微波陶瓷元器件製作的雷射微調刻蝕方法
2023-05-20 14:56:31
專利名稱：微波陶瓷元器件製作的雷射微調刻蝕方法
技術領域：
本發明涉及一種微波介質陶瓷元器件，尤其是涉及一種用於對微波陶瓷元器件製作過程中的雷射微調刻蝕方法。
背景技術：
微波介質陶瓷(也稱微波陶瓷，英文縮寫為MWDC)是指應用於微波頻段(主要是UHF、SHF頻段，300MHz～300GHz)電路中作為介質材料並完成一種或多種功能的陶瓷，是近年來國內外研究的熱點。利用微波介質陶瓷材料製作的濾波器、雙工器、GPS天線、片式電容器等，具有體積小、重量輕、溫度穩定性好、價格便宜等優點，是現代通信設備小型化、集成化的關鍵部件(參見文獻Reaney I M and Iddles D.Microwave Dielectric Ceramics forResonators and Filters in Mobile Phone Networks[J].J.Am.Ceram.Soc.，2006，89(7)2063-2072)微波介質陶瓷的製作通常要經過配料、球磨、烘乾、預燒、二次球磨、烘乾、造粒、壓片和燒結等過程。目前，一般製作出的微波陶瓷普遍存在尺寸不能精確控制的問題，主要有兩方面的原因一方面，微波陶瓷的燒結受爐膛內溫度很難完全均勻的影響，直徑和厚度等幾何尺寸的精確度較難控制；另一方面，微波陶瓷的厚度雖然可以通過後期的拋光等工序加以調整，但是普遍存在厚度控制連續性差、手工拋光效率低等問題。因此，生產出的微波介質陶瓷半成品合格率較低，大大影響微波陶瓷用於製作元器件的成品合格率。
雷射微調刻蝕是利用雷射束可聚集成很小的光斑，達到適當的能量密度，有選擇地氣化部分材料來精密調節微電子元器件性能的一種方法(參見文獻曹宇，李祥友，蔡志祥，等.雷射微加工技術在集成電路製造中的應用[J].光學與光電技術，2006，4(4)25-28)雷射微調刻蝕技術具有精度高、通用性強、效率高、成本低和綜合技術經濟效益顯著等優點，已成為現代製造領域的關鍵技術之一。
發明內容
本發明的目的在於提供一種可微細調節，具有速度快、成本低、效率高、可連續監控等優點的微波陶瓷元器件製作的雷射微調刻蝕方法，在製作微波陶瓷元器件過程中可調節微波陶瓷元器件的諧振頻率和品質因子Q值等。
本發明包括以下步驟 1)用網絡分析儀測試出微波陶瓷的微波介電性能參數； 2)打開雷射儀，選擇微調刻蝕的形狀和大小，並設置好有關加工參數； 3)將雷射儀的雷射束對準待刻蝕的微波陶瓷，聚焦完畢後，即可微調刻蝕； 4)用網絡分析儀測試經過微調刻蝕的微波陶瓷的微波介電性能參數； 5)觀察並比較微調刻蝕前後的微波陶瓷的微波介電性能參數數據，根據預先設定的微波陶瓷的微波介電性能參數，判斷是否需要繼續微調刻蝕，若需要繼續微調刻蝕，重複步驟2～5，至達到預先設定的微波陶瓷的微波介電性能參數。
微波陶瓷的微波介電性能參數包括諧振頻率fc、品質因子Q值等。加工參數包括速度、電流、頻率、加工方式、加工次數等。
與現有手工拋光等方法進行微波介質陶瓷調諧相比較，本發明具有以下突出優點 1)由於本發明利用雷射微調刻蝕技術實現對微波陶瓷元器件的微調刻蝕，因此具有速度快、成本低、效率高、可控性強等優點。
