薄型電磁防護結構的製作方法
2023-05-04 14:16:51
專利名稱：薄型電磁防護結構的製作方法
技術領域：
本實用新型涉及一種電磁防護結構，尤其涉及利用一種薄型電磁防護結構。
背景技術：
由於目前電子裝置的晶片等電子元件越來越精密、處理效能也越來越高，因此對 於電磁波的幹擾十分的敏感。一般現有的作法是為於處理晶片周圍蓋上金屬殼體，以遮蔽 電磁波的幹擾。但加入電磁防護結構會增加電子裝置的厚度，然而現今的電子裝置，如移動 電話，對於薄型化的要求十分重視，現有的電磁防護結構已不敷所需。如圖1所示，為現有的電磁防護結構的剖視示意圖。該電磁防護結構1包含一框 架結構10與一金屬蓋結構20，該金屬蓋結構20蓋合於該框架結構10。該框架結構10的 框架側壁12是由該框架本體11垂直向下延伸，該金屬蓋結構20的金屬側壁22是由金屬 本體21垂直向下延伸，因此該金屬側壁22貼合於該框架側壁12。此外，該金屬側壁22設 有一凸點23，該框架側壁12設有一封閉孔13，該凸點23容置於該封閉孔13。由於該金屬 蓋結構20與該框架結構10僅依靠該凸點23與封閉孔13之間的扣合作結合，因此該金屬 側壁22與框架側壁12之間並不是很緊密的接觸，固定效果較差，並且容易因電子元件運作 時的高頻振動而產生噪音。此外，當製作該框架結構10時，若該框架側壁12的彎折處與下緣離該封閉孔13 太近，會於該框架側壁12由該框架本體11向下彎折時導致該封閉孔13破裂。因此無法有 效降低框架側壁12的高度。另外當該框架結構10設置於一印刷電路板40時，需將該框架側壁12的下緣設置 錫膏30以焊接於該印刷電路板40上，為了避免錫膏30附著於金屬蓋結構20，該框架側壁 12至少需要距離該金屬側壁22的下緣距離一預留距離dl (現有最短需要0. 4毫米)，但此 現有的預留距離dl以逐漸無法滿足現今薄型化電子裝置的需求，故為有待改進的缺失。
實用新型內容為了改善上述現有的缺失，本實用新型的目的在於提供一種薄型電磁防護結構， 其是利用框架側壁的下緣設置開放孔以及，彈性側壁向下延伸寬度較小的彈性凸緣，並採 取局部布錫的方式，以達到薄型化的目的。為了達到上述的目的，本實用新型提供一種薄型電磁防護結構，包含一框架結構，包含一框架本體、多個框架側壁，該多個框架側壁由該框架本體的 邊緣一體向下延伸，該框架側壁的下緣系設有多個開放孔；一金屬蓋結構，包含一上蓋本體、多個彈性側壁、多個彈性凸緣以及多個凸點， 該上蓋體為一板狀結構；該多個彈性側壁由該上蓋本體的邊緣一體向下延伸；該多個彈性 凸緣分別由該多個彈性側壁的邊緣一體向下延伸，該彈性凸緣的寬度小於該彈性側壁的寬 度；該多個凸點分別設置於該多個彈性凸緣，並分別扣合於該多個開放孔。上述的薄型電磁防護結構，其中，還進一步包含多個錫膏，設置於該框架側壁，每一錫膏設置於兩相鄰的彈性凸緣之間與彈性側壁的下側。上述的薄型電磁防護結構，其中，該彈性側壁由該上蓋本體的邊緣向下及向內傾 斜延伸，該彈性側壁與該上蓋本體間具有一銳角。上述的薄型電磁防護結構，其中，兩相鄰的錫膏相互間隔一間隔距離。 上述的薄型電磁防護結構，其中，該間隔距離大於該彈性凸緣的寬度。上述的薄型電磁防護結構，其中，每一彈性凸緣包含一上凸緣與一下凸緣，該上凸 緣分別由該彈性側壁的邊緣向下延伸，該下凸緣由該上凸緣向下以及向外傾斜延伸，該上 凸緣與該下凸緣的交界處抵頂該框架側壁。上述的薄型電磁防護結構，其中，該彈性凸緣的下緣對齊該框架側壁的下緣。上述的薄型電磁防護結構，其中，該彈性凸緣的下緣與該框架側壁的下緣之間的 距離小於等於0.3毫米。上述的薄型電磁防護結構，其中，該彈性凸緣的下緣與該框架側壁的下緣之間的 距離小於等於0.1毫米。