軋制銅箔的製作方法

2023-04-23 16:01:56 2

專利名稱：軋制銅箔的製作方法
技術領域：
本發明涉及適用於要求彎曲性的FPC的軋制銅箔。
背景技術：
彎曲用FPC(柔性印刷電路板)中使用的銅箔要求高的彎曲性。作為使銅箔具有彎曲性的方法，已知提高銅箔的(200)面的晶體取向的取向度的技術(專利文獻1)、 增加貫通銅箔的板厚方向的晶粒的比例的技術(專利文獻幻、將銅箔的相當於凹坑( 才^ktr、卜)的深度的表面粗糙度Ry (最大高度)降低至2. 0 μ m以下的技術(專利文獻3)。通常的FPC製造步驟如下所述。首先將銅箔與樹脂膜接合。接合有通過對塗布在銅箔上的清漆施加熱處理來進行醯亞胺化的方法，將帶有粘接劑的樹脂膜與銅箔重疊進行層壓的方法。通過這些步驟接合的帶有樹脂膜的銅箔稱為CCL (覆銅層壓板)。通過該CCL 製造步驟中的熱處理，銅箔重結晶。但是，使用銅箔製造FPC時，若為了提高與覆蓋膜的密合性而對銅箔表面進行蝕刻，則表面上有可能產生直徑為數10 μ m左右的凹陷(碟型下陷)，特別是易產生高彎曲銅箔。其原因在於，為了賦予高彎曲性而將銅箔的晶體取向(200)面控制得一致使得重結晶退火後產生立方體組織。換而言之，認為即使進行這種控制，也不會全部的晶體取向都一致，在均一的組織中局部存在晶體取向不同的晶粒。此時，根據蝕刻的晶面的不同蝕刻速度不同，因此該晶粒被蝕刻得與周圍相比局部深，形成凹陷。這種凹陷導致電路的蝕刻性降低，或在外觀檢查中被判定為不良而收率降低。作為減少這種凹陷的方法，報告了在軋制前或軋制後對銅箔的表面進行機械拋光，提供形成加工變質層的變形後、重結晶的技術(專利文獻4)。根據該技術，由於加工變質層重結晶後在表面上存在很多不均一的晶粒，晶體取向不同的晶粒不單獨存在。[現有技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1] [專利文獻2] [專利文獻3] [專利文獻4]

發明內容
但是，專利文獻4記載的技術的情況下，由於不均一的晶粒多，銅箔表面的結晶不沿(200)面取向，因此存在彎曲性降低的問題。另一方面，專利文獻3記載的高光澤的銅箔，晶體取向易一致，此外，碟型下陷的產生也少。但是，高光澤的銅箔的表面易產生劃痕(傷等，操作不容易，所以不優選。因此，本發明是為了解決上述問題而提出的，其目的在於，通過使銅箔表面適度地
日本特許第3009383號公報日本特開2006-117977號公報日本特開2001-058203號公報日本特開2009-280855號公報。形成粗糙的狀態，提供操作性良好、彎曲性優異的同時，表面蝕刻特性良好的軋制銅箔。本發明人進行了各種研究，結果發現，在最終冷軋的最終道次之前不使銅箔的表面太粗糙，在最終冷軋的最終道次使銅箔的表面粗糙，由此使最終的銅箔的表面粗糙的同時，凹坑的形態和頻率(表面狀態)不易產生剪切帶，彎曲性優異，同時碟型下陷減少。而且，不易產生剪切帶的凹坑的形態和頻率(表面狀態)可以通過由共聚焦顯微鏡圖像得到的凹坑面積率來進行宏觀上的評價。為了達成上述目的，本發明的軋制銅箔，在銅箔表面上沿與軋制方向平行的方向的175 μ m長度上測定得到的表面粗糙度Ra與上述銅箔的厚度t的比率Ra/t為0. 004 0. 