半導體發光元件及其製造方法
2023-04-23 18:45:01 2
專利名稱：半導體發光元件及其製造方法
技術領域：
本發明涉及一種半導體發光元件(Semiconductor light emitting device),特別是涉及一種具有n-v族(或n-iv-v族)化合物接觸層的半導體發光元件。
背景技術：
發光二極體(Light emitting diodes)能被使用於廣泛種類的裝置，例如，光 學顯示裝置、交通標誌、通訊裝置以及照明裝置。發光二極體不同於那些熟 知的光源，並且對不同工業領域更具可應用性。相比熟知的鴒絲燈泡，發光二極體消耗較少的電力，並且反應較為快速。 再者，發光二極體具有較好的照明效率、較長的使用壽命、不具有類似水銀 的有害物質、較小的體積以及較低的功率消耗。發光二極體的發光原理是，當順向偏壓時，P型和N型半導體中的電子 和電穴能在發光層中結合成光子以產生光。由於P型氮化鎵半導體摻雜不 易，P型氮化鎵半導體層與導電層的接觸產生較高的電阻。因此，其降低了 P型氮化鎵半導體的效能。臺灣專利案號459407號專利提供了降低P型氮化鎵半導體層與導電層 的接觸電阻的解決方案。請參閱圖1。圖1繪示一種具有n+型反向穿遂層的 發光二極體結構。該發光二極體的結構包括藍寶石絕緣基板11、氮化鎵緩衝 層12、 N型氮化鎵接觸層13、 N型氮化鋁鎵束縛層14、氮化銦鎵發光層15、 P型氮化鋁鎵束縛層16、 P型氮化鎵接觸層17、 n+型反向穿遂層18、透明 導電層19、第一電極21和第二電極22。該氮化鎵緩衝層12形成在該藍寶石絕緣基板11上。N型氮化鎵接觸層 13形成在該氮化鎵緩衝層12上，致使部分該N型氮化鎵接觸層13露出。 該第一電極21形成在該露出的N型氮化鎵接觸層13上。該N型氮化鋁鎵 束縛層14形成在該N型氮化鎵接觸層13上。該氮化銦鎵發光層15形成在 該N型氮化鋁鎵束綽層14上。該P型氮化鋁鎵束綽層16形成在該氮化銦鎵 發光層15上。該P型氮化鎵接觸層17形成在該P型氮化鋁鎵束縛層16上。 該n+型反向穿遂層18形成在該P型氮化鎵接觸層17上。該透明導電層19 形成在該n+型反向穿遂層18上，致使部分該n+型反向穿遂層18露出。該 第二電極22形成在該露出的n+型反向穿遂層18上，並且與該透明導電層 19接觸。該發光二極體，通過增加n+型反向穿遂層18在該P型氮化鎵接觸層17 和該透明導電層19之間，改善了該P型氮化鎵接觸層17與該透明導電層 19之間的歐姆接觸。然而，該n+型反向穿遂層18具有複雜的製造工藝，並且控制不易，致 使發光二極體的成品穩定性不佳。該n+型反向穿遂層18也具有較高的生產 成本。因此，本發明的目的是^t是供一種具有n-v族(或n-iv-v族)化合物接觸 層的半導體發光元件。該具有n-v族(或ii-iv-v族)化合物接觸層的半導體 發光元件可以改善該p型氮化鎵接觸層與該透明導電層之間的歐姆接觸。再者，該具有II-V族(或II-IV-V族)化合物接觸層的半導體發光元件具有較簡易的製造工藝，並且增加了生產上的穩定性。所以，該具有ii-v族(或ii-iv -v族)化合物接觸層的半導體發光元件也具有較低的生產成本。發明內容本發明的目的在於提供一種具有n-v族(或n-iv-v族)化合物接觸層的 半導體發光元件。該具有n-v族(或n-iv-v族)化合物接觸層的半導體發光 元件可以改善該p型氮化鎵接觸層與該透明導電層之間的歐姆接觸。