上述的薄型電磁防護結構，其中，該彈性凸緣的下緣形成一 U型結構。上述的薄型電磁防護結構，其中，該金屬蓋結構還進一步包含一料帶連接部，該上 蓋本體為一多邊形，該料帶連接部由該上蓋本體邊緣內角處一體延伸出。綜上所述，本實用新型利用框架側壁的下緣設置開放孔以及於彈性側壁向下延伸 寬度較小的彈性凸緣，並採取局部布錫的方式將錫膏設置於兩相鄰的彈性凸緣之間與彈性 側壁的下側，以達到薄型化的目的。並且本實用新型的彈性側壁與彈性凸緣能有效的將框 架側壁與彈性側壁作一緊密的結構，能具有較佳的固定效果，以避免電子元件運作時的高 頻振動而產生噪音。
以下結合附圖和具體實施例對本實用新型進行詳細描述，但不作為對本實用新型 的限定。
圖1為現有的電磁防護結構的剖視示意圖；圖2為本實用新型的薄型電磁防護結構與布設錫膏的立體圖；圖3為本實用新型的薄型電磁防護結構與錫膏的分解圖；圖4為本實用新型的薄型電磁防護結構的分解剖視示意圖；圖5為本實用新型的薄型電磁防護結構的剖示圖；以及圖6為本實用新型的薄型電磁防護結構與錫膏的側視示意圖。其中，附圖標記
現有技術電磁防護結構1框架結構10框架本體11框架側壁12封閉孔13[0034]金屬蓋結構20金屬本體21金屬側壁22凸點23錫膏 30印刷電路板40預留距離dl本實用新型薄型電磁防護結構2框架結構100框架本體110置換開口111框架側壁120開放孔121金屬蓋結構200上蓋本體210彈性側壁220彈性凸緣230上凸緣231下凸緣232凸點240間隔槽25O料帶連接部260錫膏300、300，銳角A間隔距離d2預留距離d3頂點PlV型間隙Sl設置區段Zl
具體實施方式
以下結合附圖對本實用新型的結構原理和工作原理作具體的描述請參閱圖2與圖3，圖2為本實用新型的薄型電磁防護結構與布設錫膏的立體圖， 圖3為本實用新型的薄型電磁防護結構與錫膏的分解圖。該薄型電磁防護結構2包含一框 架結構100與一金屬蓋結構200。該框架結構100可經由多個錫膏300而焊接於一印刷電 路板(圖未示)上，該框架結構100內可設置至少一晶片(圖未示)等電子元件，該金屬蓋 結構200蓋設於該框架結構100上，因此該晶片所發出的電磁波可經由該金屬蓋結構200 隔絕，或是外界的電磁波可經由該金屬蓋結構200隔絕，以防護該金屬蓋結構200內部的該-H-· I I心片。該框架結構100亦可為一金屬材質，並可經由一金屬板衝壓與彎折而形成。該框架結構100可包含一框架本體110與多個框架側壁120。該框架本體110可為一板狀結構， 並可設有至少一置換開口 111，該置換開口 111可對應至少一晶片，因此若有晶片損壞時可 經由該置換開口 111置換。該多個框架側壁120可分部於該框架本體110的四周，並由該框架本體110的邊 緣一體向下延伸，於本實施例中，該框架本體110與該框架側壁120可相互垂直。該框架側 壁120的下緣設有多個開放孔121，所謂的開放孔121於本實用新型是特別指稱於開孔的 側壁具有缺孔，如圖所示的開放孔121可為一 U型開放孔，相對而言，封閉孔是特別指稱於 開孔的側壁不具有缺孔。與現有技術不同之處在於，本實用新型於框架側壁120採用開放 孔121能更進一步縮短框架側壁120的高度，另外亦能避免現有技術於框架側壁120彎折 時造成封閉孔破裂。該多個錫膏300設置於該框架側壁120，以固定該框架結構100於一印 刷電路板上。該金屬蓋結構200可經由一金屬板衝壓與彎折而形成。該金屬蓋結構200可包含 一上蓋本體210、多個彈性側壁220、多個彈性凸緣230與多個凸點240。