光電轉換元件用對電極以及光電轉換元件的製作方法
2023-05-21 01:03:51 2
專利名稱：光電轉換元件用對電極以及光電轉換元件的製作方法
技術領域：
本發明涉及用於色素增感型太陽能電池等光電轉換元件的對電極的構造。
本申請對2004年12月22日申請的日本特願2004-371703號以及2005年9月26日申請的日本特願2005-278096主張優先權，並在此引用其內容。
背景技術：
在環境問題、資源問題等背景下，作為清潔能源的太陽能電池受到注目。作為太陽能電池，有使用單晶、多晶或非晶矽的電池。但是，以往的矽類太陽能電池，存在製造成本高，且原料供應不足等問題，從而未能大面積普及。
對此，瑞士的Graetzel等人組成的小組提出了色素增感型太陽能電池。該電池作為廉價且可得到高轉換效率的光電轉換元件而受到關注(例如參照專利文獻1、專利文獻2、非專利文獻1等)。
一般來講，色素增感型太陽能電池(Dye Sensitized Solar CellDSC)等溼式太陽能電池，例如，大致是由作用電極、對電極、以及向這些電極之間封入的含有碘等氧化還原對的電解質構成的，其中，作用電極是在由透光性優良的玻璃等材料構成的透明基材的一個面上，形成了多孔膜的電極，該多孔膜由二氧化鈦等氧化物半導體微粒(納米粒子)構成，承載了光增感色素；對電極是由形成在由玻璃等絕緣性材料構成的基板的一個面上的導電膜構成的。
專利文獻1日本特許第2664191號公報專利文獻2日本特開2001-160427號公報非專利文獻1M.Graetzel et al.，Nature，737，p.353，1991
圖4是用示意截面圖來表示以往的色素增感型太陽能電池的構造的一個例子的圖。該色素增感型太陽能電池50是以第一基板51、第二基板55和電解質層56為主要構成要素的，其中，第一基板51在其一個面上形成有承載了光增感色素的多孔半導體電極(以下，也稱為色素增感半導體電極或作用電極)53；第二基板55形成有導電膜54；電解質層56由封入第一基板51和第二基板55之間的例如凝膠狀電解質構成。
作為第一基板51，採用了具有透光性的板材，在第一基板51的色素增感半導體電極53側的面上，為了使其具有導電性而配置有透明導電膜52。由第一基板51、透明導電膜52和色素增感半導體電極53構成窗電極58。
另一方面，作為第二基板55，採用了導電性的透明基板或金屬基板，在電解質層56側的面上，為了使其具有導電性，例如在透明的具有導電性的電極基板或金屬板上設置通過蒸鍍或濺射所形成的由碳和鉑構成的導電膜54。由第二基板55和導電膜54構成對電極59。
以色素增感半導體電極53與導電膜54相對置的方式，以規定的間隔配置窗電極58和對電極59，並在兩電極之間的周邊部設置由熱塑性樹脂構成的密封材料57。然後，隔著該密封材料57，使窗電極58和對電極59貼合起來，由此組裝成電池，通過電解液的注入口60，向兩電極58、59之間填充電解液作為電解質，形成電荷移送用的電解質層56，該電解質是使碘和碘化物離子(I-/I3-)等氧化還原對溶解於乙腈等有機溶劑中而形成的。
除此以外，已知有採用了不揮發性的離子性液體的結構、用適當的凝膠劑使液狀電解質凝膠化來作為仿凝固體的結構、以及採用了p型半導體等固體半導體的結構等。
離子性液體也被稱為常溫溶融鹽，其為在包括室溫附近的較寬溫度範圍內，作為穩定的液體存在的、僅由帶了正和負的電荷的離子構成的鹽。該離子性液體實質上沒有蒸氣，由於不存在普通有機溶劑那樣的揮發、引火等問題，所以作為解決揮發所致的電池特性下降的方法，受到關注。
此種色素增感型太陽能電池吸收太陽光等入射光，其氧化物半導體微粒因光增感色素而增感，在作用電極與對電極之間產生電動勢，由此，作為將光能轉換成電能的光轉換元件起作用。
