薄膜電晶體陣列基板、製造方法及顯示裝置製造方法
2023-05-14 12:48:41 1
薄膜電晶體陣列基板、製造方法及顯示裝置製造方法
【專利摘要】本發明提供一種薄膜電晶體陣列基板，所述薄膜電晶體陣列基板包括基板，形成在基板的柵格排列的多個薄膜電晶體與多個開口區域，還包括設於基板上的第一絕緣保護層、彩膜層、像素電極、公共電極、第二絕緣保護層、過孔、絕緣層及黑矩陣，所述第一絕緣保護層形成於多個薄膜電晶體及多個開口區域上方，所述薄膜電晶體包括柵極及漏極，所述像素電極通過過孔與漏極連接，所述黑矩陣位於所述絕緣層上方或者像素電極與絕緣層上方，用於遮擋所述薄膜電晶體及過孔。本發明還提供一種顯示裝置及薄膜電晶體陣列基板製作方法。
【專利說明】
薄膜電晶體陣列基板、製造方法及顯示裝置
【技術領域】
[0001]本發明涉及薄膜電晶體的液晶顯示製造領域，尤其涉及一種薄膜電晶體陣列基板、薄膜電晶體陣列基板的製造方法及具有薄膜電晶體陣列基板的顯示裝置。
【背景技術】
[0002]隨著科技的進步，液晶顯示裝置都在向著高透過率、高解析度、低功耗等方向發展。其中，解析度越高，使得每一個彩膜層的尺寸越小，當彩膜層的邊長由幾十微米變為十幾微米時，顯然，彩膜層的尺寸得到了大幅度的減小，此時，若劃分彩膜層的黑矩陣的寬度仍然保持不變，相對於彩膜層而言，黑矩陣將變得明顯，將會影響顯示裝置的顯示效果。
[0003]因此，將彩色濾光片與陣列基板集成在一起的其中一種集成技術
011紅以7，簡稱⑶八)應運而生。由於此時黑矩陣位於陣列基板上，在適當減小黑矩陣的寬度時，也能保證黑矩陣能夠充分遮擋柵線、數據線和薄膜電晶體單元等需遮光的結構，同時，減少漏光現象發生的可能性，在提高解析度、透過率的同時又保證了顯示裝置的顯示效果。
[0004]但是，傳統的⑶八黑矩陣通常位於薄膜電晶體的漏極和像素電極之間，為了實現漏極與像素電極之間的電連接，需要在黑矩陣形成過孔，該過孔會影響黑矩陣對漏極的遮光效果，導致漏極反射來自過孔一側的光，降低了顯示裝置的顯示效果。
【發明內容】
[0005]本發明提供一種薄膜電晶體陣列基板及其製造方法，能夠避免漏極經過孔反光而影響黑矩陣對漏極的遮光效果，從而提高薄膜電晶體陣列基板的良率，保證顯示裝置的現實效果。
[0006]本發明還涉及一種顯示裝置。
[0007]本發明提供一種薄膜電晶體陣列基板，所述薄膜電晶體陣列基板包括基板，形成在基板的柵格排列的多個薄膜電晶體與多個開口區域，還包括設於基板上的第一絕緣保護層、彩膜層、像素電極、公共電極、第二絕緣保護層、過孔、絕緣層及黑矩陣，所述第一絕緣保護層形成於多個薄膜電晶體及多個開口區域上方，所述薄膜電晶體包括柵極及漏極，所述像素電極通過過孔與漏極連接，所述黑矩陣位於所述絕緣層上方或者像素電極與絕緣層上方，用於遮擋所述薄膜電晶體及過孔。
[0008]其中，所述彩膜層、第二絕緣保護層、公共電極、絕緣層及像素電極依次層疊的形成於第一絕緣保護層上並覆蓋所述薄膜電晶體及開口區域，所述過孔設於彩膜層對應漏極的區域，所述像素電極延伸至過孔內，所述黑矩陣位於所述過孔內的像素電極上以及位於所述薄膜電晶體正上方的絕緣層上。
[0009]其中，所述彩膜層、第二絕緣保護層、像素電極、絕緣層及公共電極依次形層疊的成於第一絕緣保護層上並覆蓋所述薄膜電晶體及開口區域，所述過孔設於彩膜層對應漏極的區域，所述絕緣層形成於所述像素電極上，所述像素電極及絕緣層均延伸至過孔內，所述黑矩陣位於所述過孔內的絕緣層上以及位於所述薄膜電晶體正上方的絕緣層上。
[0010]其中，所述薄膜電晶體包括柵極，所述柵極設置於所述源極與所述漏極的下方，所述源極與所述漏極分居在所述柵極的兩側且在正投影方向上分別與所述柵極部分重疊，所述源極與所述漏極之間開設有溝槽，所述黑矩陣位於所述源極、漏極及溝槽的上方並覆蓋所述源極、漏極及溝槽。