2)微波陶瓷元器件諧振頻率fc和品質因子Q值等的調整可以通過在微波陶瓷的表面、側面等部位微調刻蝕來實現。沿著微波陶瓷表面或側面相關部位進行雷射微調刻蝕，會導致諧振頻率和品質因子Q值等的改變，其改變的幅度取決於雷射微調刻蝕的位置和深度。
3)微波陶瓷元器件諧振頻率fc和品質因子Q值等的調整可以通過在微波陶瓷表側面微調刻蝕的形狀不同來實現。沿著對微波陶瓷表側面各部位微調刻蝕，形狀有實心圓或圓環形等，能夠改變微波陶瓷的諧振頻率fc和品質因子Q值等性能，其改變的幅度取決於雷射微調刻蝕的形狀和尺寸大小。
4)本發明還提供了通過用雷射束在微波陶瓷元器件一次或多次累加微調刻蝕，對其諧振頻率進行微調刻蝕，以及調整品質因子Q值的方法。
圖1為實施例1的微波陶瓷表面雷射微調刻蝕示意圖。
圖2為實施例2的微波陶瓷表面雷射微調刻蝕示意圖。
圖3為實施例3的微波陶瓷表面雷射微調刻蝕示意圖。
圖4為實施例4的微波陶瓷表面雷射微調刻蝕示意圖。
圖5為實施例5的微波陶瓷表面雷射微調刻蝕示意圖。
圖6為實施例6～18的微波陶瓷表面雷射微調刻蝕示意圖。
具體實施例方式 以下結合實施例和附圖對本發明作進一步的說明。
實施例1 參見圖1，採用CTLA微波陶瓷，尺寸為7.26mm×2.57mm。微調刻蝕之前，用網絡分析儀測試其微波介電性能，包括諧振頻率fc、品質因子Q值等，然後用雷射儀在微波陶瓷上表面中部1處微調刻蝕，刻蝕直徑為1mm，形狀為實心圓，雷射參數設置為速度3500mm/s，電流6A，頻率10kHz，加工次數1000。微調刻蝕後，進行微波介電性能測試，測量出諧振頻率fc、品質因子Q值等。此後，再在微波陶瓷的側面中部2處微調刻蝕，刻蝕直徑和雷射參數設置同上，微調刻蝕後測量出其諧振頻率fc、品質因子Q值等。類似地，接下來依次在微波陶瓷3和4部位微調刻蝕，並測量出其諧振頻率fc、品質因子Q值等，觀察其變化情況。隨後，依次再在微波陶瓷樣品的1、2、3和4部位微調刻蝕，刻蝕直徑為2mm，形狀為實心圓，雷射參數設置為速度3500mm/s，電流6A，頻率10kHz，加工次數1000。每次微調刻蝕結束，進行微波介電性能測試。最後，結合數據判斷微波陶瓷各部位的敏感程度，即對諧振頻率fc和品質因子Q值的影響。表1總結了在尚未微調刻蝕的微波陶瓷上進行雷射微調刻蝕後，諧振頻率fc和Q×fc值的變化情況。
表1微波陶瓷雷射微調刻蝕的諧振頻率fc和Q×fc值的變化 實施例1表明，微波陶瓷的不同部位對諧振頻率fc的敏感程度不同，且不管是微調刻蝕直徑為1mm還是2mm，微波陶瓷各部位的敏感程度從大到小的順序為2＞4＞3＞1；微波陶瓷的不同部位對Q×fc值的敏感程度也不同，且不管是微調刻蝕直徑為1mm還是2mm，部位2和4較為敏感，部位1和3較不敏感；雷射微調刻蝕的目的是為了起到既能較大幅度地調整諧振頻率fc值，又儘可能不惡化Q×fc值，甚至還能改善Q×fc值的作用。綜合考慮這兩個因素，通過ΔQ×fc/Δfc值的大小，可以大致判讀各部位微調刻蝕的效果。從表1看出，微調刻蝕直徑為2mm較1mm效果好，微波陶瓷的部位1較差，部位2、3和4稍好。
