三維紅外探測器像元結構及其製備方法與流程

2023-04-23 23:39:01

本發明涉及半導體技術領域，具體涉及一種三維紅外探測器像元結構及其製備方法。

背景技術：

紅外探測器是將入射的紅外輻射信號轉變為電信號輸出的器件，其利用熱敏元件檢測物體的存在或移動，探測器手機外界的紅外輻射進而聚集到紅外傳感器上，紅外傳感器採用熱敏元件，熱敏元件在接受了紅外輻射溫度發生變化時就會輸出信號，將其轉換為電信號，然後對電信號進行波形分析。傳統紅外探測器像元結構中僅使用一種類型熱敏電阻，通常是負溫度係數的非晶矽或者氧化釩，並通過電路將其變化的信號放大輸出。

然而，採用熱敏元件的探測器結構的靈敏度通常不是很高，且結構較為複雜，探測過程複雜，如果採用靈敏度較高的熱敏元件則材料的成本昂貴；

因此，急需對現有紅外探測器進行改進，來提高靈敏度，降低結構複雜度和成本。

技術實現要素：

為了克服以上問題，本發明旨在提供一種紅外探測器像元結構及其製備方法。

為了達到上述目的，本發明提供了一種紅外探測器像元結構，位於一矽襯底上，包括：矽襯底表面的導電金屬區，位於矽襯底上方的紅外探測結構，其用於探測紅外光並產生電信號；以及與紅外探測結構相電連的導電梁結構，其用於將紅外探測結構產生的電信號傳輸到導電金屬區；導電梁結構包括：豎直方向上排布的至少一層導電梁和多層導電溝槽；其中，

每一層導電梁的兩端分別連接底部不在同一水平面的兩層導電溝槽，

紅外探測結構與其中一層導電溝槽或其中一層導電梁相接觸；導電金屬區與其中另一層導電溝槽底部接觸；

所述紅外探測結構產生的電信號沿著導電溝槽的高度方向和導電梁的水平方向傳輸，從而在豎直方向上呈迂迴路徑向下傳輸到導電金屬區。

優選地，每一層導電溝槽的底部與其下方相鄰層的導電溝槽的頂部連接於同一導電梁並且分別連接於該導電梁的兩端；導電梁結構最頂層只有頂層導電溝槽，頂層導電溝槽的頂部與紅外探測結構相連接，使紅外探測結構位於導電梁結構之上，每一層的導電溝槽和導電梁構成了迂迴階梯狀的結構，從而使紅外探測結構產生的電信號的傳輸路徑呈迂迴階梯狀；紅外探測結構產生的電信號從頂層導電溝槽的頂部傳輸到頂層導電溝槽的底部，再經導電梁傳輸到下一層的導電溝槽的頂部，經過多層導電溝槽和導電梁之間的傳輸，最後傳輸到導電金屬區。

優選地，所述導電梁由導電層以及包圍導電層的上釋放保護層和下釋放保護層構成；所述導電溝槽由上釋放保護層、下釋放保護層以及位於上釋放保護層和下釋放保護層之間的導電層構成。

優選地，所述導電梁由導電層以及位於導電層上表面的釋放保護層構成；所述導電溝槽由導電層以及位於導電層上的釋放保護層構成。

優選地，所述導電梁由導電層構成；所述導電溝槽由導電層構成。

優選地，所述導電梁底部具有多個凸起。

為了達到上述目的，本發明還提供了一種製備上述的紅外探測器像元結構的方法，包括：

步驟01：提供一矽襯底，並且在矽襯底表面形成導電金屬區；

步驟02：在矽襯底上方先形成所述導電梁結構再形成所述紅外探測結構，或者，在矽襯底上方先形成所述紅外探測結構再形成所述導電梁結構，其中，所述紅外探測結構與所述導電梁結構的其中一層的導電梁或導電溝槽相接觸，所述導電梁結構的另一層導電溝槽底部與導電金屬區相接觸。

優選地，導電梁結構最頂層只有頂層導電溝槽；所述步驟02具體包括：在所述矽襯底上形成一層犧牲層；在該層犧牲層中刻蝕出導電溝槽的圖案和/或導電梁的圖案，並且在導電溝槽的圖案和/或導電梁的圖案中形成導電層，從而形成所述導電溝槽和/或所述導電梁；重複該過程從而完成對導電梁結構的製備；其中，當形成最頂層的犧牲層後，在最頂層的犧牲層中刻蝕出頂層導電溝槽的圖案，並且在頂層導電溝槽的圖案中形成導電層，以形成所述頂層導電溝槽，從而完成所述導電梁結構的製備；然後，在最頂層的犧牲層和頂層導電溝槽上形成所述紅外探測結構，使紅外探測結構與頂層導電溝槽接觸。

優選地，所述步驟02中，所述形成導電層的過程具體包括：在導電溝槽的圖案和/或導電梁的圖案中依次形成下釋放保護層、導電層和上釋放保護層；或者在導電溝槽的圖案和/或導電梁的圖案中依次形成導電層和釋放保護層；或者在導電溝槽的圖案和/或導電梁的圖案中只形成導電層。

優選地，所述導電溝槽的圖案中只形成導電層時，所述導電層填充滿所述導電溝槽的圖案或者所述導電溝槽側壁的導電層之間具有空隙。

本發明的紅外探測器像元結構及其製備方法，通過設置縱向上多層分布的導電溝槽和導電梁構成的導電梁結構，實現了電信號在縱向上的階梯傳輸，減少了器件橫向佔用面積，提高了像元結構的集成密度，即提高了像元結構的填充因子；並且，微橋結構可以設置於導電梁結構之上、也可以懸掛於導電梁結構中，可見，微橋結構的設置位置變得更加靈活，使微橋結構的水平面積佔用率提高，不僅減小了單個像元的水平面積，提高了單個矽片的集成度，微橋結構的水平面積佔用率提高，還能夠提高探測靈敏度和信噪比，提高了整個紅外探測器的性能。

