GaN襯底的儲存方法、儲存的襯底、和半導體器件及其製造方法

2023-05-20 01:54:56

專利名稱：GaN襯底的儲存方法、儲存的襯底、和半導體器件及其製造方法
技術領域：
本發明涉及用於製造半導體器件的GaN襯底的儲存方法、通過該儲存方法儲存的GaN襯底、在該GaN襯底上至少形成單薄層半導體層的半導體器件、和製造這種半導體器件的方法。
背景技術：
在發光二極體(LED)、雷射二極體(LD)和其它半導體器件中廣泛地使用GaN襯底。
在這種使用的GaN襯底中，製造這些襯底的工藝一般和採用製造的GaN襯底來製造半導體器件的工藝分開，這意味著製造的GaN襯底要儲存一段固定的時間周期，然後才能用於生產半導體器件。因此，到目前為止，已經提出了多種容納和儲存製造的GaN襯底的方法。(例如，參考文獻日本未審查的專利申請公開2000-355392)。
然而，利用這些常規的GaN襯底儲存方法，因為GaN襯底容納和儲存在新鮮空氣氣氛中，由於長期儲存，GaN襯底的表面氧化了，這抑制了製造具有有利性能的半導體器件。

發明內容
本發明致力於解決這個問題，並且本發明的目的是獲得儲存可以製造有利性能的半導體器件的GaN襯底的方法，通過該儲存方法儲存的GaN襯底，在該GaN襯底上至少形成單薄層(single-lamina)半導體層的半導體器件，和製造這種半導體器件的方法。
本發明的一個方面是在具有18vol.％或以下的氧濃度和/或25g/m3或以下的水蒸汽濃度的氣氛下儲存GaN襯底的方法。
在涉及本發明的GaN襯底儲存方法中，可以使氧濃度為5vol.％或以下，和/或使水蒸汽濃度為17g/m3或以下。
另外，在通過涉及本發明的儲存方法儲存的GaN襯底中，可以使其第一主表面的表面粗造程度Ra為20nm或以下，同時使其第二主表面的表面粗造程度Ra為20μm或以下。同樣，第一主表面的粗造程度Ra可以達到5nm或以下，同時第二主表面的粗造程度Ra可以達到10μm或以下。
此外，在涉及本發明的GaN襯底儲存方法中，可以使由GaN襯底主表面和(0001)面形成的偏軸角，在 方向上在0.05°和2°之間，端點包括在內；在 方向上在0°和1°之間，端點包括在內。同樣，該偏軸角，在 方向上，在0.1°和0.8°之間，端點包括在內；在 方向上，在0°和0.6°之間，端點包括在內。這裡，「主表面」意指第一主表面和第二主表面兩個。
本發明的另一方面是通過上述的儲存方法儲存的GaN襯底。本發明的再一個方面是一種半導體器件，其中在通過該儲存方法儲存的GaN襯底的第一主表面上至少形成單薄層半導體層。本發明的又一個方面是一種半導體器件製造方法，該方法包括選擇通過該儲存方法儲存的GaN襯底作為基底、以在GaN襯底第一主表面上至少生長單薄層半導體層的步驟。
本發明提供一種儲存能夠製造有利特性的半導體器件的GaN襯底的方法，並提供一種通過該儲存方法儲存的GaN襯底，在GaN襯底上至少形成單薄層半導體層的半導體器件，和製造這種半導體器件的方法。
結合附圖，由下面的詳細描述，本發明的上述的和其它的目的、特徵和優點對於本領域的技術人員更容易明白。


圖1是示出涉及本發明的GaN襯底儲存方法的一個實施例的示意圖；圖2是描繪涉及本發明的半導體器件製造方法的一個實施例的示意圖；和圖3是表示在用來儲存GaN襯底的氣氛中氧和水蒸汽濃度之間的關係和半導體器件的性質的圖。
具體實施例方式
