Topboardofmicrowaveplasmaprocessingdevice,plasmaprocessingdevice...的製作方法

2023-05-20 14:34:51 1

專利名稱：Top board of microwave plasma processing device, plasma processing device ...的製作方法
技術領域：
本發明涉及微波等離子體處理裝置的頂板、等離子體處理裝置以及等離子體處理 方法。
背景技術：
在集成電路及液晶、太陽能電池等大量的半導體設備中廣泛地使用著等離子技 術。雖然在半導體製造過程的薄膜的堆積及刻蝕工序等得到使用，但是為了得到更高性能 且更高功能的產品(例如超微細加工技術)等，要求高超的等離子體處理。特別是，能夠獲 得低氣壓高密度等離子體的微波等離子體裝置受到關注。使用RLSA(Radial Line Slot Antenna，徑向線縫隙天線)等離子微波源的等離子 體處理裝置通過微波放電使氣體電離來產生等離子體。微波經由導波管從天線的縫隙部分 供電，並在頂板中傳播，向等離子體產生室內輻射。在頂板單純為平面形式的情況下，不能在頂板的中心部和周邊部相同地進行微波 的傳播，無法產生均勻的等離子體。與此相對，在頂板具有不同的厚度的情況下或者設置凸 部的情況下，由於形成與等離子條件相應的微波的共振區域，因而能夠控制徑向的傳播。頂板中的微波傳播同時存在徑向和周向(旋轉方向)這兩種。如專利文獻1所示， 至今為止的微波傳播控制著眼於徑向的傳播。其結果是，存在由於周向傳播的不均勻性而 產生等離子體的偏離的問題。特別是當低微波功率時該現象變得明顯。此外，為了同時進 行徑向和周向的控制，頂板的形狀變得複雜，製造成本增加。專利文獻1 日本專利文獻特開2005-100931號公報。

發明內容
如上所述，在以往技術中，存在由於微波的周向傳播不均勻而產生等離子體的偏 離的問題。另外，如果根據等離子體處理的內容而改變氣體或溫度等腔室內的條件，則等離 子模式由於微波的頻率和氣壓而變化，因而需要改變頂板和在所述頂板內傳播的微波的波長。本發明是鑑於上述狀況而完成的，其目的在於，提供一種能夠產生等離子模式穩 定且再現性良好的等離子體的微波等離子體處理裝置的頂板、等離子體處理裝置以及等離 子體處理方法。為了達成上述目的，本發明的第一方面提供一種微波等離子體處理裝置的頂板， 該頂板被設置在微波等離子體處理裝置上，為傳播微波的電介質，其特徵在於，在頂板的等 離子體產生側的面上具有凹部，在凹部的側面共振吸收微波，並且微波在凹部的內部以單 一的模式傳播。優選的是頂板具有微波以多個模式傳播的厚度。優選的是頂板具有多個凹部。
並且，凹部被配置在以微波的導入位置為中心的一個或兩個以上的圓上。另外，也可以是配置凹部的圓的半徑的大小為在電介質內傳播的微波的波長的 大致整數倍。優選的是凹部被配置在以微波的導入位置為中心呈點對稱的位置。優選的是在凹部中微波傳播的方向上的徑的大小處於從在電介質內傳播的微波 的波長的1/3至1/2的範圍內。優選的是凹部的深度的大小處於從在電介質內傳播的微波的波長的1/4至3/8 的範圍內。優選的是凹部的、與等離子體產生側的面平行的截面為圓形。本發明的第二發明涉及的等離子體處理裝置的特徵在於，包括等離子體產生室， 進行等離子體處理；縫隙天線，向等離子體產生室內導入用於產生等離子體的微波；以及 頂板，在該頂板的等離子體產生側的面上具有凹部，在凹部的側面共振吸收微波，並且微波 在凹部的內部以單一的模式傳播。本發明的第三發明涉及的等離子體處理方法的特徵在於，具有使用頂板來產生等 離子體的工序，頂板在該頂板的等離子體產生側的面上具有凹部，在凹部的側面共振吸收 微波，並且微波在凹部的內部以單一的模式傳播。此外，產生等離子體的工序包括在不改變頂板和在頂板內傳播的微波的波長的情 況下，在等離子體產生室內的不同的兩種以上的氣氛條件下產生等離子體。發明的效果根據本發明的微波等離子體處理裝置的頂板、等離子體處理裝置以及等離子體處 理方法，由於在頂板上具有凹部，能夠在凹部的側面處共振吸收微波，在內部以單一的模式 來傳播微波，從而均勻地產生穩定的等離子體。另外，即使改變等離子體產生室內的氣氛，也能夠在不改變頂板和在頂板內傳播 的微波的波長的情況下產生等離子體，並且能夠使等離子模式穩定。