附圖說明

圖1a為本發明的實施例一的紅外探測器像元結構的俯視結構示意圖

圖1b為本發明的實施例一的紅外探測器像元結構的側視結構示意圖

圖1c為本發明的實施例一的微橋結構的截面結構示意圖

圖2為本發明的實施例一的紅外探測器像元結構的製備方法的流程示意圖

圖3-7為本發明的實施例一的紅外探測器像元結構的製備方法的各製備步驟的示意圖

圖8a為本發明的一個較佳實施例的導電溝槽和導電梁的結構示意圖

圖8b為本發明的一個較佳實施例的導電溝槽和導電梁的結構示意圖

圖8c為本發明的一個較佳實施例的導電溝槽和導電梁的結構示意圖

圖9a為本發明的實施例二的紅外探測器像元結構的俯視結構示意圖

圖9b為本發明的實施例二的紅外探測器像元結構的側視結構示意圖

圖10為本發明的實施例二的紅外探測器像元結構的製備方法的流程示意圖

圖11-14為本發明的實施例二的紅外探測器像元結構的製備方法的各製備步驟的示意圖

圖15a為本發明的實施例三的紅外探測器像元結構的俯視結構示意圖

圖15b為本發明的實施例三的紅外探測器像元結構的側視結構示意圖

圖16為本發明的實施例三的紅外探測器像元結構的製備方法的流程示意圖

圖17-21為本發明的實施例三的紅外探測器像元結構的製備方法的各製備步驟的示意圖

圖22a為本發明的一個較佳實施例的實體導電梁底部結構示意圖

圖22b為本發明的一個較佳實施例的實體導電梁底部結構示意圖

圖22c為本發明的一個較佳實施例的實體導電梁底部結構示意圖

圖22d為本發明的一個較佳實施例的實體導電梁底部結構示意圖

圖23a為本發明的一個較佳實施例的槽體導電梁底部結構示意圖

圖23b為本發明的一個較佳實施例的槽體導電梁底部結構示意圖

圖23c為本發明的一個較佳實施例的槽體導電梁底部結構示意圖

圖23d為本發明的一個較佳實施例的槽體導電梁底部結構示意圖

具體實施方式

為使本發明的內容更加清楚易懂，以下結合說明書附圖，對本發明的內容作進一步說明。當然本發明並不局限於該具體實施例，本領域內的技術人員所熟知的一般替換也涵蓋在本發明的保護範圍內。

本發明中，紅外探測器像元結構，位於一矽襯底上，包括：矽襯底表面的導電金屬區，位於矽襯底上方的紅外探測結構，用於探測紅外光並產生電信號；與紅外探測結構相電連的導電梁結構，用於將紅外探測結構產生的電信號傳輸到導電金屬區；導電梁結構包括：豎直方向上排布的至少一層導電梁和多層導電溝槽；其中，每一層導電梁的兩端分別連接底部不在同一水平面的兩層導電溝槽，紅外探測結構與其中一層導電溝槽或其中一層導電梁相接觸；導電金屬區與其中另一層導電溝槽底部接觸；紅外探測結構產生的電信號沿著導電溝槽的高度方向和導電梁的水平方向傳輸，從而在豎直方向上呈迂迴路徑傳輸向下到導電金屬區；

紅外探測結構下方、導電梁之間和導電梁下方均為空腔；紅外探測結構下方構成空腔；空腔底部的反射區將未被紅外探測結構吸收的紅外光反射到紅外探測結構上，可以經多次反射來完成紅外探測結構對紅外光的探測；該空腔構成紅外探測器像元結構的諧振腔；

本發明的一個實施例中，導電梁結構最頂層具有頂層導電梁；導電溝槽包括：底部與導電金屬區接觸且頂部位於導電梁結構最頂層的第一導電溝槽，以及底部高於第一導電溝槽底部且頂部位於導電梁結構最頂層的第二導電溝槽；第一導電溝槽的頂部和第二導電溝槽頂部分別與頂層導電梁兩端連接；第二導電溝槽的底部與紅外探測結構的相連接；紅外探測結構產生的電信號首先經第二導電溝槽底部傳輸到第二導電溝槽頂部，再經頂層導電梁傳輸到第一導電溝槽的頂部，然後從第一導電溝槽頂部傳輸到第一導電溝槽底部進而傳輸到導電金屬區。

本發明的另一個實施例中，每一層導電溝槽的底部與其下方相鄰層的導電溝槽的頂部連接於同一導電梁並且分別連接於該導電梁的兩端；導電梁結構最頂層只具有頂層導電溝槽，頂層導電溝槽的頂部與紅外探測結構相連接，使紅外探測結構位於導電梁結構之上，每一層的導電溝槽和導電梁構成了迂迴階梯狀的結構，從而使紅外探測結構產生的電信號的傳輸路徑呈迂迴階梯狀；紅外探測結構產生的電信號從頂層導電溝槽的頂部傳輸到頂層導電溝槽的底部，再經導電梁傳輸到下一層的導電溝槽的頂部，經過多層導電溝槽和導電梁之間的傳輸，最後傳輸到導電金屬區；

本發明的另一個實施例中，每一層導電溝槽的底部與其下方相鄰層的導電溝槽的頂部分別連接於一導電梁的兩端；導電梁結構的最頂層中具有頂層導電溝槽和頂層導電梁；頂層導電梁與紅外探測結構相連接，使紅外探測結構位於導電梁結構之上，每一層的導電溝槽和導電梁構成了迂迴階梯狀的結構，從而使紅外探測結構產生的電信號的傳輸路徑呈迂迴階梯狀；紅外探測結構產生的電信號從頂層導電梁傳輸到頂層導電溝槽的頂部，再傳輸到頂層導電溝槽的底部，經過多層導電溝槽和導電梁之間的傳輸，最後傳輸到導電金屬區。

在本發明的一個較佳實施例中，導電梁結構中的每個導電梁底部具有多個凸起，如圖22a-22d所示，圖22a中所示的一個較佳實施例的導電梁非中心區域的底部具有豎直方向的長條狀凸起，圖22b中所示的一個較佳實施例的導電梁的兩端底部具有豎直方向的長條狀凸起，這種凸起的設置還特別適用於本發明下述的第一實施例的頂層導電梁，凸起設置於導電梁兩端底部可以避免導電梁兩端的過度彎曲。此外，這些長條狀凸起的厚度與導電梁的厚度相同，凸起的長度為導電梁長度的一半以下；在本發明的其它實施例中，多個凸起還可以位於導電梁任意部分的底部，該凸起的形狀還可以為倒半球體如圖22c所示，倒錐體如圖22d所示等，這些凸起的分布可以呈等間距陣列排布，如矩形陣列，或可以位於導電梁的等分處，例如，如圖22a所示，虛線為中心所在位置，凸起位於導電梁的四等分處且非中心處，如圖22c所示凸起位於導電梁的三等分處，這些凸起的設置用於增強導電梁的強度，避免導電梁懸空設置時過度彎曲導致整個器件變形和性能失效；同時還可以增強導電梁的彎曲強度，在震動情況下，可以對導電梁產生有效支撐，使其不易由於突發的變形產生斷裂；較佳的，凸起不設置於導電梁的中心處；並且，這些凸起分布的密度可以從導電梁的兩端向中心逐漸遞減，也即是凸起之間的間距從導電梁的兩端向中心逐漸增加，從而對懸空的導電梁的中心起到有效的支撐和保護。