實施例2 參見圖2，採用CTLA微波陶瓷，尺寸為7.23mm×2.61mm。微調刻蝕之前，先用網絡分析儀測試出其微波介電性能，包括諧振頻率fc、品質因子等，然後用雷射儀在微波陶瓷上表面5處微調刻蝕，刻蝕直徑為1mm，形狀為實心圓，雷射參數設置為速度3500mm/s，電流6A，頻率10kHz，加工次數1000。微調刻蝕後，進行微波介電性能測試，測量出諧振頻率fc、品質因子Q值等。類似地，接下來依次在微波陶瓷6、7和8部位微調刻蝕，並測出諧振頻率fc、品質因子Q值等，每次微調刻蝕結束，進行微波介電性能測試。最後，結合數據判斷微波陶瓷的各部位的敏感程度，即對諧振頻率和品質因子Q值的影響。表2總結了在尚未微調刻蝕的微波陶瓷上進行雷射微調刻蝕後，諧振頻率fc和Q×fc值的變化情況。 表2微波陶瓷雷射微調刻蝕的諧振頻率fc和Q×fc值的變化 實施例2表明，微波陶瓷的不同部位對諧振頻率fc和Q×fc值的敏感程度不同，部位7和8較為敏感，部位5和6較不敏感；雷射微調刻蝕的目的是為了起到既能較大幅度地調整諧振頻率fc值，又儘可能不惡化Q×fc值，甚至還能改善Q×fc值的作用，綜合考慮這兩個因素，通過ΔQ×fc/Δfc值的大小，可以大致判斷微波陶瓷的各部位微調刻蝕的效果。從表2看出，部位5和6較差，部位7和8稍好。
實施例3 參見圖3，採用CTLA微波陶瓷，尺寸為10.56mm×6.91mm。微調刻蝕之前，先用網絡分析儀測試出其微波介電性能，包括諧振頻率fc、品質因子Q值等，然後用雷射儀在微波陶瓷上表面9處微調刻蝕，刻蝕直徑為2mm，形狀為實心圓，雷射參數設置為速度3500mm/s，電流6A，頻率10kHz，加工次數1000。微調刻蝕後，進行微波介電性能測試，測量出諧振頻率fc、品質因子Q值等。此後，再在微波陶瓷的10處微調刻蝕，刻蝕直徑和雷射參數設置同上，微調刻蝕後測量出其諧振頻率fc、品質因子Q值等。類似地，接下來依次在微波陶瓷11、12和13部位微調刻蝕，刻蝕直徑和雷射參數設置同上。每次微調刻蝕結束，進行微波介電性能測試。最後，結合數據判斷微波陶瓷的各部位的敏感程度，即對諧振頻率fc和品質因子Q值的影響。表3總結了在尚未微調刻蝕的微波陶瓷上進行雷射微調刻蝕後，諧振頻率fc和Q×fc值的變化情況。表3微波陶瓷雷射微調刻蝕的諧振頻率fc和Q×fc值的變化 實施例3表明，尺寸較大的微波陶瓷其不同部位對諧振頻率fc的敏感程度也不同，部位11和12較為敏感，部位9、10和13較不敏感；微波陶瓷其不同部位對Q×fc值的敏感程度也不同，部位11、12和13較為敏感，部位9和10較不敏感；雷射微調刻蝕的目的是為了起到既能較大幅度調整諧振頻率fc值，又儘可能不惡化Q×fc值，兼顧這兩個因素，通過ΔQ×fc/Δfc值的大小，可以大致判讀微波陶瓷的各部位微調刻蝕的效果。從表3看出，部位9、10和13較差，部位11和12稍好。
