多波長雷射光源模塊、帶合波器的多波長雷射光源模塊、及半導體雷射光源單元的冷卻方法與流程

2023-05-14 19:30:31 1

本發明涉及一種安裝有出射多個波長的雷射的半導體雷射光源單元的多波長雷射光源模塊、帶合波器的多波長雷射光源模塊、以及多波長雷射光源模塊上所安裝的出射多個波長的雷射的半導體雷射光源單元的冷卻方法。

背景技術：

以往的光通信領域中，陣列波導光柵(awg：arraywave-guidegrating)多被用於多個波長的光的合波。另一方面，投射型小型雷射顯示器中，為了在可攜式終端和車輛上使用，優選為使用進行了小型化的光源模塊。光源模塊中使用半導體雷射元件。

使用這種半導體雷射元件的雷射光源模塊由於進行了小型化，因此散熱不充分，光源模塊難以被冷卻。

此外，雷射光源模塊中，為了將波長不同的多個雷射作為一個點光源，從而使雷射發光點彼此間相互靠近。為此，多個半導體雷射元件也必須相互靠近，高密度地安裝，雷射光源模塊中，形成半導體雷射元件產生的熱量易集中到局部而難以散熱的結構。

作為雷射光源模塊的一例，已知一種各半導體雷射元件的發光點間的距離短、光學設計容易、散熱特性優秀、且製造容易的多波長半導體雷射裝置(專利文獻1)。

該多波長半導體雷射裝置中，具有塊狀物、以及振蕩波長不同的多個半導體雷射元件，在上述塊狀物中沿規定方向形成有具有底面及兩個側面的剖面呈u字型的溝槽，半導體雷射元件被配置在溝槽的底面上及側面上，使雷射出射方向沿規定方向。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本專利特開2010-287613號公報

技術實現要素：

發明所要解決的技術問題

上述結構中，能夠將半導體雷射元件產生的熱量經由柱狀的塊狀物向外部散熱，因此雷射光源模塊具備優秀的散熱特性。但是，在對雷射光源模塊進行小型化，以高密度安裝半導體雷射元件時，優選為使散熱效率變得更高。

因此，本發明的目的在於，利用與上述結構不同的新結構，提供一種具有即便使雷射光源模塊小型化，散熱效率仍較高的結構的多波長雷射光源模塊、以及帶合波器的多波長雷射光源模塊，並提供一種散熱效率較高的半導體雷射光源單元的冷卻方法。

解決技術問題所採用的技術方案

本發明的一個方式是安裝有出射多個波長的雷射的半導體雷射光源單元的多波長雷射光源模塊。該多波長雷射光源模塊具備：

支架，該支架由熱傳導材料構成，呈柱狀，並設有從所述柱狀的一端的壁面沿所述柱狀的延伸方向延伸的孔；

至少1個以上的熱傳導塊，該至少1個以上的熱傳導塊由熱傳導材料構成，被配置在所述孔中，具備與所述孔的壁面相對，並將熱量傳遞到所述壁面的熱傳遞面；以及

多個半導體雷射光源單元，該多個半導體雷射光源單元與所述熱傳導塊接合，使雷射沿所述支架的所述柱狀的延伸方向出射。

所述半導體雷射光源單元被配置在沿所述柱狀的延伸方向延伸的中心軸的周圍，

利用所述半導體雷射光源單元發出雷射時，所述熱傳導塊中設有從所述熱傳導塊的與所述半導體雷射光源單元接觸的接合面向所述熱傳遞面溫度變低的溫度梯度。

所述半導體雷射光源單元優選為通過例如晶片焊接接合到所述熱傳導塊上。此外，所述熱傳遞面也優選為例如通過晶片焊接與所述支架接合。

作為所述多波長雷射光源模塊的一種方式，

所述多波長雷射光源模塊具備多個所述熱傳導塊，

所述多個熱傳導塊分別與1個出射波長互不相同的雷射的半導體雷射光源單元相接合，使雷射沿所述支架的所述柱狀的延伸方向出射，

所述半導體雷射光源單元各自的發光點的位置優選為相較於所述熱傳導塊與所述半導體雷射光源單元接合的接合面的位置靠近所述柱狀的所述中心軸，所述接合面的位置優選為相較於所述熱傳遞面的至少一部分面的位置靠近所述中心軸。