為了提高色素增感型太陽能電池的發電效率，需要進一步加快電子從對電極向電解質的移動。對於以往的使用普通的碳膜和鉑膜的對電極而言，電子的移動速度較慢，存在較大的提高發電效率的餘地。
發明內容
本發明就是鑑於上述情況而做出的，其目的在於進一步加快電子從對電極向電解質的移動。
為了達到上述目的，本發明的第一技術方案是提供一種光電轉換元件用對電極，其包括窗電極，具有透明基板和設置於上述透明基板表面、承載了增感色素的半導體層；對電極，具有基板和設置於上述基板表面、且與上述窗電極的上述半導體層相對設置的導電膜；以及電解質層，配置於上述窗電極與上述對電極之間的至少一部分中；上述對電極具有在上述基板表面隔著上述導電膜而設置的碳納米管。
在本發明的第一方案中，上述碳納米管也可是刷子狀碳納米管。
另外，在本發明的第一技術方案中，上述刷子狀碳納米管也可與基板表面垂直地取向。
另外，在本發明的第一技術方案中，也可使上述刷子狀碳納米管彼此之間的間隔為1～1000nm。
另外，在本發明的第一技術方案中，構成上述對電極的基板，其設置了上述導電膜和上述碳納米管的面也可是進行了氧化處理。
另外，本發明的第二技術方案提供一種光電轉換元件，包括窗電極，具有透明基板和設置於上述透明基板表面、承載了增感色素的半導體層；對電極，具有基板和設置於上述基板表面、且與上述窗電極的上述半導體層相對設置的導電膜、和隔著上述導電膜設置於上述基板表面的碳納米管；以及電解質層，配置於上述窗電極與上述對電極之間的至少一部分中。
在本發明的第二技術方案中，上述半導體層也可為多孔氧化物半導體。
通過使用上述那樣構成的對電極，來構成上述那樣的光電轉換元件，可提高對電極的電子放射能，電解質可進入碳納米管之間，從而獲得與納米複合凝膠電解質相同的效果。
即，對於在向離子性液體中混合了碳纖維和碳黑等導電性粒子後進行了凝膠化的納米複合凝膠電解質而言，半導體粒子或導電性粒子可起到電荷移動的作用，凝膠狀電解質組成物的導電性變得良好，可獲得不遜色於使用了液狀電解質時的光電轉換特性。
對此，在本發明中，由於碳納米管起到電荷移動的作用，且電解質進入碳納米管之間，所以在對電極附近的電解質中，可獲得與使用了納米複合凝膠電解質時相同的效果，且電子移動速度提高，可獲得高光電轉換效率。
圖1是表示本發明的光電轉換元件的截面構造的一個例子的概略圖。
圖2是用外觀立體圖概念性地放大表示本發明的對電極的構造的圖。
圖3是表示本發明的對電極的截面構造的圖。
圖4是表示以往的光電轉換元件的截面構造的一個例子的圖。
符號說明1…對電極、2…窗電極、3…電解質層、4…密封材料、5…電解液的注入口、10…光電轉換元件、11…第一基板、12…透明導電膜、13…碳納米管、21…第二基板、22…透明導電膜、23…多孔半導體膜具體實施方式
以下，使用附圖，對本發明的光電轉換元件和光電轉換元件用對電極進行說明。
圖1用概略圖表示了本發明的光電轉換元件的構造的一個例子。
本發明的光電轉換元件10主要是由形成有碳納米管13的對電極1、形成有承載了增感色素的多孔半導體膜23的窗電極2、以及封入它們之間的電解質3構成的。
對電極1，在透明的第一基板11的表面隔著為了使其具有導電性而形成的透明導電膜12，設置有刷子狀的碳納米管13。
另一方面，窗電極2使用了具有透光性的第二基板21，且隔著用於使其具有導電性的透明導電膜22，設置有承載了增感色素的多孔半導體膜23。
以刷子狀的碳納米管13與承載了增感色素的多孔半導體膜23相對的方式，隔著規定間隔配置窗電極和對電極，在兩電極之間的周邊部設置由熱塑性樹脂構成的密封材料4並使它們貼合起來而組裝成電池。然後，通過電解液的注入口5，向兩電極1、2之間，填充電解液作為電解質，形成電荷移送用的電解質層3，該電解液是使由碘和碘化物離子(I-/I3-)構成的氧化還原對溶解於有機溶劑乙腈中而形成的。
