分段式天線組件的製作方法
2023-05-19 21:05:31 3
分段式天線組件的製作方法
【專利摘要】一種用於等離子體增強式化學氣相沉積(Plasma?Enhanced?Chemical?Vapor?Deposition，PECVD)裝置的分段式天線組件。於一實施例中，所述裝置包括具有上表面及下表面的處理室體、天線以及電介質層。天線包括第一段、第二段以及第三段。第二段電耦接於第一段，並延伸通過處理室體的內部空間。第三段電耦接於第二段。電介質層設置於所述第二段的外徑的周圍。
【專利說明】分段式天線組件
【技術領域】
[0001]本發明的實施例一般地關於一種用於等離子體增強式化學氣相沉積(PlasmaEnhanced Chemical Vapor Deposit1n, PECVD)裝置的天線。
【背景技術】
[0002]化學氣相沉積(Chemical Vapor Deposit1n, CVD)是一工藝，通過這個工藝，化學前驅物(precursors)被引入處理室中，進行化學反應以形成預定的化合物或材料,並將化合物或材料沉積於處理室中的基板上。等離子體增強式化學氣相沉積(Plasma EnhancedChemical Vapor Deposit1n, PECVD)是一種通過激發處理室中的等離子體以增強前驅物間的反應的工藝。
[0003]PECVD工藝可用於處理大面積基板，例如，平板顯示器或太陽能面板。PECVD也工藝也可用於沉積層，例如用於電晶體的矽基薄膜。一般來說，當基板尺寸增大，則處理室中的部件尺寸也必須增大。然而就大面積基板來說，維護及保養處理室中用以激發等離子體的射頻(rad1 frequency, RF)硬體是相當麻煩的。舉例來說，在傳統的系統中，等離子體源通常包括跨越處理室高度的微波天線。此外，這種天線會和多個內部及外部處理室部件形成連接。由於取出並替換例如是天線的RF硬體部件時可能需要拆解多個處理室部件，如此將延長停工期並降低產量。例如，在傳統系統中，移除並替換天線需將所述天線從微波發射組件中拆下，這是一個必需拆解多個RF部件的過程。因此，存在有以簡單又有效率的方式來拆下及維護RF硬體部件的需求。
【發明內容】
[0004]本發明一般地關於一種用於等離子體增強式化學氣相沉積(Plasma EnhancedChemical Vapor Deposit1n, PECVD)裝置的分段式天線。在一方面，裝置包括具有上表面及下表面的處理室體、天線以及電介質層。天線包括第一段、第二段以及第三段。第二段電耦接於第一段，並延伸通過處理室體的內部空間。第三段電耦接於第二段。電介質層設置於所述第二段的外徑的周圍。
[0005]在另一方面，裝置包括具有上表面及下表面的處理室體、天線、電介質層、第一微波發射組件以及第二微波發射組件。天線包括第一段、第二段以及第三段。第二段電耦接於第一段，並延伸通過處理室體的內部空間。第三段電耦接於第二段。電介質層設置於所述第二段的外徑的周圍。第一微波發射組件設置於處理室體的上表面上，並電耦接於天線的所述第一段。第二微波發射組件設置於所述處理室體的下表面，並電耦接於天線的第三段。
[0006] 在另一方面，裝置包括具有上表面及下表面的處理室體、天線以及電介質層。天線包括第一段、第二段以及第三段。第二段電耦接於第一段，並延伸通過處理室體的內部空間。第三段電耦接於第二段。電介質層設置於所述第二段的外徑的周圍。其中天線包括適用於傳輸冷卻流體的中空導電管，這個中空導電管的外徑約0.3英寸至0.5英寸，且電介質層包括氧化鋁。
[0007]在另一方面，裝置包括具有上表面及下表面的處理室體、天線、電介質層、第一耦接體以及第二耦接體。天線包括第一段、第二段以及第三段。第二段電耦接於第一段，並延伸通過處理室體的內部空間。第三段電耦接於第二段。電介質層設置於第二段的外徑的周圍。第一耦接體將第二段連接至第一段。第二耦接體將第二段連接至第三段，其中第一及第二耦接體包括螺紋及墊圈連接。
[0008]在另一方面，天線組件包括第一中空管、電介質層、第一耦接體以及第二耦接體。第一中空管為導電的。電介質層設置於第一中空管的周圍。第一耦接體位於第一中空管的第一端上，用以形成與第二中空管的電連接及流體連接。第二耦接體位於第一中空管的第二端，用以形成與第三中空管的電連接及流體連接。
