帶正電。隨著離子注入過禾呈的4,移，帶 正電的絕緣層對離子束產生越來越強的排斥作用，從而削弱了晶片表面絕緣 層之間峽谷區的離子轟擊能量，使平原區和峽谷區的晶格破壞程度不 一致， 導致平原區和峽谷區的光反射率不同。本發明的離子束電荷量控制方法首先在測試晶片上形成特定布局的絕緣層圖形，該絕緣層圖形將晶片表面劃分成"平原區"，即面積較大的區域；和 "峽谷區"，即狹長區域。然後採用實際離子注入的工藝條件對測試晶片進行 離子注入，並向離子束中加入適量的電子。加入電子的量決定了平原區和峽 谷區離子注入能量均勻性的差異程度，而這種差異可以用光反射率的變化表 徵。本發明的方法在對試片進行離子注入之後，通過向平原區和峽谷區發射 雷射並測量光反射率的變化趨勢，確定加入電子的量與襯底表面晶格破壞程 度之間的關係，進而確定加入電子的量與離子注入能量均勻度之間的關係， 通過調整加入電子的劑量使離子束和絕緣層表面達到 一 個合適的電荷電勢水 平，獲得最佳的離子注入能量均勻度。為後續正式晶片的生產提供了準確和 有價值的加入電子劑量工藝參數，確保離子注入達到良好的效果。下面結合 圖4至圖8對本發明的方法進行更為詳細的說明。圖4A為本發明方法在測試晶片上形成的絕緣層圖形示意圖，所述示意圖 只是實例，在此不應過多限制本發明保護的範圍。如圖4所示，在試片表面 形成測試圖形。測試圖形為特定形狀的絕緣層布局，其目的是將晶片表面劃 分為具有較大面積的區域，在此簡稱為平原區，以及狹長區域，在此簡稱峽 谷區。例如，晶片表面覆蓋的絕緣層200將晶片表面分為平原區110和峽谷 區120。形成絕緣層200的方法採用常規光刻、刻蝕工藝即可。首先在晶片表 面澱積一層絕緣層，其材料為氧化矽或氮化矽，可採用化學氣相澱積(CVD) 的方法，厚度可以在20 30000A之間。然後塗布光刻膠，通過曝光、顯影形 成所需圖形，再以上述圖形為掩膜，刻蝕暴露部分的絕緣層，除去光刻膠後 便形成了絕緣層200。絕緣層200的形狀並沒有嚴格的要求，只要能夠將晶片 劃分為上述區域，即能夠保證晶片表面具有一個大面積的平原區110和一個 狹長的峽谷區120。絕緣層200的位置優選為在接近晶片半圓的位置將晶片表 面劃分平原區IIO和峽谷區120。峽谷區120之間的寬度優選為lmm 200mm。 在此需要說明的是，峽谷區120也可以為多個，可以視正式晶片有源區(AA) 的分布情況而定，即應該使絕緣層200的面積與AA區域的面積大致相等。 在AA區域較密集時可設置2-5個峽谷區。圖4B為圖4A所示示意圖沿B-B，線的剖面示意圖；圖4C為圖4A所示 示意圖沿A-A，線的剖面示意圖；所述示意圖只是實例，在此不應過多限制本 發明保護的範圍。如圖4B和4C所示，襯底100可以是整體半導體襯底，例 如單晶、多晶或非晶結構的矽(Si)或矽鍺(SiGe)，混合的半導體結構(例 如碳化矽、砷化鎵、磷化鎵、銻化銦、磷化銦、砷化銦、砷化鎵或銻化鎵)。 也可以是絕緣層上有半導體的襯底，例如絕緣體上矽(SOI),本發明以矽襯 底為例。絕緣層200可以是氣化矽或氮化矽等材料，也可以是其它絕緣材料。 平原區110和峽谷區120分別由絕緣層200劃分確定，並 一起作為測試圖形。圖5為離子束在圖4B所示位置注入的情形的示意圖，所述示意圖只是實 例，在此不應過多限制本發明保護的範圍。在反應室中對晶片表面進行離子 注入操作。晶片表面包括絕緣區200、平原區IIO以及峽谷區120 (本圖未示 出)。氣態源的分子被電離後分解為帶正電的離子212，眾多離子212在電場 的作用下形成密度均勻且向晶片表面高速移動的離子束，對晶片表面進行轟 擊。當離子束轟擊到矽襯底IOO表面平原區110時，離子轟擊平原區110表 面的襯底，改變了襯底表面的粗糙程度，使平原區IIO表面襯底具有特定阻 值的光反射率。當離子束轟擊到絕緣層200時，絕緣材料不能傳導電荷，因 此隨著時間的推移離子束會在絕緣層200表面積累電荷。