實施例模式1涉及本發明的GaN襯底儲存方法的特徵在於GaN襯底儲存在氧濃度為18vol.％或以下和/或水蒸汽濃度為25g/m3或以下的氣氛中。
在氧濃度為18vol.％或以下和/或水蒸汽濃度為25g/m3或以下的氣氛中儲存GaN襯底能抑制GaN襯底表面的氧化，使得能夠製造有利特性的半導體器件。從這一點看，氧濃度優選為5vol.％或以下，和/或水蒸汽濃度為17g/m3或以下，更優選，氧濃度優選為1vol.％或以下，和/或水蒸汽濃度為4g/m3或以下。
這裡，沒有具體限制在用來儲存GaN襯底的氣氛中使氧濃度為18vol.％或以下、和/或使水蒸汽濃度為25g/m3或以下的技術，其中例如可以使用如圖1所示的儲存器件10。儲存器件10提供有進氣線20、進氣閥29、排氣線40和排氣閥41。
在用來儲存GaN襯底的氣氛中，用來將氧濃度減小到不大於18vol.％的技術的實例包括下述技術(稱為「技術A-1」-在下文中同樣)，參考圖1，通過該技術，將GaN襯底1放置在儲存器件10內部，氧濃度為18vol.％或以下的氣體21經由進氣線20和閥29被引入儲存器件10，並且氧濃度高於18vol.％的氣體41經由排氣線40和閥49被排出儲存器件10。也可以通過下述技術(稱為「技術A-2」-在下文中同樣)來減小氧濃度，通過該技術，將氧淨化劑31同GaN襯底1一起放在儲存器件10中。此外，技術A-1和技術A-2可以一前一後協同使用。
這裡，氧濃度為18vol.％或以下的氣體沒有具體限制，但是考慮到不能與GaN襯底的表面產生化學反應，優選氮氣、氬氣或其它氧濃度為18vol.％或以下的惰性氣體。而且，沒有具體限制氧淨化劑，但是考慮到不能與GaN襯底的表面產生化學反應，優選活性鐵氧化物、活性碳等。
此外，在用來儲存GaN襯底的氣氛中，用來將水蒸汽濃度減小到不大於25g/m3的技術的實例包括下述技術(稱為「技術B-1」-在下文中同樣)，參考圖1，通過該技術，將GaN襯底1放置在儲存器件10內部，水蒸汽濃度為25g/m3或以下的氣體22引入儲存器件10，並且水蒸汽濃度高於25g/m3的氣體42排出儲存器件10；並且也包括下述技術(稱為「技術B-2」-在下文中同樣)，通過該技術，將脫水劑32同GaN襯底1一起放在儲存器件10中。另外，技術B-1和技術B-2可以一前一後協同使用。
這裡，水蒸汽濃度為25g/m3或以下的氣體沒有具體限制，但是考慮到不能與GaN襯底的表面產生化學反應，優選氮氣、氬氣或其它的其中作為雜質的水蒸汽濃度為1vol.％或以下的惰性氣體。而且，沒有具體限制脫水劑，但是考慮到不能與GaN襯底的表面產生化學反應，優選矽膠活性碳等。
此外，在用來儲存GaN襯底的氣氛中，使氧濃度為18vol.％或以下並且水蒸汽濃度為25g/m3或以下的技術的實例包括下述技術(稱為「技術C-1」)，通過該技術，將GaN襯底1放置在儲存器件10內部，氧濃度為18vol.％和水蒸汽濃度為25g/m3或以下的氣體23被引入儲存器件10，並且氧的氧濃度高於18vol.％和水蒸汽濃度高於25g/m3的氣體43被排出儲存器件10。另一個這種實例是下述的技術(稱為「技術C-2」)，通過該技術，將氧淨化劑31和脫水劑32同GaN襯底1一起放在儲存器件10中。此外，技術C-1和技術C-2可以一前一後使用。
這裡，氧濃度為18vol.％或以下和水蒸汽濃度為25g/m3或以下的氣體沒有具體限制，但是考慮到不能與GaN襯底的表面產生化學反應，優選氮氣、氬氣或其它的其中氧濃度為18vol.％或以下和水蒸汽濃度為25g/m3或以下的惰性氣體。