[0009]在另一方面，天線組件包括第一中空管、電介質層、第一耦接體以及第二耦接體。第一中空管為導電的。電介質層設置於第一中空管的周圍。第一耦接體位於第一中空管的第一端，用以形成與第二中空管的電連接及流體連接。第二耦接體位於第一中空管的第二端，用以形成與第三中空管的電連接及流體連接。其中第一耦接體包括第一螺紋面，第一螺紋面用以將第一耦接體耦接至第二中空管，而第二耦接體包括第二螺紋面，第二螺紋面用以將第二耦接體耦接至第三中空管。
[0010]在又一方面，天線組件包括第一中空管、電介質層、第一耦接體以及第二耦接體。第一中空管為導電的。電介質層設置於第一中空管的周圍。第一耦接體位於第一中空管的第一端，用以形成與第二中空管的電連接及流體連接。第二耦接體位於第一中空管的第二端，用以形成與第三中空管的電連接及流體連接。其中第一中空管以及電介質層用以在處理室中產生等離子體。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0011]為了能具體理解本發明的上述特徵，通過參考實施例可對以上簡述的發明有更具體的描述，其中有一些在附圖中示出。然而，應注意，附圖僅示出本發明的典型實施例，並由此不能理解為本發明範圍的限制，因為本發明可接納其他等效實施例。
[0012]圖1圖示依照一實施例的垂直線性CVD系統100的示意圖。
[0013]圖2A圖示依照一實施例的雙處理室110A，IlOB的正視圖。
[0014]圖2B圖示依照一實施例的雙處理室110A，IlOB的透視圖。
[0015]圖2C圖示依照一實施例的雙處理室110A，IlOB的正視圖。
[0016]圖2D圖示依照一實施例的雙處理室110A，IlOB的俯視圖。
[0017]圖3A和圖3B圖示依照一實施例的雙處理室300的剖面圖。
[0018]圖4A圖示依照一實施例的天線310的部分剖面圖。
[0019]圖4B圖示依照一實施例的天線310的部分剖面圖。
[0020]圖4C圖示依照本一實施例的天線310的部分剖面圖。
【具體實施方式】
[0021]本發明大致提供一種用於等離子體增強式化學氣相沉積(Plasma EnhancedChemical Vapor Deposit1n, PECVD)裝置的分段式天線組件。天線分段化容許在不需移除整座天線的情況下，對天線的多個部分進行維護或替換。若環繞於天線的電介質層發生破損，則相關的天線段可從處理室中移除，而不需完整拆解微波發射組件或其它處理室部件。分段化天線的其它優點包括降低處理室在其中操作的設備的淨高(ceiling height)需求，以及具有在不需打開處理室以移除整座天線的情況下，將天線中多個需要被維護或更替的部分獨自地從微波發射組件中移除的能力。通過使天線段可獨自地被移除，與維護天線相關聯的勞動力及材料成本可大幅降低，且可縮短維護天線的時間，降低處理室的停工期並增加產量。
[0022]雖然沒有限制所述的實施例可被實施於其中的特定裝置，然而將實施例實施於垂直CVD處理室中特別有利，這種垂直CVD處理室例如可由位於加州聖塔克拉拉的應用材料公司(Applied Materials, Inc.)取得。可以了解的是,實施例也可實施於其他系統,包括其他製造商所出售的其他系統。
[0023]圖1圖示根據一實施例的垂直線性CVD系統100。此系統100較佳地包括兩個獨立的處理線114A及處理線114B，這些處理線114A，114B通過共同系統控制平臺112耦接在一起，以形成雙處理線配置/布局。共同電源(例如是交流電源)、共同及/或共用的泵抽及排氣部件(pumping and exhaust components)、以及共同氣體面板可用於雙處理線114A, 114B。也可想到的是，系統也可配置成採用單處理線或大於兩條處理線。
[0024]每一條處理線114A，114B各包括一基板堆迭模塊102A，102B。多個新基板(即尚未經系統100處理的基板)取自這些基板堆迭模塊102A，102B，而處理後的基板存放於基板堆迭模塊102A，102B當中。大氣機械手臂104A，104B自基板堆迭模塊102A，102B中獲取基板，並將基板放置入雙基板裝載站106A，106B當中。接著，新基板被移至雙基板裝料鎖定室108A，108B，並進一步送入雙基板處理室110A，IlOB0每一塊經處理的基板經由基板裝料鎖定室108A，108B其中的一者送返至雙基板裝載站106A，106B其中的一者，而大氣機械手臂104A，104B其中的一者再從雙基板裝載站106A，106B中獲取經處理的基板，並將其送返至基板堆迭模塊102A，102B其中之一。
