Ic卡及ic卡框架的製作方法

2023-05-21 10:24:06 1

專利名稱：Ic卡及ic卡框架的製作方法
技術領域：
本發明涉及一種IC卡及IC卡中使用的框架。具體來說，本發明涉及一種IC卡及具有通過穿孔或蝕刻形成的平面線圈的IC卡中使用的框架，在該框架中，導線在基本相同的平面上環繞多次，在IC卡中平面線圈的端子和半導體元件的電極端子彼此電連接。
IC卡包括平面線圈(在平面線圈中導線被環繞多次)和半導體元件。聚氨基甲酸酯構成的粘合層將平面線圈和其它部分封閉並密封，在由PVC構成的樹脂膜內部形成粘合層，樹脂膜形成IC卡的前表面和後表面，在樹脂膜的表面印上字母。
當這樣形成的IC卡通過IC卡處理器形成的磁場時，由在IC卡平面線圈中引起的電磁感應產生電能。因此，由所產生的電能啟動半導體元件，以便能夠通過起天線作用的平面線圈在IC卡的半導體元件和IC卡處理器之間進行通訊。
關於IC卡中併入的傳統的平面線圈，具有一個絕緣平面線圈，該絕緣線圈是用環繞絕緣保護電線的方式形成的，還具有一個平面線圈，該平面線圈是用當對樹脂膜上形成的金屬箔進行蝕刻時形成導線的方式形成的。
在這樣的連接中，為了提高IC卡的普及，必須降低IC卡的成本，也必須大批量生產IC卡。然而，在使用傳統平面線圈的上述IC卡情況中，難以降低平面線圈的成本。也難以充分地大批量生產IC卡。
因此，日本未審批的專利公開號6-310324公開了一種IC卡，IC卡中併入了通過穿孔形成的平面線圈。
如上述專利公開文本中所提出的，與併入傳統的平面線圈的IC卡相比，當通過穿孔形成平面線圈時，能夠降低IC卡的成本，並能夠大批量生產IC卡。
圖50表示通過穿孔形成的傳統的平面線圈100。在該平面線圈100中，分別在線圈的內部和外部形成端子102和104。
由於上述的結構，導線114，用於將平面線圈100的端子102、104與半導體元件106的電極端子108、110連接起來的導線112、114之一，跨過形成平面線圈100的導線101。因此，當導線112、114使用絕緣導線時，成本增加，難以降低IC卡的成本。
另一方面，當不跨過平面線圈100的導線112使用非絕緣線，而跨過平面線圈100的導線114使用絕緣線時，必須使用兩種類型的導線，IC卡的製造過程變得複雜。因此，難以降低IC卡的成本及大批量生產IC卡。
因為IC卡的厚度不能超過1mm，必須形成非常薄的IC卡。另外，當運輸通過穿孔形成的平面線圈時，這些線圈必須容易處理，半導體元件必須正確地併入到平面線圈中。
本發明要實現的第一個任務是提供一種IC卡，IC卡中併入通過穿孔(punching)形成的平面線圈，IC卡的成本能夠得到降低，另外，IC卡能夠易於大批量生產。
本發明要實現的第二個任務是提供一種IC卡的框架，該種框架能夠易於大批量生產和運輸，進一步，薄的IC卡能夠使用該種框架。另外，本發明要實現的第二個任務是提供一種IC卡，該種IC卡能夠易於大批量生產，其厚度能夠適當地減少。
為了實現上述的第一個任務，本發明的發明人已經調查並發現了下面的事實。一般情況下，半導體元件表面除了電極端子外覆蓋有鈍化膜，以便進行電絕緣。因此，半導體元件部分除了電極端子外能夠與平面線圈的導線接觸，當半導體元件的電極端子設置在平面線圈的側面時，能夠靠近半導體元件的電極端子設置平面線圈的端子。
因此，本發明的發明人設置半導體元件106，以便電極端子108、110能夠相對於平面線圈100位於導線101側面，用導線將半導體元件106的電極端子108、110焊接到平面線圈100的端子102、104上。在這樣的IC卡中，為了絕緣，不必覆蓋將半導體元件106與平面線圈100相連的導線，並且能夠採用一種楔形(wedge)焊接方法，該方法是傳統的用做將半導體元件焊接到引線框架的內引入線連接線上的一種焊接方法。
為了實現上述的第一個任務本發明提供了一種IC卡，包括平面線圈，在平面線圈中，導線在基本相同的平面內環繞多次，通過穿孔或蝕刻形成平面線圈；具有電極端子的半導體元件，平面線圈的端部電連接到電極端子上，其中平面線圈包括在線圈內部形成的內部端子和在線圈外部形成的外部端子，半導體元件以這樣的方式設置，以便其上形成有電極端子的元件表面與平面線圈的導線相對，連接到平面線圈內部端子和外部端子的半導體元件的各個電極端子分別位於鄰近平面線圈內部端子和外部端子的位置，半導體元件的電極端子與位於相對於線圈內部和外部相同側的平面線圈的相應端子電連接。
為了實現上述的第二個任務，本發明的發明人相對於平面線圈100設置了半導體元件106，以便在相對於平面(該平面上形成電極端子108、110)後側的半導體元件的平面能夠位於導線101側面，半導體元件106的電極端子108、110分別焊接到平面線圈100的端子101、103。本發明的發明人發現下面的事實。在這樣的IC卡中，為了絕緣不必覆蓋導線，該導線將到半導體元件106連接平面線圈101，並且能夠採用一種楔形焊接方法，該方法是傳統的用做將半導體元件焊接到引線框架的內引入線連接線上的一種焊接方法。
為了實現上述的第二個任務，本發明提供了一種IC卡，包括平面線圈，在平面線圈中，導線在基本相同的平面內環繞多次，平面線圈通過穿孔或蝕刻形成；具有電極端子的半導體元件，平面線圈的端部電連接到該電極端子上，其中平面線圈包括在線圈內部形成的內部端子和在線圈外部形成的外部端子，半導體元件以這樣的方式設置，以便在相對於其上形成電極端子的一平面的後側上的半導體元件的平面與平面線圈的導線相對，連接到平面線圈內部端子和外部端子的半導體元件的各個電極端子分別位於鄰近平面線圈內部端子和外部端子的位置，半導體元件的電極端子與位於相對於平面線圈內部和外部相同側的平面線圈的端子電連接。
在本發明中，為了實現上述的第二個任務，通過穿孔或蝕刻形成平面線圈，在平面線圈中，導線在基本相同的平面內環繞多次。在IC卡中，平面線圈的端子與半導體元件的電極端子彼此電連接，平面線圈包括在線圈內部形成的內部端子和在線圈外部形成的外部端子，半導體元件要經過樹脂模壓，以便能夠暴露在與電極端子連接的引入線連接線一端形成的連接部分，與平面線圈的內部端子和外部端子連接的引入線連接線相應的連接部分位於線圈的內部和外部，引入線連接線的連接部分與位於相對於線圈內部和外部相同側的平面線圈的端子電連接。
為了實現第二個任務，本發明提供了一種IC卡使用的框架，用於製作具有平面線圈的IC卡，在平面線圈中，導線在基本相同的平面內環繞多次，平面線圈通過穿孔或蝕刻形成，平面線圈的端子和半導體元件的電極端子彼此電連接，其中平面線圈包括在線圈內部形成的內部端子，位於相對於線圈的內部和外部相同側的半導體元件的電極端子與內部端子電連接，平面線圈也包括在線圈外部形成的外部端子。