007，200°C下加熱30分鐘調質為重結晶組織的狀態下，由軋制面的X射線衍射求得的 (200)面的強度(I)，相對於由微粉末銅的X射線衍射求得的(200)面的強度(Itl),為I/ I0 ^ 50，在銅箔表面上沿與軋制方向平行的方向長度為175 μ m、且在與軋制方向成直角的方向上分別距離50 μ m以上的3根直線上，相當於凹坑的最大深度的各直線的厚度方向的最大高度與最小高度的差的平均值d與上述銅箔的厚度t的比率d/t為0. 1以下，用共聚焦顯微鏡測定時的凹坑的面積率為6% 15%。將上述200°C X30分鐘熱處理後的銅箔表面電解拋光後，用EBSD觀察時，與 [100]取向的角度差為15度以上的晶粒的面積率優選為20%以下。優選對鑄塊進行熱軋後，重複冷軋和退火，最後進行最終冷軋來製造，在該最終冷軋工序中，最終道次前的階段中，Ra/t為0. 002 0. 004。根據本發明，使銅箔表面適度粗糙來提高操作性，得到彎曲性優異的同時表面蝕刻特性良好的軋制銅箔。


[圖1]為表示銅箔表面的粗糙度與剪切變形帶的關係的圖。
[圖2]為示出凹坑形狀的圖。
[圖3]為示出相當於凹坑的最大深度的平均值d的測定方法的圖
[圖4]為示出實施例1的表面的光學顯微鏡圖像的圖。
[圖5]為示出比較例1的表面的光學顯微鏡圖像的圖。
[圖6]為示出實施例1的共聚焦顯微鏡圖像的圖。
[圖7]為示出比較例1的共聚焦顯微鏡圖像的圖。
[圖8]為示出通過彎曲試驗裝置測定彎曲疲勞壽命的方法的圖。
具體實施例方式以下對本發明的實施方式的軋制銅箔進行說明。本發明中，％只要不特別說明則
表示質量％。首先參照圖1對本發明的技術思想進行說明。若增大最終冷軋中輥的粗糙度來使銅箔表面粗糙，則銅箔的操作性提高，但是易產生碟型下陷(圖1的以往例1)。這認為如下所述。通過最終冷軋中的粗糙輥，在銅箔的表面上形成凹坑，隨著加工的進行，易在凹坑的頂端部產生剪切變形帶。若進一步繼續加工則剪切變形帶向深度發展。如此，產生深的剪切變形帶的凹坑的部分在重結晶時，在其它的均一的組織中成為晶體取向不同的晶粒， 成為蝕刻時的碟型下陷的起點。另一方面，迄今已知為了得到銅箔的彎曲性而提高光澤度(表面粗糙度)的方法。 認為這是由於，通過利用粗糙度低的輥進行最終冷軋，抑制凹坑的形成，從而不易產生剪切變形帶。但是，若提高銅箔的光澤度(減小表面粗糙度)，則由於銅箔的操作性降低(圖1 的以往例2、，從利用銅箔方面考慮不優選。與此相對，本發明人發現，在最終冷軋的最終道次之前不使銅箔的表面太粗糙 (例如用粗糙度低的輥軋制)，在最終冷軋的最終道次使銅箔的表面粗糙(例如用粗糙的輥進行軋制)，由此形成凹坑，最終的銅箔的表面形成粗糙的狀態，但是形成不太產生剪切變形帶的凹坑的形狀和頻率，結果在均一的組織中晶體取向不同的晶粒減少，碟型下陷減少 (圖1的本發明例)。換而言之，以往認為銅箔的取向性僅取決於銅箔表面的粗糙度，但是實際上可知材料內部的剪切變形帶的規模(形成度)對取向度(以及碟型下陷)有影響。而且，若在最終冷軋中，在最終道次以前的道次中可以充分地抑制剪切帶的形成，則即使在最終道次中加工成粗糙的銅箔表面，也可以得到高的取向性。此外，本發明的特徵在於，通過由共聚焦顯微鏡圖像得到的凹坑的面積率對上述剪切帶的形成度進行宏觀評價，找出碟型下陷降低的面積率的範圍。與此相對，僅利用迄今使用的表面粗糙度的值時，不能明確地掌握凹坑的信息。換而言之，若觀察軋制銅箔表面，則沿著與軋制方向成直角的方向TD觀察到凹坑的產生，如圖2所示可知，凹坑的截面形狀除了存在TD方向的長度短的三角形的凹坑(圖2的符號 Pl)之外，還有梯形的凹坑(圖2的符號P2)。