實施例4 參見圖4，採用CTLA微波陶瓷，尺寸為7.30mm×2.66mm。微調刻蝕之前，用網絡分析儀測試出其微波介電性能，包括諧振頻率fc、品質因子Q值等，然後用雷射儀在微波陶瓷上表面中心14處微調刻蝕，形狀為圓環形，內徑為1mm，外徑為2mm，雷射參數設置為速度3500mm/s，電流5A，頻率10kHz，加工次數300。微調刻蝕後，測量出諧振頻率fc、Q值等。此後，再在微波陶瓷的15處微調刻蝕，形狀為圓環形，內徑為1mm，外徑為3mm，雷射參數設置同上，微調刻蝕後測量出諧振頻率fc、品質因子Q值等。隨後，再在微波陶瓷16部位微調刻蝕，形狀為圓環形，內徑為1mm，外徑為4mm，雷射參數設置同上，並測量出其諧振頻率fc、Q值等，觀察其變化情況。最後，結合數據判斷微波陶瓷的各部位的敏感程度，即對諧振頻率fc和品質因子Q值的影響。表4總結了在尚未微調刻蝕的微波陶瓷上進行雷射微調刻蝕後，諧振頻率fc和Q×fc值的變化情況。 表4微波陶瓷雷射微調刻蝕的諧振頻率fc和Q×fc值的變化 實施例4表明，微調刻蝕形狀為圓環形時(內徑為1mm)，微波陶瓷其微調刻蝕形狀大小對諧振頻率fc的影響程度不同，內外圓間距越大，對諧振頻率fc的影響越大；微波陶瓷其微調刻蝕形狀大小對Q×fc值的影響程度也不同，內外圓間距較小時，Q×fc值下降，而內外圓間距達到一定值時，Q×fc值上升；雷射微調刻蝕的目的是為了起到既能較大幅度得調整fc值，又儘可能不惡化Q×fc值，甚至還能改善Q×fc值的作用，兼顧這兩個因素，通過ΔQ×fc/Δfc值的大小，可以大致判讀微波陶瓷的微調刻蝕形狀大小微調刻蝕的效果。從表4看出，微調刻蝕形狀為圓環形時，內徑為1mm，外徑為4mm，其微調刻蝕效果較佳。
實施例5 參見圖5，採用CTLA微波陶瓷，尺寸為7.32mm×2.64mm。微調刻蝕之前，先用網絡分析儀測試出其微波介電性能，包括諧振頻率fc、品質因子Q值等，然後用雷射儀在微波陶瓷上表面中心17處微調刻蝕，刻蝕形狀為圓環形，內徑為2mm，外徑為3mm，雷射參數設置為速度3500mm/s，電流5A，頻率10kHz，加工次數300。微調刻蝕後，測量出諧振頻率fc、品質因子Q值等。此後，再在微波陶瓷的18處微調刻蝕，形狀為圓環形，內徑為2mm，外徑為4mm，雷射參數設置同上，此後測量出其fc、品質因子Q值等等。隨後，再在微波陶瓷19部位微調刻蝕，形狀為圓環形，內徑為2mm，外徑為5mm，雷射參數設置同上，並測量出其fc、品質因子Q值等，觀察其變化情況。最後，結合數據判斷微波陶瓷的各部位的敏感程度，即對諧振頻率fc和品質因子Q值的影響。表5總結了在尚未微調刻蝕的微波陶瓷上進行雷射微調刻蝕後，諧振頻率fc和Q×fc值的變化情況。
表5微波陶瓷雷射微調刻蝕的諧振頻率fc和Q×fc值的變化 實施例5表明，微調刻蝕形狀為圓環形時(內徑為2mm)，微波陶瓷其微調刻蝕形狀大小對諧振頻率fc的影響程度不同，內外圓間距越大，對諧振頻率fc的影響越大；微波陶瓷其微調刻蝕形狀大小對Q×fc值的影響程度也不同，內外圓間距較小時，Q×fc值上升，而內外圓間距較大時，Q×fc值下降；雷射微調刻蝕的目的是為了起到既能較大幅度得調整諧振頻率fc值，又儘可能不惡化Q×fc值，甚至還能改善Q×fc值的作用，兼顧這兩個因素，通過ΔQ×fc/Δfc值的大小，可以大致判讀微波陶瓷的微調刻蝕形狀大小微調刻蝕的效果。從表5看出，微調刻蝕形狀為圓環形時，內徑為2mm，外徑為3mm，其微調刻蝕效果較佳。
