單層多點式觸控導電膜及單層多點式觸控屏的製作方法
2023-05-12 05:24:31 4
單層多點式觸控導電膜及單層多點式觸控屏的製作方法
【專利摘要】一種單層多點式觸控導電膜，其包括：透明基底，包括感應區以及與所述感應區相鄰的邊框區；第一導電層，呈網格狀，設置於所述透明基底的感應區，所述第一導電層包括相互交叉的第一導電絲線，所述感應區開設有網格凹槽，所述第一導電層收容於所述網格凹槽；絕緣層，位於第一導電絲線上方且嵌設於所述網格凹槽中；第二導電層，呈網格狀，設置於所述透明基底的感應區，與所述第一導電層通過所述絕緣層隔開，所述第二導電層包括相互交叉的第二導電絲線，其中，所述第一導電層及所述第二導電層中其中一層的網格為規則網格，另一層的網格為隨機網格。上述單層多點式觸控導電膜的成本較低。本實用新型還提供一種使用該單層多點式觸控導電膜的單層多點式觸控屏。
【專利說明】單層多點式觸控導電膜及單層多點式觸控屏
【【技術領域】】
[0001]本實用新型涉及一種觸控導電膜，特別是涉及一種單層多點式觸控導電膜及使用該單層多點式觸控導電膜的單層多點式觸控屏。
【【背景技術】】
[0002]透明導電膜是觸控螢幕中接收觸摸等輸入信號的感應元件。目前，ITO (氧化銦錫)層是透明導電膜中至關重要的組成部分。雖然觸控螢幕的製造技術一日千裡的飛速發展著，但是以投射式電容屏為例，ITO層的基礎製造流程近年來並未發生太大的改變，總是不可避免的需要ITO鍍膜，ITO圖形化。
[0003]銦是一種昂貴的金屬材料，因此以ITO作為導電層的材料，很大程度上提升了觸控螢幕的成本。再者，ITO導電層在圖形化工藝中，需將鍍好的整面ITO膜進行蝕刻，以形成ITO圖案，在此工藝中，大量的ITO被蝕刻掉，造成大量的貴金屬浪費及汙染。
[0004]因此，ITO材料及相應工藝的使產品成本居高不下，導致傳統的單層多點式觸控導電膜的成本較高。
【實用新型內容】
[0005]鑑於上述狀況，有必要提供一種成本較低的單層多點式觸控導電膜。
[0006]—種單層多點式觸控導電膜，其包括:
[0007]透明基底，包括感應區以及與所述感應區相鄰的邊框區；
[0008]第一導電層，呈網格狀，設置於所述透明基底的感應區，所述第一導電層包括相互交叉的第一導電絲線，所述感應區開設有網格凹槽，所述第一導電層收容於所述網格凹槽；
[0009]絕緣層，位於第一導電絲線上方且嵌設於所述網格凹槽中；
[0010]第二導電層，呈網格狀，設置於所述透明基底的感應區，與所述第一導電層通過所述絕緣層隔開，所述第二導電層包括相互交叉的第二導電絲線；
[0011]其中，所述第一導電層及所述第二導電層中其中一層的網格為規則網格，另一層的網格為隨機網格。
[0012]相較於傳統的單層多點式觸控導電膜，上述單層多點式觸控導電膜在透明基底開設網格凹槽，網格凹槽內填充第一導電絲線形成第一導電層，從而以嵌入式網格結構取代傳統ITO工藝結構，因而降低成本；第一導電層及第二導電層中其中一層的網格為規則網格，另一層的網格為隨機網格，這樣可以降低上下兩層的對準要求，簡化工藝，進一步降低成本。
[0013]在其中一個實施例中，還包括基質層，所述基質層設於所述透明基底表面，所述感應區及所述邊框區設於所述基質層遠離透明基底的一側。
[0014]在其中一個實施例中，所述第一導電層及所述第二導電層均設置於所述基質層的感應區。[0015]在其中一個實施例中，還包括設於所述邊框區的第一引線電極及第二引線電極，所述第一引線電極與第一導電層電連接，所述第二引線電極與第二導電層電連接。
[0016]在其中一個實施例中，所述第一引線電極及所述第二引線電極為線條狀。
[0017]在其中一個實施例中，所述第一引線電極包括相互交叉的第一導電引線，所述第二引線電極包括相互交叉的第二導電引線。
[0018]在其中一個實施例中，所述第一引線電極位於所述邊框區的表面，或收容於開設於所述邊框區的第一凹槽中。
[0019]在其中一個實施例中，所述第二引線電極位於所述邊框區的表面，或收容於開設於所述邊框區的第二凹槽中。
[0020]在其中一個實施例中，所述規則網格為正六邊形網格、菱形網格或正方形網格。
[0021]在其中一個實施例中，所述網格凹槽的寬度為dl，深度為h，其中，I μ m ^ dl ^5ym,2ym^h^6ym, h/dl > I。
[0022]在其中一個實施例中，所述網格凹槽為底部為「V」字形、「W」字形、弧形、或波浪形的微型槽。