根據本發明優選具體實施例的一種半導體發光元件包括基板(Substrate)、第 一導電類型半導體材料層(Semiconductor material layer)、發光 層(Light-emitting layer)、第一電極(Electrode)、第二導電類型半導體材料層、 II-V族化合物接觸層(II-V group compound contact layer)、透明導電層 (Transparent conductive layer)以及第二電極。該第 一導電類型半導體材料層形 成在該基板上。該發光層形成在該第一導電類型半導體材料層上致使該第一 導電類型半導體材料層的部分區域外露。該第一電極形成在該第一導電類型 半導體材料層的該外露的部分區域上。該第二導電類型半導體材料層形成在該發光層上。該II-V族化合物接觸層形成在該第二導電類型半導體材料層 上。該透明導電層形成在該II-V族化合物接觸層上致使該II-V族化合物接
觸層的部分區域外露。該第二電極形成在該n-v族化合物接觸層的該外露的 部分區域上並且接觸該透明導電層。根據本發明另一優選具體實施例的一種半導體發光元件由上述的該 n-v族化合物接觸層置換成n-iv-v族化合物接觸層所構成。根據本發明優選具體實施例的一種製造半導體發光元件的方法，首先， 準備基板。其次，根據本發明的方法形成第一導電類型半導體材料層在該基 板上。接著，根據本發明的方法形成發光層在該第一導電類型半導體材料層 上致使該第一導電類型半導體材料層的部分區域外露。隨後，根據本發明的 方法形成第一電極在該第一導電類型半導體材料層的該外露的部分區域上。 其次，根據本發明的方法形成第二導電類型半導體材料層在該發光層上。接 著，根據本發明的方法形成n-v族化合物接觸層在該第二導電類型半導體材 料層上。隨後，4艮據本發明的方法形成透明導電層在該n-v族化合物接觸層 上致使該n-v族化合物接觸層的部分區域外露。最後，形成第二電極在該 n-v族化合物接觸層的該外露的部分區域上並且接觸該透明導電層。根據本發明另一優選具體實施例的一種製造半導體發光元件的方法，在 上述步驟中，該n-v族化合物接觸層置換成II-IV-V族化合物接觸層。關於本發明的優點與精神可以通過以下的發明詳述及附圖得到進一步 的了解。
圖i是繪示一種具有n+型反向穿遂層的發光二極體結構。圖2A至圖2G繪示根據本發明優選具體實施例的製造具有II-V族化合物接觸層的半導體發光元件的方法。圖3是根據本發明優選具體實施例的具有II-V族化合物接觸層的LED 與未具有II-V族化合物接觸層的LED進行電流-電壓(I-V)測試所繪出的圖線。簡單符號說明11:藍寶石絕緣基板 1213: N型氮化鎵接觸層 1415:氮化銦鎵發光層 1617: P型氮化鎵接觸層 18氮化4家緩沖層 N型氮化鋁鎵束縛層 P型氮化鋁鎵束綽層 18n+型反向穿遂層19透明導電層21:第一電相_22第二電極31:基板32第一導電類型半導體材料層33:發光層34第二導電類型半導體材料層35: II-V族化合物接觸層36透明導電層37:第一電極38第二電極具體實施方式
請參閱圖2A至圖2G。圖2A至圖2G是繪示根據本發明優選具體實施 例的製造半導體發光元件的方法。首先，如圖2A所示，根據本發明的優選具體實施例的方法是製備基板 31,並且形成第 一導電類型半導體材料層32在該基板31上。在具體實施例中，該基板31的材料可以是矽(Si)、氮化鎵(GaN)、氮化 鋁(A1N)、藍寶石(Sapphire)、尖晶石(Spinnel)、碳化矽(SiC)、砷化鎵(GaAs)、 三氧化二鋁(Ah03)、 二氧化鋰鎵(LiGa02)、 二氧化鋰鋁(LiA102)或者四氧化 鎂二鉛(MgAl204)。