實施例6～10 參見圖6，實施例6採用BMZN微波陶瓷，尺寸為7.69mm×2.64mm。微調刻蝕之前，先用網絡分析儀測試出其微波介電性能，包括諧振頻率fc、品質因子Q值等，然後用雷射儀在微波陶瓷上表面中部20處微調刻蝕，刻蝕形狀為圓環形，內徑為1mm，外徑為2mm，雷射參數設置為速度3500mm/s，電流5A，頻率10kHz，加工次數200。微調刻蝕後，進行微波介電性能測試，測量出諧振頻率fc、品質因子Q等。實施例7採用的BMZN微波陶瓷尺寸為7.64mm×2.56mm。微調刻蝕之前，測量出諧振頻率fc、品質因子Q等，然後用雷射儀在微波陶瓷上表面中部20處微調刻蝕，形狀為圓環形，內徑為2mm，外徑為3mm，雷射參數設置同上。微調刻蝕後，測量出諧振頻率fc、品質因子Q等。實施例8採用的BMZN微波陶瓷尺寸為7.64mm×2.58mm。微調刻蝕之前，測量出諧振頻率fc、品質因子Q等，然後用雷射儀在微波陶瓷上表面中部20處微調刻蝕，形狀為圓環形，內徑為3mm，外徑為4mm，雷射參數設置同上。微調刻蝕後，測量出諧振頻率fc、品質因子Q等。實施例9採用的BMZN微波陶瓷尺寸為7.68mm×2.60mm。微調刻蝕之前，測試出諧振頻率fc、品質因子Q等，然後用雷射儀在微波陶瓷上表面中部20處微調刻蝕，刻蝕形狀為圓環形，內徑為4mm，外徑為5mm，雷射參數設置同上。微調刻蝕後，測量出諧振頻率fc、品質因子Q值等。實施例10採用的BMZN微波陶瓷尺寸為7.66mm×2.55mm。微調刻蝕之前，測量出諧振頻率fc、品質因子Q等，然後用雷射儀在微波陶瓷上表面中部20處微調刻蝕，形狀為圓環形，內徑為5mm，外徑為6mm，雷射參數設置同上。微調刻蝕後，測量出諧振頻率fc、品質因子Q等。表6總結了在尚未微調刻蝕的微波陶瓷上進行雷射微調刻蝕後，諧振頻率fc和Q×fc值的變化情況。
表6微波陶瓷雷射微調刻蝕的諧振頻率fc和Q×fc值的變 上述實施例表明，微調刻蝕形狀為圓環形時(內外徑間距為0.5mm)，微波陶瓷其微調刻蝕形狀大小對諧振頻率fc的影響程度不同，隨著內外徑的增加，諧振頻率fc調整幅度增加，但Q×fc值保持不惡化或惡化較少態勢。雷射微調刻蝕的目的是既能較大幅度得調整諧振頻率fc值，又儘可能不惡化Q×fc值，甚至還能改善Q×fc值，考慮這兩個因素，從表6看出，微調刻蝕形狀為圓環形時(內外徑間距為0.5mm)，對BMZN微波陶瓷微調刻蝕效果均較為理想，其中當刻蝕形狀為圓環形，內徑為5mm，外徑為6mm時，諧振頻率fc值調整幅度最大。
實施例11～13 參見圖6，實施例11採用BMZN微波陶瓷，尺寸為7.64mm×2.56mm。微調刻蝕前，先用網絡分析儀測出微波介電性能，包括諧振頻率fc、品質因子Q值等，然後用雷射儀在微波陶瓷上表面中部20處微調刻蝕成圓環形，內徑為2mm，外徑為4mm，雷射參數設置為速度3500mm/s，電流5A，頻率10kHz，加工次數100。微調刻蝕後，測量出諧振頻率fc、品質因子Q值等。實施例12採用的BMZN微波陶瓷尺寸為7.62mm×2.54mm。微調刻蝕前，測量出諧振頻率fc、品質因子Q值等，然後用雷射儀在微波陶瓷20部位微調刻蝕，形狀為圓環形，內徑為3mm，外徑為5mm，雷射參數設置同上。微調刻蝕後，測出諧振頻率fc、品質因子Q值等。實施例13採用的BMZN微波陶瓷尺寸為7.66mm×2.60mm。微調刻蝕前，測出諧振頻率fc、品質因子Q值等，然後用雷射儀在陶瓷20部位微調刻蝕成圓環形，內徑為4mm，外徑為6mm，雷射參數設置同上。微調刻蝕後，測出諧振頻率fc、品質因子Q值等。表7總結了在尚未微調刻蝕的微波陶瓷上進行雷射微調刻蝕後，諧振頻率fc和Q×fc值的變化情況。
