封裝結構的形成方法
2023-04-24 01:10:11
封裝結構的形成方法
【專利摘要】一種封裝結構的形成方法，包括：提供引線框金屬層；刻蝕所述引線框金屬層，形成若干分立的引腳，相鄰引腳之間具有開口；在引腳的表面形成第一金屬凸塊；在第一金屬凸塊的頂部和側壁表面形成焊料層；提供半導體晶片，所述半導體晶片的表面形成有焊盤，所述焊盤上形成有第二金屬凸塊；將半導體晶片倒裝在引腳上方，將半導體晶片上的第二金屬凸塊與第一金屬凸塊表面的焊料層焊接在一起。本發明的方法減小了封裝結構佔據的體積，提高了封裝結構的集成度。
【專利說明】封裝結構的形成方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及半導體封裝領域，特別涉及一種半導體封裝結構的形成方法。
【背景技術】
[0002]隨著電子產品如手機、筆記本電腦等朝著小型化，可攜式，超薄化，多媒體化以及滿足大眾需求的低成本方向發展，高密度、高性能、高可靠性和低成本的封裝形式及其組裝技術得到了快速的發展。與價格昂貴的BGA (Ball Grid Array)等封裝形式相比,近年來快速發展的新型封裝技術，如四邊扁平無引腳QFN (Quad Flat No-leadPackage)封裝，由於其具有良好的熱性能和電性能、尺寸小、成本低以及高生產率等眾多的優點，引發了微電子封裝【技術領域】的一場新的革命。
[0003]圖1為現有的QFN封裝結構的結構示意圖，所述QFN封裝結構包括:半導體晶片14，所述半導體晶片14上具有焊盤15 ;引腳16 (引線框架)，所述引腳16圍繞所述半導體晶片14的四周排列；金屬導線17，金屬導線17將半導體晶片14的焊盤15與環繞所述半導體晶片14的引腳16電連接；塑封材料18，所述塑封材料18將半導體晶片15、金屬線17和引腳16密封，引腳16的表面裸露在塑封材料的底面，通過引腳16實現半導體晶片14與外部電路的電連接。
[0004]現有的封裝結構佔據的體積較大，不利於封裝結構集成度的提高。
【發明內容】
[0005]本發明解決的問題是怎樣減小封裝結構佔據的體積。
[0006]為解決上述問題，本發明提供一種封裝結構的形成方法，包括:提供引線框金屬層；刻蝕所述引線框金屬層，形成若干分立的引腳，相鄰引腳之間具有開口 ；在引腳的表面形成第一金屬凸塊；在第一金屬凸塊的頂部和側壁表面形成焊料層；提供半導體晶片，所述半導體晶片的表面形成有焊盤，所述焊盤上形成有第二金屬凸塊；將半導體晶片倒裝在引腳上方，將半導體晶片上的第二金屬凸塊與第一金屬凸塊表面的焊料層焊接在一起。
[0007]可選的，所述引腳的形成過程為:所述引線框金屬層包括第一表面和與第一表面相對的第二表面，刻蝕引線框金屬層的第一表面，在引線框金屬層內形成若干第一開口 ；刻蝕引線框金屬層的第二表面，在引線框金屬層內形成若干第二開口，第一開口和第二開口相互貫穿，第一開口和第二開口構成開口，相鄰開口之間為引腳。
[0008]可選的，在形成第一開口或第二開口之前，還包括:在所述引線框金屬層的第一表面形成第一圖形化的掩膜層；在所述引線框金屬層的第二表面形成第二圖形化的掩膜層。
[0009]可選的，所述第一開口的寬度小於第二開口的寬度，所述第一金屬凸塊位於引腳的第一表面上。
[0010]可選的，刻蝕引腳的表面，在引腳內形成凹槽，在凹槽內形成第一金屬凸塊，所述第一金屬凸塊的頂部表面高於凹槽開口的表面。
[0011]可選的，所述第一金屬凸塊的寬度小於凹槽的寬度。[0012]可選的，所述焊料層還覆蓋第一金屬凸塊兩側的凹槽的側壁和底部表面。