本發明中描述的詞組「在基本相同的平面內」表示即使在構成平面線圈的部分導線中形成了不規則性，導線總體上在相同的平面內環繞。


圖1表示根據本發明IC卡一個例子的平面圖。
圖2是圖1所示IC卡的部分剖視圖。
圖3表示其中形成多個平面線圈的框架平面圖。
圖4(a)到4(e)表示楔形焊接方法的示意圖。
圖5表示根據本發明IC卡另一個例子的部分剖視圖。
圖6表示根據本發明IC卡另一個例子的部分剖視圖。
圖7表示包括圖1、2、5和6所示IC卡平面線圈端子的部分視圖。
圖8表示根據本發明IC卡又一個例子的平面圖。
圖9表示包括圖8所示IC卡的平面線圈端子的部分視圖。
圖10表示根據本發明IC卡又一個例子的部分平面圖。
圖11表示包括圖10所示IC卡的平面線圈端子的部分視圖。
圖12表示圖11所示平面線圈另一個例子的部分視圖。
圖13表示在形成包括圖7、9、11和12所示IC卡平面線圈的端子之前導線11端部的部分視圖。
圖14表示根據本發明IC卡又一個例子的部分剖視圖。
圖15表示圖14所示金屬連接件30構成的透視圖。
圖16表示根據本發明IC卡又一個例子的部分剖視圖。
圖17表示圖16所示平面線圈端子10b(10a)構成的部分剖視圖。
圖18表示根據本發明IC卡又一個例子的部分平面圖。
圖19表示根據本發明IC卡又一個例子的部分剖視圖。
圖20表示根據本發明IC卡又一個例子的部分平面圖。
圖21表示圖20所示IC卡的部分剖視圖。
圖22表示根據本發明IC卡又一個例子的部分平面圖。
圖23表示圖22所示IC卡的部分剖視圖。
圖24表示根據本發明IC卡又一個例子的部分視圖。
圖25表示根據本發明IC卡又一個例子的部分視圖。
圖26表示根據本發明IC卡又一個例子的部分平面圖。
圖27表示根據本發明IC卡又一個例子的部分平面圖。
圖28表示圖27所示IC卡的部分割視圖。
圖29表示根據本發明IC卡又一個例子的平面圖。
圖30(a)和30(b)表示圖29所示IC卡的部分剖視圖。
圖31表示根據本發明IC卡另一個變形的部分剖視圖。
圖32表示根據本發明IC卡又一個變形的部分平面圖。
圖33表示根據本發明IC卡又一個變形的部分平面圖。
圖34表示根據本發明IC卡又一個變形的部分剖視圖。
圖35(a)和35(b)分別表示根據本發明IC卡又一個變形的部分平面圖和部分剖視圖。
圖36表示根據本發明IC卡又一個變形的部分剖視圖。
圖37表示根據本發明IC卡又一個變形的部分視圖。
圖38(a)和38(b)分別表示根據本發明IC卡又一個變形的部分平面圖和部分側視圖。
圖39表示根據本發IC卡明又一個變形的部分平面圖。
圖40表示根據本發明IC卡又一個變形的部分平面圖。
圖41表示圖49所示IC卡的部分剖視圖。
圖42表示根據本發明IC卡又一個變形的部分平面圖。
圖43表示根據本發明IC卡又一個變形的平面圖。
圖44是圖43所示IC卡的部分剖視圖。
圖45表示圖43所示IC卡中使用的模塊體40的平面圖。
圖46表示根據本發明IC卡又一個變形的部分平面圖。
圖47(a)到47(c)表示根據本發明IC卡又一個變形的形成過程部分剖視圖。
圖48是一個變形的透視圖。
圖49是一個變形的部分剖視圖，其中使用了封裝樹脂。
圖50是傳統IC卡的平面圖。
圖1表示根據本發明IC卡一個例子的平面圖。如圖1所示，有一個矩形平面線圈10，在平面線圈10中，導線11在基本相同的平面內環繞多次，導線通過穿孔的方式形成，其厚度不小於80μm。該平面線圈10以這樣的方式構成，導線在相同的平面內(該平面總體上是相同的平面)環繞多次。有端子10a、10b，這兩個端子分別設置在平面線圈10內部和外部的端部。另外，有電極端子12a、12b，這兩個端子在厚度為40到50μm的半導體元件12內形成，分別位於平面線圈10內部和外部。關於端子10a、10b和電極端子12a、12b，在相對於內部和外部方向的相同側形成的端子彼此電連接。
在圖1所示的IC卡中，在併入半導體元件12的平面線圈10中，具有一個凹槽14，如圖2所示，當構成平面線圈10的導線11彎曲時，形成該凹槽。在該凹槽14中，設置半導體元件12。如上所述，通過穿孔能夠彎曲導線11。最好凹槽14形成這樣的大小，以便整個半導體元件12能夠插入凹槽14中。
在這樣的連接中，在圖1中，在矩形平面線圈10的轉角之間形成凹槽14，然而，可以在平面線圈10的轉角處形成凹槽14，以便半導體元件12能夠設置在凹槽14中。
如圖2所示，圖2是圖1所示IC卡的部分剖視圖，設置平面線圈10，而在端子10a、10b和半導體元件12之間留有間隙，在平面線圈10的端子10a、10b中，通過擠壓方式形成連接表面16，以便連接表面16能夠與形成半導體元件12的電極端子12a、12b的表面基本在相同的一側。形成這些連接表面16的部分具有基本與圖2所示半導體元件相同的厚度。
如上所述，在圖1和2所示的IC卡中，平面線圈10端子10a、10b的連接表面16和形成半導體元件電極端子12a、12b的形成表面基本在相同的平面內。因此，如圖2所示，通過由金、鉑或鋁製成的導線18，能夠將平面線圈10的端子10a、10b電連接到半導體元件12的端子12a、12b，而導線迴路部分不會突起於平面線圈10的表面。
如圖2所示，平面線圈10、半導體元件12和其它部分通過由聚氨基甲酸酯或聚烯烴製成的粘合層22a、22b封閉並密封，粘合層22a、22b在樹脂膜20a、20b的內部形成，樹脂膜20a、20b形成IC卡的前表面和後表面，在樹脂膜的表面上印製字母。
當製造圖1和2所示的IC卡時，最好使用圖3所示的平面線圈10的框架F。通過對由銅、鐵或鋁製成的金屬板進行穿孔，形成該框架F。在框架F中，具有兩個彼此平行的軌道60、60，在兩個軌道60、60之間縱向設置平面線圈10、10……。平面線圈10、10…包括導線11，最外側的導線11a比其它導線11粗，平面線圈的導線11a通過連接部分62與相鄰平面線圈10的導線11a相連接。由於上述的結構，能夠增強平面線圈的機械強度，進一步當運輸框架時，能夠改善框架F的搬運特性。
在圖3所示框架F的平面線圈10中，最外側的導線11a形成較粗，但是，可以在導線11a比其它導線11粗的情況下，形成IC卡。另外，當斷開連接部分62時，可以斷開最外側導線11a，以便導線11a的厚度與其它導線11的厚度相同。
為了增強平面線圈10的機械強度，可以通過連接部分連接構成平面線圈10的導線11。由在IC卡前表面和後表面形成的樹脂膜20a、20b內部形成的粘合層22a、22b將連接部分封閉之前，斷開連接部分時，能夠避免導線11之間的短路。