圖6A為離子束在圖4C所示位置注入的情形的示意圖，所述示意圖只是 實例，在此不應過多限制本發明保護的範圍。如圖6A所示，襯底100的表面 包括絕緣層200,和絕緣層20之間的峽谷區120,以及平原區(圖中未示出)。 隨著離子注入過程的推移，離子束不斷向絕緣層200表面積累正電荷211，使 絕緣層200表面具有越來越強的正電勢，該正電勢會對包括眾多正電荷212 的離子東起到越來越強的排斥作用，阻礙離子束向絕緣層200之間的峽谷區 120的轟擊，使峽谷區120的離子轟擊能量下降，與平原區UO相比，表面粗 糙程度存在差異，導致平原區IIO和峽谷區120襯底表面對光的反射率存在 差異。圖6B為向反應室中加入電子的情形的示意圖，所述示意圖只是實例，在 此不應過多限制本發明保護的範圍。為了降低上述絕緣層200表面電場的作
用造成的離子注入濃度的差異，本發明的方法在離子注入過程中向反應室中加入特定量的電子。注入的電子213會在空間電場的作用下向絕緣層200和 離子束移動，從而中和絕緣層200表面積累的正電荷，同時還會對離子束中 的正離子其到一定程度的中和作用。總體表現為加入電子213之後，絕緣層 200表面的正電荷電勢下降，對離子束的排斥作用降低。離子束對峽谷區120 的離子注入能量得到提高，從而縮小了峽谷區120與平原區UO之間表面粗 糙度之間的差異，因此光反射率之間的差異也隨之縮小。本發明的方法通過測量平原區IIO和峽谷區120之間光反射率的變化趨 勢來確定加入電子的量是否合適。圖7為本發明的方法沿晶片表面直徑方向 測量光反射率的示意圖，所述示意圖只是實例，在此不應過多限制本發明保 護的範圍。如圖7所示，離子注入過程結束後，從晶片平原區110頂端300 開始，沿晶片的直徑方向，從平原區IIO逐漸進入峽谷區120,每隔一定距離 發射雷射束並測量一次襯底表面的光反射率，直至晶片直徑方向的另一端， 也就是底端400。中間取不，、於15個點，向試片發射雷射並測量襯底表面的 光反射率。即測量過程會獲得不少於15個光反射率值。將這些反射率值放入 坐標中進行分析可以得到一條反射率值沿直徑方向變化的曲線。通過上述曲 線可以確定離子束中加入電子的量與村底表面粗糙度之間的關係，進而確定 加入電子的量與離子注入能量之間的關係，通過調整加入電子的劑量使離子 束和絕緣層表面達到一個合適的電荷電勢水平，獲得最佳的離子注入能量均 勻度。圖8A為當電子加入量過小時測得的光反射率沿直徑方向的變化示意圖， 所述示意圖只是實例，在此不應過多限制本發明保護的範圍。如圖8A所示， 並結合圖7，橫坐標表示晶片直徑方向，坐標原點"0"表示晶片頂端，"1" 表示晶片底端。"1/2"表示平原區向峽谷區的過渡位置。由圖8A可以看出， 平原區向峽谷區沿直徑方向過渡時，光反射率的值呈增加趨勢。亦即平原區 的光反射率小於峽谷區的光良射率。這說明平原區表面的粗糙程度大於峽谷 區表面的粗糙程度，峽谷區的離子注入能量偏低，絕緣層表面的正電場對離 子束的排斥作用還是比較大的，說明電子加入量過小。圖8B為當電子加入量過大時測得的光反射率沿直徑方向的變化示意圖， 所述示意圖只是實例，在此不應過多限制本發明保護的範圍。如圖8B所示， 並結合圖7,橫坐標表示晶片直徑方向，坐標原點"0"表示晶片頂端，"1"表示晶片底端，"1/2"表示平原區向峽谷區的過渡位置。由圖8A可以看出，平原區向峽谷區沿直徑方向過渡時，光反射率的值呈下降趨勢。亦即平原區 的光反射率大於峽谷區的光反射率。這說明平原區表面的粗糙程度小於峽谷 區的表面粗糙程度。由於電予加入量過大，電子過度地中和了絕緣層表面的 正電荷，絕緣層表面的正電勢過低甚至出現了負電勢，使絕緣層表面的電場 對離子束的排斥作用大大降低，增加了離子束對峽谷區的注入能量，導致平 原區表面的粗糙程度小於峽谷區表面的粗糙程度。圖8C為當電子加入量適宜時測得的光反射率沿直徑方向的變化示意圖， 所述示意圖只是實例，在此不應過多限制本發明保護的範圍。