還需要說明的是，本發明的一個較佳實施例多種，由於導電金屬層和/或上釋放保護層和/或下釋放保護層的每一層均是同時沉積在導電溝槽的圖案、導電梁的圖案及其底部的凸起圖案中，有可能把這些圖案填滿形成實體，也有可能不填滿形成槽體，那麼，導電梁及其底部的凸起、導電溝槽的組合結構包括實體導電梁或槽體導電梁、導電梁底部的實體凸起或槽體凸起、以及實體導電溝槽或槽體導電溝槽的任意組合，均在本發明的範圍之內。

需要說明的是，本發明的紅外探測器像元結構可以為前照式也可以為背照式。本發明導電梁結構中，以一層導電溝槽和與其頂部相接觸的一層導電梁來構成一個層單元；如果某一層導電溝槽頂部沒有導電梁則認為該層導電溝槽為一個單獨的層單元；如果有豎直方向上長度不一致的導電溝槽，則認為較短的那個導電溝槽所在層為一個層單元，則較長的導電溝槽就跨兩層或多層。

此外，本發明中，製備上述紅外探測器像元結構的方法可以包括：

提供一矽襯底，並且在矽襯底表面形成導電金屬區；

在矽襯底上方先形成所述導電梁結構再形成所述紅外探測結構，或者，在矽襯底上方先形成所述紅外探測結構再形成所述導電梁結構，其中，所述紅外探測結構與所述導電梁結構的其中一層的導電梁或導電溝槽相接觸，所述導電梁結構的另一層導電溝槽底部與導電金屬區相接觸。

需要說明的是，以下實施例一、實施例二和實施例三中，矽襯底表面還具有反射區，反射區位於紅外探測結構下方，且在反射區和導電金屬區之間具有介質層；互連層連接外部電路。紅外探測結構採用微橋結構。導電層採用導電金屬層。

實施例一

以下結合附圖1a-8c和具體實施例對本發明作進一步詳細說明。需說明的是，附圖均採用非常簡化的形式、使用非精準的比例，且僅用以方便、清晰地達到輔助說明本實施例的目的。

需要說明的是，本實施例中，矽襯底表面還具有反射區，反射區位於紅外探測結構下方，且在反射區和導電金屬區之間具有介質層；互連層連接外部電路。紅外探測結構採用微橋結構。導電層採用導電金屬層。

本實施例中，請參閱圖1a和圖1b，圖1b為沿圖1a中AA』截面結構示意圖圖，圖1a中，為了方便表示，將微橋結構揭掉，用粗虛線框表示微橋結構所佔區域，紅外探測器像元結構位於一矽襯底101上，矽襯底101中具有互連層(未示出)，矽襯底表面101具有與互連層相電連的導電金屬區102、反射區F以及位於導電金屬區102和反射區F之間的介質區103；互連層連接外部電路；需要說明的是，本實施例中的互連層可以用其它可以連接導電金屬區和外部電路的導電結構替代。本實施例的像元結構還包括：

微橋結構105，位於反射區F上方，用於探測紅外光並產生電信號；請參閱圖1c，微橋結構可以包括下釋放保護層1063、紅外敏感材料層1061、電極層1062和上釋放保護層1064。電極層1062與導電梁結構的導電梁107相連接，確保微橋結構106產生的電信號通過導電梁結構傳輸到導電金屬區102，進而傳輸到互連層和外部電路中。

導電梁結構，與微橋結構106相電連；導電梁結構包括底部不在同一層的第一導電溝槽104、第二導電溝槽105，本實施例中，導電溝槽可以分為兩層，圖1b中虛線所示，虛線下方為第一層，虛線上方為第二層，第一導電溝槽104貫穿第一層和第二層，第二導電溝槽105位於第二層；需要說明的是，本發明中，第一導電溝槽104不限於只貫穿兩層，第二導電溝槽105的底部也不限於只位於第二層；這裡，第一導電溝槽104的豎直方向的長度大於第二導電溝槽105豎直方向的長度，第一導電溝槽104的頂部與第二導電溝槽105的頂部齊平；本實施例中，還具有頂層導電梁107，第一導電溝槽104的頂部與頂層導電梁107的一端接觸；第二導電溝槽105的頂部與該頂層導電梁107的另一端接觸，第二導電溝槽105的底部與微橋結構106接觸，從而使微橋結構106懸掛於導電梁結構之間，微橋結構106產生的電信號首先經第二導電溝槽105底部傳輸到第二導電溝槽105頂部，再經頂層導電梁107傳輸到第一導電溝槽104頂部，然後從第一導電溝槽104頂部傳輸到第一導電溝槽104底部進而傳輸到導電金屬區102。其中，第二導電溝槽105位於反射區F的上方，第一導電溝槽104位於金屬導電區102上。

微橋結構106下方、頂層導電梁107與微橋結構106之間均為空的；

這裡需要說明的是，如圖1a和1b所示，微橋結構106懸掛於導電梁結構中，矽襯底101兩側分別具有兩個導電梁結構，這兩個導電梁結構分別與微橋結構106的兩個對角相接觸連接。

因此，本實施例實現了電信號在縱向上的階梯傳輸，減少了器件橫向佔用面積，提高了像元結構的集成密度，即提高了像元結構的填充因子。

請參閱圖8a，虛線框內表示第一導電溝道或第二導電溝槽，虛線框外的結構表示導電梁，導電梁可以由導電金屬層M以及包圍導電金屬層M的上釋放保護層S1、下釋放保護層S2構成；圖8a中，右圖中，虛線框內表示第一導電溝道或第二導電溝槽，虛線框外的結構表示導電梁，虛線方向的截面圖如圖8a的左圖所示；相應的，第一導電溝槽和第二導電溝槽均可以由：上釋放保護層S1、下釋放保護層S2以及位於上釋放保護層S1和下釋放保護層S2之間的導電金屬層M構成。

請參閱圖8b，虛線框內表示第一導電溝道或第二導電溝槽，虛線框外的結構表示導電梁，導電梁可以由導電金屬層M以及位於導電金屬層M上表面的釋放保護層S構成；相應的，第一導電溝槽和第二導電溝槽均由導電金屬層M以及位於導電金屬層M上的釋放保護層S構成。

請參閱圖8c，圖8c中，虛線框內表示第一導電溝道或第二導電溝槽，虛線框外的結構表示導電梁，導電梁可以由導電金屬層M構成；相應的，第一導電溝槽和第二導電溝槽由導電金屬層M構成。