在具體實施例中，該第一導電類型半導體材料層32由氮化鎵(GaN)材料所形成。在具體實施例中，該第一導電類型是N型。其次，如圖2B所示，根據本發明優選具體實施例的方法形成發光層33 在該第一導電類型半導體材料層32上致使該第一導電類型半導體材料層32 的部分區域外露。在具體實施例中，該發光層33的材料可以是氮化銦鎵(InGaN)、氮化鋁 鎵(AlGaN)或者砷化銦鎵(InGaAs)。隨後，如圖2C所示，根據本發明優選具體實施例的方法形成第一電極 37在該第一導電類型半導體材料層32的該外露的部分區域上。接著，如圖2D所示，根據本發明優選具體實施例的方法形成第二導電 類型半導體材料層34在該發光層33上。在具體實施例中，該第二導電類型半導體材料層34由氮化鎵材料所形成。在具體實施例中，該第二導電類型是P型。
其次，如圖2E所示，4艮才居本發明優選具體實施例的方法形成II-V族化 合物接觸層35在該第二導電類型半導體材料層34上。在具體實施例中，該II-V族化合物接觸層35的材料表示成化學式為 MxNy,其中l《x《3, l<y<3，並且x和y為摩爾數(Molar number)。在具體實施例中，該II-V族化合物接觸層35內的II族化學元素可以是 鋅(Zn)、鈹(Be)、鎂(Mg)、 4丐(Ga)、鍶(Sr)、鋇(Ba)或者鐳(Ra)，並且該II-V 族化合物接觸層35內的V族化學元素可以是氮(N)、磷(P)、砷(As)、銻(Sb) 或者鉍(Bi)。
在具體實施例中，該II-V族化合物接觸層35的厚度範圍是從0.5埃 (Angstroms)至500埃。在具體實施例中，該II-V族化合物接觸層35在從400。C至1100。C的溫度範圍內形成。隨後，如圖2F所示，根據本發明優選具體實施例的方法形成透明導電 層36在該II-V族化合物接觸層上致使該II-V族化合物接觸層35的部分區 域外露。
在具體實施例中，該透明導電層36的材料可以是鎳/金(Ni/Au)、銦錫氧 化物(ITO)、 CTO、 TiWn、三氧化二銦(111203)、 二氧化錫(Sn02)、氧化鎘(CdO)、 氧化鋅(ZnO)、 二氧化銅鈣(CuGa02)或者二氧化鍶二銅(SrCu202)。
最後，如圖2G所示，根據本發明優選具體實施例的方法形成第二電極 38在該n-V族化合物接觸層35的該外露的部分區域上並且接觸該透明導電 層36。
根據本發明另一優選具體實施例的一種製造半導體發光元件的方法，在 上述步驟中該II-V族化合物接觸層置換成II-IV-V族化合物接觸層。例如， 該II-IV-V族化合物接觸層的材料可以是二氮化鎂矽(MgSiN2)。
請再參閱圖2G。圖2G是根據本發明優選具體實施例的半導體發光元件 的截面視圖。
根據本發明優選具體實施例的半導體發光元件包括基板31 、第一導電類 型半導體材料層32、發光層33、第一電極37、第二導電類型半導體材料層 34、 1I-V族化合物接觸層35、透明導電層36以及第二電極38。 該第一導電類型半導體材料層32形成在該基板31上。 在具體實施例中，該基板31的材料可以是矽、氮化鎵、氮化鋁、藍寶
