用於晶體生長裝置的加熱器組件的製作方法
2023-04-23 19:12:11 4
用於晶體生長裝置的加熱器組件的製作方法
【專利摘要】本發明提供一種系統與方法，用以促進晶體生長裝置的坩堝中的原料材料(例如：矽)的均勻的熱環境。更具體而言，可將加熱系統設置於晶體生長裝置中以便包括至少第一及第二加熱組件，其中，該第一加熱組件配置成軸對稱性地分散熱至該原料材料，該第二加熱組件配置成對稱性地分散熱至該原料材料，藉此提供該坩堝中的該原料材料均勻的加熱分布，使得晶體鑄塊品質的一致性增加。
【專利說明】用於晶體生長裝置的加熱器組件
[0001]相關申請案
[0002]本申請案主張在2011年6月6日申請的美國臨時專利申請案第61/493，804號的權益，其整體內容明顯地併入本文作為參考。
【技術領域】
[0003]本發明涉及一種晶體生長裝置(crystal growth apparatus),提供i甘禍(crucible)中的原料材料(feedstock material)均勻的加熱分布。
【背景技術】
[0004]晶體生長裝置或熔爐，諸如定向固化系統(directional solidificationsystem, DSS)以及熱交換器法(HEM)熔爐，牽涉到坩堝中原料材料(諸如矽)的融化以及經控制的再固化以製造鑄塊(ingot)。由熔融的原料製造固化的鑄塊在超過許多小時內發生於數個可識別的步驟。舉例而言，通過DSS方法製造矽鑄塊，將固體矽原料提供於坩堝中，通常是置於石墨坩堝盒中並且放入DSS熔爐的加熱區。隨後使用各種加熱組件在加熱區將該原料進料加熱以形成液體原料熔融，並且將遠高於矽融化溫度1412°C的該熔爐溫度維持數小時以確保完全融化。一旦全部融化，通常通過在加熱區實施溫度梯度將加熱自融化的原料移除，以便於定向固化該熔融以及形成矽鑄塊。通過控制該熔融如何固化，可實現具有純度優於起始原料材料的鑄塊，該鑄塊可後續用於各種高階應用，諸如在半導體及光伏打(photovoltaic)工業。
[0005]用於DSS熔爐中加熱區的該加熱組件可為電阻性或電感性。於電感型加熱中，典型地由水冷式加熱線圈圍 繞該娃原料材料，而流經線圈的電流稱接加熱臺(susceptor)或原料材料，藉此達成對原料材料適當地加熱。在電阻加熱的案例中，電流流經加熱過的電阻組件，該加熱組件可以特殊的材料、電阻值、形狀、厚度及/或電流路徑設計成符合操作溫度以及功率需求。在通過定向固化製造矽鑄塊時，典型上使用電阻型加熱系統。
[0006]DSS熔爐特別有用於晶體生長以及用於光伏打(PV)應用和用於半導體應用中矽鑄塊的定向固化。對於兩種類型的應用而言，皆期望能製造大型矽鑄塊以降低平均製造成本。然而，當製造越大型的鑄塊時，會變得越難以控制用以達成在製造鑄塊時實質上控制加熱及排熱而遍及該熔爐加熱區的加熱流及分布。當加熱流及分布在整個過程中並未實質上受到控制時，鑄塊的品質可能受到影響。