在本實施例中，導電梁結構中的頂層導電梁107底部具有凸起，如圖22a-22d所示，圖22a中所示的一個較佳實施例的導電梁非中心區域的底部具有豎直方向的長條狀凸起，圖22b中所示的一個較佳實施例的導電梁的兩端底部具有豎直方向的長條狀凸起，這種凸起的設置還特別適用於導電梁底部無任何支撐的情況，凸起設置於導電梁兩端底部可以避免導電梁兩端的過度彎曲。此外，這些長條狀凸起的厚度與導電梁的厚度相同，凸起的長度為導電梁長度的一半以下；在本發明的其它實施例中，多個凸起還可以位於導電梁任意部分的底部，該凸起的形狀還可以為倒半球體如圖22c所示，倒錐體如圖22d所示等，這些凸起的分布可以呈等間距陣列排布，如矩形陣列，或可以位於導電梁的等分處，例如，如圖22a所示，虛線為中心所在位置，凸起位於導電梁的四等分處且非中心處，如圖22c所示凸起位於導電梁的三等分處，這些凸起的設置用於增強導電梁的強度，避免導電梁懸空設置時過度彎曲導致整個器件變形和性能失效；同時還可以增強導電梁的彎曲強度，在震動情況下，可以對導電梁產生有效支撐，使其不易由於突發的變形產生斷裂；較佳的，凸起不設置於導電梁的中心處；並且，這些凸起分布的密度可以從導電梁的兩端向中心逐漸遞減，也即是凸起之間的間距從導電梁的兩端向中心逐漸增加，從而對懸空的導電梁的中心起到有效的支撐和保護。

在第二導電溝槽的圖案、凸起圖案、頂層導電梁的圖案和第一導電溝槽上部分的圖案中均依次形成下釋放保護層、導電金屬層和上釋放保護層，或者形成導電金屬層和上釋放保護層，或者只形成導電金屬層，且位於第一導電溝槽側壁的導電金屬層之間具有空隙，位於第二導電溝槽側壁的導電金屬層之間具有空隙；或者導電金屬層填充滿第二導電溝槽的圖案和剩餘的第一導電溝槽上部分的圖案，則第一導電溝槽和第二導電溝槽呈導電柱的形狀。

本實施例中，由於導電金屬層和/或上釋放保護層和/或下釋放保護層的每一層均是同時沉積在第二導電溝槽的圖案、凸起圖案、頂層導電梁的圖案和第一導電溝槽上部分的圖案中，有可能把這些圖案填滿，形成實體，也有可能不填滿，形成槽體，其中，凸起可能被填滿也可能不被填滿，形成實體或槽體，那麼，導電梁、凸起、第一導電溝槽和第二導電溝槽的結構包括實體的導電梁或槽體的導電梁、實體的凸起或槽體的凸起、實體的第一導電溝槽或槽體的第一導電結構、以及實體的第二導電結構或槽體的第二導電溝槽的結構的任意組合，均在本發明的範圍之內。如圖22a-22d顯示了實體導電梁及其底部的凸起的四種結構，圖23a-23d顯示了槽體導電梁及其底部的槽體凸起的四種結構。其中，圖23a中的槽體凸起的位置與圖22a的實體槽體的位置相同；圖23b中的槽體凸起的位置與圖22b的實體槽體的位置相同；圖23c中的槽體凸起的位置與圖22c的實體槽體的位置相同；圖23d中的槽體凸起的位置與圖22d的實體槽體的位置相同；關於圖23a-23d中槽體凸起相對於槽體導電梁的位置可以參考圖22a-22d中實體凸起相對於實體槽體導電梁的位置，這裡不再贅述。此外，本實施例中，第一導電溝槽和第二導電溝槽均可以填充滿導電金屬，從而形成導電柱的形狀。

請參閱圖2，本實施例中，製備上述的紅外探測器像元結構的方法，包括：

步驟1：請參閱圖3，提供一矽襯底101，矽襯底101表面具有導電金屬區102；這裡，矽襯底101表面還具有反射區F以及位於導電金屬區102和反射區F之間的介質區103；矽襯底101中具有互連層，互連層與導電金屬區102相電連，互連層連接外部電路；

步驟2：請參閱圖4，在矽襯底101上形成第一層犧牲層X11；在第一層犧牲層X11中刻蝕出第一導電溝槽下部分的圖案104』，並且在第一導電溝槽下部分的圖案104』中形成導電金屬層，從而形成第一導電結構的下部分；

具體的，步驟02中具體包括：

首先，在矽襯底101上形成第一層犧牲層X11；

然後，在第一層犧牲層X11中刻蝕出第一導電溝槽下部分的圖案104』；這裡，僅製備了第一導電溝槽下部分的圖案104』，後續在第二層犧牲層中繼續形成剩餘的第一導電溝槽上部分的圖案，從而構成最終的底部位於第一層且頂部位於第二層的第一導電溝槽。

其次，在第一導電溝槽下部分的圖案104』中依次形成下釋放保護層、導電金屬層和上釋放保護層，或者形成導電金屬層和上釋放保護層，或者只形成導電金屬層，且位於第一導電溝槽下部分的圖案側壁的導電金屬層之間具有空隙；或者導電金屬層填充滿第一導電溝槽下部分的圖案，形成導電柱。

上釋放保護層和下釋放保護層是用於保護導電金屬層在釋放工藝中不受到損傷，確保器件的導電性能和靈敏度；導電材料可以為導電金屬，如鋁、銅等；如果是鋁，則無需形成上釋放保護層和下釋放保護層；

在沉積了導電金屬層之後還包括：將導電金屬層平坦化，去除高於第一層犧牲層X11表面的導電金屬層。

步驟3：請參閱圖5，在第一犧牲層X11上形成紅外探測結構，紅外探測結構與第一導電溝槽下部分104』不接觸；

具體的，此時微橋結構106的電極層不與已經製備的第一層犧牲層X11中的第一導電溝槽下部分的圖案104』的頂部接觸。

步驟4：請參閱圖6，在完成步驟03的矽襯底101上形成第二層犧牲層X12，在第二層犧牲層X12中刻蝕出第二導電溝槽的圖案、頂層導電梁的圖案和剩餘的第一導電溝槽上部分的圖案，並且在第二導電溝槽的圖案、頂層導電梁的圖案和第一導電溝槽下部分的圖案中沉積導電材料，從而形成第一導電溝槽104，第二導電溝槽105和頂層導電梁107；

具體的，首先，在頂層導電梁的圖案對應下方的第二犧牲層X12中形成凸起圖案、第二導電溝槽的圖案和剩餘的第一導電溝槽上部分的圖案；然後，形成頂層導電梁的圖案。關於凸起圖案的描述可以參考上述關於凸起的描述，這裡不再贅述，從而使得後續沉積的導電層也沉積在凸起圖案中，以形成底部具有凸起的頂層導電梁。這裡，微橋結構106與第二導電溝槽105的底部相接觸；形成導電金屬層的過程，包括：