圖2用外觀立體圖概念性地放大表示了本發明的對電極1的構造。圖3示意地表示其截面構造。如圖2、圖3所示，本發明的對電極1在由透明的玻璃等構成的第一基板11的表面，形成了由厚度h為0.1μm左右的摻氟氧化錫(Fluorine-doped-Tin-OxideFTO)構成的透明導電膜12，以使其具有導電性，而且在透明導電膜12的表面具有碳納米管13。碳納米管13以其一端被固定的刷子狀形成在設置於第一基板11的一個面的透明導電膜12上。雖然刷子狀的碳納米管13的生長方向不限，但是特別優選以與透明導電膜12的表面基本呈直角的方式形成。
通過像上述那樣構成對電極，電解液被填充於各碳納米管13之間，從而可進一步提高碘電解質的導電性。
本發明採用了碳納米管來代替以往的碳膜和鉑膜。
碳納米管具有將石墨層製成了圓筒狀的構造，是直徑為0.7～50mm左右、長度為幾μm、具有中空構造且縱橫比很大的材料。作為碳納米管的電學性質，依賴於直徑和手性而呈現從金屬到半導體的性質。此外，作為機械性質，具有較大的楊氏模量，且是具有即使彎曲也可緩解應力的特性的材料。並且，由於沒有自由鍵，因此在化學方面是穩定的，而且，由於僅由碳原子構成，所以作為有益於環境的材料受到關注。
由於以上那樣的獨特物性，因此可期待碳納米管的如下應用作為電子源應用於電子放射源和平板顯示器、作為電子材料應用於納米級器件和鋰電池的電極材料、或者應用於探測器探針、氣體儲藏材料、納米級試驗管、樹脂強化用的添加材料等。
碳納米管具有石墨層形成為圓筒形狀或圓錐臺形狀的筒狀構造。具體來講，有石墨層為一層的單層碳納米管(SWCNTsingle-wall carbonnanotubes)、和石墨層為多層(2層以上)的多層碳納米管(MWCNTmulti-wall carbon nanotubes)等，其任意一種均可用作本發明的對電極。
當為單層碳納米管時，其直徑為大約0.5nm～10nm、長度為大約10nm～1μm，當為多層碳納米管時，其直徑為大約1nm～100nm、長度為大約50nm～50μm。
圖3所示的本發明的刷子狀的碳納米管13的直徑d優選為5～75nm，高度H為0.1～500nm左右。此外，各碳納米管13的間隔D優選為1～1000nm左右。
對於碳納米管而言，縱橫比較大的形狀，其電子放射性能高，可被應用於電子放射源的發射極。可以認為為了從碳納米管的前端產生電子放射，而使其垂直地取向，可提高電子放射能力。因此，當應用於光電轉換元件的對電極時，可實現光電轉換效率良好的對電極。
此外，可以認為將刷子狀碳納米管用於電極，將使得電解質易於進入碳納米管與碳納米管之間，可提高碘電解質的導電性。
在本發明中，可獲得與納米複合凝膠電解質相同的效果。即、對於在向離子性液體中混合了碳纖維和碳黑等導電性粒子後進行了凝膠化的納米複合凝膠電解質而言，半導體粒子或導電性粒子可起到電荷移動的作用，凝膠狀電解質組成物的導電性變得良好，可獲得不遜色於使用了液狀電解質時的光電轉換特性。
對此，在本發明中，由於碳納米管起到電荷移動的作用，且電解質進入碳納米管之間，所以在對電極附近的電解質中，可獲得與使用了納米複合凝膠電解質時相同的效果，電子移動速度提高，可獲得高光電轉換效率。
碳納米管可採用公知的化學氣相法(CVD法)來製作。例如，在日本特開2001-220674號公報中，公開了如下內容，即、在矽基板上，通過濺射或蒸鍍鎳、鈷、鐵等金屬而成膜後，在惰性氣氛、氫氣氣氛或真空中，優選用500～900℃的溫度加熱1～60分鐘，然後，將乙炔、乙烯等碳氫氣體或乙醇氣體作為原料氣體使用，使用一般的化學氣相法(CVD法)進行成膜後，在矽基板上生長出直徑為5～75nm、長度為0.1～500μm的碳納米管。