[0007]實際上，當鑄塊的截面區域越大時，熔爐有時設計成有多個加熱組件藉此更佳地控制在不同區域的加熱分布及加熱流以及溫度梯度。舉例而言，通常擁有如美國第12/933，300號專利申請案所述，部分地，DSS熔爐包含具有兩個加熱組件的加熱系統，分別是使熱朝填充有原料的坩堝其表面下降並分散的對稱性蜿蜒形狀的頂部加熱組件，以及熱朝坩堝的側邊內面分散的對稱性蜿蜒形狀的側邊加熱器。該第一加熱組件以及該第二加熱組件皆有效率地加熱、融化及固化進料於坩堝的原料。然而，皆使熱不對稱性分散於坩堝，造成非均勻加熱/溫度分布而可能造成所產出的結晶性鑄塊品質的變異。[0008]當雙加熱組件可用於形成更大型的鑄塊時，使用多個構件會增加固化系統的複雜性並且使得難以精確地控制加熱流及加熱分布，特別是在製造環境中。特別是在應用於生長大型鑄塊時，期望提供可達成對坩堝中所含的全部原料材料實質上均等加熱並適當地控制遍及熔爐加熱區的加熱流及加熱分布的多個加熱組件。因此，期望設計成一種可對含原料的坩堝提供均勻加熱分布的加熱系統，藉此提供更一致的晶體品質。
【發明內容】
[0009]本文提供一種系統及方法，用以促進晶體生長裝置的坩堝中的原料材料(例如:矽)的均勻加熱/溫度分布。更具體而言，加熱系統設置於晶體生長裝置中包括至少第一及第二加熱組件。該第一加熱組件配置成將熱軸對稱性地分散至原料材料以及該第二加熱組件配置成將熱對稱性地分散至原料材料。此種組合提供對坩堝中的原料材料的均勻加熱分布，使得晶體品質的一致性增加。
[0010]此外，在本發明的例示的說明的實施態樣中，該第一(例如頂部)加熱組件可形成為圓形的形狀，以及從單一連續對象或材料製成而形成圓形形狀的圓周。作為對原料材料頂部提供均勻加熱的較佳模式，該第一加熱組件可設置於晶體生長裝置中坩堝的上方。同樣地，作為沿著原料材料側邊提供均勻加熱的模式，該第二加熱組件可形成為幾何及/或電性對稱性的蜿蜒形狀，並沿著晶體生長裝置中坩堝的側邊而設置。
[0011]本發明的其它形態及實施態樣討論如下。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0012]為了更了解本發明的本質及期望的目標，配合隨附圖式討論以下實施方式，其中，相同組件符號代表遍及數個視圖及其中的對應零件，且其中:
[0013]圖1為常見的晶體生長裝置的剖面前視圖；
[0014]圖2為用於圖1所示晶體生長裝置的習知設計的加熱系統的透視圖；
[0015]圖3為根據本發明例示的實施態樣的加熱系統的透視圖；
[0016]圖4為圖3中頂部/第一加熱組件的放大透視圖；
[0017]圖5A及圖5B為本發明例示的實施態樣中用以控制原料材料的加熱分布的例示電路的概略圖；以及
[0018]圖6(A)至圖6(C)為圖3及圖4目前設計的加熱組件所產生的熱分布的圖式。
[0019]定義
[0020]通過參考下列定義以更立即清楚地了解發明:
[0021]當用於說明書及權利要求書時，除非內容中有明確指定者外，該單數形式的「一」及「該」包含多數的情況。
[0022]本文所描述的「熔爐」或「晶體生長裝置」指任何可加熱或熔融固體原料(諸如:矽)的設備或裝置，在通常高於約1000°c的溫度，以及接著促進所產生的融化原料材料的再固化以形成結晶性的材料，諸如用於光伏打(PV)及/或半導體應用的矽鑄塊。
[0023]本文所描述的「對稱性」及「軸對稱性」的加熱分布分別理解成實質上對稱性及軸對稱性之意。其起因於該【技術領域】中的技術人員能理解的可能影響實質上加熱分布的通常無法控制的情況，因此無法總是完美的對稱性或軸對稱性，特別是當持續一段時間以上時。【具體實施方式】