在第二導電溝槽的圖案、凸起圖案、頂層導電梁的圖案和第一導電溝槽上部分的圖案中均依次形成下釋放保護層、導電金屬層和上釋放保護層，或者形成導電金屬層和上釋放保護層，或者只形成導電金屬層，且位於第一導電溝槽側壁的導電金屬層之間具有空隙，位於第二導電溝槽側壁的導電金屬層之間具有空隙；或者導電金屬層填充滿第二導電溝槽的圖案和剩餘的第一導電溝槽上部分的圖案，則第一導電溝槽和第二導電溝槽呈導電柱的形狀。本實施例中，由於導電金屬層和/或上釋放保護層和/或下釋放保護層的每一層均是同時沉積在第二導電溝槽的圖案、凸起圖案、頂層導電梁的圖案和第一導電溝槽上部分的圖案中，有可能把這些圖案填滿，形成實體，也有可能不填滿，形成槽體，其中，凸起可能被填滿也可能不被填滿，形成實體或槽體，那麼，導電梁、凸起、第一導電溝槽和第二導電溝槽的結構包括實體的導電梁或槽體的導電梁、實體的凸起或槽體的凸起、實體的第一導電溝槽或槽體的第一導電結構、以及實體的第二導電結構或槽體的第二導電溝槽的結構的任意組合，均在本發明的範圍之內。

在形成導電金屬層之後還包括：將導電金屬層平坦化，去除高於第二層犧牲層X12表面的導電金屬層；微橋結構106與第二導電溝槽105的底部相接觸；

步驟5：請參閱圖7，經釋放工藝，將所有的犧牲層X11、X12都釋放掉。

具體的，釋放工藝可以根據犧牲層的材料來設置合適的工藝參數，這裡不再贅述。

實施例二

以下結合附圖8a-14和具體實施例對本發明作進一步詳細說明。需說明的是，附圖均採用非常簡化的形式、使用非精準的比例，且僅用以方便、清晰地達到輔助說明本實施例的目的。

本實施例中，請參閱圖9a和圖9b，圖9b為沿圖9a中BB』截面結構示意圖圖，圖9a中，為了方便表示，將微橋結構揭掉，用粗虛線框表示微橋結構所佔區域，紅外探測器像元結構位於一矽襯底201上，矽襯底201中具有互連層(未示出)、矽襯底201表面具有與互連層相電連的導電金屬區202、反射區F』以及位於導電金屬區202和反射區F』之間的介質區203；互連層連接外部電路；需要說明的是，本實施例中的互連層可以用其它可以連接導電金屬區和外部電路的導電結構替代。本實施例的像元結構還包括：

微橋結構206，位於反射區F』上方，用於探測紅外光並產生電信號；本實施例二的微橋結構與實施例一的微橋結構相同，請再次參閱圖1c，微橋結構可以包括下釋放保護層1063、紅外敏感材料層1061、電極層1062和上釋放保護層1064。電極層1062與第三層導電溝槽209頂部連接，確保微橋結構206產生的電信號通過導電梁結構傳輸到導電金屬區102，進而傳輸到互連層和外部電路中；

導電梁結構，與微橋結構206相電連；導電梁結構中，每一層導電溝槽的底部與其下方相鄰層的導電溝槽的頂部連接於同一導電梁並且分別連接於一導電梁的兩端；導電梁結構最頂層只具有頂層導電溝槽，頂層導電溝槽的頂部與紅外探測結構相連接，也就是相鄰層的導電溝槽之間通過導電梁相電連；相鄰層的導電溝槽中，位於下層的導電溝槽頂部與位於上層的導電溝槽底部通過導電梁相連接；這裡，如圖9b所示，導電梁結構分兩層，虛線L1下方為第一層，虛線L1和虛線L2之間為第二層，虛線L3上方為第三層，導電梁有兩層，包括第一層導電梁207和第二層導電梁208；導電溝槽為三層，分別是第一層導電溝槽204，第二層導電溝槽205和第三層導電溝槽209(頂層導電溝槽)；第一層導電溝槽204的底部與導電金屬區202相接觸；第一層導電溝槽204的頂部與第二層導電溝槽205的底部通過第一層導電梁207相連接；第二層導電溝槽205的頂部與第三層導電溝槽209的底部通過第二層導電梁208相連接；位於最頂層的第三層導電溝槽209底部與第二層導電梁208相連接，第三層導電溝槽209的頂部與微橋結構206接觸，從而使微橋結構206位於導電梁結構之上，微橋結構206產生的電信號首先經最頂層的第三層導電溝槽209的頂部傳輸到第三層導電溝槽209底部，再經第二層導電梁208傳輸到第二層導電溝槽205頂部，再從第二層導電溝槽205頂部經第一層導電梁207傳輸到第一層導電溝槽204頂部，然後從第一層導電溝槽204頂部傳輸到第一層導電溝槽204底部，進而傳輸到導電金屬區202，再從導電金屬區202傳輸到互連層和外部電路中。其中，第二層導電溝槽205位於反射區F』的上方，第一層導電溝槽204位於金屬導電區202上。從而使微橋結構206位於導電梁結構之上，每一層的導電溝槽和導電梁構成了迂迴階梯狀的結構，使微橋結構206產生的電信號的傳輸路徑呈迂迴階梯狀。

微橋結構206下方、導電梁208之間、以及導電梁208下方均為空腔；。

因此，本實施例實現了電信號在縱向上的階梯傳輸，減少了器件橫向佔用面積，提高了像元結構的集成密度，即提高了像元結構的填充因子。

請再次參閱圖8a，虛線框內表示導電溝槽，虛線框外的結構表示導電梁，導電梁可以由導電金屬層M以及包圍導電金屬層M的上釋放保護層S1、下釋放保護層S2構成；圖8a中，右圖中，虛線框內表示第一導電溝道或第二導電溝槽，虛線框外的結構表示導電梁，虛線方向的截面圖如圖8a的左圖所示；相應的，導電溝槽可以由：上釋放保護層S1、下釋放保護層S2以及位於上釋放保護層S1和下釋放保護層S2之間的導電金屬層M構成。

請再次參閱圖8b，虛線框內表示導電溝槽，虛線框外的結構表示導電梁，導電梁可以由導電金屬層M以及位於導電金屬層M上表面的釋放保護層S構成；相應的，導電溝槽可以由導電金屬層M以及位於導電金屬層M上的釋放保護層S構成。