在這樣的連接中，通過在由金屬(如銅、鐵或鋁)製造的金屬平板上，或由這些金屬合金製造的金屬平板上進行蝕刻，也能夠製造圖3所示的框架F。通過蝕刻製造的框架F能夠形成包括導線11的平面線圈10，導線11比通過穿孔形成的平面線圈的導線11細。
當由圖3所示的框架F製造IC卡時，可以將半導體元件12併入與框架F分離的平面線圈10中，然而，最好，將半導體元件12併入平面線圈10中，而不將平面線圈10與框架F分離。在這樣情況下，將半導體元件12併入在框架F中形成的每個平面線圈10中，通過導線18、18將平面線圈10的端子10a、10b焊接到半導體元件12的電極端子12a、12b。
然後，通過樹脂膜20a、20b封閉平面線圈10和半導體元件12，在該樹脂膜的一側形成粘合層22a、22b。之後，切掉預定的部位，以便平面線圈10能夠與框架F分離。用這樣的方法，能夠獲得IC卡。
關於使用導線的焊接方法，最好採用楔形(wedge)焊接方法，因為通過楔形焊接方法，能夠將導線18、18的膨脹(導線迴路的大小)降低到最小程度。當採用圖4所示的楔形焊接裝置時，能夠實現楔形焊接方法。該楔形焊接裝置是通常用做製造半導體的裝置。
在用上述的楔形焊接裝置進行的焊接工作中，將楔形24移到端子之一上面的位置，以進行焊接(以後，將要被焊接的這個端子稱為焊接端子)。如圖4(a)所示，將由夾持器(clamper)26保持的導線18的前端偏斜插入楔形24的前端部。降低楔形24，並藉助於壓力將導線18的前端部接觸焊接到連接表面上，如圖4(b)所示。
接著，楔形24在與一個焊接端子的平面基本相同的平面內形成的其它焊接端子的方向中移動時，張開夾持器26，以便將導線18引導到其它的焊接端子，如圖4(c)所示。然後，藉助於壓力將導線18的前端接觸焊接到其它焊接端子的連接表面，如圖4(d)所示。
接著，通過夾持器26夾持並拉緊導線18。然後，切斷導線18，如圖4(e)所示。用這樣的方法，完成了焊接操作。
當重複圖4(a)到4(e)所示的一系列操作時，能夠連續進行焊接操作。
根據上述的楔形焊接方法，如圖4所示，由夾持器26夾持的導線18的前端部偏斜插入楔形24的前端部。因此，當將導線18(其前端部接觸焊接到焊接端子之一)引導到其它的焊接端子時，能夠將導線18的膨脹(迴路的大小)減小到最低程度。
基於上述，如圖2所示，能夠通過導線18、18將平面線圈10的端子10a、10b和半導體元件12的電極端子12a、12b電連接，而迴路部分不會突起於平面線圈10的表面。
在圖2所示的環形導線18中，可能遇到下面的問題。當通過樹脂膜20a、20b(在樹脂膜20a、20b的一側形成粘合層22a、22b)封閉平面線圈10、半導體元件12和其它部分時，在粘合劑的流動方向中，導線18的迴路型部分被扭曲，使導線18的接觸焊接部分脫離，並進一步切斷導線18。基於上述，有導線18與平面線圈10的導線11相接觸的可能。為了避免環形導線18的扭曲和其它問題，最好，導線18接觸焊接到平面線圈10的端子10b和半導體元件12的電極端子12b，導線18的接觸焊接部分通過樹脂15、15，特別是由紫外線硬化的樹脂來固定。
在這樣的連接中，導線18的焊接不限於上述的楔形焊接方法，可以採用球壓焊方法。
在圖1和2所示的IC卡中，為了用半導體元件12的電極端子12a、12b電連接平面線圈10的端子10a、10b，用導線18進行焊接。半導體元件12的厚度是40到50μm，即，半導體元件12的重量小。因此，通過導線18能夠充分地支持半導體元件12。
在只用上述導線18不能支持半導體元件12，並且在製造過程中出現問題的情況下，可以在導線11和焊盤23a、23b之間形成用於支持半導體元件12的支持導線25、25，如圖6所示。在這樣情況下，在一個表面(在該表面上形成半導體元件12的電極端子12a、12b)上的平面線圈10內部和外部位置處形成用於支持支持導線25、25的焊盤23a、23b。
在這樣的連接中，在圖6所示的結構中，具有兩個支持導線25。然而，只要由一個支持導線25能夠充分地支持半導體元件12，可以形成一個支持導線25。
圖1到6所示的平面線圈10端子10a、10b的連接表面16可以與形成半導體元件12電極端子12a、12b的表面是基本相同的表面，連接表面16要經過擠壓，連接表面16的結構可以任意確定。然而，最好，圖1、2和6所示的平面線圈10端子10a、10b的結構形成圖7所示的結構。圖7所示端子10a(10b)的連接表面16通過擠壓的方式形成，在其寬度保持導線11寬度的情況下延伸。因此，能夠充分保證在其中連接表面16與基本平行於導線11設置的導線18端子相連接的一個連接部分。
如下所述，平面線圈10的端子10a、10b可以與半導體元件12的電極端子12a、12b相連。平面線圈10的端子10a、10b與半導體元件12相分離，並設置在靠近位於平面線圈10內部和外部電極端子12a、12b的位置處，這樣設置的平面線圈10的端子10a、10b與電極端子12a、12b相連。圖8表示將端子10a、10b與電極端子12a、12b相連的導線18在垂直於導線11方向上伸展的情況。
最好，圖8所示的平面線圈10的端子10a、10b形成圖9所示的結構。圖9所示端子10a(10b)的連接表面16(該表面要經受擠壓)的寬度以這樣的方式延伸，以便連接表面16的寬度大於導線11的寬度。因此，當連接表面16與在垂直於導線11方向伸展的導線18的一端相連時，連接表面足夠大。
關於圖2所示的環形導線18，當導線18由在樹脂膜20a、20b的一側形成的粘合層22a、22b封閉和密封時，會有導線18在粘結劑流動方向上被扭曲的可能性。特別是，當導線18和構成平面線圈10的導線11之間的間隙變小時，會有被扭曲的導線18與導線11接觸的可能性。為了解決上述的問題，最好，在位於平面線圈10內部和外部的端子10a、10b中，在導線11相對一側的連接表面16的一部分中形成一牆壁部分27，如圖10所示。通過該牆壁27，當導線18由粘合層22a、22b封閉時，能夠減少靠近端子10a、10b部分中粘結劑的流動。因此，能夠避免導線18與導線11接觸，以及避免導線18被扭曲。
最好，圖10所示平面線圈10的端子10a、10b形成圖11所示的結構。在圖11所示的端子10a、10b中，具有所形成的連接表面16，該表面要經受擠壓，以便在保持導線11寬度的情況下，能夠使導線11的端部延伸，在與導線11相對一側的部分中垂直形成牆壁27。