此外，即使凹坑的深度相同，也有在RD方向上坑的擴展程度寬的形狀和窄的形狀。認為在測定銅箔的表面起伏的通常的Ra、Ry、Rz、Sm 等表面粗糙度的測定中不能充分地反映這些凹坑的形狀的不同。因此，使用共聚焦顯微鏡，求出相當於凹坑的圖像區域的比率(面積率)，由此反映凹坑的形狀，可以得到對應於碟型下陷、彎曲性的好壞的差異。而且，對於凹坑的面積率， 將用共聚焦顯微鏡拍攝得到的Z軸(高度方向)的高度差在規定的閾值前後二值化，將比該閾值深的部分作為凹坑部分抽出，求出其面積比率。接著對本發明的軋制銅箔的規定以及組成進行說明。(1)凹坑的面積率
如上所述，在最終冷軋的最終道次之前不使銅箔的表面太粗糙，在最終冷軋的最終道次使銅箔的表面粗糙，由此使最終的銅箔的表面粗糙的同時，得到不易形成剪切變形帶的凹坑的形狀，碟型下陷減少。而具有這種不易形成剪切變形帶的凹坑的表面，通過本發明人的實驗(後述的實施例)可知，用共聚焦顯微鏡測定時的凹坑的面積率為6% 15%。若凹坑的面積率超過15%，則形成剪切變形帶的凹坑增加。若在材料內部形成剪切變形帶，則在重結晶時，在其它的均一組織中形成晶體取向不同的晶粒，易產生蝕刻時的碟型下陷。另一方面，作為凹坑的面積率小於6%的情況，有2個條件。條件1，在最終冷軋的全部道次中使用粗糙度低的輥。該條件下，由於深的凹坑少、不易形成剪切變形帶，碟型下陷減少，但是銅箔的表面粗糙度過小(不滿足後述的Ra/t的條件)，在銅箔製品的操作方面
5存在困難，所以不優選。第二個條件，在最終冷軋的最終道次之前使銅箔的表面粗糙，在最終冷軋的最終道次使用粗糙度低的輥使銅箔的表面平滑。該條件下，通過在最終道次使用粗糙度低的輥， 使得在最終道次之前形成的凹坑中接近銅箔表面的部分在最終道次擴展而接近平坦，表面粗糙度減小。但是，凹坑內部的窄的谷部分仍然殘留。因此，凹坑的表面部分的開口變窄而凹坑的面積率本身減小，但是由於在最終道次之前使用粗糙的輥，凹坑中形成剪切變形帶， 在最終道次之後殘留剪切變形帶，產生許多碟型下陷。而如此凹坑的面積率雖然小但是產生許多碟型下陷的狀態在凹坑的面積率小於6%時變得顯著。而且，作為使凹坑的面積率為6%以上的方法，如上所述，可以在最終冷軋中，以在最終道次之前的道次中的淺、未形成剪切帶的凹坑中形成凹坑的方式，在最終冷軋的最終道次之前的道次中，使用粗糙度(表面粗糙度Ra例如為0.05 μ m以下)比較小的輥進行軋制，且在最終冷軋的最終道次中使用粗糙度(表面粗糙度Ra例如為0. 06 μ m以上)比較大的輥進行軋制，使最終得到的銅箔表面粗糙即可。在最終道次之前的道次形成的凹坑淺、未形成剪切帶，因此在最終冷軋的最終道次中，即使使銅箔的表面粗糙，形成剪切帶的凹坑也不會增加，碟型下陷減少。另一方面，若在最終冷軋的最終道次之前的道次中，使用粗糙度 (表面粗糙度Ra例如超過0. 05 μ m)大的輥進行軋制，則形成容易形成剪切帶的凹坑，在最終道次中形成凹坑，其面積增加，凹坑的面積率超過15%，剪切帶的形成變得顯著，易產生碟型下陷。其中，最終冷軋步驟中，在最終道次之前的道次中，使用粗糙度(表面粗糙度Ra例如為0.05μπι以下)比較小的輥，由此使最終冷軋的銅箔表面比較平滑。具體地說，在最終冷軋工序的最終道次的一道次之前的階段，使表面粗糙度Ra與箔厚度t的比率(Ra/t)為 0. 0020 0. 0040即可。若基於Ra/t在該範圍內的表面狀態進行最終道次的軋制，則即使在最終道次使銅箔的表面粗糙，也不易在所形成的凹坑中導入剪切帶，所以優選。而且，如後所述，最終冷軋工序的最終道次結束後的(Ra/t)為0. 004 0. 007。(2) 1/10