各所述熱傳導塊分別例如晶片焊接有1個所述半導體雷射光源單元。

此時，從所述柱狀的延伸方向觀察時，所述熱傳導塊各自的所述熱傳遞面在所述柱狀的周向上的位置優選為位於分別設置在所述熱傳導塊上的所述半導體雷射光源單元的發光點的所述周向的兩側部位。

所述熱傳導塊的從所述延伸方向觀察到的剖面形狀優選為所述熱傳導塊的寬度隨著遠離所述中心軸而變大的形狀，所述孔的從所述延伸方向觀察到的形狀優選為與所述熱傳導塊的所述剖面形狀對應的形狀。

此外，優選為使所述半導體雷射光源單元各自的發光點的位置靠近，以使其作為一個點光源出射雷射。

此外，作為所述多波長雷射光源模塊的另一種方式，

所述多波長雷射光源模塊具備1個所述熱傳導塊，

所述熱傳導塊與出射波長互不相同的雷射的多個半導體雷射光源單元相接合，使雷射沿所述支架的所述柱狀的延伸方向出射，

所述半導體雷射光源單元設置在所述熱傳導塊的所述柱狀的側面的外周上，所述熱傳遞面在沿所述孔的內周的周向上的位置優選為位於相鄰的半導體雷射光源單元之間。

所述熱傳導塊例如通過晶片焊接與各個所述半導體雷射光源單元相接合。

所述熱傳導塊的與所述半導體雷射光源單元接合的接合面的位置優選為相較於所述熱傳遞面的位置靠近所述中心軸。

所述接合面優選為位於沿所述熱傳導塊的所述柱狀的延伸方向延伸的溝槽的底面。

此外，所述多波長雷射光源模塊是由殼體覆蓋的封裝，

所述支架優選為所述殼體。

本發明的又一方式是帶合波器的多波長雷射光源模塊。該帶合波器的多波長雷射光源模塊具有：

所述多波長雷射光源模塊；

合波器，該合波器對分別從所述半導體雷射光源單元出射的雷射進行合波，並作為點光源出射；以及

雙合透鏡，該雙合透鏡設置在所述半導體雷射光源單元與所述合波器之間，使所述雷射入射到所述合波器。

所述合波器具備：所述雷射的入射口；多個光波導構件，該多個光波導構件對入射到所述雷射的入射口的所述雷射進行引導，且由壁面設置有反射膜以利用所述壁面對所述雷射進行全反射的連續孔構成；結合部，該結合部通過將所述光波導構件結合成1個，從而對所述雷射進行合波；以及出射口，該出射口出射合波後的雷射。

本發明的又一方式也是帶合波器的多波長雷射光源模塊。該帶合波器的多波長雷射光源模塊具有：

所述多波長雷射光源模塊；

合波器，該合波器對分別從所述半導體雷射光源單元出射的雷射進行合波，並作為點光源出射；以及

雙合透鏡，該雙合透鏡設置在所述半導體雷射光源單元與所述合波器之間，使所述雷射入射到所述合波器。

所述合波器具有：多根光纖線，該多根光纖線由芯線以及外皮構成，對入射的各個所述雷射進行傳輸；以及出射端部，該出射端部將各個所述光纖線集中，以使所述芯線彼此相抵接的方式使雷射靠近並出射。

本發明的另一個其他方式是多波長雷射光源模塊所安裝的出射多個波長的雷射的半導體雷射光源單元的冷卻方法。該冷卻方法中使用的所述多波長雷射光源模塊具備：

支架，該支架由熱傳導材料構成，呈柱狀，並設有從所述柱狀的一端的壁面沿所述柱狀的延伸方向延伸的孔；

至少1個以上的熱傳導塊，該至少1個以上的熱傳導塊由熱傳導材料構成，被配置在所述孔中，具備與所述孔的壁面相對，並將熱量傳遞到所述壁面的熱傳遞面；以及

多個半導體雷射光源單元，該多個半導體雷射光源單元與所述熱傳導塊接合，使雷射沿所述支架的所述柱狀的延伸方向出射。

所述半導體雷射光源單元被配置在沿所述柱狀的延伸方向延伸的中心軸的周圍，

利用所述半導體雷射光源單元發出雷射時，通過使所述半導體雷射光源單元的熱量從所述熱傳導塊的與所述半導體雷射光源單元接觸的接合面向所述熱傳遞面傳遞，並從所述支架的外周進行輻射，從而對所述半導體雷射光源單元進行冷卻。