[0011]其中，所述基板上還設有交叉設置的數據線和柵線，所述數據線與柵線在所述基板上定義出設置所述薄膜電晶體的薄膜電晶體區域及開口區域。
[0012]本發明提供一種顯示裝置，包括項所述的薄膜電晶體陣列基板。
[0013]本發明提供一種薄膜電晶體陣列基板的製造方法，所述製造方法包括:
[0014]提供一基板，並設置薄膜電晶體區域、開口區域及過孔；
[0015]在所述基板的上薄膜電晶體區域形成第一金屬層，圖案化第一金屬層形成包括柵極的圖形；
[0016]在形成所述第一金屬層的基板的表面及所述第一金屬層上形成柵極絕緣層、半導體層及第二金屬層，所述柵極絕緣層、所述半導體層及所述第二金屬層依次層疊設置，
[0017]圖案化半導體層及第二金屬層形成包括源極、漏極、源過渡層、漏過渡層及溝道區圖形；
[0018]在薄膜電晶體上及開口區域內形成第一絕緣保護層、在第一絕緣保護層上依次形成彩膜層、第二絕緣保護層、公共電極、絕緣層及像素電極；其中，在形成絕緣層時形成過孔，所述像素電極形成於絕緣層上延伸至過孔內；
[0019]在所述過孔內的像素電極上以及位於所述薄膜電晶體正上方的絕緣層上形成黑矩陣，其中，所述黑矩陣與所述開口區域相鄰設置。
[0020]本發明提供一種薄膜電晶體陣列基板的製造方法，所述製造方法包括:
[0021]提供一基板，並設置薄膜電晶體區域、開口區域及過孔；
[0022]在所述基板的上薄膜電晶體區域形成第一金屬層，圖案化第一金屬層形成包括柵極的圖形；
[0023]在形成所述第一金屬層的基板的表面及所述第一金屬層上形成柵極絕緣層、半導體層及第二金屬層，所述柵極絕緣層、所述半導體層及所述第二金屬層依次層疊設置，
[0024]圖案化半導體層及第二金屬層形成源極、漏極、源過渡層、漏過渡層及溝道區圖形；
[0025]在薄膜電晶體區域及開口區域內形成第一絕緣保護層、在第一絕緣保護層上依次形成彩膜層、第二絕緣保護層、像素電極、絕緣層及公共電極；其中，所述絕緣層形成於所述像素電極上，所述像素電極及絕緣層均延伸至過孔內。
[0026]在所述過孔內的絕緣層上以及位於所述薄膜電晶體正上方的絕緣層上形成黑矩陣，其中，所述黑矩陣與所述開口區域相鄰設置。
[0027]其中，在形成所述絕緣層的步驟中，還包括在對應著漏極的區域形成所述過孔的步驟。
[0028]其中，在形成所述第二絕緣保護層的步驟中，還包括在對應著漏極的區域形成所述過孔的步驟。
[0029]本發明的薄膜電晶體陣列基板的黑矩陣設置於所述薄膜電晶體及過孔的正上方區域，並形成於所述像素電極上或者像素電極與絕緣層上，有效遮擋了過孔處的源極、漏極對環境的光線產生的反射光，避免了對顯示裝置的顯示效果的影響，保證了畫面的顯示質量。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0030]為了更清楚地說明本發明實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發明的一些實施例，對於本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。
[0031]圖1為本發明一較佳實施方式的薄膜電晶體的剖面圖。
[0032]圖2為本發明另一較佳實施方式的薄膜電晶體的剖面圖。
[0033]圖3是圖1所示的薄膜電晶體的製造方法流程圖。
[0034]圖4是圖2所示的薄膜電晶體的製造方法流程圖。
【具體實施方式】
[0035]下面將結合本發明實施例中的附圖，對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發明一部分實施例，而不是全部的實施例。基於本發明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬於本發明保護的範圍。