另外，沒有具體限制氧濃度的測量，但可以通過溶氧分析儀的方式進行。而且，沒有具體限制水蒸汽濃度的測量，但可以通過電介質滴定測水法(dielectric aquameter)或卡爾費希爾溼氣分析器(KarlFischer moisture analyzer)進行。
此外，儲存GaN襯底的氣氛的溫度沒有具體限制，但是考慮到不能與GaN襯底的表面產生化學反應，優選溫度不大於60℃，更優選不大於40℃。另外，考慮到防止濃縮，優選5℃以上的溫度，更優選至少10℃。
此外，至於通過實施例模式1的儲存方法儲存的GaN襯底，考慮到把在儲存器件內部的氧和/或水蒸汽與GaN襯底表面的反應保持在控制範圍內，並且考慮到減小氧和/或水蒸汽吸收到GaN襯底表面，第一主表面的表面粗造程度Ra優選20nm或以下，並且第二主表面的表面粗造程度Ra優選20μm或以下。從這些點考慮，更優選第一主表面的表面粗造程度Ra是5nm，並且第二主表面的表面粗造程度Ra為10μm。雖然不清楚GaN襯底主表面(意思是第一主表面和第二主表面兩個—在下文中一樣)的表面粗造程度Ra和氧和/或水蒸汽與GaN襯底主表面的反應性和吸收性之間的關係，但是相信由減輕表面粗造程度Ra導致表面積減小是一個影響因素。這裡，「第一主表面」指的是半導體層在其上外延生長的主表面，並且「第二主表面」指的是與第一主表面相反的一側的主表面。此外，「表面粗造程度Ra」表示這樣一個值，其中，沿著其平均平面從地形表面選擇預定基準表面積，並且將從選擇部分的平均平面到側表面的偏離的絕對值相加，並在基準表面積內對該總和求平均值。可以使用非接觸幹涉計或3D-SEM(三維掃描電子測微計)測量該表面粗造程度Ra。
而且關於由實施例模式1的儲存方法儲存的GaN襯底，考慮到把在儲存器件內的氧和/或水蒸汽與GaN襯底表面反應保持在控制範圍內，並考慮到減少氧和/或水蒸汽被吸收到GaN襯底表面中，由GaN襯底主表面和(0001)面形成的偏軸角在 方向上優選在0.05°和2°之間，端點包含在內；以及在 方向上優選在0°和1°之間，端點包含在內。從這一點看，更優選偏軸角在 方向上在0.1°和0.8°之間，端點包含在內；以及在 方向上優選在0°和0.6°之間，端點包含在內。儘管不清楚由GaN襯底主表面和(0001)面形成的偏軸角與氧和/或水蒸汽與GaN襯底主表面的反應和吸收率之間的關係，但是由於取向錯誤的存在造成的可能與氧和/或水蒸汽結合的GaN襯底主表面的位置數的變化被認為是一個有關的影響因素。由GaN襯底主表面和(0001)面形成的偏軸角可以由XRD(X射線衍射)測量。
應當認為，在實施例模式1中，參考圖1，在本發明對容納GaN襯底1中的儲存器件1內部的氣氛施加影響的儲存條件(例如，氧濃度為18vol.％或以下和/或水蒸汽為25g/m3或以下)下，可以通過將GaN襯底1密封到把氧和水蒸汽排除在外的(未示例)儲存容器(例如，袋，例如鋁袋)中來儲存GaN襯底1。而且，可以將密封地封存在儲存容器中的GaN襯底取出儲存器件1並儲存。
實施例模式2如圖2所示，在根據本發明的半導體器件中，在由實施例模式1的儲存方法儲存的GaN襯底的第一主表面上至少形成單薄層半導體層210。另外，根據本發明的半導體器件製造方法包括選擇由實施例模式1的儲存方法儲存的GaN襯底作為基底、以在GaN襯底1上至少生長單薄層半導體層210的步驟。