所述半導體雷射光源單元優選為例如通過晶片焊接接合到所述熱傳導塊上。此外，所述熱傳遞面也優選為例如通過晶片焊接與所述支架接合。

發明效果

根據上述的多波長雷射光源模塊、帶合波器的多波長雷射光源模塊、以及半導體雷射光源單元的冷卻方法，即便使雷射光源模塊小型化，散熱效率仍能夠較高。

附圖說明

圖1是第一實施方式的帶合波器的多波長雷射光源模塊的外觀立體圖。

圖2是圖1所示的多波長雷射光源模塊的一部分的分解立體圖。

圖3(a)是接合有第一實施方式中使用的半導體雷射光源單元的熱傳導塊的外觀立體圖，圖3(b)是第一實施方式的半導體雷射光源單元的分解立體圖。

圖4是表示第一實施方式中使用的合波器的一例的結構的圖。

圖5是第二實施方式的帶合波器的多波長雷射光源模塊的一部分的分解立體圖。

圖6是從圖5所示的帶合波器的多波長雷射光源模塊的熱傳導塊中分離出半導體雷射光源單元的立體圖。

具體實施方式

以下，參考附圖詳細說明本發明的多波長雷射光源模塊、帶合波器的多波長雷射光源模塊、以及半導體雷射光源單元的冷卻方法。

(第一實施方式)

圖1是第一實施方式的帶合波器的多波長雷射光源模塊的外觀立體圖，圖2是圖1所示的帶合波器的多波長雷射光源模塊的一部分的分解立體圖，圖3(a)是接合有第一實施方式中使用的半導體雷射光源單元的熱傳導塊的外觀立體圖，圖3(b)是第一實施方式的半導體雷射光源單元的分解立體圖。

圖1所示的帶合波器的多波長雷射光源模塊10具備多波長雷射光源模塊12、以及合波器14。

多波長雷射光源模塊12以如下方式構成，即具有3組將1個半導體雷射光源單元16接合到1個熱傳導塊18上的組裝體20，該3組組裝體20被固定到支架22上。

支架22是固定包括半導體雷射光源單元16在內的組裝體20的構件，是固定半導體雷射光源單元16的構件。支架22例如由銅、鋁或銅鎢合金等熱傳導材料構成，呈柱狀。本實施方式中使用的支架22的熱傳導材料優選為熱傳導率在170～230(w/m/k)或者200(w/m/k)以上，更優選為例如200～400(w/m/k)。支架22設有從柱狀的一端的壁面沿柱狀的延伸方向即圖2中的x方向延伸的孔22a。通過將包括半導體雷射光源單元16在內的組裝體20插入該孔22a，從而將組裝體20固定到孔22a的壁面(包圍孔22a的壁面)，由此能夠將半導體雷射光源單元16固定到支架22內。

熱傳導塊18被配置為插入到設置於支架22的孔22a中。熱傳導塊18具備熱傳遞面18a、18b，所述熱傳遞面18a、18b與孔22a的壁面(包圍孔22a的壁面)相對，並將熱量傳遞到壁面。可以是熱傳導塊18的熱傳遞面18a、18b與孔22a的壁面直接接觸，熱傳遞面18a、18b以外的部分與孔22a的壁面接合固定的結構，也可以是熱傳遞面18a、18b經由由熱傳導性良好的焊料(粘合材料)組成的接合層以與孔22a的壁面相對的方式而被固定的結構。熱傳導塊18由銅或鋁或銅鎢合金等熱傳導材料構成。熱傳導塊18的熱傳導材料優選為熱傳導率在170～230(w/m/k)或者200(w/m/k)以上，優選為例如200～400(w/m/k)。

半導體雷射光源單元16以使雷射沿支架22的柱狀的延伸方向出射的方式與熱傳導塊18接合，並被配置在支架22內。半導體雷射光源單元16由cos(chiponsubmount：晶片)型半導體雷射元件構成。具體而言，半導體雷射光源單元16包括半導體雷射元件16a、次黏著基臺(submount)16b、以及電極16c、16d，還包括雙合透鏡16e。半導體雷射光源單元16優選為使用晶片焊接機(diebonder)通過晶片焊接(diebonding)來與熱傳導塊18接合。以後，提到接合時，包括使用晶片焊接機通過晶片焊接來進行接合的情況。晶片焊接中，優選為使用熱傳導性良好的焊料(粘合材料)，例如ausn(金錫)合金、snagcu(錫銀銅)合金的焊料(粘合材料)。