[0036]本發明保護一種薄膜電晶體陣列基板及具有所述薄膜電晶體陣列基板的顯示裝置。所述薄膜電晶體陣列基板包括基板以及在基板1上交叉設置的多條數據線和多條柵線(圖中未具體示出數據線與柵線)，數據線與柵線將基板劃分為柵格排列的多個薄膜電晶體區域與多個開口區域，每個薄膜電晶體區域內設置有一個薄膜電晶體。所述開口區域及為顯示裝置的透光區。本實施例中一一個薄膜電晶體及開口區域為例進行說明。
[0037]請參閱圖1，所述薄膜電晶體陣列基板還包括設於基板10上的第一絕緣保護層
11、彩膜層12、像素電極13、公共電極14、第二絕緣保護層15、過孔16、絕緣層17及黑矩陣18，所述第一絕緣保護層11形成於多個薄膜電晶體20及多個開口區域30上方。所述彩膜層12採用彩色光阻材料形成，彩色光阻材料具有濾光功能，具有色飽和度高、透光率好等特點。所述第一絕緣保護層與所述第二絕緣保護層為氮化矽材料製成。
[0038]所述薄膜電晶體20包括依次層疊設置的柵極21及柵絕緣層22、有源層23、源極24和漏極25，所述像素電極13通過過孔16與漏極22連接，所述黑矩陣18位於所述絕緣層17上方或者像素電極13與絕緣層17上方，用於遮擋所述薄膜電晶體20及過孔16。本實施例中，該薄膜電晶體10為底柵型，柵極21設置於源極24與漏極25的下方。所述源極24與所述漏極25分居在所述柵極21的兩側且在正投影方向上分別與所述柵極21部分重疊，所述源極24與所述漏極25之間開設有溝槽26。
[0039]彩膜層12通常包括多個顏色的光阻材料，例如:彩膜層12可以包括紅色光阻材料、綠色光阻材料和藍色光阻材料，也可以包括紅色光阻材料、綠色光阻材料、藍色光阻材料和黃色光阻材料，甚至可以包括透明色光阻材料、酒紅色光阻材料等，具體顏色可以根據設計要求進行調整，在此不做限定。
[0040]在本發明第一實施例中，所述彩膜層12、第二絕緣保護層15、公共電極14、絕緣層17及像素電極13依次層疊的形成於第一絕緣保護層11上並覆蓋所述薄膜電晶體20及開口區域30，所述過孔16設於彩膜層12對應漏極25的區域，所述像素電極13延伸至過孔16內，所述黑矩陣18位於所述過孔16內的像素電極13上以及位於所述薄膜電晶體正上方的絕緣層17上。本實施例中，所述黑矩陣18位於所述源極24、漏極25及溝槽26的上方並覆蓋所述源極24、漏極25及溝槽26以及過孔16。
[0041]具體的，本實施例的薄膜電晶體的柵極21設置於基板10上；柵絕緣層22設置於柵極21的上方；有源層23設置於柵絕緣層22的上方；源極24與漏極25設置於有源層23的上方，源極24與漏極25分居在柵極21的兩側且在正投影方向上分別與柵極21部分重疊，源極24與漏極25之間開設有溝槽26，其中:柵極21與所述柵線連接，源極524與數據線連接，柵線與數據線交叉設置。第一絕緣保護層11設置於源極24與漏極25的上方，並完全覆蓋溝槽26，同時覆蓋所述開口區域30 ;彩膜層112設置於第一絕緣保護層11的上方，第二絕緣保護層15覆蓋所述彩膜層12。公共電極14及絕緣層17依次形成於第二絕緣保護層15上，然後像素電極13覆蓋所述絕緣層17並延伸至過孔16內。最後形成所述黑矩陣，所述黑矩陣18位於所述源極24、漏極25及溝槽26的上方並覆蓋所述源極24、漏極25及溝槽26以及過孔16。
[0042]如圖2所示，在另一實施例中，所述彩膜層12、第二絕緣保護層15、像素電極13、絕緣層17及公共電極14依次形層疊的成於第一絕緣保護層11上並覆蓋所述薄膜電晶體20及開口區域30，所述過孔16設於彩膜層12對應漏極25的區域，所述絕緣層17形成於所述像素電極13上，所述像素電極13及絕緣層17均延伸至過孔16內，所述黑矩陣18位於所述過孔16內的絕緣層17上以及位於所述薄膜電晶體20正上方的絕緣層17上。