[0013]可選的，所述焊料層還覆蓋第一金屬凸塊兩側的凹槽的側壁和底部表面、以及引腳的部分表面。
[0014]可選的，形成所述焊料層的工藝為網板印刷。
[0015]可選的，還包括:形成密封所述半導體晶片、第一金屬凸塊、第二金屬凸塊並填充滿開口的塑封層。
[0016]與現有技術相比，本發明的技術方案具有以下優點:
[0017]本發明的封裝結構的形成方法，將半導體晶片倒裝在引腳上方，通過第一金屬凸塊、焊料層和第二金屬凸塊構成的連接結構將半導體晶片上的焊盤與引腳電連接，相對於現有的將引腳設置在半導體晶片周圍然後通過金屬導線將半導體晶片上的焊盤與引腳連接的封裝結構的形成方法，本發明實施例的封裝結構的形成方法形成的封裝結構佔據的橫向的面積減小，整個封裝結構的體積較小，並且該封裝結構的形成方法能實現引線框結構的晶圓級的封裝，提高了封裝結構的集成度，另外，在引腳上形成第一金屬凸塊，在封裝過程中，一方面，第一金屬凸塊的存在，當在將半導體晶片倒裝在引腳上時，所述金屬凸塊能起到定位的作用，另一方面，第一金屬凸塊的存在，相比於將半導體晶片上的第二金屬凸塊直接焊接在引腳上，在引腳上形成第一金屬凸塊後，在進行焊接時，半導體晶片與引腳之間的連接結構的坡度變陡，連接結構佔據的引腳表面的面積減小，再一方面，第一金屬凸塊的存在，使得半導體晶片和引腳之間的距離增大，在形成密封所述半導體晶片、第一金屬凸塊、焊料層和第二金屬凸塊的塑封層時，防止在半導體晶片和引腳之間的塑封層中形成空隙等缺陷。
[0018]進一步，所述開口包括第一開口和第二開口，第一開口的寬度小於第二開口的寬度，形成的引腳的第一表面的面積大於第二表面的面積，在引腳的第一表面上形成第一金屬凸塊，由於引腳的第一表面的面積較大，在採用引線鍵合工藝形成第一金屬凸塊時，引腳的第一表面能承受較大的壓力並具有較大的接觸面積，減小了採用引線鍵合工藝形成金屬凸塊的難度，引腳的第二表面的面積較小，使得相鄰引腳的第二表面之間的距離較大，將引腳的第二表面與外部電路(比如PCB板電路)相連時，防止相鄰引腳之間的短路。
[0019]進一步，在引腳的表面形成有凹槽，所述第一金屬凸塊位於凹槽內，所述第一金屬凸塊的頂部表面高於凹槽的開口表面，第一金屬凸塊的寬度小於凹槽的寬度，使得第一金屬凸塊的兩側有部分凹槽未被第一金屬凸塊覆蓋，在第一金屬凸塊頂部和側壁形成焊料層時，焊料層可以覆蓋第一金屬凸塊兩側的凹槽的側壁和底部表面，使得焊料層與引腳和第一金屬凸塊的接觸面積增大，提高了後續半導體晶片和引腳之間形成的連接結構與引腳之間結合力和機械穩定性。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0020]圖1為現有技術封裝結構的剖面結構示意圖；
[0021]圖2?圖8為本發明實施例封裝結構形成過程的剖面結構示意圖。
【具體實施方式】
[0022]現有的封裝結構的集成度較低，請參考圖1，現有的封裝結構中的引腳16是環繞的排布在半導體晶片14的周圍，半導體晶片14上的焊盤15需要通過金屬導線17與周圍的引腳16電連接，使得整個封裝結構佔據的體積較大，不利於封裝結構集成度的提高。
[0023]本發明提供了一種封裝結構的形成方法，將半導體晶片倒裝在引腳上方，將半導體晶片上的第二金屬凸塊與第一金屬凸塊表面的焊料層焊接在一起，減小了封裝結構的體積，提聞了集成度。
[0024]為使本發明的上述目的、特徵和優點能夠更為明顯易懂，下面結合附圖對本發明的具體實施例做詳細的說明。在詳述本發明實施例時，為便於說明，示意圖會不依一般比例作局部放大，而且所述示意圖只是示例，其在此不應限制本發明的保護範圍。此外，在實際製作中應包含長度、寬度及深度的三維空間尺寸。