半導體雷射元件16a是單橫模型(singletransversemode)，發出例如100mw以上的高輸出的雷射。半導體雷射元件16a雖然是單橫模型，但並不限定於單橫模型，也可以是多橫模型(multi-ransversemode)。固定在支架22上的3個半導體雷射元件16a發出波長互不相同的雷射。雷射例如是638nm、520nm、以及450nm等紅、綠、以及藍的三波長的光。採用單橫模型的半導體雷射元件16a時，例如沿全形發散角fahm＝(fullangleathalfmaximum：半極值全角度)25°的快軸fa(fastaxis)的發光點(發射極)寬度約為1.5μm以下，例如為1μm，沿fahm＝10°的慢軸sa(slowaxis)的發光點寬度約為5μm，光束質量因子m2大約為1.2。

次黏著基臺16b是載置半導體雷射元件16a的構件，優選為使用氮化鋁作為材料。

電極16c、16d被載置到熱傳導塊18上，與未圖示的電源連接，向半導體雷射元件16a供電。

雙合透鏡16e被設置在半導體雷射元件16a與後述的合波器14之間，使發出的雷射分別入射到後述的合波器14的入射口14a中。

第一實施方式的3個半導體雷射光源單元16如圖2所示，在沿柱狀的延伸方向延伸的中心軸axis的周圍隔開間隔配置，優選為在周向上以等間隔(120度間隔)配置。利用半導體雷射光源單元16發出雷射時，熱傳導塊18設有從熱傳導塊18的與半導體雷射光源單元16接觸的接合面18c起向熱傳遞面18a、18b溫度變低的溫度梯度。從接合面18c向熱傳遞面18a、18b傳遞的半導體雷射元件16a產生的熱量沿溫度梯度傳遞，因此熱量高效率地向支架22傳遞，並從支架22向外部散熱。因此，即便使本實施方式的雷射光源模塊小型化，散熱效率仍較高。

本實施方式中，如圖1所示，合波器14被設置在3個雙合透鏡16e的雷射的出射方向前方。圖4是表示第一實施方式中使用的合波器14的一例的結構的圖。合波器14具有：雷射的入射口14a；3個光波導構件14b，該3個光波導構件14b分別對三道雷射進行引導，且由在壁面設置有反射膜以使得壁面對雷射進行全反射的連續孔構成；結合部14c，所述結合部14c通過使光波導構件14b結合成1個，從而對波長不同的雷射進行合波；以及出射口14d，所述出射口14d出射進行合波後的雷射。

另外，圖1、2、4所示的合波器14的光波導構件的剖面尺寸被放大繪出，以便於理解。

由於雷射是單橫模型，因此合波器14的光波導構件14b的剖面形狀並無特別限定，可以是圓形或矩形。實用化水平中，例如是具有數μm左右的邊的矩形或數μm左右的直徑的圓形。

另外，合波器14的光波導構件14b是由中空的連續孔構成的方式，但是也能夠使用由芯線以及外皮構成、使雷射分別入射並進行傳輸的多根光纖線，來代替由中空的連續孔構成的光波導構件14b。此時，優選為具有出射端部，所述出射端部將各個光纖線集中，以芯線彼此相抵接的方式使雷射靠近並出射。

即，採用單橫模型時，優選為光纖線的開口直徑na為0.12～0.25，芯線直徑為3～7μm。光纖線優選為使用將低熔點無機玻璃或樹脂作為材質之物。3個發光點設置為位於正三角形頂點，為了使以該狀態綑紮的3根光纖線的相鄰芯線相互抵接，芯線間的距離優選為10μm以下，特別優選為7μm以下。