請再次參閱圖8c，圖8c中，虛線框內表示導電溝槽，虛線框外的結構表示導電梁，導電梁可以由導電金屬層M構成；相應的，導電溝槽可以由導電金屬層M構成。

在本實施例中，導電梁結構中的第一層導電梁207的底部、第二層導電梁208底部具有凸起，如圖22a-22d所示，這裡不再贅述。此外，本實施例中，導電溝槽還可以填充滿導電金屬，從而形成導電柱的形狀。

由於導電金屬層和/或上釋放保護層和/或下釋放保護層的每一層均是同時沉積在第一層導電溝槽204的圖案、第一層導電梁207的圖案及其底部的凸起圖案中或者同時沉積在第二層導電溝槽205、第二層導電梁207的圖案及其底部的凸起圖案中，有可能把這些圖案填滿形成實體，也有可能不填滿形成槽體，那麼，第一層導電梁及其底部的凸起、第一層導電溝槽的組合結構包括實體第一層導電梁或槽體第一層導電梁、第一層導電梁底部的實體凸起或槽體凸起、以及實體第一層導電溝槽或槽體第一層導電溝槽的任意組合，第二層導電梁及其底部的凸起、第二層導電溝槽的組合結構包括實體第二層導電梁或槽體第二層導電梁、第二層導電梁底部的實體凸起或槽體凸起、以及實體第二層導電溝槽或槽體第二層導電溝槽的任意組合，均在本發明的範圍之內。如圖22a-22d顯示了實體導電梁及其底部的凸起的四種結構，圖23a-23d顯示了槽體導電梁及其底部的槽體凸起的四種結構。其中，圖23a中的槽體凸起的位置與圖22a的實體槽體的位置相同；圖23b中的槽體凸起的位置與圖22b的實體槽體的位置相同；圖23c中的槽體凸起的位置與圖22c的實體槽體的位置相同；圖23d中的槽體凸起的位置與圖22d的實體槽體的位置相同；關於圖23a-23d中槽體凸起相對於槽體導電梁的位置可以參考圖22a-22d中實體凸起相對於實體槽體導電梁的位置，這裡不再贅述。

請參閱圖10，本實施例中，製備上述的紅外探測器像元結構的方法，包括：

步驟01：請參閱圖11，提供一矽襯底201，並且在矽襯底201表面形成互連層和與互連層相電連的導電金屬區202；這裡，互連層與導電金屬區202相電連；矽襯底201表面還具有反射區F』以及位於導電金屬區202和反射區F』之間的介質區203；互連層連接外部電路；

步驟02：在矽襯底201上方先形成上述導電梁結構再形成上述紅外探測結構；其中，紅外探測結構與導電梁結構的其中一層的導電梁或導電溝槽相接觸，導電梁結構的另一層導電溝槽底部與導電金屬區相接觸。

具體的，請參閱圖12，關於導電梁結構的製備過程具體包括：

步驟021，在矽襯底201上沉積第一層犧牲層X21，在第一層犧牲層中刻蝕出第一層導電溝槽204的圖案和第一層導電梁207的圖案，並在其中形成導電金屬層，以形成第一層導電溝槽204和第一層導電梁207；這裡還包括，在形成導電金屬層之後，將導電金屬層平坦化，去除高於第一層犧牲層X21表面的導電金屬層。此外，本實施例中，由於第一層導電梁207底部具有凸起，在形成第一層導電梁207的圖案之前，先在對應於第一層導電梁207的圖案的下方的第一犧牲層X21中形成這些凸起圖案，關於凸起圖案的描述可以參考上述凸起的描述，這裡不再贅述，從而使得後續沉積的導電金屬層也沉積在凸起圖案中，以形成底部具有凸起的第一層導電梁207。然後，所形成的下釋放保護層、導電金屬層和上釋放保護層、或導電金屬層和上釋放保護層、或導電金屬層也同時位於該凸起圖案中，從而形成位於第一層導電梁207底部的凸起。

步驟022，在上述矽襯底201上沉積第二層犧牲層X22，在第二層犧牲層中刻蝕出第二層導電溝槽205的圖案和第二層導電梁208的圖案，並在其中形成導電金屬層，以形成第二層導電溝槽205和第二層導電梁208；這裡還包括，在形成導電金屬層之後，將導電金屬層平坦化，去除高於第二層犧牲層X22表面的導電金屬層。此外，本實施例中，由於第二層導電梁208底部具有凸起，所以在形成第二層導電梁208的圖案之前，先在對應於第二層導電梁208的圖案的下方的第二犧牲層X22中形成這些凸起圖案，關於凸起圖案的描述可以參考上述凸起的描述，這裡不再贅述，從而使得後續沉積的導電層也沉積在凸起圖案中，以形成底部具有凸起的第二層導電梁208。然後，所形成的下釋放保護層、導電金屬層和上釋放保護層、或導電金屬層和上釋放保護層、或導電金屬層也同時位於該凸起圖案中，從而形成位於第二層導電梁208凸起。需要說明的是，本實施例中，由於導電金屬層和/或上釋放保護層和/或下釋放保護層的每一層均是同時沉積在第一層導電溝槽204的圖案、第一層導電梁207的圖案及其底部的凸起圖案中或者同時沉積在第二層導電溝槽205、第二層導電梁207的圖案及其底部的凸起圖案中，有可能把這些圖案填滿形成實體，也有可能不填滿形成槽體，那麼，第一層導電梁及其底部的凸起、第一層導電溝槽的組合結構包括實體第一層導電梁或槽體第一層導電梁、第一層導電梁底部的實體凸起或槽體凸起、以及實體第一層導電溝槽或槽體第一層導電溝槽的任意組合，第二層導電梁及其底部的凸起、第二層導電溝槽的組合結構包括實體第二層導電梁或槽體第二層導電梁、第二層導電梁底部的實體凸起或槽體凸起、以及實體第二層導電溝槽或槽體第二層導電溝槽的任意組合，均在本發明的範圍之內。

步驟023，在上述矽襯底201上沉積第三層犧牲層X23，在第三層犧牲層X23中刻蝕出第三層導電溝槽205的圖案，並且在其中形成導電金屬層，這裡還包括，在形成導電金屬層之後，將導電金屬層平坦化，去除高於第三層犧牲層X23表面的導電金屬層，以形成第三層導電溝槽209，從而完成導電梁結構的製備；

本步驟02中，在每一層的圖案中形成導電金屬層的過程可以具體包括：在導電溝槽和/或導電梁中依次形成下釋放保護層、導電金屬層和上釋放保護層；或者在導電溝槽和/或導電梁中依次形成導電金屬層和釋放保護層；或者在導電溝槽和/或導電梁中只形成導電金屬層；位於導電溝槽側壁的導電金屬層之間可以具有空隙；如果導電金屬層填充滿導電溝槽，則導電溝槽呈導電柱的形狀。