石、尖晶石、碳化矽、砷化鎵、三氧化二鋁、二氧化鋰鎵、二氧化鋰鋁或者 四氧化鎂二鋁。在具體實施例中，該第一導電類型半導體材料層32由氮化鎵材料所形成。在具體實施例中，該第一導電類型是N型。該發光層33形成在該第 一導電類型半導體材料層32上致使該第 一導電 類型半導體材料層32的部分區域外露。在具體實施例中，該發光層33的材料可以是氮化銦鎵、氮化鋁鎵或者 砷化銦鎵。該第一電極37形成在該第一導電類型半導體材料層32的該外露的部分 區域上。該第二導電類型半導體材料層34形成在該發光層33上。 在具體實施例中，該第二導電類型半導體材料層34由氮化鎵材料所形成。在具體實施例中，該第二導電類型是P型。該II-V族化合物接觸層35形成在該第二導電類型半導體材料層34上。在具體實施例中，該II-V族化合物接觸層35的材料表示成化學式為 MxNy,其中1《x《3， l《y<3，並且x和y為摩爾悽t。在具體實施例中，該II-V族化合物接觸層35內的II族化學元素可以是 鋅、鈹、鎂、4丐、鍶、鋇或者鐳，並且該II-V族化合物接觸層35內的V族 化學元素可以是氮、磷、砷、銻或者鉍。在具體實施例中，該II-V族化合物接觸層35的厚度範圍是從0.5埃至 500埃。在具體實施例中，該II-V族化合物接觸層35在從4O0°C至1IOCTC的溫 度範圍內形成。該透明導電層36形成在該II-V族化合物接觸層35上致使該II-V族化 合物接觸層35的部分區域外露。在具體實施例中，該透明導電層36的材料可以是鎳/金、銦錫氧化物、 CTO、 TiWn、三氧化二銦、二氧化錫、氧化鎘、氧化鋅、二氧化銅鈣或者二 氧化鍶二銅。該第二電極38形成在該II-V族化合物接觸層35的該外露的部分區域上
並JU妾觸該透明導電層36。根據本發明另一優選具體實施例的一種半導體發光元件，在上述結構中，該n-v族化合物接觸層置換成ii-iv-v族化合物接觸層。例如，該ii-iv-V族化合物接觸層的材料可以是二氮化鎂矽(MgSiN。。衝艮據J. Phys: Condens. Matter 11(1999)中 Ab initio band structure calculations of Mg3N2 and MgSiN2該篇論文內的實驗結果證明二氮化三4美 (MgsN2)的能隙(Energygap)約為2.8eV，而該二氮化鎂矽(MgSiN2)的能隙約為 4.8eV。該二氮化三鎂和該二氮化鎂矽能隙寬度接近氮化銦鎵能隙寬度，所 以有助於降低該P型氮化鎵接觸層與該透明導電層之間的電阻值。請參閱圖3,圖3是根據本發明優選具體實施例的具有II-V族化合物接 觸層的LED與未具有II-V族化合物接觸層的LED進行電流-電壓(I-V)測試 所繪出的圖線。該具有II-V族化合物接觸層的LED的II-V族化合物接觸層 由阿摩尼亞與鎂反應而成，並且該II-V族化合物接觸層的材料是二氮化三鎂 (Mg3N2)。如圖3所示，該具有II-V族化合物接觸層的LED比該未具有II-V 族化合物接觸層的LED具有較低的電阻值。另外就技術觀點而言，誠信本 發明所提供的II-V族化合物接觸層可適用於其它未在本專利說明書中所提 及半導體發光元件。顯見地，根據本發明優選具體實施例的具有II-V族(或II-IV-V族)化合 物接觸層的半導體發光元件可以改善該P型氮化鎵接觸層與該透明導電層 之間的歐姆接觸。再者，相比先前技術，該具有II-V族(或II-IV-V族)化合 物接觸層的半導體發光元件具有較簡易的製造工藝，並且增加了生產上的穩 定性。所以，該具有II-V族(或II-IV-V族)化合物接觸層的半導體發光元件也具有較低的生產成本。通過以上優選具體實施例的詳述，希望能更加清楚描述本發明的特徵與 精神，而並非以上述所揭示的優選具體實施例來對本發明的範圍加以限制。 相反地，其目的是希望能涵蓋各種改變及具相等性的安排於本發明所欲申請 的權利要求的範圍內。因此，本發明所申請的權利要求的範圍應該根據上述 的說明作最寬廣的解釋，以致使其涵蓋所有可能的改變以及具相等性的安排。