如圖8C所示， 並結合圖7，橫坐標表示晶片直徑方向，坐標原點"0"表示晶片頂端，'T， 表示晶片底端，"1/2"處表示平原區向峽谷區的過渡位置。由圖中可以看出， 當加入了合適劑量的電子時，平原區和峽谷區的光反射率是趨於一致的，沒 有明顯的變化。這說明加入了合適劑量的電子時，電子對離子束和絕緣層表 面積累的正電荷的中和作用達到了 一個平衡的中間狀態，使得平原區和峽谷 區表面的離子注入能量趨於 一致，離子注入的均勻性達到最佳狀態。在離子注入過程中，通過加入一定量的電子，注入結束後測量光反射率。 若得到如圖8A所示的曲線，則對試片進行退火以修復受損晶格，重複上述本 發明的方法並加大加入電子的量。反之若得到如圖8B所示的曲線，則在退火 後重複上述本發明的方法並減小加入電子的量，直至獲得如圖8C所示的曲 線。此時加入電子的量便為合適的量。將上述加入電子的劑量作為工藝參數 應用於後續正式晶片的生產可確保離子注入得到良好的均勻度。以上所述，僅是本發明的較佳實施例而已，並非對本發明作任何形式上的 限制。雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然而並非用以限定本發明。任 何熟悉本領域的技術人員，在不脫離本發明技術方案範圍情況下，都可利用 上述揭示的方法和技術內容對本發明技術方案作出許多可能的變動和修飾， 或修改為等同變化的等效實施例。因此，凡是未脫離本發明技術方案的內容， 依據本發明的技術實質對以上實施例所做的任何筒單修改、等同變化及修飾， 均仍屬於本發明技術方案保護的範圍內。
權利要求
1、一種離子束電荷量控制方法，用於正式生產前的試片測試，包括在反應室內提供一半導體晶片作為測試試片；在所述試片表面形成絕緣層，所述絕緣層之間具有間隔，將所述試片表面分為開闊區域和狹長區域；對所述試片進行離子束注入並向所述離子束中加入電子；向所述試片表面、沿著所述開闊區域和狹長區域發射複數個光束並測量複數個光反射率；根據所述反射率的變化趨勢調整所述加入電子的劑量。
2、 如權利要求1所述的方法，其特徵在於形成所述絕緣層的步驟包括 在所述試片表面澱積絕緣物質；塗布光刻膠並圖案化所述光刻膠形成絕緣層掩膜圖形； 刻蝕未被所述掩膜圖形覆蓋的絕緣層並去除所述光刻膠。
3、 如權利要求2所述的方法，其特徵在於所述絕緣物質為氧化矽或氮化矽。
4、 如權利要求3所述的方法，其特徵在於所述絕緣層的厚度為 20A 30000A。
5、 如權利要求1所述的方法，其特徵在於所述狹長區域的寬度為 lmm 200mm。
6、 如權利要求l所述的方法，其特徵在於所述開闊區域和狹長區域為相通的連續區域。
7、 如權利要求6所述的方法，其特徵在於所述連續區域沿所述試片的 直徑方向對稱分布。
8、 如權利要求1所述的方法，其特徵在於若所述開闊區域的光反射率小於所述狹長區域的光反射率，則增加電子 的加入劑量；的加入劑量。
9、 如權利要求1所述的方法，其特徵在於所述光為雷射。
10、 如權利要求1所述的方法，其特徵在於測量反射率之後，所述方 法還包括對試片進行退火的步驟。
全文摘要
本發明公開了一種離子束電荷量控制方法，用於正式生產前的試片測試，包括在反應室內提供一半導體晶片作為測試試片；在所述試片表面形成絕緣層，所述絕緣層將所述試片表面分為開闊區域和狹長區域；對所述試片執行離子束注入並向所述離子束中加入電子；向所述試片表面、沿著所述開闊區域和狹長區域發射複數個光束並測量複數個光反射率；根據所述反射率的變化趨勢調整所述加入電子的劑量。本發明的離子束電荷量控制方法能夠通過監測離子注入的均勻度來確定晶片上加入電子的劑量是否達到最佳並相應地進行調整。
文檔編號C23C14/54GK101153382SQ20061011684
公開日2008年4月2日 申請日期2006年9月30日 優先權日2006年9月30日
發明者朱津泉 申請人:中芯國際集成電路製造(上海)有限公司