能夠使用圖12所示的端子10a、10b代替圖11所示的平面線圈10的端子10a、10b。在圖12所示的端子10a、10b中，有所形成的連接表面16，該表面要經受擠壓，以便在保持導線11寬度的情況下，能夠使導線11的端部延伸，進一步在連接表面16的兩側形成牆壁27a、27b。根據圖12所示的端子10a、10b，能夠保證足夠大的連接表面16與基本平行於導線11伸展的導線18的端部相連，當由粘合層22a、22b封閉導線18時，能夠減少靠近端子10a、10b部分中粘結劑的流動。因此，能夠避免導線18與導線11接觸，以及避免導線18被扭曲。即使當導線18被扭曲到導線11那一側時，通過在導線11側面形成的牆壁也能夠避免導線18與導線11接觸。
通過擠壓構成平面線圈10導線11的端部，能夠形成圖7、9、11和12所示的任何一種端子10a(10b)。因為通過擠壓的方式形成的端子10a、10b，用導線18焊接，為了用導線18可靠地連接端子10a、10b，端子10a、10b的連接表面16最好經過金或鈀電鍍。
然而，由於端子10a、10b的結構複雜，只在連接表面16上難以進行金或鈀電鍍。因此，最好，在如圖3所示的要經過擠壓的導線11的部分端部中預先進行金或鈀電鍍。在擠壓過程中，通過電鍍方式預先形成的一層金或鈀基本上能夠覆蓋延伸端子10a、10b的連接表面16。
在上述描述的IC卡中，由高導電率的金、鉑或鋁製成的導線18將平面線圈的端子10a、10b和半導體元件12的電極端子12a、12b連接起來。然而，由於導線18較細，導線18的電阻高於構成平面線圈10導線11的電阻。因此，可以引起這樣的問題通過電磁感應在平面線圈10中產生的電能不能充分地傳送到半導體元件12。
為了解決上述問題，最好，由扁平型金屬連接件30連接平面線圈10的端子10a、10b與半導體元件12的電極端子12a、12b，如圖14所示。
該扁平型金屬連接件30的寬度大約與導線11的寬度相同，該扁平型金屬連接件由諸如銅、金或鋁之類的金屬製成，其導電率高。該金屬連接件30可以是平直薄板，然而，最好使用薄板，其中間部分形成拱頂型，如圖15所示。原因是通過該金屬連接件30能夠吸收在平面線圈10中，平面線圈10和半導體元件12之間熱膨脹係數差產生的應力，中間部分形成拱頂型，進一步，當IC卡受到彎曲時平面線圈10中產生的應力也能夠由該金屬連接件30吸收。圖15所示的該金屬連接件30的兩個端部30a、30b形成平板，並分別與平面線圈10的端子10a(10b)和半導體元件12的端子12a(12b)相連。
在這樣情況下，當金屬連接件30由銅製成時，兩端的連接製作如下。金屬連接件30的連接表面鍍金、錫或焊錫，半導體元件12的電極端子12a、12b和平面線圈10的端子10a、10b鍍金，對要連接的兩個端子進行加熱及接觸焊接，以便通過這樣形成的易熔合金將它們彼此連接起來。另一方面，在金屬連接件30由金或鋁製成的情況下，在金屬連接件30的連接表面上不進行金屬電鍍，就能夠將兩個端子彼此連接起來。通過使用導電粘結劑也能夠將兩個端子彼此連接起來。
當然，在這樣的連接中，必須將拱頂型部分30c形成適當的大小，以便它不會突出於平面線圈10。
為了減小平面線圈10端子10a、10b和半導體元件12電極端子12a、12b之間連接部分的電阻值，可以將端子10b(10a)和電極端子12b(12a)直接彼此相連，如圖16所示。上述的連接能夠如下實現。半導體元件12的電極端子12a、12b鍍金，平面線圈10的端子10a、10b鍍上諸如金、錫和焊錫之類的金屬。對它們進行加熱及擠壓，以便通過在它們之間形成易熔合金能夠將它們彼此連在一起。另外，通過使用導電的粘結劑能夠將兩個端子彼此相連。
在這樣的情況下，為了使端子10b(10a)與電極端子12b(12a)可靠地相連，最好，在端子10b(10a)的連接表面上形成一個突起32，當突起與半導體元件12的電極端子12b(12a)接觸時受到擠壓，如圖17所示。
在半導體元件12的電極端子12a、12b與平面線圈10的端子10a、10b彼此直接連在一起的情況下，如圖16所示，由IC卡彎曲和對IC卡加熱的影響，在平面線圈10中產生的應力集中在兩個端子的連接部分，兩個端子彼此分離。為了減少應力在兩個端子連接部分的集中，最好在靠近平面線圈10端子10a、10b的位置設置吸收作用到平面線圈10應力的應力吸收部分。
關於上述的應力吸收部分，最好為應力吸收部分設置圖18所示的彎曲部分34，因為通過穿孔容易形成彎曲部分34。當設置該彎曲部分34時，通過彎曲部分34的擴展和收縮能夠吸收作用到平面線圈10的應力。因此，能夠減小兩個端子連接部分的應力。
當導線11彎曲時，形成了平面線圈10中形成的凹槽14。進一步，可以以這樣的方式在平面線圈10中形成凹槽14，以便因為導線11的厚度大於半導體元件12的厚度，因而能夠形成圖19所示的凹槽14，導線11的中間部分受到擠壓。在這樣情況下，平面線圈10和半導體元件12能夠在厚度方向中位於IC卡的中央。因此，IC卡能夠做得很薄。在這樣的連接中，在這樣情況下，半導體元件12和導線18容納在導線11厚度的範圍內。
在這樣的連接中，已經受到擠壓的一部分導線11變得比導線11的其它部分細，如圖19所示。然而，導線11本身的電阻不會出現問題。
在以上描述的IC卡中，通過彎曲或擠壓構成平面線圈10的導線11形成凹槽14。然而，如圖20和21所示，當在IC卡厚度方向上彎曲靠近導線11端部的一部分、並且端部要經受擠壓時，能夠使平面線圈10端子10a、10b的各個連接表面16與包括形成半導體元件12電極端子12a、12b形成表面的平面基本上在相同的平面上，而不會在平面線圈10中形成凹槽14。
在圖20和21中，當通過導線18、18將平面線圈10的端子10a、10b與半導體元件12的電極端子12a、12b彼此焊接在一起時，不會使平面線圈10的導線11粘附到半導體元件12，該導線11穿過半導體元件12的上表面。然而，最好採用下面的步驟。如圖22和23所示，通過粘合層36已經使穿過半導體元件12上表面的平面線圈10的導線11粘附到半導體元件12之後，通過導線將平面線圈10的端子10a、10b與半導體元件12的電極端子12a、12b彼此焊接在一起。當通過粘合層36使平面線圈10的導線11粘附到半導體元件12時，在焊接過程中能夠很容易地進行定位。
在這樣的連接中，即使在圖1到19所示的情況下，也最好採用下面的步驟。通過粘合層36已經使平面線圈10的導線11粘附到半導體元件11之後，將平面線圈10的端子10a、10b與半導體元件12的電極端子12a、12b彼此連在一起。