[0043]本發明的薄膜電晶體陣列基板的黑矩陣設置於所述薄膜電晶體及過孔的正上方區域，並形成於所述像素電極13上或者像素電極13與絕緣層17上，有效遮擋了過孔16處的源極24、漏極25對環境的光線產生的反射光，避免了對顯示裝置的顯示效果的影響，保證了畫面的顯示質量。
[0044]本發明還包括具有上述的陣列基板的顯示裝置。其中，顯示裝置還包括封裝基板，封裝基板與陣列基板對盒封裝，封裝基板與陣列基板之間設置有隔墊物、並填充有液晶。本實施例中的顯示裝置可以為:液晶面板、電子紙、手機、平板電腦、電視機、顯示器、筆記本電腦、數碼相框、導航儀等任何具有顯示功能的產品或部件。
[0045]本發明針對上述兩種實施例還提供了薄膜電晶體陣列基板的製造方法，在闡述具體製備方法之前，應該理解，在本發明中，構圖工藝，可只包括光刻工藝，或，包括光刻工藝以及刻蝕步驟，同時還可以包括列印、噴墨等其他用於形成預定圖形的工藝；光刻工藝，是指包括成膜、曝光、顯影等工藝過程的利用光刻膠、掩模板、曝光機等形成圖形的工藝。可根據本發明中所形成的結構選擇相應的構圖工藝。
[0046]請參閱圖3，當所述黑矩陣18位於所述過孔16內的像素電極13上以及位於所述薄膜電晶體正上方的絕緣層17上時。具體形成方法如下步驟:
[0047]步驟SI，提供一基板，並設置薄膜電晶體區域及開口區域；
[0048]步驟S2，在所述基板的上薄膜電晶體區域形成薄膜電晶體，主要是，在基板上形成第一金屬層，圖案化第一金屬層形成包括柵極的圖形；
[0049]步驟S3，在形成所述第一金屬層的基板的表面及所述第一金屬層上形成柵極絕緣層、半導體層及第二金屬層，所述柵極絕緣層、所述半導體層及所述第二金屬層依次層疊設置，
[0050]步驟54，圖案化半導體層及第二金屬層形成包括源極、漏極、源過渡層、漏過渡層及溝道區圖形；
[0051]在上述步驟中，均根據現有技術的薄膜電晶體製作方法形成所述薄膜電晶體20的依次層疊設置的柵極21及柵絕緣層22、有源層23、源極24和漏極25。在本實施例中，所述源極與所述漏極採用『31材料或金屬氧化物(04(16)材料，通過構圖工藝形成；或者，所述源極與所述漏極採用多晶矽(⑶--)材料，通過晶化、離子注入的方式形成，這裡不做限定。
[0052]步驟35，在薄膜電晶體上及開口區域內形成第一絕緣保護層11、在第一絕緣保護層11上依次形成彩膜層12、第二絕緣保護層15、公共電極14、絕緣層17、過孔16及像素電極13 ；其中，所述像素電極13形成於絕緣層17上延伸至過孔16內。
[0053]在該步驟中包括步驟351，在所述薄膜電晶體20及開口區域30內形成第一絕緣保護層11。
[0054]步驟352，在第一絕緣保護層11上形成彩膜層12，所述彩膜層12正投影於所述源極24和漏極25上方及開口區域內。
[0055]具體的，採用構圖工藝形成彩膜層12。可採用刮塗方式，或旋塗方式，或刮塗與旋塗結合的方式，先在薄膜電晶體的上表面形成一種顏色的光阻材料層，然後採用光刻工藝(包括曝光、顯影等步驟)形成對應顏色的光阻材料圖形；接著，重複上述過程，直到所有顏色的光阻材料圖形都形成，即形成了彩膜層12。
[0056]步驟353，通過現有技術在彩膜層12上形成第二絕緣保護層15及公共電極14 ；
[0057]步驟354，在公共電極14上形成絕緣層17，在該步驟中，在公共電極14的上方形成絕緣層17，所述絕緣層17完全覆蓋處於下方的各層。