[0025]圖2A圖示根據一實施例的雙處理室110A，IlOB的正視圖。雙處理室110A，IlOB包括多個天線210，這些天線210在每一處理室110A, IlOB的中間以線性排列的方式設置。這些天線210從處理室的頂部垂直地延伸至處理室的底部。每一天線210具有對應的微波功率頭(microwave power head) 212,微波功率頭212位於與天線210 f禹接的處理室的頂部及底部兩者。
[0026]圖2B圖示根據一實施例的雙處理室110A，IlOB的透視圖。每一雙處理室110A, IlOB包括遮蔽框204、多個天線210以及多個微波功率頭212。如圖2B所示，這些微波功率頭212交錯排列。這種交錯排列是因為空間限制的關係。通過每一功率頭212，功率可分別地被施加至每一天線210的端點。另外，這些天線210可操作於介於300MHz至300GHz的範圍的頻率。
[0027]圖2C圖示根據一實施例的雙處理室110A，IlOB的正視圖。每一雙處理室110A, IlOB包括遮蔽框204、多個天線210、多個微波功率頭212以及多個氣體導入管214。這些氣體導入管214配置於相鄰的天線210之間，並使處理氣體得以被導入。處理氣體例如為矽前驅物或氮前驅物。氣體導入管214從處理室的底部垂直地延伸至處理室的頂部，並與天線210平行。
[0028]圖2D圖示根據一實施例的雙處理室110A，IlOB的俯視圖。圖2D呈現了天線210、氣體導入管214、遮蔽框204以及壓板(platens) 208於處理室110A，IlOB中的布局。天線210位於處理室110A，IlOB的中央，壓板208及遮蔽框204則配置於天線210的相對側上，而氣體導入管214配置於天線210與遮蔽框204之間。位於置於中央的天線210的每一側的氣體導入管214的數量相等。每一氣體導入管214的直徑介於約0.25英寸與約0.625英寸之間。每一處理室110A，I1B可處理兩炔基板，這兩炔基板分別位於天線210的兩側。通過壓板208以及遮蔽框204，基板被維繫在處理室110A，IlOB中。雖然未圖示於第2A至2D圖，處理室110A，IlOB可通過位於基板載體後方的抽氣口而被排空。
[0029]第3A及3B圖為根據實施例的雙處理室300的剖面圖。雙處理室300包括多個遮蔽框304、多個壓板308、多個天線310、多個氣體導入管314以及多個微波發射組件330。每一天線310包括第一段311、第二段312、第三段313以及電介質層322。每一第一段311、第二段312及第三段313各包括一中空圓柱形電性導電體，冷卻流體可流經此導電體。天線310的第一及第三段311，313電耦接及流體(f Iuidly)耦接至第二段312的端點。電介質層322置於第二段312的周圍，並通過多個間隔物420耦接至第二段312。這些間隔物420被設置成使流體可流過形成於第二段312的外徑與電介質層322的內徑之間的通道。每一微波發射組件330包括微波功率頭332、饋通口 326以及端蓋320。
[0030]這些天線310的每一天線從處理室的頂部342垂直地延伸至處理室的底部344。每一天線310的第一段311延伸穿過耦接於處理室的頂部342的微波發射組件330。每一天線310的第三段313則延伸穿過耦接於處理室的底部344的微波發射組件330。天線310的第二段312垂直地延伸於每一微波發射組件330的每一饋通口 326之間。微波發射組件330的端蓋320可於饋通口 326和圍繞於天線310的第二段312配置的電介質層322之間形成一真空密封(vacuum seal)。微波發射組件330可包括一同軸波導，同軸波導耦合併傳送微波發射組件330所產生的微波能量至天線310。
[0031]第一段311可在處理室300內部的一位置連接至第二段312，以使第一及第二段311，312可在不需移除對應的微波發射組件330的情況下彼此分離。此外，第二段312可在處理室內部的一位置連接至第三段313，以使第二和第三段312，313可在不需移除對應的微波發射組件330的情況下彼此分離。在一實施例中，第一及第二段311，312間的耦接處，與第二及第三段312，313間的耦接處，系處於等離子體未產生的位置。通過在等離子體產生區的外部形成天線段311，312，313間的連接，可避免像是電弧(arcing)以及等離子體的不均勻性(poor plasma uniformity)等不良效應。