在圖6所示的結構中，為了支持半導體元件12，支持導線25在半導體元件12和平面線圈10的導線11之間伸展。然而，在導線11寬度較窄的情況下，將支持導線25的一端連接到導線11比較困難。在這樣情況下，最好採用下面的步驟。如圖24所示，延伸已經受過擠壓的平面線圈10端子10b(10a)的連接表面，將連接半導體元件12電極端子12b(12a)的導線18和連接支持焊盤23b(23a)的支持導線25連接到平面線圈10的端子10b(10a)。在平面線圈10的端子10b(10a)中，具有C-型凹槽33，具有半導體元件12電極端子12b(12a)、同時具有支持導線焊盤23b(23a)的一個端部插入該凹槽中。當半導體元件12的端部插入該凹槽33時，平面線圈10的端子10b(10a)沿半導體元件12的端部邊緣以這樣的方式延伸，以便端子10b(10a)封閉具有與平面線圈10端子10b(10a)相連的電極端子12b(12a)的半導體元件12的端部。基於上述，能夠容易地使半導體元件12定位，進一步能夠縮短導線18和支持導線25的長度。另外，在這樣情況下，最好，在通過圖22和23所示的粘合層36已經使半導體元件12與平面線圈10的導線11彼此粘結在一起之後，將導線18和支持導線25彼此焊在一起。
進一步，當導線18和支持導線25與導線11平行、以直線方式伸展時，如圖24所示，能夠容易焊接兩條導線，並能夠支持半導體元件12保持良好的平衡。
在圖10所示的結構中，在平面線圈10端子10a、10b的側面具有牆壁部分27。當由粘合層22a、22b封閉導線18時，通過該牆壁部分27，能夠減少在靠近平面線圈10端子10a、10b的部分中粘結劑的流動。因此，能夠避免導線18的扭曲。另一方面，為了通過減少在靠近半導體元件12電極端子12b(12a)的部分中粘結劑的流動，來避免導線18的扭曲，最好在設置在導線11(該導線穿過半導體元件12的上表面)中間的延伸部分38中形成U-型部分40，半導體元件12的電極端子12b(12a)位於該U-型部分中，如圖25所示。當導線18由形成延伸部分38保護時，圖9所示的端子10b(10a)最好用做平面線圈10的端子10b(10a)。在該端子10b(10a)中，連接表面16的寬度大於導線11的寬度，該連接表面已經通過擠壓方式形成。因此，當連接表面16與在垂直於導線11方向中伸展的導線18的端部相連時，連接表面16足夠大。
即使在圖25所示的情況下，最好平面線圈10端子10b和半導體元件12電極端子12b之間的接觸焊接部分通過樹脂15、15來固定，如圖5所示，特別是，通過紫外線硬化的樹脂，因為當由樹脂固定接觸焊接部分時，能夠進一步避免導線18的扭曲。
即使在25所示的結構中，最好通過粘合層36使半導體元件12與平面線圈10的導線11彼此粘附在一起，然後焊接導線18。
在上述的IC卡中，形成平面線圈10的導線11比半導體元件12厚。然而，當半導體元件12的厚度基本上與導線11的厚度相同時，能夠使用圖26所示的IC卡，其中設置半導體元件12，以便電極端子12a、12b的形成表面能夠相對於平面線圈10位於導線11側面，通過導線18、18使半導體元件12的電極端子12a、12b分別與平面線圈10的端子10a、10b相連，而不用擠壓端子10a、10b。在這樣情況下，每根導線18、18的一部分環路有時突出於導線11，然而，突出量小。因此，通過在樹脂膜20a、20b一側形成的粘合層22a、22b能夠充分地密封導線18、18，在密封過程中引起的扭曲很小，以致不會出現問題。
為了最大程度地減少導線18、18的環路，以及為了使導線的焊接工作更容易，最好採用圖27所示的結構，在圖27中，通過粘合層36使平面線圈10的端子10a、10b(其寬度大於導線11的寬度)粘結到靠近半導體元件12電極端子12a、12b的部分，然後通過導線18、18將端子10a、10b分別與電極端子12a、12b相連。如圖28所示，導線18形成的環路小於圖26所示導線18形成的環路。因此，在樹脂膜20a、20b的一側形成的、用於密封導線18的粘合層22a、22b能夠作得很薄。
為了吸收作用到平面線圈10的應力，以及當通過粘合層23使平面線圈10的端子10a、10b粘結到半導體元件12時，避免兩個端子(結合在一起的)分離，可以在靠近平面線圈10端子10a、10b的導線11中形成諸如圖18所示彎曲部分34之類的應力吸收部分。
在這樣的連接中，當然，可以通過粘合層36使半導體元件12粘結到平面線圈10的導線11上，該平面線圈的導線11穿過半導體元件12電極端子12a、12b的形成表面。
下面將說明圖29所示IC卡和圖1所示IC卡之間的區別。
關於設置在圖30所示凹槽14中的半導體元件12，將相對於電極端子12a、12b形成表面相反一側上的平面放置在形成凹槽14底表面的導線11上。可以簡單地將半導體元件12放置在導線11上，然而，當通過粘結劑使該半導體元件12粘結到導線11時，能夠容易地進行半導體元件12電極端子12a、12b的定位。
圖30(a)表示了一個例子，其中在平面線圈10的導線11中形成凹槽14，凹槽14的深度大於半導體元件12的厚度。在該例子中，為了使平面線圈10端子10b(10a)連接表面16基本上與半導體元件12電極端子12a、12b的形成表面在相同的平面上，平面線圈10的端子10b(10a)要經受擠壓。當如上所述的凹槽14深度大於半導體元件12的厚度時，能夠將突出於平面線圈10、用於連接兩端子導線18環路的突起儘可能減小到最低程度。
另一方面，圖30(b)表示了一個例子，其中凹槽14的深度基本上與半導體元件12的厚度相同，在平面線圈10的導線11中形成該凹槽14。在該例子中，平面線圈10端子10b(10a)的連接表面16基本上與半導體元件12電極端子12a、12b的形成表面相同。因此，能夠省去平面線圈10-端子10b(10a)的擠壓過程。
如上所述，在圖29、30(a)、30(b)所示的IC卡中，平面線圈10端子10a、10b的連接表面16基本上與半導體元件12電極端子12a、12b的形成表面相同。因此，能夠通過楔形焊接(wedgebonging)或球壓焊接(ball bonding)的方法進行導線的焊接。因此，如圖2所示，當將突出於平面線圈10表面的環路突起減小到最低程度時，能夠通過由金、鉑或鋁製成的導線18、18將平面線圈10端子10a、10b與半導體元件12電極端子12a、12b電連接。
用與圖2所示相同的方式，在圖30(a)和30(b)中，當將突出於平面線圈10表面的環路突起減小到最低程度時，能夠通過導線18、18將平面線圈10的端子10a、10b與半導體元件12的電極端子12a、12b彼此電連接。
為了避免導線18的扭曲，最好，用圖31所示的樹脂15、15，特別是用由紫外線硬化的樹脂固定平面線圈10端子10b與半導體元件12電極端子12b的接觸焊接部分。
