用於清理mocvd設備沉積物的清理裝置製造方法
2023-04-24 04:16:36 5
用於清理mocvd設備沉積物的清理裝置製造方法
【專利摘要】本實用新型提供一種用於清理MOCVD設備沉積物的清理裝置。包括：腔體、管體；在所述腔體一側的側壁上設置有所述管體，所述管體與所述腔體連通，用於將MOCVD設備反應腔底部的廢棄物吸除。本實用新型實施例實現了在不拆開反應腔體的基礎上就可以將堆積於腔體內的沉積物清除乾淨，避免了反應室內部與大氣接觸吸附水汽、氧氣等雜質。保持了反應室內部的潔淨度，提高了在腔體維護過後機器性能的穩定性。
【專利說明】用於清理MOCVD設備沉積物的清理裝置
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及半導體領域技術，尤其涉及一種用於清理MOCVD設備沉積物的清理裝置。
【背景技術】
[0002]金屬有機化學氣相沉積MOCVD (metal-organic chemical vapor deposit1n)設備，主要是用在半導體技術中生產發光二極體的設備。在進行化學反應時反應室內部會有反應沉積物的堆積，但在清理反應室中的殘留反應物的現存方法是將反應室拆開，並利用吸塵器將沉積物抽取乾淨。但與此同時，大量的水汽、氧氣等吸附在腔體表面，在維護過後很難將這些吸附的水氧去除。反應室內壁材料吸附的水氧等如果不能有效的去除，在生長過程中水氧分子就會慢慢的釋放，反應室內部環境的恢復會持續很長的時間，同時會造成晶體質量差、晶片電壓高、亮度低等一系列問題。
實用新型內容
[0003]針對現有技術的缺陷，本實用新型實施例提供一種用於清理金屬有機化學氣相沉積MOCVD設備沉積物的清理裝置，包括:
[0004]用於設置在MOCVD設備的反應腔內的所述吸塵主體，所述吸塵主體包括一用於容納沉積物的中空腔體，以及設置在所述腔體上的、用於驅動所述腔體在所述MOCVD設備的反應腔內進行旋轉的驅動裝置；
[0005]所述腔體的側壁上還設置有一用於將所述MOCVD設備的反應腔底部的沉積物吸入到所述腔體內的管體。
[0006]進一步的，在所述吸塵主體的上壁上設置有至少一個的、用於去除所述MOCVD設備氣流蓋上的反應附著物的除塵毛刷。
[0007]所述腔體為圓柱體。
[0008]所述管體為軟管。
[0009]本實用新型實施例用於清理MOCVD設備沉積物的清理裝置，實現了在不拆開反應腔體的基礎上就可以將堆積於腔體內的沉積物清除乾淨，避免了反應腔體內部與大氣接觸吸附水汽、氧氣等雜質。保持了反應腔體內部的潔淨度，提高了在腔體維護過後機器性能的穩定性。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0010]為了更清楚地說明本實用新型實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作一簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖是本實用新型的一些實施例，對於本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動性的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。
[0011]圖1為本實用新型用於清理MOCVD設備沉積物的清理裝置實施例的結構示意圖。
【具體實施方式】
[0012]為使本實用新型實施例的目的、技術方案和優點更加清楚，下面將結合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例。基於本實用新型中的實施例，本領域普通技術人員在沒有作出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬於本實用新型保護的範圍。