權利要求
1、一種半導體發光元件，該半導體發光元件包括基板；第一導電類型半導體材料層，該第一導電類型半導體材料層形成在該基板上；發光層，該發光層形成在該第一導電類型半導體材料層上致使該第一導電類型半導體材料層的部分區域外露；第一電極，該第一電極形成在該第一導電類型半導體材料層的該外露的部分區域上；第二導電類型半導體材料層，該第二導電類型半導體材料層形成在該發光層上；II-V族化合物接觸層，該II-V族化合物接觸層形成在該第二導電類型半導體材料層上；透明導電層，該透明導電層形成在該II-V族化合物接觸層上致使該II-V族化合物接觸層的部分區域外露；和第二電極，該第二電極形成在該II-V族化合物接觸層的該外露的部分區域上並且接觸該透明導電層。
2、 如權利要求1所述的半導體發光元件，其中該基板由選自由矽、氮 化鎵、氮化鋁、藍寶石、尖晶石、碳化矽、砷化鎵、三氧化二鋁、二氧化鋰 鎵、二氧化鋰鋁以及四氧化鎂二鋁所組成的群組中的一種材料所形成。
3、 如權利要求1所述的半導體發光元件，其中該第一導電類型半導體 材料層和該第二導電類型半導體材料層分別由氮化鎵材料所形成。
4、 如權利要求1所述的半導體發光元件，其中該第一導電類型是N型， 並且該第二導電類型是P型。
5、 如權利要求1所述的半導體發光元件，其中該發光層由選自由氮化 銦鎵、氮化鋁鎵以及砷化銦鎵所組成的群組中的一種材料所形成。
6、 如權利要求1所述的半導體發光元件，其中在該II-V族化合物接觸 層內的II族化學元素選自由鋅、鈹、鎂、鈣、鍶、鋇以及鐳所組成的群組中 的一種元素，並且該II-V族化合物接觸層內的V族化學元素選自由氮、磷、 砷、銻以及鉍、所組成的群組中的一種元素。
7、 如權利要求1所述的半導體發光元件，其中該II-V族化合物接觸層 的材料表示成化學式為MxNy，其中l<x<3， l<y<3,並且x和y為摩爾數。
8、 如權利要求1所述的半導體發光元件，其中該II-V族化合物接觸層 的厚度範圍是從0.5埃至500埃。
9、 如權利要求1所述的半導體發光元件，其中該II-V族化合物接觸層 在從400 °C至1100 °C的溫度範圍內形成。
10、 如權利要求1所述的半導體發光元件，其中該透明導電層由選自由 鎳/金、銦錫氧化物、CTO、 TiWn、三氧化二銦、二氧化錫、氧化鎘、氧化 鋅、二氧化銅4丐以及二氧化鍶二銅所組成的群組中的一種材料所形成。
11、 一種製造半導體發光元件的方法，該方法包括下列步驟 準備基板；形成第一導電類型半導體材料層在該基板上；形成發光層在該第一導電類型半導體材料層上致使該第一導電類型半 導體材料層的部分區域外露；形成第一電極在該第一導電類型半導體材料層的該外露的部分區域上； 形成第二導電類型半導體材料層在該發光層上；形成II-V族化合物接觸層在該第二導電類型半導體材料層上；形成透明導電層在該n-v族化合物接觸層上致使該n-v族化合物接觸層的部分區域外露；並且形成第二電極在該n-v族化合物接觸層的該外露的部分區域上並且接 觸該透明導電層。
12、 如權利要求11所述的方法，其中該基板由選自由矽、氮化鎵、氮化鋁、藍寶石、尖晶石、碳化矽、砷化鎵、三氧化二鋁、二氧化鋰鎵、二氧化鋰鋁以及四氧化4美二鋁所組成的群組中的 一種材料所形成。
13、 如權利要求11所述的方法，其中該第一導電類型半導體材料層和 該第二導電類型半導體材料層分別由氮化鎵材料所形成。