該上蓋本體210可 為一板狀結構，該多個彈性側壁220是由該上蓋本體210的邊緣一體向下延伸，由圖中可看 出，兩相鄰的彈性側壁220間隔一間隔槽250。該多個彈性凸緣230分別由該多個彈性側壁 220的邊緣一體向下延伸，該多個凸點240分別設置於該多個彈性凸緣230，並分別對應地 容置與扣合於該多個開放孔121。於圖中可看出，該彈性凸緣230的下緣形成一 U型結構， 意即，可將彈性凸緣230進一步裁切，以將原本圓形的凸點240的下緣部分裁切一些，以形 成一 U型結構。如此作法可進一部降低薄型電磁防護結構2的高度，亦不會影響凸點240 與開放孔121之間的扣合。於本實施例中，該金屬蓋結構200可還進一步包含一料帶連接部260。於圖中可看 出該上蓋本體210可為一多邊形，該料帶連接部260是由該上蓋本體210邊緣內角處一體 延伸出。於製作金屬蓋結構200時，可於一金屬板上規劃兩兩金屬蓋結構200間以至少一 連接件(圖未示)連接料帶連接部260，經過衝壓彎折等製成後，最後可經由切除連接件以 分離金屬蓋結構200，因此可於一金屬板上一次製作多個金屬蓋結構200。本實用新型的細部結構，請參閱圖4與圖5，其中圖4為本實用新型的薄型電磁防 護結構的分解剖視示意圖，圖5為本實用新型的薄型電磁防護結構的剖示圖。其中該彈性 側壁220是由該上蓋本體210的邊緣向下及向內傾斜延伸，因此該彈性側壁220與該上蓋 本體210間具有一銳角A。該彈性凸緣230包含一上凸緣231與一下凸緣232，該上凸緣 231是分別由該彈性側壁220的邊緣向下延伸，該下凸緣232是由該上凸緣231向下以及向 外傾斜延伸，因該上凸緣231與該下凸緣232之間可形成一鈍角，該上凸緣231與該下凸緣 232的交界處(頂點Pl)抵頂該框架側壁120。因此當該金屬蓋結構200向下蓋合於該框架結構100時，該彈性側壁220、該彈性 凸緣230與該凸點240會形成一彈力結構，使該彈性凸緣230與該凸點240於蓋合過程中會 施加一彈性力於該框架側壁120。當金屬蓋結構200與該框架結構100蓋合後，該彈性凸緣 230的頂點Pl會施一彈性力於該框架側壁120，並且該彈性側壁220與該彈性凸緣230所 形成的彈性結構亦會提供一彈性力以使該凸點240緊密地卡合於該開放孔121。因此本實用新型能具有較佳的固定效果，以避免電子元件運作時的高頻振動而產生噪音。除此之外， 由圖5亦可明顯看出該彈性側壁220與該框架側壁120間形成一 V型間隙Si，故能防止該 電子元件運作時的高頻振動使該彈性側壁220與該框架側壁120間摩擦撞擊而產生噪音。請參閱圖6，為本實用新型的薄型電磁防護結構與錫膏的側視示意圖。由圖中可明 顯看出該彈性凸緣230的寬度小於該彈性側壁220的寬度，因此可採用局部布錫的方式，讓 每一錫膏300設置於兩相鄰的彈性凸緣230之間的設置區段Zl與彈性側壁220的下側之 間的區域。兩相鄰的錫膏300、300』相互間隔一間隔距離d2，該間隔距離d2可大於該彈性 凸緣230的寬度。由於該凸點240與該錫膏300的位置交錯，因此如圖所示該彈性凸緣230的下緣 相距該框架側壁120的下緣的預留距離d3可小於或等於0. 3毫米，最佳可小於或等於0. 1 毫米，於另一實施例中，亦可不需要預留該預留距離d3，該彈性凸緣230的下緣可對齊切平 該框架側壁120的下緣。並不需要如現有技術般需預留至少0. 4毫米。於實務上，該金屬 蓋結構200的厚度於0. 2毫米的情況下，現有的電磁防護結構的高度最低可達1. 05毫米， 因此利用本實用新型的結構，該薄型電磁防護結構2的高度可減少0. 2毫米，以致高度可減 少至0. 85毫米，其減少幅度可達約20%。