為了對本發明的銅箔賦予高彎曲性，200°C下加熱30分鐘調質為重結晶組織的狀態下，由軋制面的X射線衍射求得的(200)面的強度(I)，相對於由微粉末銅的X射線衍射求得的(200)面的強度(I。)，規定為1/1。彡50。由此，彎曲性優異的(200)面的取向度提高。 若IAtl < 50，則彎曲性降低。上述200°C下30分鐘的退火模擬CCL製造工序中對銅箔賦予的溫度歷程。而且，為了使1/%彡50，優選最終冷軋的加工度為98%以上。(3) Ra/t
為了使表面粗糙度與以往的表面粗糙度相比無變化地減少碟型下陷，規定最終冷軋後的Ra(mm)/t(mm)為0. 004 0. 007。若如此則表面粗糙度與以往的銅箔相同，同時，可以減少碟型下陷。而且，通過用表面粗糙度除以厚度，可以與銅箔的厚度無關地對銅箔表面的粗糙度進行評價。例如，若銅箔的厚度t變薄，則即使為相同的表面粗糙度，表面凹凸在銅箔厚度中所佔的比率增大，有可能不能充分地通過上述凹坑的面積率來評價銅箔表面。其中，Ra(中心線平均粗糙度)由JIS B0601規定，本發明中，為在銅箔表面上沿與軋制方向平行的方向長度為175 μ m、且在與軋制方向成直角的方向上分別距離50μπι以上的3根直線上測定得到的值的平均值。(4) d/t
認為即使是銅箔表面的粗糙度不那麼大、大部分凹坑中沒有怎麼形成剪切變形帶的情況下，也有可能存在一些深的凹坑。深的凹坑中形成剪切變形帶的可能性高，這種情況下， 成為碟型下陷產生的起點。因此，本發明中，凹坑的最大深度的平均值d規定為d/t<0. 1。通過用凹坑的最大深度的平均值d除以厚度t，可以與銅箔的厚度無關地對銅箔表面進行評價。即，這是由於即使凹坑的最大深度相同，若銅箔的厚度t變薄則其影響增大。其中，凹坑的最大深度的平均值d，如圖3所示，為在銅箔表面上在與軋制方向平行的方向RD上長度為175 μ m且在與軋制方向成直角的方向TD上分別距離50 μ m以上的 3根直線L1 L3上，相當於凹坑的最大深度的各直線L1 L3的厚度方向的最大高度&與最小高度4的差di的平均值。具體地說，以接觸式粗糙度，測定L1 L3上的厚度方向的輪廓，求出最大高度Hm和最小高度Hs，將各直線L1 L3的di平均即可。對銅箔(或銅合金箔)的厚度不特別限定，例如可以合適地使用5 50 μ m的銅箔。(5)通過EBSD得到的取向差
如上所述，碟型下陷為通過將銅箔與樹脂膜接合時的熱處理、重結晶得到的均一的組織中，晶體取向不同的晶粒單獨存在的比率多時，在蝕刻時該單獨晶粒被蝕刻得比周圍深而形成的凹陷。其中，作為上述熱處理，在模擬CCL製造工序中對銅箔賦予的溫度歷程的熱處理條件下30分鐘)下加熱銅箔調質為重結晶組織。而且作為該狀態的晶體取向， 在電解拋光後用EBSD觀察銅箔表面時，優選與[100]取向的角度差為15度以上的晶粒的面積率為20%以下。而且，對於受到全部熱歷程的形成了 CCL的銅箔，也可以在200°C下加熱30分鐘。被熱處理至重結晶的銅箔，即使進一步加熱也幾乎不會變化，因此通過EBSD進行觀察的觀察中，不區別經受了熱歷程的銅箔、未經受熱歷程的銅箔，而在200°C下加熱30 分鐘。