14、 如權利要求11所述的方法，其中該第一導電類型是N型，並且該 第二導電類型是P型。
15、 如權利要求11所述的方法，其中該發光層由選自由氮化銦鎵、氮 化鋁鎵以及砷化銦鎵所組成的群組中的 一種材料所形成。
16、 如權利要求11所述的方法，其中在該II-V族化合物接觸層內的II 族化學元素選自由鋅、鈹、鎂、鈣、鍶、鋇以及鐳所組成的群組中的一種元素，並且該II-V族化合物接觸層內的V族化學元素選自由氮、磷、砷、銻以及鉍、所組成的群組中的 一種元素。
17、 如權利要求ii所述的方法，其中該n-v族化合物接觸層的材料表示成化學式為MxNy，其中1《x《3, l《y《3,並且x和y為摩爾數。
18、 如權利要求11所述的方法，其中該II-V族化合物接觸層的厚度範 圍是從0.5埃至500埃。
19、 如權利要求11所述的方法，其中該II-V族化合物接觸層在從400x:至iioo'c的溫度範圍內形成。
20、 如權利要求11所述的方法，其中該透明導電層由選自由鎳/金、銦 錫氧化物、CTO、 TiWn、三氧化二銦、二氧化錫、氧化鎘、氧化鋅、二氧化 銅4丐以及二氧化鍶二銅所組成的群組中的 一種材料所形成。
21、 一種半導體發光元件，該半導體發光元件包括 基板；第 一導電類型半導體材料層，該第 一導電類型半導體材料層形成在該基 板上；發光層，該發光層形成在該第一導電類型半導體材料層上致使該第一導 電類型半導體材料層的部分區域外露；第一電極，該第一電極形成在該第一導電類型半導體材料層的該外露的 部分區域上；第二導電類型半導體材料層，該第二導電類型半導體材料層形成在該發 光層上；II-IV-V族化合物接觸層，該II-IV-V族化合物接觸層形成在該第二導電類型半導體材料層上；透明導電層，該透明導電層形成在該n-iv-v族化合物接觸層上致使該 n-iv-v族化合物接觸層的部分區域外露；和第二電極，該第二電極形成在該n-iv-v族化合物接觸層的該外露的部 分區域上並且接觸該透明導電層。
22、 如權利要求21所述的半導體發光元件，其中該基板由選自由矽、氮化鎵、氮化鋁、藍寶石、尖晶石、碳化矽、砷化鎵、三氧化二鋁、二氧化鋰^家、二氧化鋰鋁以及四氧化鎂二鋁所組成的群組中的一種材料所形成。
23、 如權利要求21所述的半導體發光元件，其中該第一導電類型半導 體材料層和該第二導電類型半導體材料層分別由氮化鎵材料所形成。
24、 如權利要求21所述的半導體發光元件，其中該第一導電類型是N 型，並且該第二導電類型是P型。
25、 如權利要求21所述的半導體發光元件，其中該發光層由選自由氮 化銦鎵、氮化鋁鎵以及砷化銦鎵所組成的群組中的一種材料所形成。
26、 如權利要求21所述的半導體發光元件，其中在該II-IV-V族化合物 接觸層內的II族化學元素選自由鋅、鈹、鎂、4丐、鍶、鋇以及鐳所組成的群 組中的一種元素，該II-IV-V族化合物接觸層內的IV族化學元素選自由碳、 矽、鍺、錫以及鉛所組成的群組中的一種元素，並且該II-IV-V族化合物接 觸層內的V族化學元素選自由氮、磷、砷、銻以及敘所組成的群組中的一種 元素。
27、 如權利要求21所述的半導體發光元件，其中該II-IV-V族化合物接 觸層的材料表示成化學式為MxNyOz,其中l《x《3, l《y《3, 1《z《3並 且x、 y及z為摩爾數。
28、 如權利要求21所述的半導體發光元件，其中該II-IV-V族化合物接 觸層的厚度範圍是從0.5埃至500埃。
29、 如權利要求21所述的半導體發光元件，其中該II-IV-V族化合物接 觸層在從400。C至IIO(TC的溫度範圍內形成。