[0025]圖2?圖8為本發明實施例封裝結構形成過程的剖面結構示意圖。
[0026]首先，請參考圖2，提供引線框金屬層100。
[0027]所述引線框金屬層100後續形成引腳，所述引線框金屬層100具有第一表面11和與第一表面11相對的第二表面12。
[0028]所述引線框金屬層100的材料為金屬或合金。所述引線框金屬層100的材料可以為 W、Al、Cu、T1、Ag、Au、Pt、Ni 中一種或幾種。
[0029]所述引線框金屬層100可以為單層的金屬或者多層金屬的堆疊結構。
[0030]所述引線框金屬層100包括若干引線區域圍繞所述引線區域的外圍區域(圖中未示出)，所述引線區域後續形成若干分立的引腳，所述外圍區域用於固定和支撐若干分立的引腳，引腳的一側與外圍區域接觸，引腳的另外三側懸空，後續在形成封裝結構後，通過切割去除引線金屬層100的外圍區域，釋放出封裝結構的若干分立的引腳。接著，請參考圖3，刻蝕所述引線框金屬層100 (參考2)，形成若干分立的引腳103，相鄰引腳103之間具有開□。
[0031]所述引腳103的形成過程為:在所述引線框金屬層100的第一表面11上形成第一圖形化的掩膜層(圖中未示出)；以所述第一圖形化的掩膜層為掩膜，刻蝕引線框金屬層100的第一表面11，在引線框金屬層100內形成若干第一開口 102 ;在所述引線框金屬層100的第二表面12上形成第二圖形化的掩膜層(圖中未示出)；以所述第二圖形化的掩膜層為掩膜，刻蝕引線框金屬層100的第二表面12，在引線框金屬層100內形成若干第二開口 101，第一開口 102和第二開口 101相互貫穿，第一開口 102和第二開口 101構成開口，相鄰開口之間為引腳103。
[0032]所述第一圖形化的掩膜層或第二圖形化的掩膜層的材料可以為環氧樹脂膠或其他合適的材料。第一圖形化的掩膜層或第二圖形化的掩膜層的形成工藝為貼幹膜工藝或壓印工藝。所述第一圖形化的掩膜層或第二圖形化的掩膜層的形成工藝也可以為噴塗或旋塗工藝。
[0033]所述第一開口 102的寬度小於第二開口 101的寬度，使得形成的引腳103的第一表面11的面積大於第二表面12的面積，後續在引腳103的第一表面上形成金屬凸塊，由於引腳103的第一表面11的面積較大，在採用引線鍵合工藝形成第一金屬凸塊時，引腳103的第一表面能承受較大的壓力並具有較大的接觸面積，減小了採用引線鍵合工藝形成第一金屬凸塊的難度，引腳103的第二表面12的面積較小，使得相鄰引腳103的第二表面12之間的距離較大，後續將引腳103的第二表面12與外部電路(比如PCB板電路)相連時，防止相鄰引腳103之間的短路，另外，第一開口 102和第二開口 101的寬度不一樣，後續在第一開口 102和第二開口 101中填充滿塑封材料時，使得引腳103與塑封層的接觸面的數量增多，引腳不容易從塑封材料中脫落。需要說明的是，所述第一開口 102可以在第二開口 101形成之前或之後形成。
[0034]還包括:刻蝕引腳103的表面(後續在其上形成金屬凸塊的表面或引腳的第一表面11)，在引腳103內形成凹槽105。所述凹槽105的可以在第一開口 102形成之前或形成之後形成。在形成凹槽105之前，在所述引腳103的第一表面11上形成第三圖形化的掩膜層，以所述第三圖形化的掩膜層為掩膜刻蝕所述引腳103的第一表面11，形成凹槽105。
[0035]後續在凹槽105內形成第一金屬凸塊。
