矽基mems麥克風及其製作方法
2023-04-29 02:28:51 1
矽基mems麥克風及其製作方法
【專利摘要】本發明實施例公開了一種矽基MEMS麥克風及其製作方法，該麥克風包括：矽基底，固定於所述矽基底上方的振膜，固定於所述振膜背離所述振膜一側的穿孔背板，至少一個固定於所述背孔側壁上的限位平臺，所述限位平臺與所述振膜之間具有預留間隔，且所述限位平臺沿所述背孔側壁至背孔中心方向上的長度小於所述背孔側壁至所述背孔中心的距離，從而當所述MEMS矽基麥克風在跌落或接收到很強的聲波信號時，降低所述振膜因振動幅度過大而受到損壞的概率，提高所述MEMS麥克風的信噪比。
【專利說明】
【技術領域】
[0001] 本發明涉及麥克風製造【技術領域】，尤其涉及一種矽基MEMS麥克風及其製作方法。 矽基MEMS麥克風及其製作方法
【背景技術】
[0002] MEMS麥克風，特別是矽基MEMS麥克風，已經研發多年了。矽基MEMS麥克風由於其 在小型化、性能、可靠性、環境耐用性、成本和批量生產能力方面的潛在優勢，而廣泛地應用 於諸如手機、平板電腦、相機、助聽器、智能玩具以及監視裝置等許多應用中。
[0003] 如圖1所示，現有技術中的矽基MEMS麥克風包括：矽基底，所述矽基底中形成有背 孔；位於所述矽基底上方的振膜和穿孔背板，其中，所述穿孔背板中具有多個穿孔，所述振 膜位於所述穿孔背板與所述矽基底之間，且所述振膜與所述穿孔背面之間具有空腔間隙， 從而構成可變空氣間隙電容器。當聲波信號通過所述背孔作用於所述振膜和所述穿孔背板 上時，所述振膜在聲波作用下振動時，而所述穿孔背板中具有多個穿孔，故不會發生振動， 從而使得所述振膜與所述穿孔背板構成的可變空氣間隙電容器的電容隨所述振膜的振動 而發生變化，將聲波信號轉化為電信號，以實現對聲波信號的檢測。
[0004] 但是，上述矽基MEMS麥克風在跌落時或有很強的聲波信號通過背孔時，很容易導 致振膜因振動幅度過大而受到損壞。
【發明內容】
[0005] 為解決上述技術問題，本發明實施例提供了一種矽基MEMS麥克風及其製作方法， 以降低矽基MEMS麥克風在跌落時或有很強的聲波信號通過背孔時，振膜因振動幅度過大 而受到損壞的概率。
[0006] 為解決上述問題，本發明實施例提供了如下技術方案：
[0007] -種娃基MEMS麥克風，包括：
[0008] 娃基底，所述娃基底中具有貫穿所述娃基底的背孔；
[0009] 固定於所述矽基底上方的振膜，所述振膜完全覆蓋所述背孔；
[0010] 固定於所述振膜背離所述振膜一側的穿孔背板，所述穿孔背板具有多個穿孔，且 與所述振膜之間具有空氣間隙；
[0011] 至少一個固定於所述背孔側壁上的限位平臺，所述限位平臺與所述振膜之間具有 預留間隔，且所述限位平臺沿所述背孔側壁至背孔中心方向上的長度小於所述背孔側壁至 所述背孔中心的距離。
[0012] 優選的，所述矽基MEMS麥克風包括多個限位平臺。
[0013] 優選的，所述多個限位平臺在所述背孔的側壁上均勻分布。
[0014] 優選的，所述矽基MEMS麥克風包括四個限位平臺。
[0015] 優選的，所述振膜與所述矽基底之間具有絕緣層，所述絕緣層位於所述矽基底表 面。
[0016] 優選的，還包括：位於所述絕緣層與所述振膜之間的介質層，所述介質層沿所述振 膜至所述矽基底方向上的厚度與所述預留間隔沿所述振膜至所述矽基底方向上的厚度相 同。
[0017] 一種矽基MEMS麥克風的製作方法，包括：
[0018] 在矽基底上形成振膜，所述振膜完全覆蓋所述矽基底；
[0019] 在所述振膜背離所述矽基底一側形成穿孔背板，所述穿孔背板與所述振膜之間具 有空氣間隙；
[0020] 對所述矽基底進行刻蝕，在所述矽基底中形成背孔和限位平臺，所述限位平臺位 於所述背孔的側壁上，與所述振膜之間具有預留間隔，且所述限位平臺沿所述背孔側壁至 背孔中心方向上的長度小於所述背孔側壁至所述背孔中心的距離。
[0021] 優選的，在所述振膜上形成穿孔背板，所述穿孔背板與所述振膜之間具有空氣間 隙包括：
[0022] 在所述振膜表面形成隔離層；
[0023] 對所述隔離層進行刻蝕，形成第一通孔，所述第一通孔在所述振膜至所述矽基底 方向上的投影覆蓋所述背孔在所述振膜至所述矽基底方向上的投影；
[0024] 在所述隔離層表面形成背板層；
[0025] 對所述背板層進行刻蝕，在所述背板層中形成多個貫穿所述背板層的穿孔，形成 穿孔背板，所述穿孔背板與所述振膜之間具有空氣間隙；
[0026] 其中，所述空隙間隙沿所述穿孔背板至所述振膜方向上的高度為所述隔離層沿所 述穿孔背板至所述振膜方向上的厚度。
