一種溼法刻蝕監控方法
2023-05-21 08:33:01
專利名稱：一種溼法刻蝕監控方法
技術領域：
本發明涉及高效太陽能電池製造的技術領域，尤其涉及一種溼法刻蝕監控方法。
背景技術：
太陽能電池的發展是低成本、高效率，而選擇性發射極結構是PN結晶體矽太陽能 電池生產工藝中實現高效率的方法。採用HF/HN03體系，對太陽電池PN結進行刻蝕形成選 擇性發射極，而刻蝕多少為恰到好處，目前還沒有一個很有效的監控方法。
發明內容
本發明要解決的技術問題是為克服上述問題，本發明提供了一種可以有效控制 太陽能電池PN結刻蝕工藝點的溼法刻蝕監控方法。本發明解決其技術問題所採用的技術方案是提供一種溼法刻蝕監控方法，包括 如下步驟第一步、用印刷或噴塗的方法在矽片表面的掩膜區製備出非掩膜區圖形；第二步、把非掩膜區圖形部分的掩膜刻蝕形成非掩膜區；第三步、用四探針探頭測量非掩膜區的方塊電阻，非掩膜區的方塊電阻的阻值為 90 160 Ω。所述的非掩膜區位於電極柵線位置。所述的四探針探頭邊緣與同側非掩膜區邊緣之間的距離為相鄰兩個探針之間間 距的15倍。所述的四探針探頭的相鄰兩個探針之間的間距相等。本發明的有益效果是本發明利用在掩膜區挖出一定區域的非掩膜區，監控該非 掩膜區的方塊電阻來控制刻蝕工藝點，本發明可以使工藝控制有依據，方便對刻蝕過程的 控制。
下面結合附圖對本發明進一步說明。圖1是本發明的方法的工藝示意圖。圖2是本發明中四探針探頭測試方塊電阻的工藝示意圖。其中1.掩膜區，2.非掩膜區，3.電極柵線，4.方阻測試儀，5.探針。
具體實施例方式現在結合附圖對本發明作進一步詳細的說明。這些附圖均為簡化的示意圖，僅以 示意方式說明本發明的基本結構，因此其僅顯示與本發明有關的構成。如圖1圖2所示，一種溼法刻蝕監控方法，包括如下步驟第一步、用印刷或噴塗的方法在矽片表面的掩膜區1製備出非掩膜區圖形；
第二步、把非掩膜區圖形部分的掩膜刻蝕形成非掩膜區2 ；第三步、用四探針探頭測量非掩膜區2的方塊電阻，非掩膜區2的方塊電阻的阻值 為 90 160 Ω。四探針探頭邊緣與同側非掩膜區邊緣之間的距離為相鄰兩個探針5之間間距的 15倍，因此，根據探針間距可以確定所需非掩膜區圖形的大小。如圖1所示，塗有抗蝕劑的太陽能電池片的掩膜區1為高阻區，無法用任何儀器測 得其阻值，只有電極柵線3為非高阻區，但由於電極柵線寬度有限，也無法實際測得數值， 所以選擇電極柵線上部分位置挖除掩膜，形成非掩膜區2，這樣就確定了所需非掩膜區圖形 的位置，然後用四探針探頭測非掩膜區2的方塊電阻。如圖1所示，常規選5個點來測試，非掩膜區2為在電極柵線上的5個長方形。如圖2所示，四探針探頭由四根探針5組成，探針5之間距離相等，這樣可減小比 例測試誤差。四根探針5由四根引線連接到方阻測試儀4上，當探針5壓在非掩膜區的測 試材料上，方阻測試儀4就能立即顯示出材料的方阻值，具體原理是外端的兩根探針5產生 電流場，內端上兩根探針5測試電流場在這兩個探點上形成的電勢。因為方阻越大，產生的 電勢也越大，因此就可以測出測試材料的方阻值。採用四探針探頭測量非掩膜區2的方塊 電阻，各種不同規格的太陽能電池片的阻值均在90 160Ω範圍內。以上述依據本發明的理想實施例為啟示，通過上述的說明內容，相關工作人員完 全可以在不偏離本項發明技術思想的範圍內，進行多樣的變更以及修改。本項發明的技術 性範圍並不局限於說明書上的內容，必須要根據權利要求範圍來確定其技術性範圍。
權利要求
1.一種溼法刻蝕監控方法，用於對太陽電池PN結的溼法刻蝕程度進行監控，其特徵在 於包括如下步驟第一步、用印刷或噴塗的方法在矽片表面的掩膜區製備出非掩膜區圖形； 第二步、把非掩膜區圖形部分的掩膜刻蝕形成非掩膜區；第三步、用四探針探頭測量非掩膜區的方塊電阻，非掩膜區的方塊電阻的阻值為90 160 Ω。
2.根據權利要求1所述的一種溼法刻蝕監控方法，其特徵在於所述的非掩膜區位於 電極柵線位置。
3.根據權利要求1所述的一種溼法刻蝕監控方法，其特徵在於所述的四探針探頭邊 緣與同側非掩膜區邊緣之間的距離為相鄰兩個探針之間間距的15倍。
4.根據權利要求1所述的一種溼法刻蝕監控方法，其特徵在於所述的四探針探頭的 相鄰兩個探針之間的間距相等。
全文摘要
本發明提供一種溼法刻蝕監控方法，包括如下步驟第一步、用印刷或噴塗的方法在矽片表面的掩膜區製備出非掩膜區圖形；第二步、把非掩膜區圖形部分的掩膜刻蝕形成非掩膜區；第三步、用四探針探頭測量非掩膜區的方塊電阻，非掩膜區的方塊電阻的阻值為90～160Ω。本發明利用在掩膜區挖出一定區域的非掩膜區，監控該非掩膜區的方塊電阻來控制刻蝕工藝點，本發明可以使工藝控制有依據，方便對刻蝕過程的控制。
文檔編號H01L31/18GK102130214SQ201010620680
公開日2011年7月20日 申請日期2010年12月31日 優先權日2010年12月31日
發明者葉權華, 楊延德, 楊文侃 申請人:常州天合光能有限公司