[0023]在其中一個實施例中，所述微型槽的深度為500nm~I μ m。
[0024]在其中一個實 施例中，還包括覆蓋所述第二導電層表面的透明保護層。
[0025]一種單層多點式觸控屏，包括覆蓋板、單層多點式觸控導電膜及顯示模組，所述單層多點式觸控導電膜為上述單層多點式觸控導電膜。
【【專利附圖】
【附圖說明】】
[0026]圖1為本實用新型實施方式的單層多點式觸控屏的結構示意圖；
[0027]圖2為圖1中的單層多點式觸控導電膜的剖面圖；
[0028]圖3 (a)至圖3 (d)為圖2所示的單層多點式觸控導電膜的網格凹槽的底部的不同實施例的結構示意圖；
[0029]圖4 (a)至圖4 (d)為圖2所示的單層多點式觸控導電膜的網格的不同實施例的結構示意圖；
[0030]圖5為另一實施方式的單層多點式觸控導電膜的剖面圖；
[0031]圖6為另一實施方式的單層多點式觸控導電膜的分解圖；
[0032]圖7為圖1中的單層多點式觸控導電膜在另一實施例中的剖面圖；
[0033]圖8為圖1中的單層多點式觸控導電膜在另一實施例中的剖面圖；
[0034]圖9為圖1中的單層多點式觸控導電膜在另一實施例中的剖面圖；
[0035]圖10為圖1中的單層多點式觸控導電膜在另一實施例中的剖面圖。
【【具體實施方式】】
[0036]為了便於理解本實用新型，下面將參照相關附圖對本實用新型進行更全面的描述。附圖中給出了本實用新型的較佳的實施例。但是，本實用新型可以以許多不同的形式來實現，並不限於本文所描述的實施例。相反地，提供這些實施例的目的是使對本實用新型的公開內容的理解更加透徹全面。
[0037]需要說明的是，當元件被稱為「固定於」另一個元件，它可以直接在另一個元件上或者也可以存在居中的元件。當一個元件被認為是「連接」另一個元件，它可以是直接連接到另一個元件或者可能同時存在居中元件。本文所使用的術語「垂直的」、「水平的」、「左」、「右」以及類似的表述只是為了說明的目的。
[0038]除非另有定義，本文所使用的所有的技術和科學術語與屬於本實用新型的【技術領域】的技術人員通常理解的含義相同。本文中在本實用新型的說明書中所使用的術語只是為了描述具體的實施例的目的，不是旨在於限制本實用新型。本文所使用的術語「及/或」包括一個或多個相關的所列項目的任意的和所有的組合。
[0039]請參閱圖1，本實用新型實施方式的單層多點式觸控屏10包括依次層疊的顯示模組100、單層多點式觸控導電膜200及覆蓋板300。
[0040]請參閱圖2，單層多點式觸控導電膜200包括透明基底210、基質層220、第一導電層230、絕緣層240及第二導電層250。
[0041]透明基底210包括第一表面及與第一表面相對設置的第二表面。透明基底210的形狀可以根據單層多點式觸控導電膜200的形狀來設定，例如，透明基底210為矩形。透明基底的材料為熱塑性材料、PET或玻璃。具體的，熱塑性材料為PC或PMMA，當然也可以為其他熱塑性材料。
[0042]基質層220設於透明基底210的第一表面。基質層220包括感應區及與感應區相鄰的邊框區。本實施方式中，感應區位於基質層的中部。感應區開設有網格凹槽221。基質層220的材料為UV膠、壓印膠或聚碳酸酯。
[0043]網格凹槽221內填充有導電材料以形成相互交叉的第一導電絲線，相互交叉的第一導電絲線形成第一導電層230。導電材料為銀、鋁及銅中的至少兩種形成的合金、銀、鋁或銅。優選的，第一導電層230及網格凹槽221通過壓印的方式形成。
[0044]進一步地，網格凹槽22 1為底部為「V」字形、「W」字形、弧形、或波浪形的微型槽。請參閱圖3 (a)至圖3 (d)，圖3 (a)所示的網格凹槽221為底部為「V」字形的微型槽，圖
3(b)所示的網格凹槽221為底部為「W」字形的微型槽，圖3 (c)所示的網格凹槽221為底部為弧形的微型槽，圖3 (d)所示的網格凹槽221為底部為波浪形的微型槽。優選地，微型槽的深度為500nm~I μ m。
[0045]優選地，網格凹槽221的寬度為dl，深度為h，其中，I μ m≤dl≤5 μ m，
2μ m ^ h ^ 6 μ m, h/dl > I。
[0046]網格凹槽221為底部為「V」字形、「W」字形、弧形、或波浪形的微型槽，這樣網格凹槽221的溝槽內的導電墨水在烘乾的時候，導電墨水縮聚不容易出現烘乾後的導電材料會出現斷開的現象。