在採用CVD法形成刷子狀碳納米管時，可通過控制溫度和時間，來控制刷子狀碳納米管的長度和粗細。
關於本發明所使用的刷子狀碳納米管，優選直徑為5～75nm、長度為0.1～500μm、碳納米管彼此之間的間隔為1～1000nm。當刷子狀碳納米管的直徑超出了適當範圍後，縱橫比變小，電子放射能降低。當刷子狀碳納米管的長度超出了適當範圍後，難以與基板表面垂直地取向。此外，當刷子狀碳納米管彼此之間的間隔大於適當範圍時，則難以獲得與納米複合凝膠電解質相同的效果。
關於作為第一基板11和第二基板21而使用的透明基材，採用由具有透光性的材料構成的基板，如果是玻璃、聚對苯二甲酸乙二醇酯(Polyethylene terephthalate)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PolyethyleneNaphtahalate)、聚碳酸酯、聚醚碸(Polyether sulfone)等通常作為太陽能電池的透明基材所使用的材料，則可使用任何材料。對於透明基材，考慮對電解液的耐性而從它們中適當地進行選擇。此外，從用途上考慮，優選透光性儘量好的基板，進而優選透射率為90％以上的基板。
透明導電膜12、22是為了賦予透明基板11、21導電性，而在其一個面上形成的薄膜。在本發明中，為了實現不顯著損壞透明基板的透明性的構造，優選透明導電膜12、22是由導電性金屬氧化物構成的薄膜。
作為導電性金屬氧化物，例如可採用摻錫氧化銦(Indium Tin OxideITO)、摻氟氧化錫(Fluorine doped Tin OxideFTO)、氧化錫(SnO2)等。從易於成膜且製造成本低廉的角度出發，它們中，優選ITO、FTO。此外，透明導電膜12、22也可採用僅由ITO構成的單層膜，或者在ITO膜上層疊FTO的層疊膜。如果使用這樣的透明導電膜，則可構成可視區域的光的吸收量少、且導電率高的透明導電膜。
在對電極1中，在形成了上述透明導電膜12的第一基板11的透明導電膜12上形成上述的刷子狀碳納米管。
另外，在窗電極2中，在形成了上述透明導電膜22的第二基板21的透明導電膜22上，形成由氧化鈦等氧化物半導體微粒構成、承載了光增感色素的多孔半導體膜23。
多孔半導體膜23是以合成了氧化鈦(TiO2)、氧化錫(SnO2)、氧化鎢(WO3)、氧化鋅(ZnO)、氧化鈮(Nb2O5)等一種或兩種以上的、且平均粒徑為1～1000nm的氧化物半導體微粒為主要成分，厚度為0.5～50μm左右的多孔薄膜。
作為形成多孔半導體膜23的方法，例如，除了適用如下方法以外，即、在根據需要向使市面上銷售的氧化物半導體微粒分散於所需的分散劑而形成的分散液中、或者向可用溶膠-凝膠法進行調整的膠體溶液中，添加了所需的添加劑後，通過絲網印刷法、噴墨印刷法、輥塗法、刮板塗敷法、旋塗法、噴塗法等公知的方法進行塗敷的方法，還可適用如下方法，即、將電極基板浸漬於膠體溶液並通過電泳使氧化物半導體微粒附著在電極基板上的電泳沉積法；在將發泡劑混合於膠體溶液或分散液並進行塗敷後，通過燒結來進行多孔化的方法；混合了聚合物微球(polymer microbeads)並塗敷後，通過加熱處理或化學處理去除該聚合物微球來形成空隙而進行多孔化的方法等。
對由多孔半導體膜23承載的增感色素，沒有特殊限制，例如可從具有包含聯吡啶構造、三吡啶構造等的配位基的釕絡合物或鐵絡合物，卟啉類或酞菁類的金屬絡合物，以及曙紅、若丹明、部花青、香豆素等有機色素中，根據用途和氧化物半導體多孔膜的材料，適當地選擇使用。
關於封入對電極1與窗電極2之間的電解質層3，可以用公知的電解質層，例如，可列舉出如圖1所示那樣使電解液含浸在多孔氧化物半導體層23內而形成的電解質層。另外，還可列舉出在使電解液含浸在多孔氧化物半導體層23內後，使用適當的凝膠劑使該電解液凝膠化(準固體化)而與多孔氧化物半導體層23形成一體的電解質層，或者離子性液體的含有氧化物半導體粒子和導電性粒子的凝膠狀的電解質等。
