一種晶體矽太陽能電池雙層減反射膜的製備方法
2023-05-05 01:58:21
專利名稱:一種晶體矽太陽能電池雙層減反射膜的製備方法
技術領域:
本發明涉及晶體矽太陽能電池技術領域,具體是一種晶體矽太陽能電池雙層減反射膜的製備方法。
背景技術:
晶體矽太陽能電池是把光能轉換為電能的光電子器件。它的光電轉換效率定義為總輸出功率與入射到太陽電池表面的太陽光總功率的比值。低成本、高效率是晶體矽太陽能電池的發展方向。由於晶體矽表面的太陽光的反射率較高,不能充分吸收太陽光,造成能源浪費。目前人們常用的做法是在矽片表面鍍減反射膜,例如,二氧化矽膜、氮化矽膜、氮氧化矽膜、二氧化鈦膜是常用的鍍膜材料,顯然,單層膜的減反射效果並不好,雙層膜及多層膜也開始應用。當前選擇在矽片表面熱氧化生長一層二氧化矽膜,然後在二氧化矽膜表面再生長其他的膜層,高溫生長製備二氧化矽掩膜使用生產周期長,二氧化矽結構質量不高,起到阻擋層的作用低;第二層減反射膜在二次擴散時由於高溫造成表面結構損傷,一定程度降低了阻擋作用。
發明內容
本發明的目的在於提供一種晶體矽太陽能電池雙層減反射膜的製備方法。本發明的目的可以通過以下技術方案實現
一種晶體矽太陽能電池雙層減反射膜的製備方法,該製備方法依次經過下述常規工序清洗、制絨、制結和刻蝕,其特徵在於它還包括以下步驟
(1)將處理後的矽片浸沒硝酸和鹽酸的混合液中,在矽片表面生成二氧化矽;
(2)清洗、烘乾步驟(I)得到的帶有二氧化矽膜的電池片;
(3)利用等離子體增強化學氣相沉積方法在步驟(2)的二氧化矽膜上沉積一層氮化矽薄膜。步驟(I)所述的鹽酸的濃度為75%,所述的鹽酸的濃度為80%,所述的硝酸和鹽酸的體積比為2:1,浸泡時間10分鐘。步驟⑵所述的烘乾溫度為90°C,烘乾時間10分鐘。步驟(3)的工藝條件為通入氮氣流量為8L/min,氧氣流量為5. 3L/min,溫度為800°C,反應時間30min。本發明的有益效果本發明的二氧化矽膜是通過浸泡在硝酸和鹽酸的混合液中來生成的,縮短了製備二氧化矽膜的周期,利用等離子體增強化學氣相沉積方法在二氧化矽膜上沉積氮化矽膜,製得的雙層減反射膜結構均勻。
具體實施方式
下面結合實施例對本發明作進一步描述。一種晶體矽太陽能電池雙層減反射膜的製備方法,該製備方法依次經過下述常規工序清洗、制絨、制結和刻蝕,其特徵在於它還包括以下步驟
(I)將處理後的矽片浸沒硝酸和鹽酸的混合液中,在矽片表面生成二氧化矽,鹽酸的濃度為75%,所述的鹽酸的濃度為80%,所述的硝酸和鹽酸的體積比為2:1,浸泡時間10分鐘;
(2)清洗、烘乾步驟(I)得到的帶有二氧化矽膜的電池片,烘乾溫度為90°C,烘乾時間10分鐘;(3)利用等離子體增強化學氣相沉積方法在步驟(2)的二氧化矽膜上沉積一層氮化矽薄膜,工藝條件為通入氮氣流量為8L/min,氧氣流量為5. 3L/min,溫度為800°C,反應時間30mino·
權利要求
1.一種晶體矽太陽能電池雙層減反射膜的製備方法,該製備方法依次經過下述常規工序清洗、制絨、制結和刻蝕,其特徵在於它還包括以下步驟 (1)將處理後的矽片浸沒硝酸和鹽酸的混合液中,在矽片表面生成二氧化矽; (2)清洗、烘乾步驟(I)得到的帶有二氧化矽膜的電池片; (3)利用等離子體增強化學氣相沉積方法在步驟(2)的二氧化矽膜上沉積一層氮化矽薄膜。
2.根據權利要求I所述的晶體矽太陽能電池雙層減反射膜的製備方法,其特徵在於步驟(I)所述的鹽酸的濃度為75%,所述的鹽酸的濃度為80%,所述的硝酸和鹽酸的體積比為2:1,浸泡時間10分鐘。
3.根據權利要求I所述的晶體矽太陽能電池雙層減反射膜的製備方法,其特徵在於步驟(2)所述的烘乾溫度為90°C,烘乾時間10分鐘。
4.根據權利要求I所述的晶體矽太陽能電池雙層減反射膜的製備方法,其特徵在於步驟(3)的工藝條件為通入氮氣流量為8L/min,氧氣流量為5. 3L/min,溫度為800°C,反應時間 30min。
全文摘要
本發明公開一種晶體矽太陽能電池雙層減反射膜的製備方法,該製備方法依次經過下述常規工序清洗、制絨、制結和刻蝕,其特徵在於它還包括以下步驟(1)將處理後的矽片浸沒硝酸和鹽酸的混合液中,在矽片表面生成二氧化矽;(2)清洗、烘乾步驟(1)得到的帶有二氧化矽膜的電池片;(3)利用等離子體增強化學氣相沉積方法在步驟(2)的二氧化矽膜上沉積一層氮化矽薄膜。本發明的二氧化矽膜是通過浸泡在硝酸和鹽酸的混合液中來生成的,縮短了製備二氧化矽膜的周期,利用等離子體增強化學氣相沉積方法在二氧化矽膜上沉積氮化矽膜,製得的雙層減反射膜結構均勻。
文檔編號H01L31/18GK102916080SQ201210401660
公開日2013年2月6日 申請日期2012年10月22日 優先權日2012年10月22日
發明者不公告發明人 申請人:江蘇榮馬新能源有限公司