[0024]本發明的晶體生長裝置可為熔爐，特別是高溫熔爐，能夠在通常高於約1000°C的溫度加熱以及融化固體原料材料(諸如矽或氧化鋁)，以及接著促進所產生的融化原料材料的再固化以形成結晶性的材料，諸如多晶性的娃鑄塊或藍寶石晶碇(sapphire boule)。舉例而言，該晶體生長裝置可為晶體生長熔爐，包括定向固化系統(DSS)熔爐或熱交換器法(HEM)熔爐。
[0025]本發明的晶體生長裝置具有外層熔爐腔體或殼體(諸如水冷式外層殼體)及在該熔爐殼體內的內部加熱區用以加熱及融化該原料材料，並接著促進該融化的原料材料的再固化以形成結晶性的材料的熔爐殼體內。該熔爐殼體可為用於該【技術領域】中適合高溫度的結晶化熔爐的任何已知結構者，包括不鏽鋼殼體，其包含外壁及界定用以循環冷卻液體(諸如水)的冷卻信道的內壁。
[0026]該晶體生長裝置的加熱區位在可提供及控制加熱以融化及重新固化原料材料的熔爐殼體內的內部區域。該加熱區由隔熱材所圍繞及界定，該隔熱材可為在該【技術領域】中已知的任何具有低的熱傳導性且可禁得起在高溫度晶體生長熔爐的溫度及條件的材料。舉例而言，該加熱區可由石墨隔熱材所圍繞。該加熱區的形狀及尺寸可由多個固定或移動的隔熱板所形成。舉例而言，該加熱區可由頂部、側邊及底部隔熱板所形成，該頂部及側邊隔熱板配置成垂直相對於位在加熱區內的坩堝移動。
[0027]該加熱區進一步包括坩堝，視需要地位於坩堝盒中，在坩堝支撐體上方。該坩堝可由各種耐熱性材料製造，舉例而言，石英(二氧化矽)、石墨、鑰、碳化矽、氮化矽、二氧化娃與碳化娃或氮化娃的組成物、焦化氮化硼(pyrollitic boron nitride)、氧化招、或氧化鋯，並且視需要地以諸如氮化矽塗覆，以防止鑄塊在固化後裂開。該坩堝可具有不同形狀的變化，該形狀至少具有一個側邊及底部，包括例如，圓筒狀、立方體或正方體(具有正方形剖面)，或錐形。較佳為當原料為矽時，該坩堝由二氧化矽所制並具有立方或或正方體形狀。
[0028]該坩堝可視需要`地被容納於坩堝盒中，該坩堝盒提供支撐並固定坩堝的側邊及底部，且特別是當加熱時，對於由易於受損、裂開或軟化的材料所製造的坩堝而言，特別較佳。舉例而言，對於二氧化矽所制的坩堝而言，較佳為有坩堝盒，但對於由碳化矽、氮化矽、或者二氧化矽與碳化矽或氮化矽的組成物所制的坩堝而言，坩堝盒並非必要。該坩堝盒可由各種耐熱性材料製造，諸如石墨，並且典型地具有至少一個側板及底板，視需要地進一步包括蓋子。舉例而言，對於立方體或正方體形狀的坩堝而言，該坩堝盒較佳也為立方或正方體的形狀，具有四面壁及底板，附有視需要的蓋子。
[0029]該坩堝及視需要的坩堝盒可放置於加熱區內坩堝支撐體的上方，且因此彼此有熱交流而藉此可將熱從其一傳導至其它，較佳為通過直接熱接觸。該坩堝支撐體可由多個支柱舉起，以便於將坩堝放置於該晶體生長裝置的中央位置。該坩堝支撐體可由任何耐熱性材料所制，諸如石墨，以及當使用坩堝盒時，較佳為由與坩堝盒相似的材料製成。
[0030]當該晶體生長裝置為HEM熔爐時，熔爐中也可採用熱交換器，其單獨或與隔熱材連接以相對於坩堝移動，以控制排熱。氣體-冷熱交換器，舉例而言，氦氣-冷熱交換器可設置於坩堝下方，以促進融化原料的固化。或者，可選擇使用水或液體-冷加熱交換器。