導電金屬層的材料可以為導電金屬，如鋁、銅等；如果是鋁，則無需形成上釋放保護層和下釋放保護層；上釋放保護層和下釋放保護層是用於保護導電金屬層在釋放工藝中不受到損傷，確保器件的導電性能和靈敏度；

關於本步驟02中的微橋結構的製備具體包括：步驟024：請參閱圖13，在第三層犧牲層X23和第三層導電溝槽209上形成微橋結構206，使微橋結構206與最頂層的第三導電溝槽209接觸；

微橋結構製備好後，包括步驟025：請參閱圖14，經釋放工藝，將所有的犧牲層都釋放掉。具體的，釋放工藝可以根據犧牲層的材料來設置合適的工藝參數，這裡不再贅述。

實施例三

以下結合附圖15a-21和具體實施例對本發明作進一步詳細說明。需說明的是，附圖均採用非常簡化的形式、使用非精準的比例，且僅用以方便、清晰地達到輔助說明本實施例的目的。

本實施例中，請參閱圖15a和圖15b，圖15b為沿圖15a中CC』截面結構示意圖圖，圖15a中，為了方便表示，將微橋結構揭掉，用粗虛線框表示微橋結構所佔區域，紅外探測器像元結構位於一矽襯底301上，矽襯底301中具有互連層，矽襯底301表面具有與互連層相電連的導電金屬區302、反射區303以及位於導電金屬區302和反射區303之間的介質區303；互連層連接外部電路；需要說明的是，本實施例中的互連層可以用其它可以連接導電金屬區和外部電路的導電結構替代。本實施例中紅外探測器像元結構還包括：

微橋結構306，位於反射區F」上方，用於探測紅外光並產生電信號；本實施例三的微橋結構可以與實施例一的微橋結構相同，請再次參閱圖1c，微橋結構可以包括下釋放保護層1063、紅外敏感材料層1061、電極層1062和上釋放保護層1064。電極層1062與導電梁結構的導電梁308相連接，確保微橋結構306產生的電信號通過導電梁結構傳輸到導電金屬區302，進而傳輸到互連層和外部電路中。

導電梁結構，與微橋結構306相電連；導電梁結構中，在導電梁結構的最頂層中具有第二導電溝槽305(頂層導電溝槽)和第二導電梁308(頂層導電梁)；如圖15b所示，導電梁結構分兩層，虛線下方為第一層，虛線上方為第二層，本實施例中，具有兩層導電溝槽，分別是第一層導電溝槽304和第二層導電溝槽305，導電梁至少有一層，這裡分別是第一層導電梁307和第二層導電梁308；第一層導電溝槽304的頂部和第二層導電溝槽305的底部通過第一層導電梁307相連接；第一層導電溝槽204的底部與導電金屬區302相接觸，第二層導電溝槽305的頂部與第二層導電梁308的一端接觸，第二層導電梁308的另一端與微橋結構306接觸，從而使微橋結構306位於導電梁結構之上，每一層的導電溝槽和導電梁構成了迂迴階梯狀的結構，從而使紅外探測結構產生的電信號的傳輸路徑呈迂迴階梯狀；微橋結構306產生的電信號首先經第二層導電梁308傳輸到第二層導電溝槽305頂部，再傳輸到第二層導電溝槽305底部，然後經第一層導電梁307傳輸到第一層導電溝槽304頂部，最後經第一層導電溝槽304底部傳輸到導電金屬區302，由導電金屬區302傳輸到互連層中進而傳輸到外部電路中；其中，第二層導電溝槽305位於反射區F」的上方，第一導電溝槽304位於金屬導電區302上。

微橋結構306下方、導電梁307、308之間、導電梁307下方均為空的。

因此，本實施例實現了電信號在縱向上的階梯傳輸，減少了器件橫向佔用面積，提高了像元結構的集成密度，即提高了像元結構的填充因子。

請再次參閱圖8a，虛線框內表示導電溝槽，虛線框外的結構表示導電梁，導電梁可以由導電金屬層M以及包圍導電金屬層M的上釋放保護層S1、下釋放保護層S2構成；圖8a中，右圖中，虛線框內表示第一導電溝道或第二導電溝槽，虛線框外的結構表示導電梁，虛線方向的截面圖如圖8a的左圖所示；相應的，導電溝槽可以由：上釋放保護層S1、下釋放保護層S2以及位於上釋放保護層S1和下釋放保護層S2之間的導電金屬層M構成。

請再次參閱圖8b，虛線框內表示導電溝槽，虛線框外的結構表示導電梁，導電梁可以由導電金屬層M以及位於導電金屬層M上表面的釋放保護層S構成；相應的，導電溝槽可以由導電金屬層M以及位於導電金屬層M上的釋放保護層S構成。

請再次參閱圖8c，圖8c中，虛線框內表示導電溝槽，虛線框外的結構表示導電梁，導電梁可以由導電金屬層M構成；相應的，導電溝槽可以由導電金屬層M構成。

在本實施例中，導電梁結構中的第一層導電梁307和第二層導電梁308底部具有多個凸起，如圖22a-22d所示，凸起的具體描述可以參考上述描述，這裡不再贅述。

本實施例中，由於導電金屬層和/或上釋放保護層和/或下釋放保護層的每一層均是同時沉積在第一層導電溝槽304的圖案、第一層導電梁307的圖案及其底部的凸起圖案中或者同時沉積在第二層導電溝槽305、第二層導電梁307的圖案及其底部的凸起圖案中，有可能把這些圖案填滿形成實體，也有可能不填滿形成槽體，那麼，第一層導電梁307及其底部的凸起、第一層導電溝槽304的組合結構包括實體第一層導電梁307或槽體第一層導電梁307、第一層導電梁307底部的實體凸起或槽體凸起、以及實體第一層導電溝槽304或槽體第一層導電溝槽304的任意組合，第二層導電梁308及其底部的凸起、第二層導電溝槽305的組合結構包括實體第二層導電梁308或槽體第二層導電梁308、第二層導電梁308底部的實體凸起或槽體凸起、以及實體第二層導電溝槽305或槽體第二層導電溝槽305的任意組合，均在本發明的範圍之內。如圖22a-22d顯示了實體導電梁及其底部的凸起的四種結構，圖23a-23d顯示了槽體導電梁及其底部的槽體凸起的四種結構。其中，圖23a中的槽體凸起的位置與圖22a的實體槽體的位置相同；圖23b中的槽體凸起的位置與圖22b的實體槽體的位置相同；圖23c中的槽體凸起的位置與圖22c的實體槽體的位置相同；圖23d中的槽體凸起的位置與圖22d的實體槽體的位置相同；關於圖23a-23d中槽體凸起相對於槽體導電梁的位置可以參考圖22a-22d中實體凸起相對於實體槽體導電梁的位置，這裡不再贅述。