另外，多波長雷射光源模塊10如圖2所示，在具備多個熱傳導塊18時，多個熱傳導塊18a分別接合有出射波長互不相同的雷射的半導體雷射光源單元16a，使雷射沿支架22的柱狀的延伸方向出射。此時，半導體雷射元件16a各自的發光點16f的位置優選為相較於熱傳導塊18與半導體雷射光源單元16接合的接合面16a的位置靠近支架22的柱狀的中心軸axis，接合面16a的位置優選為相較於熱傳遞面18a、18b的至少一部分面的位置靠近中心軸axis。通過這種方式，能夠使3個半導體雷射元件16a的發光點16f的位置相互靠近，例如能夠使3個發光點靠近到進入直徑為100μm的1個圓內，即便不使用合波器14，也能夠直接將3個發光點16f作為一個光源來出射雷射。如此，即便半導體雷射元件16a彼此靠近中心軸axis，半導體雷射元件16a產生的熱量集中於局部，也能夠利用熱傳導塊18a的功能提高半導體雷射元件16a產生的熱量的散熱性。

此外，熱傳導塊18各自的熱傳遞面18a、18b在沿支架22的外周的周向即圖2中的θ方向上的位置優選為從支架22的柱狀的延伸方向觀察時，位於分別設置在熱傳導塊18上的半導體雷射元件16a的發光點16f的周向的兩側部位。如此，能夠使半導體雷射元件16a產生的熱量高效率地從周向的兩側的熱傳遞面18a、18b向支架22移動。

熱傳導塊18的從延伸方向觀察到的剖面形狀優選為熱傳導塊18的寬度隨著遠離中心軸axis而變大的形狀，設置在支架22上的孔22a的從延伸方向(x方向)觀察到的剖面形狀優選為與熱傳導塊18的剖面形狀對應的形狀。因此，能夠將熱傳導塊18定位在孔22a的規定位置上而不發生位置偏離，因此能夠正確定位3個半導體雷射元件16a的發光點16f的位置。

(第二實施方式)

圖5是第二實施方式的帶合波器的多波長雷射光源模塊的一部分的分解立體圖，圖6是從圖5所示帶合波器的多波長雷射光源模塊的熱傳導塊分離出半導體雷射光源單元的立體圖。

圖5所示的帶合波器的多波長雷射光源模塊110處於組裝體120從支架122取出的狀態。帶合波器的多波長雷射光源模塊110具備多波長雷射光源模塊112、以及合波器114。多波長雷射光源模塊112以如下方式構成，即將4個半導體雷射光源單元116與1個熱傳導塊118相接合而得到的組裝體120插入支架122的孔122a中並進行固定。

支架122除了孔122a的形狀不同以外，具有與支架12相同的結構，因此省略孔122a以外的說明。支架122呈柱狀。支架122設有從柱狀的延伸方向(圖5的x方向)的一端的壁面沿延伸方向延伸的孔122a。孔122a的與延伸方向正交的剖面形狀為圓形。

熱傳導塊118與第一實施方式的多個熱傳導塊18不同，為1個。熱傳導塊118被配置為插入到設置在支架122上的孔122a中。熱傳導塊118具備熱傳遞面118a，所述熱傳遞面118a與孔122a的壁面(包圍孔122a的壁面)相對，並將熱量傳遞至壁面。可以是熱傳導塊118的熱傳遞面118a與孔122a的壁面直接接觸，熱傳遞面118a以外的部分與孔122a的壁面通過焊料來固定的結構，也可以是熱傳遞面118a經由由焊料組成的接合層以與孔122a的壁面相對的方式被固定的結構。熱傳導塊118由銅或鋁或銅鎢合金等熱傳導材料構成。熱傳導塊118的熱傳導材料優選為熱傳導率在170～230(w/m/k)或者200(w/m/k)以上，例如優選為200～400(w/m/k)。

4個半導體雷射光源單元116以使雷射沿支架122的柱狀的延伸方向出射的方式與熱傳導塊118接合，並被配置在支架22內。4個半導體雷射光源單元116由cos(chiponsubmount)型半導體雷射元件構成，分別包括半導體雷射元件116a、次黏著基臺116b、以及電極116c、116d，還包括雙合透鏡116e。

4個半導體雷射元件116a出射波長互不相同的雷射。4道雷射例如是638nm、520nm以及450nm等紅、綠、藍的三波長的光、以及具有超過700nm波長的紅外光(包括近紅外光、中紅外光、遠紅外光)。4個半導體雷射元件116a設置為與1個熱傳導塊118接合。半導體雷射元件116a在1個熱傳導塊118的外周沿θ方向隔開間隔配置，優選為以等間隔配置。半導體雷射元件116a是單橫模型，發出100mw以上的高輸出的雷射。半導體雷射元件116a雖然是單橫模型，但並不限定於單橫模型，也可以是多橫模型。採用單橫模型的半導體雷射元件116a時，例如沿全形發散角fahm(fullangleathalfmaximum)＝25°的快軸fa(fastaxis)的發光點(發射極)寬度約為1.5μm以下，例如為1μm，沿fahm＝10°的慢軸sa(slowaxis)的發光點寬度約為5μm，光束質量因子m2大約為1.2。