[0032]分段式天線310允許天線的多個部分可在不需移除整座天線310的情況下被維護或替換。通過將天線310分段化,可增加天線的可製造性(manufacturability),並降低與天線製造相關的成本。萬一電介質層322發生破損，第二段312可自處理室中移除，而不需將第一及第三段311，313與微波發射組件330分離。
[0033]在產生等離子體期間，天線310將產生熱。若未將熱從系統中去除，則可能造成雙處理室300中部件的損害。為了冷卻天線310，天線310可包括一中空導電管，冷卻流體可流過中空導管。舉例來說，天線310可包括一硬抽屜(hard drawn)式中空銅管，其具有約為
0.25英寸至 I英寸的外徑,例如外徑可約為0.3英寸至0.5英寸。接頭(fitting) 316與第一及第三段311，313每一者的一端流體連接。操作中，液體儲備池可被放置成流體連接至一或多個接頭316，進而使一流體，例如是水，可流經並冷卻天線310。為幫助冷卻流體流經天線310,—流體密封件(fluid tight seal)可形成於每個天線段311，312，313之間。上述的密封件可由一形成於兩天線段之間的螺紋及墊圈密封件(threading and gasket seal)所實現。而本領域具有通常知識者所知的其它用以形成天線段311，312，313之間的流體密封件也在本發明的範疇之內。
[0034]此外，流體可流經於電介質層322及天線310的外徑之間，以冷卻天線310的第一、第二、及/或第三段311，312，313。冷卻流體可為惰性氣體，例如為氮氣。而介於微波發射組件330的每一端蓋320與電介質層322之間的真空密封件的形成允許冷卻流體流經電介質層322及天線310之間，而不影響處理室300的真空條件。
[0035]第二段312的替換可通過將冷卻流體自天線310排除來實現。每一端蓋320可包括彈性墊圈，這個彈性墊圈可使真空密封件形成於端蓋320及電介質層322之間，而不會對電介質層322造成損壞或裂縫。因此，雙處理室300的側邊可能被打開，而介於端蓋320及電介質層322間的密封件可能斷裂。端蓋320可從饋通口 326移除，例如，通過擰開端蓋320以將其自饋通口 326移除。接著，第二段312的端部可與第一段311及第三段313分離。將第一段311及第三段313與第二段312的端部分離的操作可包括旋開耦接體412 (顯示於圖4A)，耦接體412在第一段311及第二段312之間，以及第三段313及第二段312之間，形成電連接及/或流體連接。於是，第二段312可在不需移除第一或第三段311，313的情況下被移除及替換。這種配置降低了對雙處理室300在其中操作的設備的淨高需求。也就是說，替換非分段式天線可能要將所述天線自處理室頂部342移除，且可能需要8至10米的淨高。
[0036]當天線310的第一段311及第三段313耦接於微波發射組件330時，這些天線段311，313可具有旋轉的能力。讓第一及第三段311，313可以旋轉可有利於第二段312與第一及第三段311，313的耦接。在此配置下，第二段312可被插入於第一及第三段311，313之間，而第一及第三段311，313可分別地被旋轉以形成與第二段312的螺紋連接。
[0037]分段式天線310的其他有利的方面包括將第一及第三段311，313與第二段312分離的能力，例如，使得微波發射組件330可被維護。第一及第三段311，313的移除及替換可在不需打開或破壞雙處理室300真空條件的情況下完成，也不需將端蓋320從電介質層322及/或饋通口 326上拆解下來。通過允許多個天線段可各自地被移除，將可大幅降低與天線維護相關聯的勞動力及材料成本。此外，維護天線的時間也會因此縮短，進而降低處理室的停工時間以及相關的操作成本。