[0031]本發明的晶體生長裝置的加熱區也具有至少一個具有多個加熱組件的加熱系統，以提供用以融化置於坩堝中的固體原料的加熱。該加熱組件性質可為電阻性或電感性。如說明地，本發明利用電阻性加熱組件，其中，電流流經加熱過的電阻組件，而該加熱組件以特殊材料(例如石墨、鉬、二矽化鑰、碳化矽、金屬合金(諸如鎳鉻或鐵-鉻-鋁合金等))設計。
[0032]本發明的較佳實施態樣促進晶體生長裝置的坩堝中原料材料均勻的加熱分布，通過提供其具有可提供軸對稱性及對稱性加熱至原料材料的至少第一加熱組件以及第二加熱組件的加熱系統，因此提供坩堝的原料材料均勻的加熱分布，使得晶體鑄塊品質的一致性增加。
[0033]說明性的實施態樣通過實施較佳形成為圓形形狀的第一加熱組件，其可由單件材料(例如石墨)所制，提供軸對稱性加熱。通過使該第一加熱組件由單件材料所形成，電阻值變化被最小化並可減少接觸電阻，使得更多的電流可流通至加熱組件。此外，由於以單一連續材料製造，所以也強化組件的結構整體性，因此，在晶體生長裝置中也需要較少的支撐機構。
[0034]目前所提及的在此提供的各種圖，其中，相同組件符號代表相同零件，如圖1所示，常見晶體生長裝置的例示範例可與本發明組合而利用。值得注意的是當所屬【技術領域】中的技術人員能變更其它系統如在此所述的作用或操作時，所描述的系統並不受限。
[0035]於圖1描述晶體生長裝置2，如上述所討論，可為從原料材料(諸如矽)生長鑄塊的熔爐。如說明地，該裝置2為定向固化(DSS)熔爐，利用定向固化過程以促進晶體生長及定向固化。如說明地，定向固化體8支撐於裝置2內，且配置成承接含有原料材料(例如矽原料材料)的坩堝9。
[0036]加熱系統10設置於該晶體生長裝置I由與一個或以上的電極6接觸的多個支撐組件4支撐，所述電極6 與加熱系統10電性連接。該支撐組件4與電傳導性材料混合，以經由電路與該加熱組件10電性連接，以便於傳遞電力至加熱系統10並控制加熱系統10的操作。
[0037]習知的非對稱性加熱系統，如圖2所示者，包括配置成形成實質上作用為單一加熱器的加熱系統的第一加熱組件12以及第二加熱組件14。然而，該第一加熱組件12以及該第二加熱組件14中該線圈的非對稱性蜿蜒的圖案無法提供均勻加熱/溫度分布至坩堝中的原料材料。反而，如圖2所示該非對稱性蜿蜒的設計，造成溫度分布圖案為斑點狀且不均勻的，因此，當原料材料融化時缺乏一致性。由於缺乏一致性，當鑄塊成形/固化時，晶體品質傾向發生變化。
[0038]圖3表示根據本發明例示的實施態樣的加熱系統40的透視圖。加熱系統40包括第一加熱組件50以及第二加熱組件45。該第一加熱組件50例如設置於晶體生長裝置中坩堝的上方，以便於在坩堝中原料材料的下方的方向提供軸對稱性加熱分布。該第二加熱組件45沿著坩堝的側邊而設置，以便實質上圍繞著坩堝並且提供坩堝中的原料材料對稱性加熱分布。此外，用以提供增加的加熱特性，該第二加熱組件45可設置成實質上覆蓋坩堝中所形成的鑄塊的整個高度。
[0039]本發明值得注意的優點之一為其幾何對稱性。舉例而言，在圖3中的平板49，該第二加熱組件45形成為蜿蜒的圖案因而與該第二加熱組件45的其它四個平板為幾何對稱性。通過幾何對稱性，意指當作為其它各區段在該第二加熱組件45中全部四個平板和在平板49中的各區段時，使得各區段(也就是，區段43a至43c)實質上相同尺寸及形狀，以便於從區段至區段以及平板至平板建立重複性圖案。藉此，從該加熱組件45提供坩堝中原料材料對稱性或至少實質上對稱性的加熱分布。