[0036]在本發明的其他實施例中，在形成第一開口 102和第二開口 101之後，還可以在所述引腳103的第二表面12上形成一層幹膜薄膜，所述幹膜薄膜將引腳103的第二表面12覆蓋，後續在開口中填充塑封材料時，防止塑封材料向引腳103的底部表面的溢料，後續在形成塑封層後，將所述幹膜薄膜揭除。
[0037]接著，請參考圖4，在引腳103的表面形成第一金屬凸塊107。
[0038]本實施例中，在引腳103的第一表面11形成第一金屬凸塊107，所述第一金屬凸塊107位於凹槽105內，所述第一金屬凸塊107的頂部表面高於凹槽105的開口表面，第一金屬凸塊107的寬度小於凹槽105的寬度，使得第一金屬凸塊107的兩側有部分凹槽105未被覆蓋，後續在第一金屬凸塊107頂部和側壁形成焊料層時，焊料層可以覆蓋第一金屬凸塊107兩側的凹槽105的側壁和底部表面，使得焊料層與引腳103和第一金屬凸塊107的接觸面積增大，提高了後續半導體晶片和引腳之間形成的連接結構與引腳103之間結合力和機械穩定性。
[0039]所述第一金屬凸塊107的材料可以為鋁、鎳、錫、鎢、鉬、銅、鈦、鉻、鉭、金、銀中的一種或幾種。
[0040]形成所述第一金屬凸塊107可以採用引線鍵合工藝或印刷工藝。在本發明的其他實施例中，所述金屬凸塊107還可以採用其他合適的工藝形成。
[0041]本發明實施例中，在引腳103上形成第一金屬凸塊107，在後續的封裝過程中，一方面，第一金屬凸塊107的存在，當在將半導體晶片倒裝在引腳上時，所述第一金屬凸塊107能起到定位的作用，另一方面，第一金屬凸塊107的存在，相比於將半導體晶片上的第二金屬凸塊直接焊接在引腳103上，在引腳103上形成第一金屬凸塊107後，在進行焊接時，半導體晶片與引腳103之間的連接結構的坡度變陡，連接結構佔據的引腳103表面的面積減小，再一方面，第一金屬凸塊107的存在，使得半導體晶片和引腳103之間的距離增大，在形成密封所述半導體晶片、第一金屬凸塊107、焊料層103和第二金屬凸塊的塑封層時，防止在半導體晶片和引腳之間的塑封層中形成空隙等缺陷。
[0042]引線鍵合形成第一金屬凸塊107的具體過程為:將金屬線穿過鍵合設備的鍵合頭(或鍵合頭中劈刀毛細管)達到其頂部；通過氫氧焰或電氣系統產生電火花使得鍵合頭中伸出的金屬線熔融形成金屬凸塊；鍵合頭將金屬凸塊壓合在引腳103的第一表面11上；鍵合頭中的劈刀切斷金屬線，使得金屬凸塊保留在引腳103的第一表面上，形成第一金屬凸塊107。通過引線鍵合工藝形成的金屬凸塊，工藝簡單，效率較高，並且不會帶來汙染。
[0043]採用印刷工藝形成第一金屬凸塊107的過程為:將帶有網孔的網板貼合引腳103的第一表面11，網孔暴露出引腳103的部分第一表面11 ;在網孔中刷如金屬填充料(比如:焊錫等)；然後，移除網板，在引腳103的第一表面11上形成第一金屬凸塊107。
[0044]接著，請參考圖5，在所述第一金屬凸塊107的側壁和頂部表面形成焊料層108。
[0045]後續將半導體晶片倒裝在引腳103上方時，通過焊料層108將半導體晶片的焊盤上的第二金屬凸塊與引腳103上的第一金屬凸塊107焊接在一起。
[0046]本實施例中，所述焊料層108還覆蓋第一金屬凸塊107兩側的凹槽105 (參考圖4)的側壁和底部表面，由於凹槽105具有底部和側壁，焊料層覆蓋第一金屬凸塊107兩側的凹槽105 (參考圖4)的側壁和底部表面時，使得焊料層105與第一金屬凸塊107和引腳103的接觸面積增大，後續在半導體晶片和引腳103之間形成有第一金屬凸塊、焊料層和第二金屬凸塊構成的連接結構時，提高了半導體晶片和引腳之間形成的連接結構與引腳103之間結合力和機械穩定性。