在圖29到31所示的平面線圈10中，端子10a、10b(已經受到擠壓)的連接表面16可以與包括半導體元件12電極端子12a、12b形成表面的表面基本上在相同的平面內，結構可以任意確定。最好，圖29、30(a)、31所示的平面線圈10的端子10a、10b形成圖7所示的端子結構。
平面線圈10的端子10(a)、10(b)可以按這樣的方式分別與半導體元件12的電極端子12a、12b相連，以便在靠近位於平面線圈10內部和外部的電極端子12a、12b的位置上設置端子10a、10b，因為焊接裝置的操作，平面線圈10遠離半導體元件12，這些端子10a、10b與端子12a、12b相連。圖32表示用於連接兩端子的導線18、18在垂直於導線11方向上伸展的情況。
當圖32所示的平面線圈10的端子10a、10b要經受擠壓時，最好使用圖9所示的端子。
可能有這樣的問題通過電磁感應在平面線圈10中產生的電能不能充分地傳送到半導體元件12。為了解決上述問題，最好，用與圖14所示的例子相同的方式，通過扁平型金屬連接件30連接平面線圈10的端子10a、10b與半導體元件12的電極端子12a、12b，如圖34所示。
在圖29到34中，在靠近平面線圈10端子10a、10b部分中沒有形成凹槽14。然而，如圖35(a)和35(b)，可以靠近端子10b(10a)形成凹槽14。在這些圖中，凹槽14的底表面大於靠近端子10b(10a)沒有形成凹槽14的殼體底表面。因此，在將半導體元件12穩定地放置在凹槽14底表面的情況下，能夠進行導線的焊接。
以這樣的方式形成在平面線圈10中形成的凹槽14，以便彎曲導線11。除此，由於導線11比半導體元件12厚，用與圖19所示相同的方式，導線11的中間部分要經受擠壓，以便能夠形成圖36所示的凹槽14。在這樣情況下，能夠在厚度方向上將平面線圈10和半導體元件12設置在IC卡的中央。因此，IC卡能夠作得較薄。在這樣情況下，將半導體元件12和導線18容納在導線11厚度t的範圍內。
進一步，可以按下面的方式構成平面線圈10的端子10a、10b。如圖37所示，使平面線圈10端子10b(10a)(已經受到擠壓)的連接表面伸展，導線18，其一端與半導體元件12的電極端子12b(12a)相連，另一端可以與端子10b(10a)相連。在平面線圈10的這個端子10b(10a)中，形成有C-型凹槽33，具有電極端子12b(12a)的半導體元件12的一端插在該凹槽中。當半導體元件12的一端插在該凹槽33時，端子10b(10a)按這樣的方式沿半導體元件12端部的端邊緣延伸，以便圍繞具有電極端子12b(12a)的半導體元件12的端部，電極端子12b(12a)與平面線圈10的端子10b(10a)相連。由於上述的設置，能夠很容易地使半導體元件12定位，能夠縮短導線18的長度。因此，最好使用上述的設置。另外在這樣情況下，最好，通過粘結劑已經使半導體元件12與平面線圈10的導線11彼此粘結在一起之後，焊接導線18。
圖38(a)和38(b)表示了一個例子，其中平面線圈10的端子之一10b要經受擠壓，以便形成凹槽14作為半導體元件12的安裝部分，端子10b的連接表面進一步延伸，半導體元件12安裝在端子10b上。在端子10b上，通過普通導線或絕緣線將半導體元件12的電極端子12b與端子10b彼此連在一起。通過導線18以這樣的方式將平面線圈10的另一個端子10a和半導體元件12的電極端子12a彼此連在一起，以便導線18在垂直方向上跨過導線11，導線11置於端子10a和10b之間。端子10a要經受擠壓，同時，一部分導線11(導線穿過的該部分導線)要經受擠壓，以便形成直通凹槽14a。由於上述的結構，導線18不會突出導線11厚度的範圍。當在凹槽14a的內表面至少一部分(導線18穿過的那部分)覆蓋電絕緣材料的絕緣樹脂時，或當使具有電絕緣特性的絕緣紙帶粘附到該部分時，能夠實現連接，即使使用普通導線18，也不會引起短路。
圖39表示了一個例子，其中除了端子10a、10b外，導線11的中間部分也要經受擠壓，以便形成凹槽14作為安裝半導體元件12的安裝部分。在該凹槽14中，安裝半導體元件12。為了安裝半導體元件12，使凹槽14的寬度大於導線11的寬度，將鄰近安裝部分的導線11設置在凹槽14的外部。另外在這樣情況下，端子10a、10b要經受擠壓，以便表面能夠與凹槽14的表面在相同的水平面，同時，導線11的一部分要經受擠壓，導線11的該部分置於安裝部分和端子10a、10b之間並由導線18跨過，以便形成直通-凹槽。在這樣的方式中，將端子10a、10b與半導體元件12電極端子12a、12b相連的導線18不會突出於導線11厚度的範圍。在這樣的連接中，對用於連接電極端子12a、12b與端子10a、10b的導線18來說，最好使用絕緣線。當用電絕緣材料覆蓋直通凹槽的內表面時，能夠通過普通導線18實現連接。
當半導體元件12的尺寸較小時，能夠將半導體元件12併入到通過擠壓方式在導線11上形成的凹槽14中。
半導體元件12併入到凹槽14中的該方法的優點是不論半導體元件12的大小都能夠形成標準的平面線圈10。當半導體元件12具有較小的寬度時，該寬度是通過平面線圈10導線11的寬度，最好使用將半導體元件12併入到凹槽14中的方法。
在上述描述的IC卡中，使構成平面線圈10的導線11彎曲或經受擠壓，以便形成凹槽14。然而，如圖40和41所示，當使靠近導線11的一部分彎曲、導線11的端部要經受擠壓時，能夠使平面線圈10端子10a、10b的連接表面16基本上與包括形成半導體元件12電極端子12a、12b形成平面的表面在相同的平面上。
在圖40和41中，當通過導線18、18將平面線圈10端子10a、10b與半導體元件12的電極端子12a、12b彼此焊在一起時，通過安排平面線圈10的導線11能夠容易地進行導線焊接的定位，平面線圈10的導線11在半導體元件12的下表面通過，粘附到半導體元件12上。因此，最好使導線11粘附到半導體元件12上。
在這樣的連接中，當調整靠近導線11部分中的焊接量時，不進行擠壓，能夠使平面線圈10端子10a、10b各個連接表面16基本上與形成半導體元件12電極端子12a、12b的形成平面在相同的平面上。
在上述的IC卡中，形成平面線圈10的導線11比半導體元件12厚。當半導體元件12的厚度基本上與導線11的厚度相同時，可以採用下面的IC卡設置。如圖42所示，以這樣的方式設置半導體元件12，以便與形成電極端子12a、12b形成平面相反的平面位於相對於平面線圈10的導線11側面，端子10a、10b通過導線18、18與電極端子12a、12b相連，而不在平面線圈10的端子10a、10b上進行擠壓。在這樣情況下，部分導線18、18突出於導線11，然而突出量很小。因此，通過在樹脂膜20a、20b的一側形成的粘合層22a、22b能夠充分密封導線18、18，在密封過程中很少引起扭曲。