[0013]圖1為本實用新型用於清理MOCVD設備沉積物的清理裝置實施例的結構示意圖，如圖1所示，本實施例的裝置包括吸塵主體11，該吸塵主體11可以包括:中空腔體101、驅動裝置102、管體103，其中，腔體101用於容納沉積物。在腔體101上，還設置有驅動裝置102，該驅動裝置102用於驅動腔體101在MOCVD設備的反應腔內進行旋轉。在本實施例中，驅動裝置102可以為旋轉馬達，但並僅限於此。在腔體101的側壁上設置有管體103，管體103與腔體101連通，用於將MOCVD設備反應腔底部的沉積物吸入到腔體101中。
[0014]具體的，腔體101的形狀可以根據實際需求進行設置，在此不加限制，在本實施例中腔體101的形狀以圓柱體來舉例說明。管體103可以為軟管。該裝置11的尺寸由具體的MOCVD設備的反應腔體大小決定。
[0015]進一步的，在吸塵主體11的上壁上設置有至少一個除塵毛刷104，以使除塵毛刷104與MOCVD設備氣流蓋充分接觸，用於去除MOCVD設備氣流蓋上的反應附著物。除塵毛刷104的數量可以根據實際需求設置，在此不加以限制。
[0016]其中，具體的操作過程如下所述:
[0017]在實際操作過程中，將MOCVD設備沉積物的清理裝置11在真空條件下利用機械手臂傳送到MOCVD設備反應腔體中。
[0018]向MOCVD設備反應腔體內部通入氮氣，保持反應腔體內部壓強在760-800torr，同時保持氮氣的流量為100升/分鐘。
[0019]開啟MOCVD設備沉積物的清理裝置11的驅動裝置102，驅動該清理裝置11進行旋轉，保持1-500轉/分，在該裝置11旋轉的過程中利用該裝置11上方的除塵毛刷104可以將MOCVD設備氣流蓋上的反應附著物刷下來。同時啟動MOCVD設備沉積物的清理裝置11的吸塵功能，將MOCVD設備反應腔底部的沉積物吸除。
[0020]為保證MOCVD設備反應腔體內的沉積物徹底清除，可以重複上述步驟，直至將反應室腔體內部沉積物清除完。
[0021]利用該裝置可以將MOCVD設備反應腔底部的沉積物吸除，同時該裝置上方的除塵毛刷在該裝置旋轉的過程中可以將MOCVD設備氣流蓋上的反應附著物刷下來。當該設備在MOCVD設備反應腔體內將沉積物抽取乾淨後再由機械手臂將該裝置從MOCVD設備反應腔體內部傳送出來，這樣就可以將MOCVD設備反應腔體內部的沉積物清除乾淨。
[0022]本實用新型的有益效果是在不拆開反應腔體的基礎上就可以將堆積於腔體內的沉積物清除乾淨，避免了反應腔體內部與大氣接觸吸附水汽、氧氣等雜質。保持了反應腔體內部的潔淨度，提高了在腔體維護過後機器性能的穩定性。此類型裝置也可以應用到其它半導體行業的真空系統對其內部進行沉積物的清理。
[0023]最後應說明的是:以上各實施例僅用以說明本實用新型的技術方案，而非對其限制；儘管參照前述各實施例對本實用新型進行了詳細的說明，本領域的普通技術人員應當理解:其依然可以對前述各實施例所記載的技術方案進行修改，或者對其中部分或者全部技術特徵進行等同替換；而這些修改或者替換，並不使相應技術方案的本質脫離本實用新型各實施例技術方案的範圍。
【權利要求】
1.一種用於清理MOCVD設備沉積物的清理裝置，其特徵在於，包括: 用於設置在MOCVD設備的反應腔內的吸塵主體，所述吸塵主體包括一用於容納沉積物的中空腔體，以及設置在所述腔體上的、用於驅動所述腔體在所述MOCVD設備的反應腔內進行旋轉的驅動裝置； 所述腔體的側壁上還設置有一用於將所述MOCVD設備的反應腔底部的沉積物吸入到所述腔體內的管體。
2.根據權利要求1所述的用於清理MOCVD設備沉積物的清理裝置，其特徵在於，在所述吸塵主體的上壁上設置有至少一個的、用於去除所述MOCVD設備氣流蓋上的反應附著物的除塵毛刷。
3.根據權利要求1或2所述的用於清理MOCVD設備沉積物的清理裝置，其特徵在於，所述腔體為圓柱體。
4.根據權利要求1或2所述的用於清理MOCVD設備沉積物的清理裝置，其特徵在於，所述管體為軟管。
【文檔編號】C23C16/44GK204039496SQ201420363313
【公開日】2014年12月24日 申請日期:2014年7月1日 優先權日:2014年7月1日
【發明者】焦建軍 申請人:圓融光電科技有限公司