此外，該平板可通過多個夾件44連接以圍繞該坩堝的側邊而形成，舉例而言，正方形狀的加熱組件圍繞立方體形狀的坩堝的所有側邊。[0040]如圖3及圖4所見，例示的第一加熱組件50也為幾何對稱性，如說明地由連續的單件材料形成為圓形的形狀。然而，值得注意的是雖然該圓形形狀的加熱組件可由一個單一的連續性單件材料形成，但未必是材料的實心件。舉例而言，該圓形形狀的加熱組件50可為形成於圓形形狀的加熱組件的內側邊界的圓形的蜿蜒或螺旋的圖案。
[0041]此外，該圓形加熱組件50具有多個固定機構55，也由與從該圓形加熱組件50周圍的邊緣凸出的第一加熱組件相同的連續單件材料所形成。如說明地，本發明說明性的實施態樣中固定機構55的數目直接關聯於連接/固定至該圓形第一加熱組件50的電極47a至47c的數目。該固定機構55使多個電極47a至47c得以支撐位在晶體生長裝置中的坩堝上方的該第一加熱組件50，同時提供電源供應器及至少一個控制器的電性連接增加的接觸區域。為了使固定機構55得以容置電極，可於固定機構55上形成一個或多個孔洞56。
[0042]多個電極46a至46c及47a至47c如說明地固定並電性連接至該第二加熱組件45及該第一加熱組件50，其等皆作為支撐機構且獨立地作為各自電性連接該加熱組件50及45的功用。在本發明說明性的實施態樣中，第二加熱組件45顯示具有三個電極在第一預定高度以幾何對稱性的方式固定於其上，藉此使該第二加熱組件45得以實質上包圍及覆蓋坩堝中的原料材料，例如矽原料材料。同樣地，該第一加熱組件50顯示具有三個電極在第二預定高度也以幾何對稱性的方式固定於其上，藉此使該第一加熱組件50得以設置於坩堝中原料材料的上方。然而，所屬【技術領域】中的技術人員能夠理解可使用超過三個電極或少於三個電極。
[0043]較佳地，除了幾何對稱性以外，該第二加熱組件45(以及在該第一加熱組件50)的四個平板也可為電性對稱性。也就是，該四個平板可電性分割成三個相，其各平均地涵蓋I又1/3個平板。此種分割可見於以幾何對稱性圖形固定於該第二加熱組件45 (及該第一加熱組件50)的三個電極46a、46b及46c (及47a、47b及47c)。
[0044]圖5A、圖5B分別為本發明例示的實施態樣中用以控制原料材料的加熱/溫度分布的可供選擇的例示的電路，藉此分別對該加熱組件50及45 (也就是，頂部及側邊加熱器)提供電性對稱控制的概略圖。特別是於圖5A中，各電極46a至46c及47a至47c可獨立地連接至連接電源供應器/控制器單元51的降壓轉換單元52。該電源供應器51由至少一個控制器所控制，使得各相(例如，三個相)可施加於該加熱組件45及50。舉例而言，若有益於供應特定量的電源至特定加熱組件45並持續特定的時間，至少一個控制器控制該電源供應器51以利於提供對應的電源,例如至電極47c及46c持續一段時間。此外,介於該第一(頂部)加熱組件50以及該第二(側邊)加熱組件45之間，可將分別提供至各電極的電流控制為對稱性同步。
[0045]或者，該第一加熱組件(頂部)50及該第二加熱組件(側邊)45可各別地或獨立地分別連接至其所擁有的電源供應控制器55和56以及降壓轉換器57、58，如圖5B所示。如圖5B所示，該第一加熱組件的電極受控制而連接至電源供應控制器55及降壓轉換單元57。同樣地，該第二加熱組件(側邊)45受控制而連接至電源供應控制器56及降壓轉換單元58。所屬【技術領域】中的技術人員應可理解，所提供的電路僅為例示，並且當形成鑄塊時，可以各種可有效提供及有效控制該加熱組件45及50的任一方式配置。