[0047]本發明的其他實施例中，所述焊料層除了覆蓋第一金屬凸塊兩側的凹槽的側壁和底部表面，所述焊料層還覆蓋第一金屬凸塊兩側的引腳的部分表面，在形成連接結構時，使得連接結構與引腳103之間結合力和機械穩定性進一步提高。
[0048]所述焊料層108的形成工藝為網板印刷，具體過程為:將帶有網孔的網板貼合引腳103的第一表面，網孔與凹槽的位置相對應，第一金屬凸塊107位於網孔內，引腳的無需形成焊料層的表面被網板覆蓋；接著在網孔內刷入焊錫膏；然後移除網板。在本發明的其他實施例中，所述焊料層108還可以採用其他的工藝形成。
[0049]所述焊料層108的材料為錫或錫合金，所述錫合金為錫銀、錫鉛、錫銀銅、錫銀鋅、錫鋅、錫鉍銦、錫銦、錫金、錫銅、錫鋅銦或者錫銀銻中的一種或者多種。
[0050]接著，請參考圖6，提供半導體晶片200，所述半導體晶片200的表面形成有焊盤201，所述焊盤201上形成有第二金屬凸塊203。
[0051]所述半導體晶片200內具有集成電路(圖中未示出)，半導體晶片200表面的焊盤201與半導體晶片內的集成電路電連接，所述焊盤201作為半導體晶片200內的集成電路與外部電連接的埠。所述焊盤201的材料為銅或鋁等金屬。
[0052]所述半導體晶片200上還具有覆蓋所述半導體晶片200表面的鈍化層或聚合物層，所述鈍化層或聚合物層中具有暴露焊盤201表面的開口，所述鈍化層或聚合物層用於保護半導體晶片並將半導體晶片200與外部環境隔離。
[0053]所述第二金屬凸塊203可以為金屬柱，所述第二金屬凸塊203也可以為焊球，所述第二金屬凸塊203還可以包括位於焊盤201上的金屬柱以及位於金屬柱頂部的焊球。所述金屬柱的材料可以為W、Al、Cu、T1、Ag、Au、Pt或Ni，所述焊球的材料為錫或錫合金。本實施例中，所述第二金屬凸塊203為焊球。
[0054]所述第二金屬凸塊203的形成工藝為:在半導體晶片200和焊盤201表面形成一層金屬層，所述金屬層作為後續形成焊料層時的導電層以及作為第二金屬凸塊203和焊盤201之間的粘附層，所述金屬層材料為鎳、鉬、鈦或鉭中的一種或幾種；在所述金屬層上形成光刻膠掩膜，所述光刻膠掩膜具有暴露焊盤201上的金屬層的開口 ；採用電鍍工藝在所述開口中填充焊料，形成第二金屬凸塊203 ;去除所述光刻膠掩膜層；以所述第二金屬凸塊203為掩膜，刻蝕去除第二金屬凸塊203兩側的金屬層，形成凸下金屬層202。
[0055]本實施例中，在形成第二金屬凸塊203後，還可以對第二金屬凸塊203進行回流工藝，使形成的第二金屬凸塊203呈球型。本發明的其他實施例中，在形成第二金屬凸塊203後，可以不進行回流工藝，後續直接將第二金屬凸塊203與引腳上的焊料層焊接在一起，節省了工藝步驟，減小了熱預算。
[0056]接著，參考圖7，將半導體晶片200倒裝在引腳103上方，將半導體晶片200上的第二金屬凸塊203與第一金屬凸塊107表面的焊料層108焊接在一起。
[0057]具體的，首先將半導體晶片200倒裝在引腳103上方，使得半導體晶片200上的第二金屬凸塊203與引腳103上的第一金屬凸塊107表面的焊料層108相接觸；對所述焊料層108進行回流工藝，使得焊料層108熔化將第二金屬凸塊203和第一金屬凸塊107焊接在一起；對整個封裝結構進行冷卻。
[0058]本發明實施例中，由於第二金屬凸塊203的材料與焊料層108的材料相同，在進行回流時第二金屬凸塊203與焊料層108熔合為一體。在本發明的其他實施例中第二金屬凸塊203的材料與焊料層108的材料不相同時，第二金屬凸塊203通過焊料層108與第一金屬凸塊107焊接在一起。
