反應槽底部監測裝置及反應槽的製作方法
2023-05-20 18:48:01 1
專利名稱：反應槽底部監測裝置及反應槽的製作方法
技術領域：
本實用新型涉及半導體製造領域，尤其涉及一種反應槽底部監測裝置及反應槽。
背景技術：
目前，在半導體生產中，晶圓經常在反應槽內進行反應。如圖I所示，通常，現有的反應槽包括槽體110和設於所述槽體110內部的支撐若干晶圓100的晶圓支撐機構120，所述晶圓支撐機構120包括三根晶圓託架，所述三根晶圓託架位於晶圓的下方並呈與晶圓的周緣相匹配的圓弧形分布。當晶圓100在反應腔室的反應槽內進行反應時，由於反應槽內時常有反應氣體流·動，尤其當反應氣體由下至上流動時，由於晶圓100僅有三個晶圓託架託住晶圓100的下方，因此，向上流動的反應氣體非常容易帶動晶圓100竄動，使得晶圓100和晶圓託架發生碰撞。當晶圓100和晶圓託架之間頻繁碰撞時，一方面容易導致晶圓100碰碎，產生大量的晶圓碎片，另一方面，晶圓100和晶圓託架間的碰擦容易產生大量的顆粒物質，這些顆粒物質粘附到晶圓100上會嚴重影響晶圓100的品質，降低產品良率。當槽體110的的底部積聚有晶圓碎片等其他雜質，將後續批次的晶圓100放入晶圓支撐機構120時，這個晶圓碎片容易劃傷後續批次的晶圓100，甚至會由於晶圓碎片佔用了晶圓託架上的卡槽的位置，使得後續批次的晶圓100無法放置到安全、穩定的位置，造成後續批次的晶圓100的倒坍，使得晶圓100遭到嚴重破壞，降低產品良率。因此，如何提供一種可以實時監測槽體的底部狀況的在反應槽底部監測裝置及反應槽是本領域技術人員亟待解決的一個技術問題。
實用新型內容本實用新型的目的在於提供一種反應槽底部監測裝置及反應槽，可以實時監測槽體的底部狀況，以避免晶圓碎片對晶圓的影響。為了達到上述的目的，本實用新型採用如下技術方案一種反應槽底部監測裝置，包括探測器和控制單元，所述探測器和所述控制單元連接，所述探測器設置於所述槽體的底部。優選的，在上述的反應槽底部監測裝置中，所述探測器包括一對雷射傳感器，所述雷射傳感器相對設置於所述槽體的底部內側兩端。優選的，在上述的反應槽底部監測裝置中，所述反應槽內部設有晶圓放置機構，所述雷射傳感器位於所述晶圓放置機構的兩側。優選的，在上述的反應槽底部監測裝置中，所述探測器還包括一電容傳感器，所述電容傳感器設置於所述槽體的底部外側。優選的，在上述的反應槽底部監測裝置中，所述電容傳感器是長條狀的。優選的，在上述的反應槽底部監測裝置中，所述雷射傳感器和所述電容傳感器通過或門控制器與所述控制單元連接。[0014]優選的，在上述的反應槽底部監測裝置中，所述槽體的底部具有大於90度小於180度的夾角。優選的，在上述的反應槽底部監測裝置中，所述槽體的底部具有120-150度的夾角。本實用新型還公開了一種反應槽，包括槽體和如上所述的反應槽底部監測裝置。本實用新型提供的反應槽底部監測裝置及反應槽設置了探測器和控制單元，所述探測器和所述控制單元連接，所述探測器設置於所述槽體的底部，採用探測器可以探測到位於槽體的底部的晶圓碎片，並將探測信息傳遞給控制器，使得操作人員及時知曉槽體的底部存在晶圓碎片，以便及時清除晶圓碎片，防止晶圓碎片對後續批次的晶圓生產帶來不良影響，確保生產的穩定性和產品良率。
本實用新型的反應槽底部監測裝置及反應槽由以下的實施例及附圖給出。圖I為現有的反應槽的結構示意圖。圖2為本實用新型一實施例的反應槽的立體結構示意圖。圖3為本實用新型一實施例的反應槽的側視結構示意圖。圖中，100-晶圓，110、210_槽體，2101-底部，120、220-晶圓支撐機構，230-雷射傳感器，240-電容傳感器，250-控制單元，260-或門控制器。