若通過EBSD進行觀察時上述面積率小於20%，則銅箔表面的晶粒之間的取向差小，在均一組織中晶體取向不同的晶粒單獨存在的比率減小，因此由於蝕刻形成的凹陷 (碟型下陷)減少。而且，為了在通過EBSD觀察時使上述面積率小於20%，可以如上所述在最終冷軋中，在最終道次之前的道次中抑制剪切帶的形成，換而言之，在最終冷軋的最終道次之前的道次中，使用粗糙度(表面粗糙度Ra例如為0.05 μ m以下)比較小的輥進行軋制。(6)組成
作為銅箔，可以使用純度為99. 9wt%以上的韌銅、無氧銅，此外也可以根據所要求的強度、導電性使用公知的銅合金。無氧銅由JIS-H3510(合金序號C1011)、JIS-H3100(合金序號C1020)標準化，韌銅由JIS_H3100(合金序號Cl 100)標準化。作為公知的銅合金，可以舉出例如添加有0. 01 0. 3wt%的錫的銅合金(更優選為添加有0. 001 0. 02wt%的錫的銅合金)；添加有0. 01 0. 05wt%的銀的銅合金；添加有 0. 005 0. 02wt%的銦的銅合金；添加有0. 005 0. 02wt%的鉻的銅合金；含有選自錫、銀、 銦和鉻中的一種以上總計0. 05襯％以下的銅合金等，其中，作為導電性優異的銅合金，常常使用 Cu-0. 02wt%Ago接著對本發明的軋制銅箔的製造方法的一例進行說明。首先，將包含銅和必要的合金元素、以及不可避免雜質的鑄塊熱軋後，重複冷軋和退火，最後在最終冷軋中加工為規
定厚度。其中，如上所述，在最終冷軋的最終道次之前，不使銅箔的表面太粗糙，在最終冷軋的最終道次使銅箔的表面粗糙，由此使最終的銅箔的表面粗糙，但是形成具有不容易產生剪切變形帶的凹坑的表面狀態，碟型下陷減少。而且，這種剪切變形帶少的表面，凹坑的面積率為6% 15%。因此，可以在最終冷軋的最終道次之前，以使銅箔表面不太粗糙的方式，使用粗糙度(表面粗糙度Ra例如為0.05 μ m以下)比較小的輥進行軋制或增大最終冷軋中的一道次加工度來進行軋制。另一方面，在最終冷軋的最終道次中，使用粗糙度(表面粗糙度Ra 例如為0. 06 μ m以上)比較大的輥軋制或使用粘度高的軋制油進行軋制，使最終得到的銅箔表面粗糙。而且，為了製造最終的銅箔表面粗糙、但是具有不易形成剪切變形帶的凹坑的表面狀態，在最終冷軋的最終兩個道次或最終道次，如上所述必須使用粗糙的輥或使用粘度高的軋制油進行軋制，但是從容易調整方面考慮，優選調整最終道次的軋制條件。另一方面，若從最終冷軋的最終三個道次之前使輥的粗糙度粗糙，則在所形成的凹坑中進一步由於最終道次的加工而形成剪切變形帶。而且，可以調整退火條件使得通過即將進行最終冷軋之前的退火得到的重結晶粒的平均粒徑為5 20 μ m。此外，可以使最終冷軋的軋制加工度為98%以上。[實施例]
將添加有表1所示的組成的元素的韌銅或無氧銅作為原料，鑄造錠，在800°C以上進行熱軋直至厚度為10mm，將表面的氧化垢面銑後，重複冷軋和退火，最後在最終冷軋中加工為表1中記載的厚度。最終冷軋的軋制加工度為99.而且，表1的組成的欄的「添加0. 02%Ag的TPC」指的是向JIS-H3100 (合金序號 C1100)的韌銅(TPC)中添加0. 02質量％的Ag。此外，表1的組成欄的「添加0. 01%Ag、 0. 005%Sn的0FC」指的是向JIS-H3100 (合金序號C1020)的無氧銅(OFC)中添加0. 