圖1是實施方式涉及的等離子體處理裝置的截面圖；圖2是從等離子體產生室側觀察實施方式涉及的微波等離子體處理裝置中的頂 板而得的平面圖；圖3A是圖2的M-M線截面圖；圖3B是圖3A的局部放大圖；圖4是徑向線縫隙天線的平面圖；圖5A是作為另一實施方式示出凹部的變形的平面圖；圖5B是作為另一實施方式示出凹部的變形的平面圖；圖6A是作為其他實施方式示出凹部的變形的橫截面圖；圖6B是作為其他實施方式示出凹部的變形的橫截面圖；圖7A是平面頂板的情況下的等離子體的示例(照片)；圖7B是本實施方式的頂板的情況下的等離子體的示例(照片)；圖8A是使用本實施方式的頂板，在壓力1. 33Pa的條件下產生的等離子體的示例(照片)；圖8B是使用本實施方式的頂板，在壓力66. 65Pa的條件下產生的等離子體的示例 (照片)。標號說明1-等離子體處理裝置2-等離子體產生室(腔室)3-頂板(電介質)3A-凹部3B-中心部的凹部4-天線4A-導波部(屏蔽部件)4B-徑向線縫隙天線(RLSA)4C-滯波板(電介質)5-導波管6-基板保持臺7-氣體通道、氣體導入口8-等離子體10-基板
具體實施例方式(實施方式)下面，參考附圖對本發明的第一方面涉及的微波等離子體處理裝置的頂板進行詳 細的說明。對圖中相同或相當部分標註相同標號而不再重複其說明。圖1是本發明的實施 方式涉及的等離子體處理裝置的截面圖。等離子體處理裝置1包括等離子體產生室(腔 室)2、頂板(電介質)3、天線4、導波管5、基板保持臺6以及氣體通道7。天線4包括導波 部(屏蔽部件)4A、徑向線縫隙天線(RLSA)4B以及滯波板(電介質)4C。導波管5是具有 外側導波管5A和內側導波管5B的同軸導波管。等離子體處理裝置1的等離子體產生室2通過頂板3封堵。此時，等離子體產生 室2內通過真空泵而成為真空狀態。在頂板3上耦合天線4。在天線4上連接導波管5。導 波部4A與外側導波管5A連接，徑向線縫隙天線4B與內側導波管5B耦合。滯波板4C位於 導波部4A與徑向線縫隙天線4B之間，並壓縮微波的波長。滯波板4C例如由5102或々1203 等電介質材料構成。從微波源通過導波管5來供應微波。微波在導波部4A與徑向線縫隙天線4B之間 向徑向傳播，並通過徑向線縫隙天線4B的縫隙來輻射。微波在頂板3中傳播而具有極化面， 整體形成圓極化波。對本發明的實施方式涉及的頂板3進行說明。頂板3單純為平面形式或者為通過 具有與等離子體的共振條件相應的不同厚度等以能夠控制徑向的傳播的形式。圖2是從等離子體產生室側觀察本發明的實施方式涉及的微波等離子體處理裝 置中的頂板3而得的平面圖。圖2所示的頂板3通過石英或氧化鋁等傳播微波的電介質材料形成。頂板3的厚度具有微波以多個模式傳播的厚度，例如在石英的情況下可以設為 30mm。頂板3在朝向腔室2側的面上設置凹部3A，在相反側的面上具有中心部的凹部3B。 中心部的凹部3B的中心軸位於與用於向腔室2內電供應微波的天線4和導波管5相同的 位置。通過使中心部的凹部3B的位置與微波的導入位置一致，從而向腔室2內產生以中心 部的凹部3B為中心的軸對稱性良好的等離子體。圖2中的箭頭R是從中心部的凹部3B的 中心表示徑向的一個示例，等同於在頂板3內移動的微波的傳播方向。