綜上所述，本實用新型是利用框架側壁的下緣設置開放孔以及於彈性側壁向下延 伸寬度較小的彈性凸緣，並採取局部布錫的方式將錫膏設置於兩相鄰的彈性凸緣之間與彈 性側壁的下側，以達到薄型化的目的。並且本實用新型的彈性側壁與彈性凸緣能有效的將 框架側壁與彈性側壁作一緊密的結構，能具有較佳的固定效果，以避免電子元件運作時的 高頻振動而產生噪音。當然，本實用新型還可有其它多種實施例，在不背離本實用新型精神及其實質的 情況下，熟悉本領域的技術人員當可根據本實用新型作出各種相應的改變和變形，但這些 相應的改變和變形都應屬於本實用新型所附的權利要求的保護範圍。
權利要求一種薄型電磁防護結構，其特徵在於，包含一框架結構，包含一框架本體、多個框架側壁，該多個框架側壁由該框架本體的邊緣一體向下延伸，該框架側壁的下緣系設有多個開放孔；一金屬蓋結構，包含一上蓋本體、多個彈性側壁、多個彈性凸緣以及多個凸點，該上蓋體為一板狀結構；該多個彈性側壁由該上蓋本體的邊緣一體向下延伸；該多個彈性凸緣分別由該多個彈性側壁的邊緣一體向下延伸，該彈性凸緣的寬度小於該彈性側壁的寬度；該多個凸點分別設置於該多個彈性凸緣，並分別扣合於該多個開放孔。
2.根據權利要求1所述的薄型電磁防護結構，其特徵在於，還進一步包含多個錫膏，設 置於該框架側壁，每一錫膏設置於兩相鄰的彈性凸緣之間與彈性側壁的下側。
3.根據權利要求1所述的薄型電磁防護結構，其特徵在於，該彈性側壁由該上蓋本體 的邊緣向下及向內傾斜延伸，該彈性側壁與該上蓋本體間具有一銳角。
4.根據權利要求1所述的薄型電磁防護結構，其特徵在於，兩相鄰的錫膏相互間隔一 間隔距離。
5.根據權利要求4所述的薄型電磁防護結構，其特徵在於，該間隔距離大於該彈性凸 緣的寬度。
6.根據權利要求1所述的薄型電磁防護結構，其特徵在於，每一彈性凸緣包含一上凸 緣與一下凸緣，該上凸緣分別由該彈性側壁的邊緣向下延伸，該下凸緣由該上凸緣向下以 及向外傾斜延伸，該上凸緣與該下凸緣的交界處抵頂該框架側壁。
7.根據權利要求1所述的薄型電磁防護結構，其特徵在於，該彈性凸緣的下緣對齊該 框架側壁的下緣。
8.根據權利要求1所述的薄型電磁防護結構，其特徵在於，該彈性凸緣的下緣與該框 架側壁的下緣之間的距離小於等於0. 3毫米。
9.根據權利要求1所述的薄型電磁防護結構，其特徵在於，該彈性凸緣的下緣與該框 架側壁的下緣之間的距離小於等於0.1毫米。
10.根據權利要求1所述的薄型電磁防護結構，其特徵在於，該彈性凸緣的下緣形成一 U型結構。
11.根據權利要求1所述的薄型電磁防護結構，其特徵在於，該金屬蓋結構還進一步包 含一料帶連接部，該上蓋本體為一多邊形，該料帶連接部由該上蓋本體邊緣內角處一體延 伸出。
專利摘要一種薄型電磁防護結構，包含一框架結構一金屬蓋結構，該框架結構，包含一框架本體、多個框架側壁，該多個框架側壁由該框架本體的邊緣一體向下延伸，該框架側壁的下緣系設有多個開放孔；該金屬蓋結構，包含一上蓋本體、多個彈性側壁、多個彈性凸緣以及多個凸點，該上蓋體為一板狀結構；該多個彈性側壁由該上蓋本體的邊緣一體向下延伸；該多個彈性凸緣分別由該多個彈性側壁的邊緣一體向下延伸，該彈性凸緣的寬度小於該彈性側壁的寬度；該多個凸點分別設置於該多個彈性凸緣，並分別扣合於該多個開放孔。由於錫膏可設置於兩相鄰的彈性凸緣之間與彈性側壁的下側的區域，因此可大幅降低薄型電磁防護結構的高度。
文檔編號H05K9/00GK201742678SQ20102022169
公開日2011年2月9日 申請日期2010年6月7日 優先權日2010年6月7日
發明者洪進富 申請人:湘鏵企業股份有限公司