在圖29到42解釋的IC卡中，導線18或扁平型金屬連接件30用於連接平面線圈10和半導體元件12。然而，如圖43所示，能夠使用模塊體40，在該模塊體中用樹脂模壓半導體元件。如下所述，該模塊體40要經受樹脂模壓。如圖44和45所示，有引入線連接線46、46，該連接線通過焊錫塊44、44和半導體元件12的電極端子12a、12b連接。進行樹脂模壓，以便能夠暴露在引入線連接線端部形成的連接部分47。
將這樣形成的模塊體40的連接部分47連接到平面線圈10的端子10a、10b。按下面的方式進行兩個端子的連接。連接部分47、47的連接表面鍍金、錫或焊錫，半導體元件12的電極端子12a、12b和平面線圈10的端子10a、10b鍍金，對要相連的兩個端子進行加熱及接觸焊接，以便通過這樣形成的易熔合金將它們彼此連接在一起。另一方面，在連接部分47、47由鋁作成的情況下，在連接部分47、47的連接表面上不進行金屬電鍍，就能夠將兩個端子彼此連在一起。也能夠通過使用導電粘結劑將兩個端子彼此連在一起。
如圖43所示，在併入模塊體40的平面線圈的一部分形成有凹槽，當導線11彎曲時，模塊體40插入該凹槽中。
在以上說明的IC卡中，在相對於平面線圈10(該平面線圈環繞多次)的導線11延伸方向的兩側形成半導體元件12的端子(焊接焊盤)12a、12b。另一方面，在圖46所示的IC卡中，在相對於平面線圈10導線11延伸方向的一側形成半導體元件12的焊接焊盤12a、12b。在該例子中，平面線圈10的一個端子10a(例如，外端端子)設置在半導體元件12的外部，並延伸到與平面線圈10的另一個端子10b(例如，內部端子)對應的位置。端子10a、10b包括焊盤，在該焊盤上能夠進行焊接。通過導線18、18、在焊盤和位於靠近端子10a、10b的半導體元件12電極端子12a、12b之間進行焊接。在這樣的連接中，與上述情況相反，平面線圈10的另一個端子10b可以設置在半導體元件的內部。
圖47(a)到47(c)表示製作過程，其中對半導體元件12進行模壓並通過密封樹脂進行固定，通過樹脂膜20a、20b封閉這樣模壓的半導體元件12，以便能夠形成IC卡。首先，如圖47(a)所示，擠壓構成平面線圈10的導線11，以便形成凹槽14。接著，如圖47(b)所示，通過密封樹脂50在半導體元件12和半導體元件安裝部分上進行模壓。在這樣情況下，最好，進行傳遞模壓。圖48表示模壓後半導體元件狀態的透視圖。接著，在平面線圈10的上下表面形成粘合層22a、22b，平面線圈10置於樹脂膜20a、20b之間。用這樣的方法，形成了IC卡。
在這樣的連接中，當通過樹脂密封半導體元件12時，可以通過圖47(a)到47(c)所示的模壓方式形成密封樹脂。然而，能夠通過封裝52的方式形成密封樹脂，封裝的外形如圖49所示。
如上所述，當通過樹脂密封半導體元件12時，能夠增強半導體元件12的強度，能夠減少在分層製作過程中作用到半導體元件12的應力強度，在分層結構中半導體元件12和平面線圈10由樹脂膜20a、20b封閉。因此，能夠避免半導體元件12破裂，即能夠避免半導體元件12的損壞。即使製作IC卡之後使用IC卡時，當IC卡彎曲時，能夠減少作用到IC卡的應力強度。因此，能夠避免半導體元件受到損壞。
根據本發明的IC卡和IC卡框架，能夠容易地使通過穿孔形成的平面線圈端子與半導體元件的電極端子彼此相連，而不需要在平面線圈上跨過連接導線。因此，能夠降低IC卡和IC卡框架的成本，能夠大批量生產IC卡及框架。
權利要求
1.一種IC卡包括一個平面線圈，在該平面線圈中導線在基本相同的平面內環繞多次；具有電極端子的半導體元件，平面線圈的端部與該電極端子電連接，其中平面線圈包括在線圈內部形成的內部端子和在線圈外部形成的外部端子，半導體元件以這樣的方式設置，以便其上形成電極端子的元件表面與平面線圈的導線相對，連接到平面線圈內部端子和外部端子的半導體元件的各個電極端子分別位於鄰近平面線圈內部端子和外部端子的位置，半導體元件的電極端子與位於相對於線圈內部和外部相同側的平面線圈的相應端子電連接。
2.根據權利要求1所述的IC卡，其中平面線圈和半導體元件置於分別形成IC卡前表面和後表面的樹脂膜之間，並由樹脂膜內部形成的粘合層封閉和密封。
3.根據權利要求1所述的IC卡，其中平面線圈的端子要經受擠壓，以便平面線圈的端子能夠與其上形成電極端子的半導體元件表面平面基本在相同的平面內。
4.根據權利要求3所述的IC卡，其中已經經過擠壓的平面線圈的端子沿半導體元件端部的邊緣延伸，以便平面線圈的端子能夠圍繞半導體元件的端部，在半導體元件中設置了連接到平面線圈端子的電極端子。
5.根據權利要求1所述的IC卡，其中半導體元件設置在平面線圈內形成的凹槽中。
6.根據權利要求5所述的IC卡，其中當彎曲平面線圈的導線時，形成在平面線圈中形成的凹槽。
7.根據權利要求5所述的IC卡，其中通過在形成平面線圈導線的中間部分進行擠壓，在平面線圈中形成凹槽。
8.根據權利要求1所述的IC卡，其中通過環路-型焊接導線將平面線圈的端子與半導體元件的電極端子彼此連在一起，形成焊接導線的環路，以便焊接導線的環路不會突出於平面線圈的厚度範圍。
9.根據權利要求8所述的IC卡，其中通過楔形焊接方法實現焊接導線的連接。
10.根據權利要求8所述的IC卡，其中通過球壓焊接方法實現焊接導線的連接。
11.根據權利要求1所述的IC卡，其中通過扁平型金屬連接件將平面線圈的端子與半導體元件的電極端子彼此相連。
12.根據權利要求1所述的IC卡，其中平面線圈的端子與半導體元件的電極端子直接彼此相連。
13.根據權利要求12所述的IC卡，其中平面線圈包括應力吸收部分，用於吸收在靠近端子的一部分中平面線圈內產生的應力。
14.根據權利要求1所述的IC卡，其中通過穿孔的方式形成平面線圈。
15.根據權利要求1所述的IC卡，其中通過蝕刻的方式形成平面線圈。
16.根據權利要求1所述的IC卡，其中連接到平面線圈內部端子和外部端子的半導體元件的電極端子分別位於平面線圈的內部和外部。
17.一種IC卡包括一個平面線圈，在該平面線圈中導線在基本相同的平面內環繞多次；具有電極端子的半導體元件，平面線圈的端部電連接到該電極端子，其中平面線圈包括在線圈內部形成的內部端子和在線圈外部形成的外部端子，以這樣的方式設置半導體元件，以便在相對於形成電極端子平面後側的半導體元件的平面與平面線圈的導線相對，連接到平面線圈內部端子和外部端子的半導體元件的各個電極端子分別位於鄰近平面線圈內部端子和外部端子的位置，半導體元件的電極端子與位於相對於線圈內部和外部相同側的平面線圈的端子電連接。