具體實施方式
以下將對本實用新型的反應槽底部監測裝置及反應槽作進一步的詳細描述。下面將參照附圖對本實用新型進行更詳細的描述，其中表示了本實用新型的優選實施例，應該理解本領域技術人員可以修改在此描述的本實用新型而仍然實現本實用新型的有利效果。因此，下列描述應當被理解為對於本領域技術人員的廣泛知道，而並不作為對本實用新型的限制。為了清楚，不描述實際實施例的全部特徵。在下列描述中，不詳細描述公知的功能和結構，因為它們會使本實用新型由於不必要的細節而混亂。應當認為在任何實際實施例的開發中，必須作出大量實施細節以實現開發者的特定目標，例如按照有關系統或有關商業的限制，由一個實施例改變為另一個實施例。另外，應當認為這種開發工作可能是複雜和耗費時間的，但是對於本領域技術人員來說僅僅是常規工作。為使本實用新型的目的、特徵更明顯易懂，
以下結合附圖對本實用新型的具體實施方式
作進一步的說明。需說明的是，附圖均採用非常簡化的形式且均使用非精準的比率，僅用以方便、明晰地輔助說明本實用新型實施例的目的。請參閱圖2和圖3，本實施例提供的反應槽，包括槽體210和反應槽底部監測裝置。所述反應槽底部監測裝置，包括探測器和控制單元250，所述探測器和所述控制單元250連接，所述探測器設置於所述槽體210的底部2101。採用探測器可以探測到位於槽體210的底部2101的晶圓碎片，並將探測信息傳遞給控制器，使得操作人員及時知曉槽體210的底部2101存在晶圓碎片，以便及時清除晶圓碎片，防止晶圓碎片對後續批次的晶圓生產帶來不良影響，確保生產的穩定性和產品良率。[0028]較佳的，在本實施例中，所述探測器包括一對雷射傳感器230，所述雷射傳感器230相對設置於所述槽體210的底部2101內側兩端，具體的所述雷射傳感器230位於所述晶圓放置機構的兩側。當其中一個雷射傳感器230接收不到相對的雷射傳感器230發出的雷射時，說明有晶圓碎片存在擋在了雷射的傳輸，此時，雷射傳感器230向控制單元250發送報警信息。較佳的，在本實施例中，所述探測器還包括一電容傳感器240，所述電容傳感器240設置於所述槽體210的底部2101外側。所述電容傳感器240可以監測到位於上方的反應槽的槽體210的底部2101是否具有晶圓碎片，即該電容傳感器可以感知位於其上方的反應槽的槽體210內的物質變化，一旦槽體210的底部2101有晶圓碎片，該電容傳感器可以感知，並向控制單元250發送報警信息。較佳的，在本實施例中，所述電容傳感器240是長條狀的，所述電容傳感器240的長度與所述晶圓支撐機構220的長度相匹配且對應設置。從而，可以實現對反應槽的槽體210的底部2101的全面監測，防止晶圓碎片影響位於晶圓支撐機構220上的晶圓。
較佳的，在本實施例中，所述雷射傳感器230和所述電容傳感器240通過或門控制器260與所述控制單元250連接。無論雷射傳感器230還是電容傳感器240，只要監測到晶圓碎片的存在就想控制單元250發送報警信息，從而使得監測更加全面，防止晶圓碎片殘留而影響晶圓。較佳的，所述槽體210的底部2101具有大於90度小於180度的夾角。更佳的，在本實施例中，所述槽體210的底部2101具有120-150度的夾角。通過將槽體210的底部2101從原先的平底設置成具有一定夾角的底部2101，可以使得晶圓碎片儘可能的離開晶圓支撐機構220，進一步防止晶圓碎片影響晶圓支撐機構220上的晶圓，確保晶圓安全穩定的進行製程反應，提聞廣品良率。