30、 如權利要求21所述的半導體發光元件，其中該透明導電層由選自 由鎳/金、銦錫氧化物、CTO、 TiWn、三氧化二銦、二氧化錫、氧化鎘、氧 化鋅、二氧化銅鈣以及二氧化鍶二銅所組成的群組中的一種材料所形成。
31、 一種製造半導體發光元件的方法，該方法包括下列步驟 準備基板；形成第 一導電類型半導體材料層在該基板上；形成發光層在該第 一導電類型半導體材料層上致使該第 一導電類型半 導體材料層的部分區域外露；形成第一電極在該第一導電類型半導體材料層的該外露的部分區域上；形成第二導電類型半導體材料層在該發光層上；形成II-IV-V族化合物接觸層在該第二導電類型半導體材料層上；形成透明導電層在該n-iv-v族化合物接觸層上致使該n-iv-v族化合物接觸層的部分區域外露；並且形成第二電極在該n-iv-v族化合物接觸層的該外露的部分區域上並且 接觸該透明導電層。
32、 如權利要求31所述的半導體發光元件，其中該基板由選自由矽、氮化鎵、氮化鋁、藍寶石、尖晶石、碳化矽、砷化鎵、三氧化二鋁、二氧化 鋰鎵、二氧化鋰鋁以及四氧化鎂二鋁所組成的群組中的一種材料所形成。
33、 如權利要求31所述的半導體發光元件，其中該第一導電類型半導 體材料層和該第二導電類型半導體材料層分別由氮化鎵材料所形成。
34、 如權利要求31所述的半導體發光元件，其中該第一導電類型是N 型，並且該第二導電類型是P型。
35、 如權利要求31所述的半導體發光元件，其中該發光層由選自由氮 化銦鎵、氮化鋁鎵以及砷化銦鎵所組成的群組中的一種材料所形成。
36、 如權利要求31所述的半導體發光元件，其中在該II-IV-V族化合物 接觸層內的II族化學元素選自由鋅、鈹、鎂、4丐、鍶、鋇以及鐳所組成的群 組中的一種元素，該II-IV-V族化合物接觸層內的IV族化學元素選自由碳、 矽、鍺、錫以及鉛所組成的群組中的一種元素，並且該II-IV-V族化合物接 觸層內的V族化學元素選自由氮、磷、砷、銻以及鉍所組成的群組中的一種 元素。
37、 如權利要求31所述的半導體發光元件，其中該II-IV-V族化合物接 觸層的材料表示成化學式為MxNyOz,其中l《x《3, l《y《3， 1《z《3並 且x、 y及z為摩爾數。
38、 如權利要求31所述的半導體發光元件，其中該II-IV-V族化合物接 觸層的厚度範圍是從0.5埃至500埃。
39、 如權利要求31所述的半導體發光元件，其中該II-IV-V族化合物接 觸層在從400。C至IIO(TC的溫度範圍內形成。
40、 如權利要求31所述的半導體發光元件，其中該透明導電層由選自 由鎳/金、銦錫氧化物、CTO、 TiWn、三氧化二銦、二氧化錫、氧化鎘、氧 化鋅、二氧化銅鈣以及二氧化鍶二銅所組成的群組中的一種材料所形成。
全文摘要
本發明提供一種具有II-V族(或II-IV-V族)化合物接觸層的半導體發光元件及其製造方法。根據本發明的優選具體實施例的半導體發光元件包括基板、第一導電類型半導體材料層、發光層、第一電極、第二導電類型半導體材料層、II-V族(或II-IV-V族)化合物接觸層、透明導電層和第二電極。該II-V族(或II-IV-V族)化合物接觸層的存在改善了該第二導電類型半導體材料層和該透明導電層之間的歐姆接觸。
文檔編號H01L33/00GK101127378SQ200610110828
公開日2008年2月20日 申請日期2006年8月15日 優先權日2006年8月15日
發明者李玉柱, 蔡宗良, 蔡炯棋 申請人:廣鎵光電股份有限公司