次黏著基臺116b、電極116c、116d、以及雙合透鏡116e具有與第一實施方式的次黏著基臺16b、電極16c、16d、以及雙合透鏡16e相同的結構，因此省略這些說明。

第二實施方式的半導體雷射光源單元116被設置在熱傳導塊118的柱狀的側面的外周上，熱傳遞面118a的沿孔122a的內周的周向即圖5所示的θ方向的位置位於相鄰半導體雷射光源單元116、116之間。這種方式中，利用半導體雷射元件116a發出雷射時，熱傳導塊118也設有從熱傳導塊118的與半導體雷射光源單元116接觸的接合面起向熱傳遞面118a溫度變低的溫度梯度。因此，半導體雷射元件116a產生的熱量從位於周向的兩側的熱傳遞面118a高效率地向支架122傳遞。

如圖5所示，第二實施方式的與半導體雷射光源單元116接合的熱傳導塊118的接合面的位置優選為相較於熱傳遞面118a的位置靠近中心軸axis。

此外，與半導體雷射光源單元116接合的熱傳導塊118的接合面優選為位於沿熱傳導塊118的柱狀的延伸方向延伸的溝槽的底面。由於4個半導體雷射光源單元116在熱傳導塊118的溝槽的底面上接合，因此能夠正確定位4個半導體雷射元件116a的發光點116f的位置。

第一實施方式中，使用合波器14形成多個雷射的點光源，但是有時也可以不使用合波器14。例如，圖1中，在使3個半導體雷射元件16a的發光點16f的相隔距離靠近到100μm以下時，能夠使3個發光點16f實質上作為一個點光源發揮作用，因此無需使用合波器14。

如以上所示，第一實施方式、第二實施方式的半導體雷射光源單元16、116在沿支架22、122的柱狀的延伸方向延伸的中心軸axis的周圍隔開間隔配置，利用半導體雷射光源單元16、116發出雷射時，通過使半導體雷射光源單元16、116的熱量從熱傳導塊18、118的與半導體雷射光源單元16、116接觸的接合面向熱傳遞面18a、18b傳遞，並從支架22、122的外周輻射，從而對半導體雷射光源單元16、116進行冷卻。因此，即便使雷射光源模塊10、110小型化，仍能夠提高散熱效率。

第一實施方式以及第二實施方式中所示的多波長雷射光源模塊能夠採取用殼體覆蓋的立體形狀的封裝，例如用圓柱狀的金屬罐覆蓋周圍的φ3mm、φ5.6mm、φ9mm等緊湊的立體形狀的罐型封裝。此時，支架22、122優選為封裝的殼體。這種立體封裝的熱傳導性良好，能夠安裝更多的高輸出(大電流、高發熱)的雷射光源單元。特別是將第一實施方式以及第二實施方式中所示的多波長雷射光源模塊設為緊湊的立體罐型封裝，並安裝到手錶型或眼鏡型可穿戴終端、以及具備雷射顯示裝置的玩具機器人等設備上時，該多波長雷射光源模塊在安裝到設備上的安裝便捷性、對散熱進行設計的簡易性、根據設備形態改變形狀的簡易性的方面出眾。

以上詳細說明了本發明的多波長雷射光源模塊、帶合波器的多波長雷射光源模塊、以及半導體雷射光源單元的冷卻方法，但本發明並不限定於上述實施方式，當然可在不超出本發明主旨的範圍內進行各種改良和變更。

標號說明

10、110帶合波器的多波長雷射光源模塊

12、112多波長雷射光源模塊

14、114合波器

14a入射口

14b光波導構件

14c結合部

14d出射口

16、116半導體雷射光源單元

16a、116a半導體雷射元件

16b、116b次黏著基臺

16c、16d、116c、116d電極

16e、116e雙合透鏡

16f、116f發光點

18、118熱傳導塊

18a、18b、118a熱傳遞面

18c接合面

20、120組裝體

22、122支架

22a、122a孔