作為上述電解液，可使用將碘、碘化物離子、叔丁基吡啶(tertiary butylpyridine)等電解質成分溶解於碳酸乙二酯(ethylene carbonate)或甲氧基乙氰(methoxyacetonitrile)等有機溶劑而形成的液體。
作為將該電解液凝膠化時所使用的凝膠劑，可列舉出聚偏二氟乙烯(PolyVinylidine DiFluoride)、聚環氧乙烷衍生物(polyethylene oxide)、胺基酸衍生物等。
另外，作為上述離子性液體，沒有特殊限定，可列舉出在室溫下為液體，將具有季銨化了的氮原子的化合物作為陽離子或陰離子的常溫溶融鹽。
作為常溫溶融鹽的陽離子，可列舉出咪唑(imidazolium)鎓衍生物、吡啶鎓衍生物、季銨鹽衍生物等。
作為常溫溶融鹽的陰離子，可列舉出BF4-、PF6-、F(HF)n-、雙三氟甲基磺醯亞胺(N(CF3SO2)2-)、碘化物離子等。
如圖1所示那樣組裝上述各結構要素而得到的本發明的光電轉換元件，由於將電子放射能高的刷子狀碳納米管用於了對電極，所以得到了電子從對電極向電解質的移動度高、光電轉換效率高的光電轉換元件。
實施例(實施例1～6)使用以下材料，製作了具有圖2、圖3那樣的對電極的圖1所示的構造的光電轉換元件。
(電解質)作為實施例1、實施例3以及實施例4的電解質，調製了由含有碘/碘化物離子氧化還原對的離子性液體(1-甲基-3-甲基咪唑鎓-雙三氟甲基磺醯亞胺)等組成的電解液。
作為實施例2、實施例5以及實施例6的電解質，使用了通過混合10wt％的氧化鈦納米粒子，並進行離心分離而製作出的納米複合凝膠電解質。
(窗電極)作為透明電極基板使用帶FTO膜的玻璃基板，在該透明電極板的FTO膜側的表面，塗敷平均粒徑為20nm的氧化鈦的漿液狀分散水溶液，乾燥後在450℃下加熱處理1小時，形成了厚7μm的氧化物半導體多孔膜。然後，使其在聯吡啶釕絡合物(N3色素)的乙醇溶液中浸漬一夜而使其承載色素，從而製作出窗電極。
(對電極)在實施例1和實施例2中，採用將乙炔氣體用作原料氣體的通常的化學氣相法(CVD)，在帶FTO膜的玻璃基板上形成直徑為10～50nm、長度為0.5～10μm的刷子狀碳納米管，將其作為對電極。碳納米管大致垂直地形成在基板上，各碳納米管的間隔為10～50nm。
在實施例3和實施例5中，採用將乙炔氣體用作原料氣體的通常的化學氣相法(CVD)，在鈦板上形成直徑為10～50nm、長度為0.5～10μm的刷子狀碳納米管，將其作為對電極。碳納米管大致垂直地形成在基板上，各碳納米管的間隔為10～50nm。在本例中，作為鈦板採用了未實施陽極氧化處理的鈦板。
在實施例4和實施例6中，除了作為鈦板採用了實施了陽極氧化處理的鈦板以外，其他均與實施例3相同地製作出對電極。
對如此製作出的六種光電轉換元件，進行了光電轉換特性的測定。在表1中一起表示了光電轉換效率。表1的CNT是指上述的刷子狀碳納米管。此外，在表1中所設的鈦板的陽極氧化欄中，「有」表示實施了該處理的情況，「無」表示未實施該處理的情況，「——」表示由於未使用鈦板而不符合的情況。
表1
(比較例1)作為電解質，使用了通過混合10wt％的氧化鈦納米粒子，並進行離心分離而製作出的納米複合凝膠電解質。對電極採用利用濺射法形成了由鉑構成的電極膜的帶FTO膜的玻璃基板。窗電極與實施例相同。
使用這樣的材料，製作出了圖4所示的構造的光電轉換元件。
對如此製作的光電轉換元件，進行了光電轉換特性的測定。其光電轉換效率一併表示在表1中。
(比較例2)電解質與上述實施例相同，使用了離子性液體電解液。對電極與上述比較例1相同，採用利用濺射法形成了由鉑構成的電極膜的帶FTO膜的玻璃基板。窗電極與實施例相同。