[0038]在操作天線310期間，射頻信號自微波發射組件330發送，並經由第一及第三段311，313傳輸至第二段312。接著，環繞於第二段312的外徑的電介質層322，幫助雙處理室300中等離子體的形成。電介質層322可延伸至第二段312的端點，或者，電介質層322可比第二段312短，讓第二段312的端點暴露在外以連接至第一及第三段311，313。在另一實施例中，電介質層322可環繞於第一、第二及/或第三段311，312，313的外徑。電介質層322可包括陶瓷材料，例如氧化鋁。電介質層322可為管體，以環繞天線310的外徑配置，使得電介質層322的內徑大於天線310的外徑。在這種架構下，多個間隔物420可設置於天線310的外徑與電介質層322的內徑之間，以將天線310置於電介質層322的中央。這些間隔物420可具有一惰性材料及/或電性絕緣材料，例如是聚四氟乙烯(PTFE)。在一例示性的實施例中，電介質層322的外徑可約為32毫米至38毫米(例如為35毫米)，電介質層322的內徑約為25毫米至30毫米。
[0039]天線310的第一及第三段311，313的長度可比第二段312的長度短。其中，第二段312延伸穿過雙處理室300的內部空間。此外，這些天線段的長度可依照使用這些天線段所在的處理室尺寸而決定。舉例來說，對於一特定的處理室尺寸，第一及第三段311，313的長度約為I至2米，而第二段312的長度約為3至5米。例如第二段312的長度可約為3至3.5米。然而，對於使用於較小處理室的第二段312而言，其長度約為I至3米。例如第二段312的長度可約為2米。於其他實施例中，每一天線段311，312，313可具有相同的長度，或者，第一及第三段311，313的長度可比第二段312的長度來的長。
[0040]包括多於三個天線段(例如具有四個或更多個天線段)的天線310也在本申請的範圍之內。舉例來說，天線310延伸穿過處理室300內部空間的部分，可具有多於一個的天線段。舉例來說，萬一電介質層322出現裂隙時，這種配置可降低替換天線段的成本。在另一實施例中，天線310延伸至處理室300外部的多個部分可包括多於一個天線段。在其他實施例中，天線310可被分段，使得雙處理室300中的每一個部件可在不需拆解其它處理室部件的情況下，分別地被維護或替換。
[0041]圖4A圖示乃根據一實施例的天線310的部分剖面圖。天線310具有第一段311，第二段312以及電介質層322。第一段311包括耦接體412，此耦接體412具有第一螺紋面414以及墊圈416。第二段312包括暴露端410，此暴露端410具有第二螺紋面418。多個間隔物420置於第二段312的外徑及電介質層322的內徑之間。
[0042]通過將第一螺紋面414耦接至第二螺紋面418，第一及第二段311，312之間可建立一電連接及/或流體連接。當耦接第一段311與第二段312時，墊圈416可頂住第二段312的端點，進而增強天線段間的不透水密封。墊圈416可包括一 O型環，此O型環由壓縮成不透水密封件的材料所組成，且可承受等離子體產生過程中所產生的高溫。
[0043]在其他實施例中，第一及/或第三段311，313可通過各種配置的螺紋面耦接至第二段312。舉例來說，第一或第三段311，313可包括一形成於其內徑上的螺紋面，而第二段312可包括一形成於其外徑上的螺紋面，使得第二段312可插入第一或第三段311，313，並旋轉以耦接這些螺紋面。或者，這些螺紋面可形成於第一及第三段311，313的外徑上以及第二段312的內徑上。這種配置可包括墊圈或迫緊式接頭(compress1n fittings)的使用，以確保不透水密封。或者，這種配置可不包括墊圈或迫緊式接頭。
[0044]每一間隔物420可環繞於天線310的整個周圍設置，或者，多個間隔物420可被設置在環繞天線310周圍的各種位置，以容許流體在天線310及電介質層322之間流動。舉例來說，兩個間隔物420可設置在天線310外徑的兩側，或者，三個或三個以上的間隔物420可等間距地環繞於天線310的外徑被隔開，以形成天線310外徑與電介質層322內徑之間的流體通道。這個流體通道可沿著電介質層322的長度作延伸。
[0045]圖4B是根據一實施例的天線310的部分剖面圖。天線310包括第一段311、第二段312以及電介質層322。第一段311包括第一螺紋面424。第二段312包括暴露端410，暴露端410具有第二螺紋面418及墊圈426。多個間隔物420置於第二段312外徑與電介質層322內徑之間。
[0046]圖4C圖示根據一實施例的天線310的部分剖面圖。天線310包括第一段311、第二段312以及電介質層322。第一段311包括第一錐形面434及墊圈436。第二段312包括暴露端410，此暴露端410具有第二錐形面438。多個間隔物420配置於第二段312外徑與電介質層322內徑之間。