將位於相同徑向的 凹部3A從距離中心更近者起設為3al、3a2、3a3。圖3A是圖2的M-M線截面圖。圖3B是圖3A的局部放大圖。將凹部3A的徑向的 長度設為W並將深度設為H。在中心部的凹部3B以及凹部3A上垂直描繪的單點劃線示出 各個凹部的中心位置。將從中心部的凹部3B的中心至凹部3al的中心的距離設為XI，將從 中心部的凹部3B的中心至凹部3a2的中心的距離設為X2，將從中心部的凹部3B的中心至 凹部3a3的中心的距離設為X3。圖4是示出徑向線縫隙天線4B的一個示例的平面圖。徑向線縫隙天線4B具有覆 蓋導波部4A的天線4的開口部的形狀，形成有多個縫隙4bl、4b2。通過將徑向線縫隙天線 4B配置在導波部4A的端部，能夠擴展等離子體。如圖4所示，縫隙4bl、4b2被形成為同心 圓狀且相互垂直。等離子體與縫隙4bl、4b2的長度方向垂直地擴展，因此在頂板3正下方 產生等離子體。微波從縫隙4bl、4b2向下方輻射並在徑向上傳播，在頂板3內反覆反射並幹涉增 強，形成駐波。此時，在頂板3具有的凹部3A的側面產生作為微波的高效的能量吸收的共 振吸收，在凹部3A的內部以單一的模式來傳播。在具有多個的凹部3A各自的內部以單一 的模式來傳播微波，從而可以在頂板3正下方產生分布穩定的等離子體。除頂板3的凹部 3A以外，通過微波的表面吸收而產生表面波等離子體。由於表面波等離子體的等離子體密 度較低，對頂板3整體施加的影響較小，因此頂板3的等離子體的疏密位置模式固定，等離 子模式穩定。當在腔室2內電供應微波並放射等離子體時，由氣體通道7導入氬(Ar)或氙(Xe) 以及氮氣(N2)等惰性氣體，並根據需要共同導入氫等處理氣體，由此形成氬(Ar)或氙(Xe) 等離子體8。此時，即便在使腔室2內成為IOmPa 數IOPa左右的壓力較低的高真空狀態 的情況下，也能夠穩定地產生等離子體。為了在凹部3A內以單一的模式來傳播微波，希望凹部3A的傳播方向的徑W的大 小處於從在電介質內傳播的微波的波長的1/3至1/2的範圍內。這是由於，在凹部3A的傳 播方向的徑W比波長的1/2大的情況下，在凹部3A的內部形成固有模式，以根據等離子體 產生室內的條件而不同的模式來產生等離子體。另外，會產生逆相位而微波功率變弱，不能 獲得強的等離子體。在徑W比波長的1/2小的情況下，等離子模式一直是穩定的，但等離子 體產生的面積變小。由於獲得的等離子體的面積與徑W的尺寸成比例，因此為了獲得相同 的等離子體量需要大量設置凹部3A。如果考慮到在頂板3上加工凹部3A，則希望徑W比波 長的大小的1/3大並儘量接近波長的1/2的大小以使得凹部3A的數量較少即可。此外，為了在凹部3A內以單一的模式來傳播微波，希望凹部3A的深度H的大小處 於從在電介質內傳播的微波的波長的1/4至3/8的範圍內。在凹部3A的深度H比波長的 1/4小的情況下，在凹部3A的開口部附近會產生等離子體並形成固有模式，或不規則地產生表面波等離子體，等離子體的疏密位置模式不固定，等離子模式變得不穩定。另外，在凹 部3A的深度H比波長的3/8大的情況下，在凹部3A的裡側會產生等離子體，等離子體處理 的效率下降。在將滿足上述徑W和深度H的凹部3A在頂板3的等離子體產生側的面上配置多 個的情況下，優選將上述凹部3A配置在以微波的導入位置為中心的圓上。此時，圓的數量 形成為一個或兩個以上。此外，配置凹部的圓的直徑優選將凹部3A配置在駐波增強的部分 上。另外，通過將凹部3A配置在點對稱的位置上，能夠與頂板3的周向無關地配置頂板3。例如，圖3B的Xl設為在電介質內傳播的微波的波長的1波長的大小，X2設為2波 長的大小，X3設為3波長的大小。從中心部的凹部3B的中心起為波長的整數倍的位置是 所形成的駐波增強的位置，微波功率為最大。當在凹部3A的側面進行共振吸收的情況下， 能夠高效地獲得能量。