防止由實施例模式1的儲存方法儲存的GaN襯底表面氧化，由此通過在GaN襯底上生長至少單薄層半導體層210可以獲得具有有利性能的半導體器件。
對生長在GaN襯底上的半導體層沒有特別的限制，但鑑於晶格非常同格的事實，優選AlxGayIn1-x-yN(0≤x，0≤y，x+y≤1)和其它III族氮化物層。而且，對生長半導體層的技術沒有特別的限制，但考慮到消除半導體層外延地生長到GaN襯底上，優選使用例如氫化物汽相外延(HVPE)、金屬有機化學汽相沉積(MOCVD)或分子束外延(MBE)的技術。
更具體地，如圖2所示，在該實施例模式的半導體器件200中，在GaN襯底1上連續形成n型GaN薄層211、In0.2Ga0.8N薄層212、Al0.2Ga0.8N薄層213和p型GaN薄層214作為半導體層210，另外在GaN襯底1的底側(上面未形成半導體層210的面)上形成n側電極221，並在p-GaN層214的頂側上形成p側電極222，其中發出光230。
實施例將基於以下的實施例和對比示例更具體地說明根據本發明的GaN襯底儲存方法和半導體器件，包括選擇由該儲存方法儲存的GaN襯底以在GaN襯底上至少生長單薄層半導體層的步驟。
對比示例1如圖1所示，將通過HVPE生長的400μm厚和50.8mm直徑的、具有第一主表面和第二主表面的GaN襯底1封裝在儲存器件10中，並通過進氣線20和進氣閥29將具有20vol.％的氧濃度和30g/m3的水蒸汽濃度的氮-氧氣體混合物引入到儲存器件10中，並通過排氣線40和排氣閥49從儲存器件10排出具有較高氧和水蒸汽濃度的氣體，以在儲存器件10的內部氣氛中使氧濃度達到20vol.％和水蒸汽濃度達到30g/m3，其中該第一主表面的表面粗糙度Ra為33nm，第二主表面的表面粗糙度為32.1μm，主表面和(0001)面形成偏軸角，在 方向上為2.5°，在 方向上為1.2°。在儲存器件10中，GaN襯底被放入晶片盤(未示例)中，然後與晶片盤一起，被密封到鋁袋(未示例)中然後在35℃被儲存六個月。
接下來，如圖2所示，通過MOCVD在前述條件下儲存了六個月的GaN襯底1上連續生長5μm厚n-GaN薄層211、3nm厚的In0.2Ga0.8N薄層212、60nm厚Al0.2Ga0.8N薄層213、和150nm厚的p-GaN薄層214，作為半導體層210。隨後，在p-GaN層24的頂側上形成了100-nm厚的p電極222，然後在GaN襯底的底側(上面沒有形成半導體層210的面)的中心，形成了100nm厚×80μm直徑的n電極221，並將襯底切割成500μm×500μm尺寸的晶片，以得到作為半導體器件200的LED。利用分光測光儀測量了對比示例1的LED在450nm峰值波長的發光強度，並使10個LED的平均發光強度為1，還獲得了以下的對比示例2和實施例1至9的LED的相對發光強度。結果列於表中。