[0058]此外，在絕緣層17的形成過程中，還在對應著漏極25的區域形成過孔16，該步驟主要是通過現有技術實現，容易理解的是，通過曝光工藝，採用的掩模板在對應著漏極25的區域為絕緣材料完全去除區，以使得對應區域的絕緣材料在顯影工藝後被完全去除，從而形成絕緣層17中的過孔16。
[0059]步驟355，在絕緣層17上方形成像素電極13 ；在該步驟中，在絕緣層17上方採用構圖工藝形成包括像素電極13的圖案。像素電極13採用採用氧化銦錫(111(1111111 XIII0x1(16，簡稱110)形成，像素電極13覆蓋所述過孔16的內壁並與漏極25連接。
[0060]步驟36，在所述過孔16內的像素電極13上以及位於所述薄膜電晶體正上方的絕緣層17上形成黑矩陣18，其中，所述黑矩陣18與所述開口區域30相鄰設置。在步驟中，通過構圖工藝形成所述黑矩陣18，所述黑矩陣18正投影於所述源極24、漏極25及柵線。
[0061]本實施例中，所述第一金屬層的材質選自銅、鎢、鉻、鋁及其組合的其中之一。
[0062]所述柵極絕緣層的材質選擇氧化矽、氮化矽層，氮氧化矽層及其組合的其中之一。所述第二金屬層的材質選自銅、鎢、鉻、鋁及其組合的其中之一。其中所述半導體層用於形成所述薄膜電晶體的源極和漏極之間導通或者斷開的通道。
[0063]請參閱圖4，當所述黑矩陣18位於所述過孔16內的絕緣層17上以及位於所述薄膜電晶體20正上方的絕緣層17上時。製造方法的步驟除了步驟5與步驟6有不同之外其他步驟均相同，具體區別如下:
[0064]步驟S5中的步驟S53是先形成像素電極13再形成公共電極14。具體為步驟S43，通過現有技術在彩膜層12上形成第二絕緣保護層15及像素電極13 ；
[0065]此外，在第二絕緣保護層15的形成過程中，還在對應著漏極25的區域形成過孔16，該步驟主要是通過現有技術實現，容易理解的是，通過曝光工藝，採用的掩模板在對應著漏極25的區域為絕緣材料完全去除區，以使得對應區域的絕緣材料在顯影工藝後被完全去除，從而形成第二絕緣保護層15中的過孔16。
[0066]步驟S54，在第二絕緣保護層15上採用用構圖工藝形成包括像素電極13的圖案。所述像素電極13覆蓋所述過孔16內壁。
[0067]步驟S55，在像素電極13上形成絕緣層17，在該步驟中，絕緣層17在像素電極13的上方形成，所述絕緣層17完全覆蓋處於下方的各層以及所述過孔16。
[0068]步驟S56，在絕緣層17上方形成公共電極14 ;在該步驟中，在絕緣層17上方採用構圖工藝形成包括公共電極14的圖案。公共電極14採用採用氧化銦錫(Indium TinOxide,簡稱ITO)形成。
[0069]步驟S6，在所述過孔16上方以及位於所述薄膜電晶體正上方的絕緣層17上形成黑矩陣18，其中，所述黑矩陣18與所述開口區域30相鄰設置。在步驟中，通過構圖工藝形成所述黑矩陣18，所述黑矩陣18正投影於所述源極24、漏極25及過孔16。
[0070]以上所揭露的僅為本發明一種較佳實施例而已，當然不能以此來限定本發明之權利範圍，本領域普通技術人員可以理解實現上述實施例的全部或部分流程，並依本發明權利要求所作的等同變化，仍屬於發明所涵蓋的範圍。
【權利要求】
1.一種薄膜電晶體陣列基板，所述薄膜電晶體陣列基板包括基板，形成在基板的柵格排列的多個薄膜電晶體與多個開口區域，還包括設於基板上的第一絕緣保護層、彩膜層、像素電極、公共電極、第二絕緣保護層、過孔、絕緣層及黑矩陣，所述第一絕緣保護層形成於多個薄膜電晶體及多個開口區域上方，所述薄膜電晶體包括柵極及漏極，所述像素電極通過過孔與漏極連接，其特徵在於，所述黑矩陣位於所述絕緣層上方或者像素電極與絕緣層上方，用於遮擋所述薄膜電晶體及過孔。