表7微波陶瓷雷射微調刻蝕的諧振頻率fc和Q×fc值的變化 上述實施例表明，微調刻蝕形狀為圓環形時(內外徑間距為1mm)，微波陶瓷其微調刻蝕形狀大小對諧振頻率fc的影響程度不同，隨著內外徑的增加，諧振頻率fc調整幅度增加，但Q×fc值保持惡化較少態勢。雷射微調刻蝕的目的是為了起到既能較大幅度得調整諧振頻率fc值，又儘可能不惡化Q×fc值，甚至還能改善Q×fc值的作用，考慮這兩個因素，從表7看出，微調刻蝕形狀為圓環形時(內外徑間距為1mm)，對BMZN微波陶瓷微調刻蝕效果均較為理想，其中當刻蝕形狀為圓環形，內徑為4mm，外徑為6mm時，諧振頻率fc值調整幅度最大。
實施例14～16 參見圖6，實施例14採用BMZN微波陶瓷，尺寸為7.66mm×2.58mm。微調刻蝕前，先用網絡分析儀測出微波介電性能，包括諧振頻率fc、品質因子Q值等，然後用雷射儀在微波陶瓷上表面中部20處微調刻蝕成圓環形，內徑為5mm，外徑為6mm，雷射參數設置為速度3500mm/s，電流5A，頻率10kHz，加工次數100。刻蝕後，測量出諧振頻率fc、品質因子Q值等。實施例15採用的BMZN微波陶瓷尺寸為7.62mm×2.54mm。微調刻蝕前，測量出諧振頻率fc、品質因子Q值等，然後用雷射儀在微波陶瓷20部位微調刻蝕成圓環形，尺寸同上，雷射參數設置加工次數150，其它參數同上。刻蝕後，測出諧振頻率fc、品質因子Q值等。實施例16採用的BMZN微波陶瓷尺寸為7.60mm×2.53mm。微調刻蝕前，測出諧振頻率fc、品質因子Q值等，然後用雷射儀在微波陶瓷20部位微調刻蝕成圓環形，尺寸同上，雷射參數設置加工次數200，其它參數同上。刻蝕後，測出諧振頻率fc、Q值等。表8總結了在尚未微調刻蝕的微波陶瓷上進行雷射微調刻蝕後，諧振頻率fc和Q×fc值的變化情況。
表8微波陶瓷雷射微調刻蝕(內徑＝5mm，外徑＝6mm)的fc和Q×fc值的變化 上述實施例表明，微波陶瓷微調刻蝕成圓環形，內徑為5mm，外徑為6mm，微波陶瓷其微調刻蝕深度不同對諧振頻率fc的影響程度不同，隨著雷射加工次數的增加，諧振頻率fc調整幅度增加，但Q×fc值保持不惡化態勢。雷射微調刻蝕的目的是為了起到既能較大幅度得調整諧振頻率fc值，又儘可能不惡化Q×fc值，甚至還能改善Q×fc值的作用，兼顧這兩個因素，從表8看出，微調刻蝕形狀為圓環形，內徑為5mm，外徑為6mm，雷射加工次數100、150或200，對BMZN微波陶瓷微調刻蝕效果均較為理想，即可以實現調整不同幅度的諧振頻率fc值而對Q×fc值有所改善。