01質量％的Ag和0. 005質量％的Sn。其中，僅實施例6中，作為無氧銅，使用由JIS-H3510 (合金序號C1011)標準化的無氧銅(OFC)，實施例4、5、8、9中，作為無氧銅，使用由JIS-H3100 (合金序號C1020)標準化的無氧銅(OFC)。而且，最終冷軋進行10 15道次，如表1所示，改變直至最終道次之前的輥的表面粗糙度以及最終道次的輥的表面粗糙度進行軋制。最終道次的從第一道次直至進行最終道次之前的輥的表面粗糙度全部相同。而且，最終軋制的加工度除了比較例5之外為99%， 比較例5為96%。對於如此得到的各銅箔樣品，對各種特性進行評價。(1)表面粗糙度Ra :Ra (中心線平均粗糙度)根據JIS B0601進行測定，為對於樣品表面使用共聚焦顯微鏡( >一廿一7 ,々社制、型號HD100D)，在與軋制方向平行的方向的175 μ m長度上測定得到的值。(2)立方體集合組織
8將樣品在200°C下加熱30分鐘後，求得用軋制面的X射線衍射求得的(200)面強度的積分值(I)。將該值除以預先測定得到的微粉末銅(325目、氫氣流中在300°C下加熱1小時後使用)的(200)面強度的積分值(Itl),計算IAtl值。(3)凹坑的最大深度(平均值d)
使用共聚焦顯微鏡( >一〒一 f 〃々社制、型號HD100D)，如圖3所示，分別求得在銅箔表面上與軋制方向平行的方向RD長度為175 μ m、且在與軋制方向成直角的方向TD上分別距離50 μ m以上的3根直線L1 L3上的最大高度&與最小高度&的差di。將各直線 L1 L3的di平均得到d。而且，得到d (mm) /t (mm)。(4)通過EBSD得到的取向差
對於⑵中在200°C下加熱30分鐘後的樣品表面，在電解拋光後用EBSD(電子背散射衍射裝置、日本電子株式會社JXA8500F、加速電壓20kV、電流2e_8A、測定範圍 1000 μ mX 1000 μ m、步幅5 μ m)觀察。通過圖像分析求得與[100]取向的角度差為15度以上的晶粒的面積率。進一步地，在樣品表面Imm見方的觀察範圍內目視對結晶粒徑超過20μπι的晶粒的個數進行計數。然後對於含有該觀察範圍的樣品，使用7 7力f 7々 CL-8 (株式會社了 r力制)20%溶液，在常溫下進行2分鐘蝕刻，對將蝕刻後的表面用光學顯微鏡拍攝得到的圖像進行明暗二值化，將短徑超過50 μ m的暗部作為碟型下陷計數。而且， 蝕刻後的銅箔表面形成反映晶體取向的形狀，具有[100]取向的組織形成與銅箔表面平行的面，與此相對地具有其它的晶體取向的部分出現起因於晶體取向的凹凸。因此，用光學顯微鏡看到暗的碟型下陷的部分。而且，圖4表示實施例1的表面的光學顯微鏡圖像，圖5表示比較例3的表面光學顯微鏡圖像。(4)凹坑的面積率
對於樣品表面，用共聚焦顯微鏡( >一廿一歹」夕社制、型號HD100D)對300Χ300μπι 的測定視野進行測定。在測定視野內使樣品在光軸(Ζ軸)方向上移動，取得距離銅箔表面 IOnm深度的圖像(這稱為FMS(R)CUs Scan Memory)圖像)。然後，將距離銅箔表面比IOnm 深的部分看作凹坑，進行2值化處理。該圖像的例子為圖6和圖7，亮色部分為凹坑。然後對於測定視野300X 300 μ m，對於凹坑的面積(亮色的面積)使用市售的圖像處理軟體求得面積，算出凹坑的面積率。(5)表面的劃痕(爆)