使用這樣的材料，製作出了圖4所示的構造的光電轉換元件。
對如此製作出的光電轉換元件，進行了光電轉換特性的測定。其光電轉換效率一併表示在表1中。
(比較例3)電解質與上述實施例1相同，使用了離子性液體電解液。對電極與上述比較例1相同，採用利用濺射法形成了由鉑構成的電極膜的鈦基板。窗電極與實施例相同。但是，在本例中，作為鈦板，採用了未實施陽極氧化處理的鈦板。
使用這樣的材料，製作出了圖4所示的構造的光電轉換元件。
對如此作成的光電轉換元件，進行了光電轉換特性的測定。其光電轉換效率一併表示在表1中。
從表1的結果來看，可明確得出(1)通過採用使用了CNT來代替以往的鉑的對電極，可使轉換效率提高0.6～1.4％。其效果與電解質的種類無關(實施例1與比較例2比較，實施例2與比較例1比較)。
(2)即使使用鈦板來代替以往的FTO，也可得到上述(1)的效果。該效果與電解質的種類無關(實施例1與實施例3比較，實施例2與實施例5比較)。
(3)採用鈦板時，通過實施陽極氧化處理，可進一步增加轉換效率。其效果與電解質的種類無關(實施例3與實施例4比較，實施例5與實施例6比較)。
根據以上結果，可以確認裝入了本發明的使用了碳納米管的對電極的光電轉換元件具有優良的光電轉換效率。
此外，使用鈦板且實施陽極氧化處理時，優選使利用該處理形成的氧化層的厚度在500nm以下。如果比500nm厚，則電流不易從合成在氧化層上的CNT流動到基板(鈦板)，因此不妥。
以上，說明了本發明的優選實施例，但本發明不限於這些實施例。在不脫離本發明的宗旨的範圍內，可進行結構的附加、省略、置換、和其他變更。本發明不由上述說明所限定，而僅由所附的權利要求書限定。
權利要求
1.一種光電轉換元件用對電極，包括窗電極，具有透明基板和設置於上述透明基板表面、承載了增感色素的半導體層；對電極，具有基板和設置於上述基板表面、且與上述窗電極的上述半導體層相對設置的導電膜；以及電解質層，配置於上述窗電極與上述對電極之間的至少一部分中；其特徵在於上述對電極具有在上述基板表面隔著上述導電膜而設置的碳納米管。
2.根據權利要求1所述的光電轉換元件用對電極，其特徵在於上述碳納米管是刷子狀碳納米管。
3.根據權利要求2所述的光電轉換元件用對電極，其特徵在於上述刷子狀碳納米管與基板表面垂直地取向。
4.根據權利要求2所述的光電轉換元件用對電極，其特徵在於上述刷子狀碳納米管彼此之間的間隔為1～1000nm。
5.根據權利要求1所述的光電轉換元件用對電極，其特徵在於構成上述對電極的基板，其設置上述導電膜和上述碳納米管的面進行了氧化處理。
6.一種光電轉換元件，其特徵在於，包括窗電極，具有透明基板和設置於上述基板表面、承載了增感色素的半導體層；對電極，具有基板、設置於上述基板表面且與上述窗電極的上述半導體層相對設置的導電膜、和隔著上述導電膜設置於上述基板表面的碳納米管；以及電解質層，配置於上述窗電極和上述對電極的至少一部分中。
7.根據權利要求6所述的光電轉換元件，其特徵在於上述半導體層為多孔氧化物半導體。
全文摘要
本發明提供一種光電轉換元件用對電極，其包括具有透明基板和設置於上述透明基板表面、承載了增感色素的半導體層的窗電極，具有基板和設置於上述基板表面、且與上述窗電極的上述半導體層相對設置的導電膜的對電極；以及配置於上述窗電極與上述對電極之間的至少一部分中的電解質層。該光電轉換元件用對電極具有在上述基板表面隔著上述導電膜而設置的碳納米管。
文檔編號H01L31/04GK101080842SQ20058004340
公開日2007年11月28日 申請日期2005年12月7日 優先權日2004年12月22日
發明者臼井弘紀, 田邊信夫, 松井浩志 申請人:株式會社藤倉