通過在上述位置配置凹部3al、3a2、3a3，能夠在各個凹部側面產生微 波的共振吸收，微波以單一的模式進行傳播，從而高效地獲得穩定的等離子體分布。如果考慮凹部3A的徑W的尺寸，被配置的圓的半徑是在電介質內傳播的微波的波 長的大致整數倍即可，優選其處於從波長的整數倍的大小起士 1/4波長的範圍內。圖3B示出了在相同徑向的波長的整數倍的所有位置上形成有凹部3A的情況，但 是當在相同徑向上觀察時，可以僅在XI、X2、X3的任一位置上設置凹部3A，並且也存在Xl 與X3的組合或X2與X3的組合的情況。優選將凹部3A在以中心部的凹部3B為中心的包 含Xl的圓上、包含X2的圓上以及包含X3的圓上的位置處配置在點對稱的位置上。根據頂 板3的直徑尺寸與在電介質內傳播的微波的波長的大小之間的關係，存在可配置凹部3A的 圓的數量不同的情況，其不限定於3波長的大小為止。中心部的凹部3B是為了固定導入微波的位置或頂板3的位置而形成的，其不限於 必須具有。另外，也存在與微波的導入位置不一致的情況或與頂板3的中心位置不一致的 情況。在這些情況下，以微波的導入位置為基準來確定凹部3A的位置。圖5A、圖5B是作為本發明的另一實施方式而示出凹部的變形的平面圖，並且表示 與頂板的等離子體產生側的面平行的面。圖6A、圖6B是作為本發明的其他實施方式而示出 凹部的變形的橫向截面圖，並且表示與頂板的等離子體產生側的面垂直的面。在圖2中，將本發明的實施方式涉及的頂板3的凹部3A的、與頂板3的等離子體 產生側的面平行的面作為圓形進行了說明，但是其也可以為圖5A、圖5B中的橢圓形或圓角 四邊形等。這些是變形例的一個示例，還可以是未圖示的其他形狀。從頂板的加工難度來 說，希望其為圓形，但是具有相對於徑向呈線對稱的形狀，且凹部3A的徑W滿足在電介質內 傳播的微波的波長的1/3至1/2的大小的範圍內即可。另外，在圖2和圖3中本發明的實施方式涉及的頂板3的凹部3A的凹陷的形狀作 為圓柱形而進行說明，但是其可以為在等離子體產生側的面具有底面的半球形、圓錐形等 (參考圖6A、圖6B)。在凹部3A的內側的不與等離子體產生側的面平行的面上產生微波的 共振吸收，並產生等離子體。凹部3A的形狀由於截面和深度方向的組合而具有多種，其不限於圖示的例子。(第一實施例)圖7A和圖7B是在本發明的實施方式涉及的頂板3進行等離子實驗並確認了頂板 3的凹部3A的效果的示例。圖7A是平面頂板的情況下(以下稱為以往的頂板)的等離子體的示例(照片)，圖7B是本發明的具有凹部3A的頂板的情況下(以下稱為本發明的頂 板)的等離子體的示例(照片)。實驗中使用的頂板3通過石英形成，本發明的頂板是在以往的頂板上具有多個凹 部3A的頂板。等離子體形成涉及的條件是通用的，使用氬氣體並在微波功率2000W、壓力 1. 33Pa下進行了實驗。在以往的平面頂板的情況下，等離子體產生是不均勻的，特別是周邊部的疏密明 顯。在本發明的情況下，確認了未觀察到頂板3的中心部與周邊部的差異，在具有多個的凹 部3A的內部均勻地產生等離子體，且等離子模式穩定。(第二實施例)圖8A和圖8B是使用本發明的實施方式涉及的頂板3以不同的壓力形成等離子體 的示例(照片)。圖8A示出壓力1. 33Pa的情況(條件A)，圖8B示出壓力66. 65Pa的情況 (條件B)。除壓力以外的條件與第一實施例相同。將條件A的壓力設為1.33Pa並將條件 B的壓力設為66. 65Pa而進行了實驗。比較有無形成等離子體以及在形成的情況下的等離 子體的分布。如圖8B所示，即使當在條件B的壓力設置為較高的狀態下時也能夠以相同模式產 生等離子體。另外，在比較圖8A與圖8B的情況下可知其均以具有多個的凹部為基準來形 成等離子體。如果比較條件A和條件B的等離子體可知，等離子體的大小基本相等，並且形 成了均勻分布的等離子體。