對比示例2如圖1所示，將通過HVPE生長的400μm厚和50.8mm直徑的、具有第一主表面和第二主表面的GaN襯底1封裝在儲存器件10中，然後通過進氣線20和進氣閥29將具有20vol.％的氧濃度和30g/m3的水蒸汽濃度的氮-氧氣體混合物引入到儲存器件10中，並通過排氣線40和排氣閥49從儲存器件10排出具有較高氧和水蒸汽濃度的氣體，以使氧和水蒸汽濃度在儲存器件10的內部氣氛中分別達到20vol.％和30g/m3，其中該第一主表面的表面粗糙度Ra為17nm，第二主表面的表面粗糙度為15μm，主表面和(0001)面在 方向上形成1.1°的偏軸角，以及在 方向上形成0.8°的偏軸角。GaN襯底被放入儲存器件10內部的晶片盤(未示例)中，並與晶片盤一起，被密封到鋁袋(未示例)中然後被在35℃儲存六個月。之後，以與對比示例1相同的方式形成作為半導體器件的LED。相比對比示例1的LED的相對發光強度1.0，由此製造的LED的相對發光強度為1.01。結果示於表中。
實施例1除了將氧濃度為18vol.％和水蒸汽濃度為25g/m3的氮-氧氣體混合物引入儲存器件10以使儲存器件內部氣氛中的氧和水蒸汽的濃度分別達到18vol.％和25g/m3之外，以與對比示例1相同的方式，儲存具有與對比示例1相同的表面粗造程度Ra和相同的偏軸角的GaN襯底，並製造作為半導體器件的LED。同對比示例1的LED的相對發光強度1.0相比，由此製造的LED的相對發光強度為1.05。在表中列出了結果。
實施例2除了要被儲存的GaN襯底具有表面粗造程度Ra為17nm的第一主表面和表面粗造程度Ra為15μm的第二主表面之外，並且除了由這些主表面和(0001)面形成的偏軸角在 方向上為2.5°以及在 方向上為1.2°之外，在與實施例1相同的條件下，儲存GaN襯底，並製造作為半導體器件的LED。同對比示例1的LED的相對發光強度1.0相比，由此製造的LED的相對發光強度為1.05。在表中列出了結果。
實施例3除了要被儲存的GaN襯底具有表面粗造程度Ra為33nm的第一主表面和表面粗造程度為32.1μm的第二主表面之外，並且除了通過這些主表面和(0001)面形成的偏軸角在 方向上為1.1°以及在 方向上為0.8°之外，在與實施例1相同的條件下，儲存GaN襯底，並製造作為半導體器件的LED。同對比示例1的LED的相對發光強度1.0相比，由此製造的LED的相對發光強度為1.12。在表中列出了結果。
實施例4除了GaN襯底具有表面粗造程度Ra為17nm的第一主表面和表面粗造程度為15μm的第二主表面，以及通過這些主表面和(0001)面形成的偏軸角在 方向上為1.1°以及在 方向上為0.8°之外，以及除了將氧濃度為3vol.％和水蒸汽濃度為12g/m3的氮-氧氣體混合物引入儲存器件以使儲存器件內部氣氛中的氧和水蒸汽的濃度分別達到3vol.％和12g/m3之外，用與對比示例1相同的方式，儲存GaN襯底，並製造作為半導體器件的LED。同對比示例1的LED的相對發光強度1.0相比，由此製造的LED的相對發光強度為1.15。在表中列出了結果。
實施例5除了GaN襯底具有表面粗造程度Ra為2nm的第一主表面和表面粗造程度Ra為2.4μm的第二主表面，以及這些主表面和(0001)面形成的偏軸角在 方向上為0.5°以及在 方向上為0.2°之外，以及除了將氧濃度為0.6vol.％和水蒸汽濃度為1g/m3的氮-氧氣體混合物引入儲存器件以使儲存器件內部氣氛中的氧達到0.6vol.％和使水蒸汽的濃度達到1g/m3之外，用與對比示例1相同的方式，儲存GaN襯底，並製造作為半導體器件的LED。同對比示例1的LED的相對發光強度1.0相比，由此製造的LED的相對發光強度為1.19。在表中列出了結果。