實施例17～18 參見圖6，實施例17採用BMZN微波陶瓷，尺寸為7.63mm×2.57mm。微調刻蝕前，先用網絡分析儀測出微波介電性能，包括諧振頻率fc、品質因子Q值等，然後用雷射儀在微波陶瓷上表面中部20處微調刻蝕成圓環形，內徑為4mm，外徑為6mm，雷射參數設置為速度3500mm/s，電流5A，頻率10kHz，加工次數50。微調刻蝕後，測量出諧振頻率fc、品質因子Q值等。實施例15採用的BMZN微波陶瓷尺寸為7.64mm×2.54mm。微調刻蝕前，測量出諧振頻率fc、品質因子Q值等，然後用雷射儀在微波陶瓷20部位微調刻蝕成圓環形，尺寸同上，雷射參數設置加工次數100，其它參數同上。微調刻蝕後，測出諧振頻率fc、品質因子Q值等。表9總結了在尚未微調刻蝕的微波陶瓷上進行雷射微調刻蝕後，諧振頻率fc和Q×fc值的變化情況。 表9微波陶瓷雷射微調刻蝕(內徑4mm，外徑6mm)的fc和Q×fc值的變化 上述實施例表明，微波陶瓷微調刻蝕成圓環形，內徑為4mm，外徑為6mm，微波陶瓷其微調刻蝕深度不同對諧振頻率fc的影響程度不同，隨著雷射加工次數的增加，諧振頻率fc調整幅度增加，但Q×fc值保持不惡化態勢。雷射微調刻蝕的目的是既能較大幅度地調整微波陶瓷的諧振頻率fc值，又儘可能不惡化Q×fc值，甚至還能改善Q×fc值，綜合這兩個因素，從表9看出，微調刻蝕形狀為圓環形，內徑為4mm，外徑為6mm，雷射加工次數50或100，對BMZN微波陶瓷微調刻蝕效果均較為理想，即可以實現不同幅度地調整諧振頻率fc值且對Q×fc值有所改善。
權利要求
1.微波陶瓷元器件製作的雷射微調刻蝕方法，其特徵在於包括以下步驟
1)用網絡分析儀測試出微波陶瓷的微波介電性能參數；
2)打開雷射儀，選擇微調刻蝕的形狀和大小，並設置好有關加工參數；
3)將雷射儀的雷射束對準待刻蝕的微波陶瓷，聚焦完畢後，即可微調刻蝕；
4)用網絡分析儀測試經過微調刻蝕的微波陶瓷的微波介電性能參數；
5)觀察並比較微調刻蝕前後的微波陶瓷的微波介電性能參數數據，根據預先設定的微波陶瓷的微波介電性能參數，判斷是否需要繼續微調刻蝕，若需要繼續微調刻蝕，重複步驟2～5，至達到預先設定的微波陶瓷的微波介電性能參數。
2.如權利要求1所述的微波陶瓷元器件製作的雷射微調刻蝕方法，其特徵在於微波陶瓷的微波介電性能參數包括諧振頻率fc、品質因子Q值。
3.如權利要求1所述的微波陶瓷元器件製作的雷射微調刻蝕方法，其特徵在於加工參數包括速度、電流、頻率、加工方式、加工次數。
全文摘要
微波陶瓷元器件製作的雷射微調刻蝕方法，涉及一種微波介質陶瓷元器件。提供一種可微細調節，具有速度快、成本低、效率高、可連續監控等優點的微波陶瓷元器件製作的雷射微調刻蝕方法。用網絡分析儀測試出微波陶瓷的微波介電性能，打開雷射儀，選擇微調刻蝕的形狀和大小，設置加工參數，如速度、電流、頻率、加工方式、加工次數；將雷射束對準待刻蝕的微波陶瓷，聚焦，微調刻蝕；用網絡分析儀測試經過微調刻蝕的微波陶瓷的微波介電性能，觀察並比較微調刻蝕前後的微波陶瓷的諧振頻率fc、品質因子Q值等，根據預先設定的微波陶瓷的微波介電性能參數，判斷是否需繼續微調刻蝕，若需要，重複上述步驟，至達到預先設定的微波陶瓷的微波介電性能參數。
文檔編號C04B41/91GK101234913SQ20081007067
公開日2008年8月6日 申請日期2008年2月27日 優先權日2008年2月27日
發明者熊兆賢, 鄭建森, 芬 肖, 楊國山, 昊 薛 申請人:廈門大學