[0047]在此實施例中，第一及第二段311，312可通過擴口式管接頭(flare fittings)來耦接，例如37°擴口式管接頭(IS08434-2 ;SAE J514)。在這個實施例中，第一錐形面434可被設置成和第二錐形面438接觸。接著，耦接體432可被旋至第二段312的暴露端410上，以形成第一段311與第二段312之間的螺紋連接433。當螺紋連接433形成，耦接體432將墊圈436壓入第一段311的錐形端(flared end),以形成I禹接體432、墊圈436以及第一段311的錐形端之間的密封。
[0048]綜上所述，雖然本發明已以較佳實施例公開如上，但其並非用以限定本發明。本發明所屬【技術領域】中一般技術人人員在不脫離本發明的精神和範圍內，可作各種的更動與修改。因此，本發明的保護範圍為以之前的權利要求所界定為準。
【權利要求】
1.一種裝置，包括: 處理室體，所述處理室體具有上表面及下表面； 天線，所述天線包括: 第一段； 第二段，所述第二段電耦接於所述第一段，並延伸通過所述處理室體的內部空間；以及 第三段，所述第三段電耦接於所述第二段；以及 電介質層，所述電介質層設置於所述第二段的外徑的周圍。
2.如權利要求1所述的裝置，其特徵在於，所述第一段延伸通過所述處理室體的所述上表面，且所述第三段延伸通過所述處理室體的所述下表面。
3.如權利要求1所述的裝置，其特徵在於，所述天線包括中空導電管，所述中空導電管適用於傳輸冷卻流體。
4.如權利要求3所述的裝置，其特徵在於，所述中空導電管包括中空銅管。
5.如權利要求1所述的裝置，其特徵在於，所述電介質層設置於所述第二段的所述外徑的周圍，且多個間隔物耦接於所述天線的外徑以及所述電介質層的內徑之間。
6.如權利要求5所述的裝置，其特徵在於，所述些間隔物用以在所述天線的外徑與所述電介質層的內徑之間形成流體通道，所述流體通道沿著所述電介質層的長度作延伸。
7.如權利要求1所述的裝置，其特徵在於，更包括: 第一耦接體，所述第一耦接體將所述第二段連接至所述第一段；以及 第二耦接體，所述第二耦接體將所述第二段連接至所述第三段。
8.如權利要求1所述的裝置，其特徵在於，所述第一段及所述第三段的長度至少為0.5米，所述第二段的長度至少為2米。
9.一種天線組件，包括: 第一中空管，所述第一中空管是導電的； 電介質層，所述電介質層設置於所述第一中空管的周圍； 第一耦接體，所述第一耦接體位於所述第一中空管的第一端，所述第一耦接體用以形成與第二中空管的電連接及流體連接；以及 第二耦接體，所述第二耦接體位於所述第一中空管的第二端，所述第二耦接體用以形成與第三中空管的電連接及流體連接。
10.如權利要求9所述的天線組件，其特徵在於，所述第一耦接體包括第一螺紋面，所述第一螺紋面用以將所述第一耦接體耦接至所述第二中空管，而所述第二耦接體包括第二螺紋面，所述第二螺紋面用以將所述第二耦接體耦接至所述第三中空管。
11.如權利要求9所述的天線組件，其特徵在於，所述第一中空管包括中空銅管。
12.如權利要求9所述的天線組件，其特徵在於，更包括多個間隔物，所述間隔物設置於所述第一中空管與所述電介質層之間。
13.如權利要求12所述的天線組件，其特徵在於，所述間隔物用以在所述第一中空管的外徑與所述電介質層的內徑之間形成流體通道，且所述流體通道沿著所述電介質層的長度作延伸。
14.如權利要求9所述的天線組件，其特徵在於，所述第一中空管與所述電介質層用以在處理室中產生等離子體。
15.一種裝置,包括: 處理室體，所述處理室體具有上表面及下表面； 天線，所述天線包括: 第一段； 第二段，所述第二段電耦接於所述第一段，並延伸通過所述處理室體的內部空間；以及 第三段，所述第三段電耦接於所述第二段；以及 電介質層，所述電介質層設置於所述第二段的外徑的周圍，其中所述第一段延伸通過所述處理室體的所述上表面，所述第三段延伸通過所述處理室體的所述下表面，且所述天線包括中空導電管 ，所述中空導電管適用於傳輸冷卻流體。
【文檔編號】C23C16/513GK104080947SQ201380006658
【公開日】2014年10月1日 申請日期:2013年1月11日 優先權日:2012年1月27日
【發明者】B·M·約翰斯通 申請人:應用材料公司