實施例6除了GaN襯底具有表面粗造程度Ra為2nm的第一主表面和表面粗造程度Ra為2.4μm的第二主表面，以及這些主表面和(0001)面形成的偏軸角在 方向上為0.5°以及在 方向上為0.2°之外，以及除了將氧濃度為0.6vol.％和水蒸汽濃度為30g/m3的氮-氧氣體混合物引入儲存器件以使儲存器件內部氣氛中的氧達到0.6vol.％和使水蒸汽的濃度達到30g/m3之外，用與對比示例1相同的方式，儲存GaN襯底，並製造作為半導體器件的LED。同對比示例1的LED的相對發光強度1.0相比，由此製造的LED的相對發光強度為1.09。在表中列出了結果。
實施例7除了GaN襯底具有表面粗造程度Ra為2nm的第一主表面和表面粗造程度Ra為2.4μm的第二主表面，以及這些主表面和(0001)面形成的偏軸角在 方向上為0.5°以及在 方向上為0.2°之外，以及除了將氧濃度為20vol.％和水蒸汽濃度為1g/m3的氮-氧氣體混合物引入儲存器件以使儲存器件內部氣氛中的氧達到20vol.％和使水蒸汽的濃度達到1g/m3之外，用與對比示例1相同的方式，儲存GaN襯底，並製造作為半導體器件的LED。同對比示例1的LED的相對發光強度1.0相比，由此製造的LED的相對發光強度為1.12。在表中列出了結果。
實施例8除了GaN襯底具有表面粗造程度Ra為2nm的第一主表面和表面粗造程度Ra為2.4μm的第二主表面，以及這些主表面和(0001)面形成的偏軸角在 方向上為0.1°以及在 方向上為0.05°之外，以及除了將氧濃度為0.6vol.％和水蒸汽濃度為1g/m3的氮-氧氣體混合物引入儲存器件以使儲存器件內部氣氛中的氧濃度達到0.6vol.％和使水蒸汽的濃度達到1g/m3之外，用與對比示例1相同的方式，儲存GaN襯底，並製造作為半導體器件的LED。同對比示例1的LED的相對發光強度1.0相比，由此製造的LED的相對發光強度為1.19。在表中列出了結果。
實施例9除了GaN襯底具有表面粗造程度Ra為2nm的第一主表面和表面粗造程度Ra為2.4μm的第二主表面，以及這些主表面和(0001)面形成的偏軸角在 方向上為0.7°以及在 方向上為0.6°之外，以及除了將氧濃度為0.6vol.％和水蒸汽濃度為1g/m3的氮-氧氣體混合物引入儲存器件以使儲存器件內部氣氛中的氧濃度達到0.6vol.％和使水蒸汽的濃度達到1g/m3之外，用與對比示例1相同的方式，儲存GaN襯底，並製造作為半導體器件的LED。同對比示例1的LED的相對發光強度1.0相比，由此製造的LED的相對發光強度為1.19。在表中列出了結果。

表中的結果概括於圖3中。圖3是對比示例1和2(白圓點)和實施例1至9(黑圓點)在橫軸代表氧濃度(vol.％)和縱軸代表水蒸汽濃度(g/cm3)的坐標內的圖表。數字值在每個點都表示對比示例1和2和實施例1至9的LED的任何一個的相對發光強度。
如從表和圖3中的對比示例1、2和實施例1至9清楚看到的，相比於在被儲存於氧濃度大於18vol.％和水蒸汽濃度大於25g/m3的氣氛中的GaN襯底上至少形成單薄層半導體層的情形，在被儲存於氧濃度為18vol.％或以下和/或水蒸汽濃度為25g/m3或以下的氣氛中的GaN襯底上至少形成單薄層半導體層的半導體器件顯示出了改進的性質。另外，如從實施例4至9清楚看到的，在用於儲存GaN襯底的氣氛中使氧濃度不大於5vol.％和水蒸汽濃度不大於17g/m3改進了半導體器件特性。而且，具有GaN襯底的第一主表面的表面粗糙度為20nm或以下，GaN襯底的第二主表面的表面粗糙度Ra為20μm或以下，以及由GaN襯底的主表面和(0001)面形成的偏軸角，在 方向上在0.05°和2°之間，端點包括在內；以及在 方向上在0°和1°之間，端點包括在內，改進了半導體器件性質。