[0047]請再次參閱圖2，絕緣層240形成於第一導電層230的表面，且嵌設於網格凹槽221內。絕緣層240用於將第一導電層230及第二導電層250隔開，使第一導電層230及第二導電層250之間相互不導通。本實施方式中，絕緣層240的材料為絕緣油墨或絕緣膠。
[0048]第二導電層250形成於基質層220的感應區。第二導電層250凸設於基質層220遠離透明基底210的一側表面，且通過絕緣層240與第一導電層230隔開。第二導電層250包括相互交叉的第二導電絲線。第二 導電層250通過曝光顯影、絲網印刷等方式來完成。第二導電層250材料為銀、鋁及銅中的至少兩種形成的合金、銀、鋁或銅。
[0049]進一步的，第一導電層230及第二導電層250為網格狀。第一導電層230及第二導電層250中其中一層的網格為規則網格，另一層的網格為隨機網格。請參閱圖4 (a)至圖4 (d)，圖4 (a)中所示的網格為隨機網格，圖4 (b)至圖4 (d)中所示的網格分別為正六邊形網格、菱形網格及正方形網格。
[0050]在圖2所示的實施方式中，第一導電層230及第二導電層250均由多個陣列排布的導電條帶組成。第一導電層230的導電條帶沿第一維的方向延伸，第二導電層250的導電條帶沿第二維的方向延伸，第一維方向與第二維方向斜交。當然，在其他的實施方式中，第一維方向與第二維方向相互垂直。請同時參閱圖5及圖6,圖不的實施方式中,第一導電層230的導電條帶沿第一維的方向延伸，第二導電層250的導電條帶沿第二維的方向延伸，第一維方向與第二維方向相互垂直。
[0051]進一步的，請參閱圖7，單層多點式觸控導電膜200還包括設於邊框區的第一引線電極260及第二引線電極270。第一引線電極260與第一導電層230電連接，第二引線電極270與第二導電層250電連接。需要說明的是，第一引線電極260及第二引線電極270在圖中均為示例性的標示，並不能以此區別第一引線電極260及第二引線電極270。在圖示的實施例中，第一引線電極260收容於開設於基質層220的邊框區的第一凹槽223中，第二引線電極270收容於開設於基質層220的邊框區的第二凹槽225中。當然，在其他實施例中，第一引線電極260及第二引線電極270也可以直接凸設於邊框區的表面。第一引線電極260及第二引線電極270可以通過絲網印刷、壓印或噴墨列印等方式形成。
[0052]在本實施例中，第一引線電極260包括相互交叉的第一導電引線，第二引線電極270包括相互交叉的第二導電引線，第一引線電極260及第二引線電極270均為網格結構。第一引線電極260及第二引線電極270的網格結構與第一導電層230及第二導電層250的網格結構相同，為規則網格或隨機網格，具體可以為圖4 (a)至圖4 (d)所示的結構。第一凹槽223及第二凹槽225的結構及參數與網格凹槽221的結構及參數均相同。當然，在其他的實施例中，第一引線電極260及第二引線電極270還可以為線條狀，第一引線電極260及第二引線電極270的線寬為50μπι?200μπι，高度為5μπι?10 μ m。
[0053]優選的，第一引線電極260及第二弓丨線電極270的材料為銀、銅、導電聚合物或ΙΤ0。
[0054]請參閱圖8，進一步的，單層多點式觸控導電膜200還包括覆蓋於第二導電層250表面的透明保護層280。透明保護層280覆蓋第二導電層250及基質層220遠離透明基底210的表面。由於第二導電層250凸設於基質層220的表面，因此,在第二導電層250的表面形成透明保護層280以對第二導電層250形成保護，避免劃傷。優選的，透明保護層280的材料為UV膠、壓印膠或聚碳酸酯。
[0055]請同時參閱圖9及圖10，在其他的實施例中，基質層220可以省略，透明基底210包括感應區及與感應區相鄰的邊框區。此時網格凹槽221開設於透明基底210的感應區，第一凹槽223及第二凹槽225開設於透明基底210的邊框區,第二導電層250設於透明基底210的感應區。
[0056]相較於傳統的單層多點式觸控導電膜，上述單層多點式觸控導電膜200至少具有以下優點:
[0057](I)上述單層多點式觸控導電膜200在基質層220上形成有網格凹槽221，網格凹槽221內填充第一導電絲線形成第一導電層230，因此，以嵌入式網格結構取代傳統ITO工藝結構，從而降低成本，簡化製造工藝；第一導電層230及第二導電層250中其中一層的網格為規則網格，另一層的網格為隨機網格，這樣可以降低上下兩層的對準要求，簡化工藝，進一步降低成本。