[0059]由於焊料層108與第一金屬凸塊107兩側的凹槽的底部和側壁相接觸，引腳103的材料為金屬，在進行回流時，凹槽的側壁會對焊料層有牽引作用，使得回流後的焊料層仍會覆蓋凹槽的第一金屬凸塊107兩側的凹槽的側壁和底部。
[0060]將半導體晶片200倒裝在引腳103上方，通過第一金屬凸塊107、焊料層108和第二金屬凸塊203構成的連接結構將半導體晶片200上的焊盤201與引腳103電連接，相對於現有的將引腳設置在半導體晶片周圍然後通過金屬導線將半導體晶片上的焊盤與引腳連接的封裝結構的形成方法，本發明實施例的封裝結構的形成方法形成的封裝結構佔據的橫向的面積減小，整個封裝結構的體積較小，並且該封裝結構的形成方法能實現引線框結構的晶圓級的封裝，提高了封裝結構的集成度。
[0061]參考圖8,形成密封所述半導體晶片200、第一金屬凸塊107、第二金屬凸塊203並填充滿開口的塑封層204。
[0062]所述塑封層204包圍所述半導體晶片200、填充半導體晶片200和引腳103的第一表面11之間的區域，塑封層204還填充滿引腳103之間的開口(第一開口和第二開口)，塑封層204的底部暴露出引腳的遠離第一金屬凸塊107 —側表面(第二表面12)。填充塑封層204時，由於引腳103之間的開口與半導體晶片200之間的空間以及半導體晶片200與引腳103的第一表面11之間的空間是相通的，提高了塑封材料的流動性，從而防止在塑封層208中產生空隙等缺陷。另外對相鄰引腳103之間的開口的塑封材料的填充是在將半導體晶片200上的第二金屬凸塊107和引腳103上的第一金屬凸塊203焊接之後進行，防止在焊接之前在開口中提前填充塑封材料後，在進行回流工藝時對開口中塑封材料的損傷。
[0063]所述塑封層204用於保護和隔離封裝結構，所述塑封層204的材料為樹脂，所述樹脂可以為環氧樹脂、聚醯亞胺樹脂、苯並環丁烯樹脂或聚苯並惡唑樹脂；所述樹脂也可以為為聚對苯二甲酸丁二酯、聚碳酸酯、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚乙烯、聚丙烯、聚烯烴、聚氨酯、聚烯烴、聚醚碸、聚醯胺、聚亞氨酯、乙烯-醋酸乙烯共聚物或聚乙烯醇；所述塑封層204還可以為其他合適的塑封材料。
[0064]所述塑封層204的形成工藝為注塑工藝或轉塑工藝(transfer molding)。所述塑封層204的形成工藝還可以為其他合適的工藝。[0065]形成塑封層204後，還包括，採用切割工藝去除塑封層204外多餘的引線框金屬層(外圍區域)，釋放出各個分立的引腳103。
[0066]上述方法形成的封裝結構，請參考圖8，包括:
[0067]若干分立的引腳103，相鄰引腳103之間具有開口 ；
[0068]位於所述引腳103的表面上的第一金屬凸塊107 ；
[0069]覆蓋所述第一金屬凸塊107頂部和側壁的焊料層108 ；
[0070]半導體晶片200，所述晶片200的表面具有有焊盤201，所述焊盤201上具有第二金屬凸塊203，半導體晶片203倒裝在引腳103上方，半導體晶片200上的第二金屬凸塊203與引腳上的第一金屬凸塊107通過焊料層108焊接在一起。
[0071]具體的，所述開口包括相互貫穿的第一開口和第二開口，所述第一開口的寬度小於第二開口的寬度，所述第一金屬凸塊107位於引腳103的遠離第二開口的一端表面(第一表面11)上。