[0046]也就是，經由並聯電路，該第一加熱組件50以及該第二加熱組件45可連接至以及由一個或多個電源供應控制器操作。作為用於控制供應至該第一加熱組件50以及該第二加熱組件45的電源/電流時，該電源供應控制器可合併至該電路以獨立或相關地分別控制供應於各該加熱組件的電流。舉例而言，在本發明某些實施態樣中，流經該第一及該第二加熱組件的電流或反之亦然，分別可為約40:60至60:40的比例範圍，或以其它有助於鑄塊形成/固化的範圍，例如O:100比例、30:70比例、70:30比例、100:0等。於本發明的其它實施態樣中，根據在特定時間點上坩堝中特定的熱分布需求，流經該第一加熱組件50的電流可為以預定的比例高於流經該第二加熱組件45的電流，或反之亦然。
[0047]因此，本發明也可在電路中利用非暫時的計算機可讀取媒介，其包含通過在至少一個控制器中的處理器執行的可執行程序指令，以控制供應至晶體生長裝置中加熱系統的電源。也就是，本發明的控制機構可實施作為計算機可讀取媒介，計算機可讀取媒介含有通過在控制器中實施的處理器執行的可執行程序指令。計算機可讀取媒介的例子包括但不限定於R0M、RAM、(⑶)-ROM、磁帶、軟盤、及光學資料儲存設備。計算機可讀取記錄媒介也可分布於與計算機系統耦合的網絡，使得該計算機可讀取媒介以分散的方式儲存及執行。
[0048]此外,值得注意的是雖然這些電極46a至46c及47a至47c表示為並聯連接,但只要是不脫本發明說明性的實施態樣的完整概念，也可能將此等以串聯的方式連接。
[0049]回到圖3，該第一加熱組件50設置於晶體生長裝置中坩堝的上方。由於該第一及第二加熱組件45及50的設計，自該第一加熱組件50的加熱/溫度分散為軸對稱性分散至坩堝中原料材料的頂部。圖6A、圖6B及圖6C顯示當利用本發明時，穿過原料材料的三個橫切面區域(也就是，底部、中 間及頂部)在典型的融化過程中加熱/溫度分布的實驗結果。如同從該結果可見，穿過矽原料材料表面的大部分的溫度分布其本質為實質上軸對稱性。
[0050]如上所述，當使用雙加熱組件形成更大型的鑄塊時，使用多個構件會增添固化系統的複雜性，並使其難以精確地控制加熱流及加熱分布，特別是在製造環境中。特別是當應用於生長大型鑄塊時，期望能提供多個加熱組件，其能夠達成實質上均勻加熱坩堝所含的全部原料材料，並適當地控制通過該熔爐加熱區的加熱流及加熱分布。因此，期望能設計一種加熱系統，可提供含原料的坩堝均勻的加熱分布，藉此提供更一致的晶體品質。
[0051]更佳地，本發明說明性的實施態樣提供一種加熱系統，其能夠提供晶體生長裝置的坩堝中原料材料均勻的加熱分布。此外，由於該第一加熱組件完全由單件材料(包括其固定機構)所製造，相較於習知設計可達成提升電流效率或流量。此外，由於該第二加熱組件為幾何對稱性以及電性對稱性，因此甚至能實現進一步控制晶體生長裝置中整個矽鑄塊固化過程。
[0052]雖然使用具體的方式描述本發明較佳實施態樣，然而此等描述僅為說明性的目的，且必須了解只要在不脫離權利要求書中的精神及意旨，可做出改變及變化。
【權利要求】