在以往的頂板中，如果壓力不同，則等離子體的產生模式(密度分布)會發生變 化，因此為了將產生模式保持為固定而需要壓力的控制。如第二實施例所示，通過使用本發 明的頂板，能夠獲得難以受到壓力條件左右並且再現性良好的均勻的等離子體。除壓力條件以外，還可以通過調整溫度或氣體的種類等來產生等離子體。在以往 的頂板中，壓力的範圍減小到IOmPa 數10Pa，其他條件的設定也受到限制。通過使用本發 明的頂板，即使在設為比以往低的壓力或高的壓力的情況下也能夠產生等離子體，因此能 夠在不限定於壓力條件的狀態下選擇最優條件。下面，對本發明的第二方面涉及的等離子體處理裝置進行說明。等離子體處理裝 置與圖1所示的等離子體處理裝置是相同的。頂板使用本發明的第一方面涉及的等離子體 處理裝置的頂板3。在使用以往的頂板的情況下，由於控制了微波的徑向的傳播但是沒有控制周向的 傳播，因此模式的穩定不充分。此外，由於等離子體產生室2內的壓力的變化等的影響而等 離子體產生的密度分布不同，容易產生模式變化，根據導入的氣體的壓力或溫度等的條件、 氣體的種類及其成分比等而產生模式變化。通過使用本發明的實施方式涉及的頂板3，在凹部3A的內部微波被吸收並產生等 離子體。能夠與微波在頂板3內的傳播模式無關地在凹部3A的位置產生等離子體8，並穩 定地獲得產生強度分布基本相同的等離子體。由於等離子體8的產生位置限於凹部3A的 位置，因此再現性也好。由於等離子體產生的密度分布固定在凹部的位置而不會變化，因此 即使在改變導入的氣體的種類及成分比、以及氣體的壓力及溫度等的條件的情況下，也能 夠產生相同模式的等離子體。在等離子體處理裝置1中，即使在連續實施條件不同的等離子體處理的情況下，也能夠獲得穩定的等離子模式。僅通過調整與等離子體處理對應的氣體的種類及成分比、 以及溫度及壓力，可獲得產生強度分布基本相同的等離子體8。無需更換為其他的頂板、以 及改變在頂板內傳播的微波的波長。此外，也不需要在溫度或壓力的必要的設定變更之後， 為了獲得必要的模式而進行的微調整、或者為了獲得穩定的模式的微調整。能夠通過比以 往更短的時間來穩定且再現性良好地進行作業。凹部3A優選其微波傳播的方向的徑的大小處於從在電介質內傳播的微波的波長 的1/3至1/2的範圍內，其深度處於從在電介質內傳播的微波的波長的1/4至3/8的範圍 內。另外，希望將凹部3A的位置配置在以微波的導入位置為中心的圓上，特別是配置使得 圓的半徑為在電介質內傳播的微波的波長的大致整數倍。能夠有效地吸收電供應而得的微 波，並不浪費地產生等離子體。此時，如果將凹部3A配置在以微波的導入位置為中心的點 對稱的位置，則能夠在不必關注周向的情況下在等離子體處理裝置1上設置頂板3。接下來，對本發明的第三方面涉及的等離子體處理方法進行說明。當在等離子體處理裝置1內產生等離子體8時，使用在等離子體產生側的面設置 凹部3A的頂板3。通過微波在凹部3A的側面來共振吸收，能夠在內部以單一的模式產生強 的等離子體。由於等離子體的產生為頂板3的凹部3A的位置，因此等離子模式穩定。凹部3A的傳播方向的徑的大小處於從在電介質內傳播的微波的波長的1/3至1/2 的範圍內，深度處於從在電介質內傳播的微波的波長的1/4至3/8的範圍內，由此在凹部3A 的內部以單一的模式來傳播並產生強的等離子體。此外，以微波的導入位置為中心配置的 圓的半徑為在電介質內傳播的微波的波長的大小的大致整數倍，因而在處於駐波增強的位 置的凹部3A的側面產生微波的共振吸收並高效地獲得強的等離子體。通過在以微波的導入位置為中心的點對稱的位置具有凹部3A，從而周向的等離子 模式穩定並能夠與朝向無關地設置頂板。