目視各樣品的表面，在軋制方向上長度為IOmm以上的的劃痕為5處/m2的情況作為X。(6)彎曲性
將樣品在200°C下加熱30分鐘進行重結晶後，通過圖8所示的彎曲試驗裝置，進行彎曲疲勞壽命的測定。該裝置形成在振動驅動體4上結合振動傳遞部件3的結構，受試銅箔1 被箭頭所示的螺絲2的部分和3的前端部的共4點固定在裝置上。若振動部3上下驅動， 則銅箔1的中間部以規定的曲率半徑r彎曲成髮夾(hair pin)狀。本試驗中，求出在以下的條件下重複彎曲時直至斷裂的次數。而且，板厚為0. 012mm時，試驗條件如下所述試驗片寬度12. 7mm、試驗片長度 200mm、試驗片採取方向使試驗片的長度方向與軋制方向平行來採取、曲率半徑r :2. 5mm、 振動衝程25mm、振動速度1500次/分鐘。彎曲疲勞壽命為3萬次以上時，判斷為具有優異的彎曲性。此外，各板厚為0. 018mm、0. 006mm時，為使彎曲變形與板厚為0. 012mm的情況的彎曲試驗相同，將曲率半徑分別變更為4mm、l. 3mm，其它的試驗條件相同。所得到的結果如表1所示。
權利要求
1.軋制銅箔，其中，在銅箔表面上沿與軋制方向平行的方向的175μπι長度上測定得到的表面粗糙度Ra與所述銅箔的厚度t的比率Ra/t為0. 004 0. 007，200°C下加熱30分鐘調質為重結晶組織的狀態下，由軋制面的X射線衍射求得的(200)面的強度(I)相對於由微粉末銅的X射線衍射求得的(200)面的強度(Itl),為IAtl彡50，在銅箔表面上沿與軋制方向平行的方向長度為175 μ m、且在與軋制方向成直角的方向上分別距離50 μ m以上的3根直線上，相當於凹坑的最大深度的各直線的厚度方向的最大高度與最小高度的差的平均值d與所述銅箔的厚度t的比率d/t為0. 1以下，用共聚焦顯微鏡測定時的凹坑的面積率為6% 15%。
2.如權利要求1所述的軋制銅箔，其中，將所述200°CX30分鐘熱處理後的銅箔表面電解拋光後，用EBSD觀察時，與[100]取向的角度差為15度以上的晶粒的面積率為20%以下。
3.如權利要求1或2所述的軋制銅箔，其中，對鑄塊進行熱軋後，重複冷軋和退火，最後進行最終冷軋來製造，在該最終冷軋工序中，最終道次前的階段中，Ra/t為0. 002 0. 004。
全文摘要
本發明提供使銅箔表面適度粗糙來提高操作性，進而彎曲性優異的同時表面蝕刻特性良好的軋制銅膜。該軋制銅箔中，在銅箔表面上沿軋制平行方向的175μm長度中測定得到的表面粗糙度Ra與上述銅箔的厚度t的比率Ra/t為0.004～0.007，200℃下加熱30分鐘調質為重結晶組織的狀態下，由軋制面的X射線衍射求得的(200)面的強度(I)相對於由微粉末銅的X射線衍射求得的(200)面的強度(I0)，為I/I0≥50，在銅箔表面上沿軋制平行方向長度為175μm、且在軋制直角方向上分別距離50μm以上的3根直線上，相當於凹坑的最大深度的各直線的厚度方向的最大高度與最小高度的差的平均值d，與銅箔的厚度t的比率d/t為0.1以下，用共聚焦顯微鏡測定時的凹坑的面積率為6%～15%。
文檔編號H05K1/09GK102573287SQ20111033374
公開日2012年7月11日 申請日期2011年10月28日 優先權日2010年10月28日
發明者中室嘉一郎, 千葉喜寬, 大久保光浩, 鮫島大輔 申請人:Jx日礦日石金屬株式會社