1.一種晶體生長裝置，包含: 容置於坩堝中的原料材料，該坩堝設置於該晶體生長裝置中；以及 加熱系統，設置於該晶體生長裝置中，該加熱系統包括至少第一加熱組件以及第二加熱組件，該第一加熱組件配置成將熱軸對稱性地分散至該原料材料，而該第二加熱組件配置成將熱對稱性地分散至該原料材料。
2.根據權利要求1所述的晶體生長裝置，其中，該第一加熱組件形成為圓形形狀。
3.根據權利要求1所述的晶體生長裝置，其中，該第一加熱組件由單件材料所形成。
4.根據權利要求1所述的晶體生長裝置，其中，該第一加熱組件設置於該晶體生長裝置中的該坩堝的上方。
5.根據權利要求1所述的晶體生長裝置，其中，該第二加熱組件形成為蜿蜒的形狀。
6.根據權利要求1所述的晶體生長裝置，其中，該第一加熱組件設置於該坩堝的上方，而該第二加熱組件沿著該坩堝的側邊而設置。
7.根據權利要求6所述的晶體生長裝置，其中，該第二加熱組件沿著該坩堝的所有側邊而形成，以便實質上圍繞該坩堝。
8.根據權利要求1所述的晶體生長裝置，其中，通過控制器獨立地控制該第一加熱組件及該第二組件，該控制器連接至固定並連接於該晶體生長裝置的該第一及第二加熱組件的電極。
9.根據權利要求8所述的晶體生長裝置，其中，該第一加熱組件及該第二加熱組件經由多個電極連接至單一電源供應器並由該單一電源供應器操作。
10.根據權利要求8所述的晶體生長裝置，其中，介於該第一加熱組件與該第二加熱組件之間的電流是在40:60至60:40的範圍。
11.根據權利要求1所述的晶體生長裝置，其中，該第二加熱組件設置成實質上覆蓋該坩堝中鑄塊的全部高度。
12.—種晶體生長裝置，包含: 容置於坩堝中的原料材料，該坩堝設置於該晶體生長裝置中；以及 加熱系統，設置於該晶體生長裝置中，該加熱系統包括至少第一圓形形狀的加熱組件及第二蜿蜒形狀的加熱組件，該第一加熱組件配置成從該坩堝上方軸對稱性地分散熱至該原料材料，而該第二加熱組件配置成從該坩堝的各側邊對稱性地分散熱至該原料材料。
13.根據權利要求12所述的晶體生長裝置，其中，在該晶體生長裝置中該第一加熱組件及該第二組件為獨立控制。
14.一種加熱晶體生長裝置中的原料材料的方法，包含: 將原料材料容置於坩堝中，該坩堝設置於該晶體生長裝置中；以及 通過控制器操作加熱系統，用以加熱並融化該坩堝中的該原料材料，該加熱系統經由至少第一加熱組件以及第二加熱組件加熱該原料材料，該第一加熱組件軸對稱性地分散熱至該原料材料，而該第二加熱組件對稱性地分散熱至該原料材料。
15.根據權利要求14所述的方法，其中，該第一加熱組件設置於該坩堝上方，而該第二加熱組件沿著該坩堝的側邊設置。
16.根據權利要求14所述的方法，其中，該第一加熱組件形成為圓形的形狀以從該坩堝上方軸對稱性地分散熱至該原料材料。
17.根據權利要求14所述的方法，其中，該第二加熱組件形成為蜿蜒的形狀用以從該坩堝的各側邊對稱性地分散熱至該原料材料。
18.根據權利要求14所述的方法，進一步包含該第一加熱組件獨立於該第二加熱組件而操作。
【文檔編號】C30B29/06GK103703170SQ201280034180
【公開日】2014年4月2日 申請日期:2012年5月1日 優先權日:2011年6月6日
【發明者】C·夏提亞, P·S·拉加萬, A·安德魯哈維, D·拉基, B·G·拉維 申請人:Gtat公司