由於在凹部內部以單一模式產生等離子體8，因此即使在改變等離子體處理裝置 1的等離子體產生室2內的氣氛、基板處理方法以及等離子體處理條件的情況下、即改變導 入的氣體的種類及成分比、以及氣體的壓力及溫度等的條件的情況下，也能夠在不改變頂 板3和在頂板3內傳播的微波的波長的狀態下進行等離子體處理。根據本發明，由於能夠穩定地產生相同模式的等離子體，因此能夠不改變頂板和 在頂板內傳播的微波的波長而在不同的條件下連續地進行等離子體處理。本發明在要改變 成膜處理或刻蝕處理的條件的情況下特別有效。本發明的等離子體處理方法除此以外還能 夠應用於灰化處理等全部的等離子體處理。另外，作為被處理體的基板不限定於半導體基板，也能夠選擇玻璃基板或陶瓷基 板等，能夠應用於各種種類的基板的等離子體處理。在實施方式中說明的頂板以及等離子體裝置、等離子體處理方法為一個示例而並 不限於此。本申請基於2008年2月13日提出的日本專利申請2008-31310號。通過參考將日 本專利申請2008-31310號的說明書、權利要求書以及附圖的全部內容記入到本說明書中。本發明對微波等離子體處理裝置的頂板、等離子體處理裝置以及等離子體處理方 法有效。
權利要求
一種微波等離子體處理裝置的頂板，被設置在微波等離子體處理裝置上，該頂板為傳播微波的電介質，其特徵在於，在所述頂板的等離子體產生側的面上具有凹部，在所述凹部的側面共振吸收所述微波，並且所述微波在所述凹部的內部以單一的模式傳播。
2.根據權利要求1所述的微波等離子體處理裝置的頂板，其特徵在於， 所述頂板具有所述微波以多個模式傳播的厚度。
3.根據權利要求1所述的微波等離子體處理裝置的頂板，其特徵在於， 所述頂板具有多個所述凹部。
4.根據權利要求3所述的微波等離子體處理裝置的頂板，其特徵在於， 所述凹部被配置在以所述微波的導入位置為中心的一個或兩個以上的圓上。
5.根據權利要求3所述的微波等離子體處理裝置的頂板，其特徵在於，配置所述凹部的圓的半徑的大小為在所述電介質內傳播的微波的波長的大致整數倍。
6.根據權利要求3所述的微波等離子體處理裝置的頂板，其特徵在於， 所述凹部被配置在以所述微波的導入位置為中心呈點對稱的位置。
7.根據權利要求1所述的微波等離子體處理裝置的頂板，其特徵在於，在所述凹部中所述微波傳播的方向上的徑的大小處於從在所述電介質內傳播的微波 的波長的1/3至1/2的範圍內。
8.根據權利要求1所述的微波等離子體處理裝置的頂板，其特徵在於，所述凹部的深度的大小處於從在所述電介質內傳播的微波的波長的1/4至3/8的範圍內。
9.根據權利要求1所述的微波等離子體處理裝置的頂板，其特徵在於， 所述凹部的、與所述等離子體產生側的面平行的截面為圓形。
10.一種等離子體處理裝置，其特徵在於，包括 等離子體產生室，進行等離子體處理；縫隙天線，向所述等離子體產生室內導入用於產生等離子體的微波；以及 頂板，在該頂板的等離子體產生側的面上具有凹部，在所述凹部的側面共振吸收所述 微波，並且所述微波在所述凹部的內部以單一的模式傳播。
11.一種等離子體處理方法，其特徵在於， 包括使用頂板來產生等離子體的工序，所述頂板在該頂板的等離子體產生側的面上具有凹部，在所述凹部的側面共振吸收微波，並且所述微波在所述凹部的內部以單一的模式傳播。
12.根據權利要求11所述的等離子體處理方法，其特徵在於，所述產生等離子體的工序包括在不改變所述頂板和在所述頂板內傳播的微波的波長 的情況下，在等離子體產生室內的不同的兩種以上的氣氛條件下產生等離子體。
全文摘要
文檔編號H05H1/46GK101953236SQ20098010525
公開日2011年1月19日 申請日期2009年2月10日 優先權日2008年2月13日
發明者Tian Caizhong, Ishibashi Kiyotaka, Nozawa Toshihisa 申請人:Tokyo Electron Ltd