[0072]所述引腳107的表面(第一表面11)具有凹槽，第一金屬凸塊107位於凹槽內，所述第一金屬凸塊107的頂部表面高於引腳103的表面(第一表面11)，所述第一金屬凸塊107的寬度小於凹槽的寬度，所述焊料層108還覆蓋第一金屬凸塊107兩側的凹槽的側壁和底部表面。
[0073]在本發明的其他實施例中，所述焊料層除了覆蓋第一金屬凸塊兩側的凹槽的側壁和底部表面，所述焊料層還覆蓋第一金屬凸塊兩側的引腳的部分表面。
[0074]還包括:密封所述半導體晶片200、第一金屬凸塊107、第二金屬凸塊203並填充滿開口的塑封層204。
[0075]綜上，本發明實施例的封裝結構及其封裝結構的形成方法，將半導體晶片倒裝在引腳上方，通過第一金屬凸塊、焊料層和第二金屬凸塊構成的連接結構將半導體晶片上的焊盤與引腳電連接，使得整個封裝結構的體積較小，並且該封裝結構的形成方法能實現引線框結構的晶圓級的封裝，提高了封裝結構的集成度。
[0076]雖然本發明披露如上，但本發明並非限定於此。任何本領域技術人員，在不脫離本發明的精神和範圍內，均可作各種更動與修改，因此本發明的保護範圍應當以權利要求所限定的範圍為準。
【權利要求】
1.一種封裝結構的形成方法，其特徵在於，包括: 提供引線框金屬層； 刻蝕所述引線框金屬層，形成若干分立的引腳，相鄰引腳之間具有開口 ； 在引腳的表面形成第一金屬凸塊； 在第一金屬凸塊的頂部和側壁表面形成焊料層； 提供半導體晶片，所述半導體晶片的表面形成有焊盤，所述焊盤上形成有第二金屬凸塊； 將半導體晶片倒裝在引腳上方，將半導體晶片上的第二金屬凸塊與第一金屬凸塊表面的焊料層焊接在一起。
2.如權利要求1所述的封裝結構的形成方法，其特徵在於，所述引腳的形成過程為:所述引線框金屬層包括第一表面和與第一表面相對的第二表面，刻蝕引線框金屬層的第一表面，在引線框金屬層內形成若干第一開口 ；刻蝕引線框金屬層的第二表面，在引線框金屬層內形成若干第二開口，第一開口和第二開口相互貫穿，第一開口和第二開口構成開口，相鄰開口之間為引腳。
3.如權利要求2所述的封裝結構的形成方法，其特徵在於，在形成第一開口或第二開口之前，還包括:在所述引線框金屬層的第一表面形成第一圖形化的掩膜層；在所述引線框金屬層的第二表面形成第二圖形化的掩膜層。
4.如權利要求2所述的封裝結構的形成方法，其特徵在於，所述第一開口的寬度小於第二開口的寬度，所述第一金屬凸塊位於引腳的第一表面上。
5.如權利要求1所述的封裝結構的形成方法，其特徵在於，刻蝕引腳的表面，在引腳內形成凹槽，在凹槽內形成第一金屬凸塊，所述第一金屬凸塊的頂部表面高於凹槽開口的表面。
6.如權利要求5所述的封裝結構的形成方法，其特徵在於，所述第一金屬凸塊的寬度小於凹槽的寬度。
7.如權利要求6所述的封裝結構的形成方法，其特徵在於，所述焊料層還覆蓋第一金屬凸塊兩側的凹槽的側壁和底部表面。
8.如權利要求6所述的封裝結構的形成方法，其特徵在於，所述焊料層還覆蓋第一金屬凸塊兩側的凹槽的側壁和底部表面、以及引腳的部分表面。
9.如權利要求7或8所述的封裝結構的形成方法，其特徵在於，形成所述焊料層的工藝為網板印刷。
10.如權利要求1所述的封裝結構的形成方法，其特徵在於，還包括:形成密封所述半導體晶片、第一金屬凸塊、第二金屬凸塊並填充滿開口的塑封層。
【文檔編號】H01L21/60GK103730380SQ201310652375
【公開日】2014年4月16日 申請日期:2013年12月5日 優先權日:2013年12月5日
【發明者】石明達, 石磊, 陶玉娟 申請人:南通富士通微電子股份有限公司