綜上所述，本實用新型提供的反應槽底部監測裝置及反應槽，通過設置探測器和控制單元250，所述探測器和所述控制單元250連接，所述探測器設置於所述槽體210的底部2101，採用探測器可以探測到位於槽體210的底部2101的晶圓碎片，並將探測信息傳遞給控制器，使得操作人員及時知曉槽體210的底部2101存在晶圓碎片，以便及時清除晶圓碎片，防止晶圓碎片對後續批次的晶圓生產帶來不良影響，確保生產的穩定性和產品良率。綜上所述，本實用新型提供的反應槽底部監測裝置及反應槽，通過設置探測器和控制單元，所述探測器和所述控制單元連接，所述探測器設置於所述槽體的底部，採用探測器可以探測到位於槽體的底部的晶圓碎片，並將探測信息傳遞給控制器，使得操作人員及時知曉槽體的底部存在晶圓碎片，以便及時清除晶圓碎片，防止晶圓碎片對後續批次的晶圓生產帶來不良影響，確保生產的穩定性和產品良率。顯然，本領域的技術人員可以對本實用新型進行各種改動和變型而不脫離本實用新型的精神和範圍。這樣，倘若本實用新型的這些修改和變型屬於本實用新型權利要求及其等同技術的範圍之內，則本實用新型也意圖包含這些改動和變型在內。
權利要求1.一種反應槽底部監測裝置，用於監測反應槽的槽體的底部是否具有晶圓碎片，其特徵在於，包括探測器和控制單元，所述探測器和所述控制單元連接，所述探測器設置於所述槽體的底部。
2.根據權利要求I所述的反應槽底部監測裝置，其特徵在於，所述探測器包括一對雷射傳感器，所述雷射傳感器相對設置於所述槽體的底部內側兩端。
3.根據權利要求2所述的反應槽底部監測裝置，其特徵在於，所述反應槽內部設有晶圓支撐機構，所述雷射傳感器位於所述晶圓支撐機構的兩側。
4.根據權利要求2所述的反應槽底部監測裝置，其特徵在於，所述探測器還包括一電容傳感器，所述電容傳感器設置於所述槽體的底部外側。
5.根據權利要求4所述的反應槽底部監測裝置，其特徵在於，所述電容傳感器是長條狀的。
6.根據權利要求4所述的反應槽底部監測裝置，其特徵在於，所述雷射傳感器和所述電容傳感器通過或門控制器與所述控制單元連接。
7.根據權利要求1-6中任意一項所述的反應槽底部監測裝置，其特徵在於，所述槽體的底部具有大於90度小於180度的夾角。
8.根據權利要求7所述的反應槽底部監測裝置，其特徵在於，所述槽體的底部具有120-150度的夾角。
9.一種反應槽,包括槽體,其特徵在於,還包括如權利要求I、中任意一項所述的反應槽底部監測裝置。
專利摘要本實用新型公開了一種反應槽底部監測裝置，用於監測反應槽的槽體的底部是否具有晶圓碎片，其特徵在於，包括探測器和控制單元，所述探測器和所述控制單元連接，所述探測器設置於所述槽體的底部。本實用新型提供的反應槽底部監測裝置及反應槽，通過設置探測器和控制單元，所述探測器和所述控制單元連接，所述探測器設置於所述槽體的底部，採用探測器可以探測到位於槽體的底部的晶圓碎片，並將探測信息傳遞給控制器，使得操作人員及時知曉槽體的底部存在晶圓碎片，以便及時清除晶圓碎片，防止晶圓碎片對後續批次的晶圓生產帶來不良影響，確保生產的穩定性和產品良率。
文檔編號H01L21/66GK202601582SQ201220263118
公開日2012年12月12日 申請日期2012年6月5日 優先權日2012年6月5日
發明者吳良輝, 胡婷芳 申請人:中芯國際集成電路製造(上海)有限公司, 武漢新芯集成電路製造有限公司