此外，本實施例中，導電溝槽還可以填充滿導電金屬，從而形成導電柱的形狀。

請參閱圖16，本實施例中，製備上述的紅外探測器像元結構的方法，包括：

步驟001：請查閱圖17，提供一矽襯底301，並且在矽襯底301表面形成導電金屬區302；這裡，矽襯底301中具有互連層，導電金屬區302與互連層相電連；矽襯底301表面還具有反射區F」以及位於導電金屬區302和反射區F」之間的介質區；互連層連接外部電路；

步驟002：在矽襯底上形成一層犧牲層；在該層犧牲層中刻蝕出導電溝槽的圖案和/或導電梁的圖案，並且在導電溝槽的圖案和/或導電梁的圖案中形成導電金屬層，從而形成該層的導電溝槽或導電梁；

具體的，請參閱圖18，這裡，在矽襯底301上形成第一犧牲層X31，在第一層犧牲層X31中刻蝕出第一層導電溝槽304的圖案和第一層導電梁307的圖案，並在其中形成導電金屬層，以形成第一層導電溝槽304和第一層導電梁307；這裡還包括，在沉積了導電金屬層之後，將導電金屬層平坦化，去除高於第一層犧牲層X31表面的導電金屬層。

形成導電金屬層的過程具體包括：在第一層導電溝槽304的圖案和第一層導電梁307的圖案中依次形成下釋放保護層、導電金屬層和上釋放保護層，所形成的結構如圖8a所示；或者在第一層導電溝槽304的圖案和第一層導電梁307的圖案中依次形成導電金屬層和上釋放保護層，所形成的結構如圖8b所示；或者在第一層導電溝槽304的圖案和第一層導電梁307的圖案中只形成導電金屬層；位於第一層導電溝槽304側壁的導電金屬層之間可以具有空隙，所形成的結構如圖8c所示；如果導電金屬層填充滿第一層導電溝槽304的圖案和第一層導電梁307的圖案，則第一層導電溝槽304則呈導電柱的形狀。此外，本實施例中，由於第一層導電梁307底部具有凸起，在形成第一層導電梁307的圖案之前，先在對應於第一層導電梁307的圖案的下方的第一犧牲層X31中形成這些凸起圖案，關於凸起圖案的描述可以參考上述凸起的描述，這裡不再贅述。然後，所形成的下釋放保護層、導電金屬層和上釋放保護層、或導電金屬層和上釋放保護層、或導電金屬層也同時位於該凸起圖案中，從而形成位於第一層導電梁307底部的凸起。

步驟003：重複步驟002的過程，其中，形成最頂部的犧牲層後，在最頂部的犧牲層中刻蝕出頂層導電溝槽的圖案和頂層導電梁的圖案，並且在頂層導電溝槽的圖案和頂層導電梁的圖案中形成導電金屬層，從而完成導電梁結構的製備；

具體的，請參閱圖19，這裡，在完成步驟002的矽襯底301上形成第二層犧牲層X32，在第二層犧牲層X32中刻蝕出第二層導電溝槽305的圖案和第二層導電梁308的圖案，並在其中形成導電金屬層，以形成第二層導電溝槽305和第二層導電梁308；這裡還包括，在形成導電金屬層之後，將導電金屬層平坦化，去除高於第二層犧牲層X32表面的導電金屬層。

形成導電金屬層的過程具體包括：在第二層導電溝槽305的圖案和第二層導電梁308的圖案中依次形成下釋放保護層、導電金屬層和上釋放保護層，形成如圖8a所示的結構；或者在第二層導電溝槽305的圖案和第二層導電梁308的圖案中依次形成導電金屬層和上釋放保護層，形成的結構如圖8b所示；或者在第二層導電溝槽305的圖案和第二層導電梁308的圖案中只形成導電金屬層；位於第二層導電溝槽側壁的導電金屬層305之間可以具有空隙，形成的結構如圖8c所示；如果導電金屬層填充滿第二導電溝槽305的圖案，則呈導電柱的形狀。此外，本實施例中，由於第二層導電梁308底部具有凸起，所以在形成第二層導電梁308的圖案之前，先在對應於第二層導電梁308的圖案的下方的第二犧牲層X32中形成這些凸起圖案，關於凸起圖案的描述可以參考上述凸起的描述，這裡不再贅述。然後，所形成的下釋放保護層、導電金屬層和上釋放保護層、或導電金屬層和上釋放保護層、或導電金屬層也同時位於該凸起圖案中，從而形成位於第二層導電梁308凸起。

需要說明的是，本實施例中，由於導電金屬層和/或上釋放保護層和/或下釋放保護層的每一層均是同時沉積在第一層導電溝槽304的圖案、第一層導電梁307的圖案及其底部的凸起圖案中或者同時沉積在第二層導電溝槽305、第二層導電梁307的圖案及其底部的凸起圖案中，有可能把這些圖案填滿形成實體，也有可能不填滿形成槽體，那麼，第一層導電梁307及其底部的凸起、第一層導電溝槽304的組合結構包括實體第一層導電梁307或槽體第一層導電梁307、第一層導電梁307底部的實體凸起或槽體凸起、以及實體第一層導電溝槽304或槽體第一層導電溝槽304的任意組合，第二層導電梁308及其底部的凸起、第二層導電溝槽305的組合結構包括實體第二層導電梁308或槽體第二層導電梁308、第二層導電梁308底部的實體凸起或槽體凸起、以及實體第二層導電溝槽305或槽體第二層導電溝槽305的任意組合，均在本發明的範圍之內。

步驟004：在最頂層的犧牲層和和頂層導電梁上形成紅外探測結構，使頂層導電梁的一端與紅外探測結構相接觸；

具體的，請參閱圖20，在第二層犧牲層X32和第二層導電梁308上形成微橋結構306，使微橋結構306與第三層導電梁308接觸；

步驟005：請參閱圖21，經釋放工藝，將所有的犧牲層都釋放掉。

具體的，釋放工藝可以根據犧牲層的材料來設置合適的工藝參數，這裡不再贅述。

雖然本發明已以較佳實施例揭示如上，然所述實施例僅為了便於說明而舉例而已，並非用以限定本發明，本領域的技術人員在不脫離本發明精神和範圍的前提下可作若干的更動與潤飾，本發明所主張的保護範圍應以權利要求書所述為準。