[0058](2)通過形成第一導電層230及第二導電層，第一導電層230及第二導電層250通過絕緣層240隔開，兩層導電層的感應效果更好。
[0059](3)通過在基質層220上形成網格凹槽221，網格凹槽221內填充第一導電絲線形成第一導電層230，從而能降低單層多點式觸控導電膜200的厚度；同時採用這種埋入式設計，對單層多點式觸控導電膜200的性能得到很好的保護。
[0060](4)通過在第二導電層250的表面形成透明保護層280，可以保護第二導電層250避免被劃傷，同時可以防止導電材料氧化。
[0061](5)網格凹槽221為底部為「V」字形、「W」字形、弧形、或波浪形的微型槽，這樣網格凹槽221的溝槽內的導電墨水在烘乾的時候，導電墨水縮聚不容易出現烘乾後的導電材料會出現斷開的現象。
[0062]以上所述實施例僅表達了本實用新型的幾種實施方式，其描述較為具體和詳細，但並不能因此而理解為對本實用新型專利範圍的限制。應當指出的是，對於本領域的普通技術人員來說，在不脫離本實用新型構思的前提下，還可以做出若干變形和改進，這些都屬於本實用新型的保護範圍。因此，本實用新型專利的保護範圍應以所附權利要求為準。
【權利要求】
1.一種單層多點式觸控導電膜，其特徵在於，包括: 透明基底，包括感應區以及與所述感應區相鄰的邊框區； 第一導電層，呈網格狀，設置於所述透明基底的感應區，所述第一導電層包括相互交叉的第一導電絲線，所述感應區開設有網格凹槽，所述第一導電層收容於所述網格凹槽； 絕緣層，位於第一導電絲線上方且嵌設於所述網格凹槽中； 第二導電層，呈網格狀，設置於所述透明基底的感應區，與所述第一導電層通過所述絕緣層隔開，所述第二導電層包括相互交叉的第二導電絲線； 其中，所述第一導電層及所述第二導電層中其中一層的網格為規則網格，另一層的網格為隨機網格。
2.如權利要求1所述的單層多點式觸控導電膜，其特徵在於，還包括基質層，所述基質層設於所述透明基底表面，所述感應區及所述邊框區設於所述基質層遠離透明基底的一側。
3.如權利要求2所述的單層多點式觸控導電膜，其特徵在於，所述第一導電層及所述第二導電層均設置於所述基質層的感應區。
4.如權利要求1或3所述的單層多點式觸控導電膜，其特徵在於，還包括設於所述邊框區的第一引線電極及第二引線電極，所述第一引線電極與第一導電層電連接，所述第二引線電極與第二導電層電連接。
5.如權利要求4所述的單層多點式觸控導電膜，其特徵在於，所述第一引線電極及所述第二引線電極為線條狀。
6.如權利要求4所述的單層多點式觸控導電膜，其特徵在於，所述第一引線電極包括相互交叉的第一導電引線，所述第二引線電極包括相互交叉的第二導電引線。
7.如權利要求4所述的單層多點式觸控導電膜，其特徵在於，所述第一引線電極位於所述邊框區的表面，或收容於開設於所述邊框區的第一凹槽中。
8.如權利要求4所述的單層多點式觸控導電膜，其特徵在於，所述第二引線電極位於所述邊框區的表面，或收容於開設於所述邊框區的第二凹槽中。
9.如權利要求1所述的單層多點式觸控導電膜，其特徵在於，所述規則網格為正六邊形網格、菱形網格或正方形網格。
10.如權利要求1所述的單層多點式觸控導電膜，其特徵在於，所述網格凹槽的寬度為dl，深度為 h,其中，1μπιl。
11.如權利要求1所述的單層多點式觸控導電膜，其特徵在於，所述網格凹槽為底部為「V」字形、「W」字形、弧形、或波浪形的微型槽。
12.如權利要求11所述的單層多點式觸控導電膜，其特徵在於，所述微型槽的深度為500nm ~I μ m。
13.如權利要求1所述的單層多點式觸控導電膜，其特徵在於，還包括覆蓋所述第二導電層表面的透明保護層。
14.一種單層多點式觸控屏，包括覆蓋板、單層多點式觸控導電膜及顯示模組，其特徵在於，所述單層多點式觸控導電膜為如權利要求1-13任一項所述的單層多點式觸控導電膜。
【文檔編號】G06F3/044GK203386171SQ201320459529
【公開日】2014年1月8日 申請日期:2013年7月30日 優先權日:2013年7月30日
【發明者】楊廣舟, 孫超 申請人:南昌歐菲光科技有限公司, 深圳歐菲光科技股份有限公司, 蘇州歐菲光科技有限公司