18.根據權利要求17所述的IC卡，其中平面線圈和半導體元件置於形成IC卡前表面和後表面的樹脂膜之間，並由在樹脂膜內形成的粘合層密封。
19.根據權利要求17所述的IC卡，其中半導體元件設置在平面線圈中形成的凹槽內。
20.根據權利要求19所述的IC卡，其中在平面線圈中以這樣的方式形成凹槽，以便彎曲構成平面線圈的導線。
21.根據權利要求19所述的IC卡，其中在平面線圈中以這樣的方式形成凹槽，以便構成平面線圈導線的中間部分經受擠壓。
22.根據權利要求17所述的IC卡，其中通過環路-型焊接導線將平面線圈的端子與半導體元件的電極端子彼此相連。
23.根據權利要求22所述的IC卡，其中通過楔形焊接方法實現焊接導線的連接。
24.根據權利要求22所述的IC卡，其中通過球壓焊接方法實現焊接導線的連接。
25.根據權利要求17所述的IC卡，其中通過扁平型金屬連接件將平面線圈的端子與半導體元件的電極端子彼此相連。
26.根據權利要求17所述的IC卡，其中通過穿孔的方式形成平面線圈。
27.根據權利要求17所述的IC卡，其中通過蝕刻的方式形成平面線圈。
28.根據權利要求17所述的IC卡，其中與平面線圈的內部端子和外部端子相連的半導體元件的電極端子分別位於平面線圈的內部和外部。
29.一種IC卡，其中包括在基本相同的平面內環繞多次導線的平面線圈通過穿孔或蝕刻的方式形成，平面線圈的端子與半導體元件的電極端子彼此電連接，平面線圈包括在線圈內部形成的內部端子和在線圈外部形成的外部端子，通過樹脂模壓半導體元件，以便能夠暴露在連接到電極端子引入線連接線的一端形成的連接部分，連接到平面線圈內部端子和外部端子的引入線連接線的連接部分分別位於鄰近線圈內部端子和外部端子的位置，引入線連接線的連接部分與位於相對於線圈的內部和外部相同側的平面線圈的端子電連接。
30.一種IC卡，其中包括在基本相同的平面內環繞多次導線的平面線圈通過穿孔或蝕刻的方式形成，平面線圈的端子與半導體元件的電極端子彼此電連接，平面線圈包括在線圈內部形成的內部端子和在線圈外部形成的外部端子，形成內部端子和外部端子之一作為安裝部分，在該安裝部分中，在端子表面上安裝半導體元件，通過導線焊接的方式，將安裝在安裝部分中的半導體元件的電極端子分別與內部端子和外部端子電連接。
31.一種IC卡，其中通過擠壓的方式將安裝部分形成凹槽，該凹槽的寬度大於導線的寬度，在通過一端和另一端之間中間部分的一部分導線中形成直通凹槽，其中用於連接另一端與半導體元件的電極端子的焊接導線跨過該部分。
32.一種IC卡，其中包括在基本相同的平面內環繞多次導線的平面線圈通過穿孔或蝕刻的方式形成，平面線圈的端子與半導體元件的電極端子彼此電連接，平面線圈包括在線圈內部形成的內部端子和在線圈外部形成的外部端子，在置於內部端子和外部端子之間的中間部分中通過的至少一根導線的中間部分形成安裝部分，在該安裝部分中，在導線的表面上安裝半導體元件，通過焊接的方式，將安裝在安裝部分中的半導體元件與內部端子和外部端子彼此電連接。
33.根據權利要求32所述的一種IC卡，其中由凹槽形成的安裝部分通過擠壓導線在導線中形成，安裝部分的寬度大於導線的寬度，在穿過置於安裝部分和端子之一之間的中間部分的一部分導線中形成直通凹槽，焊接導線跨過該部分導線，同時在穿過置於安裝部分和另一個端子之間的中間部分的一部分導線中也形成直通凹槽，焊接導線跨過該部分導線。
34.一種用於製作具有平面線圈IC卡的IC卡框架，在平面線圈中導線在基本相同的平面內環繞多次，通過穿孔和蝕刻形成平面線圈，平面線圈的端子和半導體元件的電極端子彼此電連接，其中平面線圈包括在線圈內部形成的內部端子，位於相對於線圈的內部和外部相同側的半導體元件的電極端子電連接到該內部端子，平面線圈也包括在線圈外部形成的外部端子。
35.根據權利要求34所述的IC卡框架，其中在平面線圈中形成用於安裝半導體元件的凹槽。
36.根據權利要求35所述的IC卡框架，其中通過彎曲形成平面線圈的導線，在平面線圈中形成凹槽。
37.根據權利要求35所述的IC卡框架，其中通過在形成平面線圈的導線的中間部分進行擠壓形成在平面線圈中形成的凹槽。
38.根據權利要求34所述的IC卡框架，其中形成內部端子和外部端子之一作為安裝部分，在安裝部分中，在端子表面上安裝半導體元件。
39.根據權利要求38所述的IC卡框架，其中由凹槽形成的安裝部分通過擠壓導線在導線中形成，該安裝部分的寬度大於導線的寬度，在穿過置於端子之一和另一個端子之間中間部分的一部分導線中形成直通凹槽，用於將另一個端子與半導體元件的電極端子相連的焊接導線跨過該部分導線。
40.根據權利要求39所述的IC卡框架，其中焊接導線通過的直通凹槽的至少一個內表面用電絕緣材料覆蓋。
41.根據權利要求34所述的IC卡框架，其中穿過置於內部端子和外部端子之間中間部分的至少一根導線的中間部分形成安裝部分，在該安裝部分中、在導線表面安裝半導體元件。
42.根據權利要求41所述的IC卡框架，其中由凹槽形成的安裝部分通過擠壓導線在導線中形成，安裝部分的寬度大於導線的寬度，在穿過置於安裝部分和端子之一之間中間部分的一部分導線中形成直通-凹槽，焊接導線跨過該部分導線，在穿過置於安裝部分和另一個端子之間中間部分的一部分導線中也形成直通-凹槽，焊接導線跨過該部分導線。
43.根據權利要求34所述的IC卡框架，其中在軌道的縱向方向上、在兩個並行軌道之間連續設置結構相同的多個平面線圈。
44.根據權利要求43所述的IC卡框架，其中在形成平面線圈的導線中，最外側導線比其它導線粗。
45.根據權利要求43所述的IC卡框架，其中平面線圈的最外側導線通過連接部分連接，這些最外側的導線彼此相鄰。
全文摘要
一種能夠低成本大批量生產的IC卡,包括通過穿孔或蝕刻方式形成的平面線圈,在平面線圈10中,導線11在基本相同的平面內環繞多次,平面線圈10具有在線圈外部和內部分別形成的外部端子和內部端子,半導體元件12的電極端子12a、12b的形成表面或與形成表面相反的平面與平面線圈10的導線11相對,且該電極端子12a、12b分別位於鄰近平面線圈10的外部和內部端子10a和10b的位置,電極端子12a、12b與平面線圈10的端子10a、10b電連接。
文檔編號G06K19/077GK1256776SQ9980013
公開日2000年6月14日 申請日期1999年2月10日 優先權日1998年2月13日
發明者池田孝, 赤川雅俊, 伊藤大介 申請人:新光電氣工業株式會社