2.如權利要求1所述的薄膜電晶體陣列基板，其特徵在於，所述彩膜層、第二絕緣保護層、公共電極、絕緣層及像素電極依次層疊的形成於第一絕緣保護層上並覆蓋所述薄膜電晶體及開口區域，所述過孔設於彩膜層對應漏極的區域，所述像素電極延伸至過孔內，所述黑矩陣位於所述過孔內的像素電極上以及位於所述薄膜電晶體正上方的絕緣層上。
3.如權利要求1所述的薄膜電晶體陣列基板，其特徵在於，所述彩膜層、第二絕緣保護層、像素電極、絕緣層及公共電極依次形層疊的成於第一絕緣保護層上並覆蓋所述薄膜電晶體及開口區域，所述過孔設於彩膜層對應漏極的區域，所述絕緣層形成於所述像素電極上，所述像素電極及絕緣層均延伸至過孔內，所述黑矩陣位於所述過孔內的絕緣層上以及位於所述薄膜電晶體正上方的絕緣層上。
4.如權利要求2或3任一項所述的薄膜電晶體陣列基板，其特徵在於，所述薄膜電晶體包括柵極，所述柵極設置於所述源極與所述漏極的下方，所述源極與所述漏極分居在所述柵極的兩側且在正投影方向上分別與所述柵極部分重疊，所述源極與所述漏極之間開設有溝槽，所述黑矩陣位於所述源極、漏極及溝槽的上方並覆蓋所述源極、漏極及溝槽。
5.如權利要求2或3任一項所述的薄膜電晶體陣列基板，其特徵在於，所述基板上還設有交叉設置的數據線和柵線，所述數據線與柵線在所述基板上定義出設置所述薄膜電晶體的薄膜電晶體區域及開口區域。
6.一種顯示裝置，包括權利要求1-5任一項所述的薄膜電晶體陣列基板。
7.一種薄膜電晶體陣列基板的製造方法，其特徵在於，所述製造方法包括: 提供一基板，並設置薄膜電晶體區域、開口區域及過孔區域； 在所述基板的上薄膜電晶體區域形成第一金屬層，圖案化第一金屬層形成包括柵極的圖形； 在形成所述第一金屬層的基板的表面及所述第一金屬層上形成柵極絕緣層、半導體層及第二金屬層，所述柵極絕緣層、所述半導體層及所述第二金屬層依次層疊設置； 圖案化半導體層及第二金屬層形成包括源極、漏極、源過渡層、漏過渡層及溝道區圖形； 在薄膜電晶體上及開口區域內形成第一絕緣保護層、在第一絕緣保護層上依次形成彩膜層、第二絕緣保護層、公共電極、絕緣層及像素電極；其中，在形成絕緣層時形成過孔，所述像素電極形成於絕緣層上延伸至過孔內； 在所述過孔內的像素電極上以及位於所述薄膜電晶體正上方的絕緣層上形成黑矩陣，其中，所述黑矩陣與所述開口區域相鄰設置。
8.一種薄膜電晶體陣列基板的製造方法，其特徵在於，所述製造方法包括: 提供一基板，並設置薄膜電晶體區域、開口區域及過孔區域； 在所述基板的上薄膜電晶體區域形成第一金屬層，圖案化第一金屬層形成包括柵極的圖形； 在形成所述第一金屬層的基板的表面及所述第一金屬層上形成柵極絕緣層、半導體層及第二金屬層，所述柵極絕緣層、所述半導體層及所述第二金屬層依次層疊設置， 圖案化半導體層及第二金屬層形成源極、漏極、源過渡層、漏過渡層及溝道區圖形； 在薄膜電晶體區域及開口區域內形成第一絕緣保護層、在第一絕緣保護層上依次形成彩膜層、第二絕緣保護層、像素電極、絕緣層及公共電極；其中，形成第二絕緣保護層是形成所述過孔，所述絕緣層形成於所述像素電極上，所述像素電極及絕緣層均延伸至過孔內。 在所述過孔內的絕緣層上以及位於所述薄膜電晶體正上方的絕緣層上形成黑矩陣，其中，所述黑矩陣與所述開口區域相鄰設置。
9.如權利要求7所述的薄膜電晶體陣列基板的製造方法，其特徵在於，在形成所述絕緣層的步驟中，還包括在對應著漏極的區域形成所述過孔的步驟。
10.如權利要求8所述的薄膜電晶體陣列基板的製造方法，其特徵在於，在形成所述第二絕緣保護層的步驟中，還包括在對應著漏極的區域形成所述過孔的步驟。
【文檔編號】H01L27/12GK104460147SQ201410667245
【公開日】2015年3月25日 申請日期:2014年11月20日 優先權日:2014年11月20日
【發明者】徐向陽 申請人:深圳市華星光電技術有限公司