儘管在前述實施例和對比示例中，GaN襯底儲存6個月作為儲存期限，但已經證明如果儲存期限在6個月以下或超過6個月，也會獲得相同的優點。
在前公開的實施例和實現實例在所有的方面都應當認為是示例性的和非限制性的。本發明的範圍不是由前述的說明書所表示的，而是由專利權利要求書的範圍所表示的，並且意在包括等效於專利權利要求書所限定的範圍的各等效物以及在該範圍內的各種修改。
權利要求
1.一種儲存GaN襯底的方法，包括在具有18vol.％或以下的氧濃度和/或25g/m3或以下的水蒸汽濃度的氣氛下儲存GaN襯底的步驟。
2.如權利要求1所述的GaN襯底儲存方法，其中所述氧濃度為5vol.％或以下，和/或所述水蒸汽濃度為17g/m3或以下。
3.如權利要求1所述的GaN襯底儲存方法，其中在所述GaN襯底上第一主表面的表面粗糙度Ra為20nm或以下，並且在所述GaN襯底上第二主表面的表面粗糙度Ra為20μm或以下。
4.如權利要求3所述的GaN襯底儲存方法，其中第一主表面的表面粗糙度Ra為5nm或以下，並且第二主表面的表面粗糙度Ra為10μm或以下。
5.如權利要求1所述的GaN襯底儲存方法，其中由所述GaN襯底上的主表面和它的(0001)面形成的偏軸角在1 00方向上是在0.05°和2°之間，端點包括在內；以及在11 0方向上是在0°和1°之間，端點包括在內。
6.如權利要求5所述的GaN襯底儲存方法，其中所述偏軸角在1 00方向上是在0.1°和0.8°之間，端點包括在內；以及在11 0方向上是在0°和0.6°之間，端點包括在內。
7.一種由權利要求1所述的儲存方法儲存的GaN襯底。
8.一種由權利要求3所述的儲存方法儲存的GaN襯底。
9.一種由權利要求5所述的儲存方法儲存的GaN襯底。
10.一種半導體器件，其中，在根據權利要求7所述的GaN襯底的第一主表面上至少形成單薄層半導體層。
11.一種半導體器件，其中，在根據權利要求8所述的GaN襯底的第一主表面上至少形成單薄層半導體層。
12.一種半導體器件，其中，在根據權利要求9所述的GaN襯底的第一主表面上至少形成單薄層半導體層。
13.一種半導體器件的製造方法，包括選擇根據權利要求7所述的GaN襯底作為基底以在GaN襯底的第一主表面上至少生長單薄層半導體層的步驟。
14.一種半導體器件的製造方法，包括選擇根據權利要求8所述的GaN襯底作為基底以在GaN襯底的第一主表面上至少生長單薄層半導體層的步驟。
15.一種半導體器件的製造方法，包括選擇根據權利要求9所述的GaN襯底作為基底以在GaN襯底的第一主表面上至少生長單薄層半導體層的步驟。
全文摘要
提供一種可以用於製造有利性能的半導體器件的儲存GaN襯底的方法、儲存的襯底、和半導體器件以及製造該半導體器件的方法。在GaN襯底儲存方法中，GaN襯底(1)儲存在具有18vol.％或以下的氧濃度和/或12g/m
文檔編號H01L21/02GK101090062SQ200710110168
公開日2007年12月19日 申請日期2007年6月14日 優先權日2006年6月14日
發明者井尻英幸, 中畑成二 申請人:住友電氣工業株式會社