[0027] 優選的，在矽基底上形成振膜之前包括：在所述矽基底上形成絕緣層；
[0028] 對所述矽基底進行刻蝕之後包括：
[0029] 對所述絕緣層進行刻蝕，在所述絕緣層中形成第二通孔，所述第二通孔在所述穿 孔背板至所述振膜方向上的投影與所述背孔在所述穿孔背板至所述振膜方向上的投影重 合。
[0030] 優選的，該方法還包括：
[0031] 在所述絕緣層和所述振膜之間形成介質層，所述介質層沿所述振膜至所述矽基底 方向上的厚度與所述預留間隔沿所述振膜至所述矽基底方向上的厚度相同。
[0032] 與現有技術相比，上述技術方案具有以下優點：
[0033] 本發明實施例所提供的技術方案，除包括：矽基底、振膜、穿孔背板外，還包括至少 一個固定於所述背孔側壁上的限位平臺，所述限位平臺與所述振膜之間具有預留間隔，從 而當所述MEMS矽基麥克風在跌落或接收到很強的聲波信號時，可以利用所述限位平臺對 所述振膜的振動幅度進行限制，將所述振膜的振動幅度限制在所述預留間隔內，降低所述 振膜因振動幅度過大而受到損壞的概率。
[0034] 而且，所述限位平臺沿所述背孔側壁至背孔中心方向上的長度小於所述背孔側壁 至所述背孔中心的距離，使得所述限位平臺在平行於所述振膜所在平面內的面積較小，即 當聲波信號通過所述背孔傳至所述振膜的過程中，所述限位平臺對所述聲波信號的阻礙較 小，從而使得本底噪聲較小，提高了所述MEMS麥克風的靈敏度，即在降低所述振膜因振動 幅度過大而受到損壞的概率的基礎上，提高了所述MEMS麥克風的信噪比。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0035] 為了更清楚地說明本發明實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現 有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖是本發明 的一些實施例，對於本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據 這些附圖獲得其他的附圖。
[0036] 圖1為本發明一個實施例所提供的娃基MEMS麥克風的結構不意圖；
[0037] 圖2為本發明一個實施例所提供的矽基MEMS麥克風中，限位平臺的俯視圖。
【具體實施方式】
[0038] 正如【背景技術】部分所述，現有技術中的矽基MEMS麥克風在跌落時或有很強的聲 波信號通過背孔時，很容易導致振膜因振動幅度過大而受到損壞。
[0039] 有鑑於此，本發明實施例提供了一種矽基MEMS麥克風，包括：
[0040] 娃基底，所述娃基底中具有貫穿所述娃基底的背孔；
[0041] 固定於所述矽基底上方的振膜，所述振膜完全覆蓋所述背孔；
[0042] 固定於所述振膜背離所述振膜一側的穿孔背板，所述穿孔背板具有多個穿孔，且 與所述振膜之間具有空氣間隙；
[0043] 至少一個固定於所述背孔側壁上的限位平臺，所述限位平臺與所述振膜之間具有 預留間隔，且所述限位平臺沿所述背孔側壁至背孔中心方向上的長度小於所述背孔側壁至 所述背孔中心的距離。
[0044] 相應的，本發明實施例還提供了一種MEMS麥克風的製作方法，包括：
[0045] 在矽基底上形成振膜，所述振膜完全覆蓋所述矽基底；
[0046] 在所述振膜背離所述矽基底一側形成穿孔背板，所述穿孔背板與所述振膜之間具 有空氣間隙；
[0047] 對所述矽基底進行刻蝕，在所述矽基底中形成背孔和限位平臺，所述限位平臺位 於所述背孔的側壁上，與所述振膜之間具有預留間隔，且所述限位平臺沿所述背孔側壁至 背孔中心方向上的長度小於所述背孔側壁至所述背孔中心的距離。
[0048] 本發明實施例所提供的MEMS麥克風及其製作方法中，所述MEMS麥克風除包括：矽 基底、振膜、穿孔背板外，還包括至少一個固定於所述背孔側壁上的限位平臺，所述限位平 臺與所述振膜之間具有預留間隔，從而當所述MEMS矽基麥克風在跌落或接收到很強的聲 波信號時，可以利用所述限位平臺對所述振膜的振動幅度進行限制，將所述振膜的振動幅 度限制在所述預留間隔內，降低所述振膜因振動幅度過大而受到損壞的概率。
[0049] 而且，所述限位平臺沿所述背孔側壁至背孔中心方向上的長度小於所述背孔側壁 至所述背孔中心的距離，使得所述限位平臺在平行於所述振膜所在平面內的面積較小，即 當聲波信號通過所述背孔傳至所述振膜的過程中，所述限位平臺對所述聲波信號的阻礙較 小，從而使得所述MEMS麥克風中本底噪聲較小，提高了所述MEMS麥克風的靈敏度，即在降 低所述振膜因振動幅度過大而受到損壞的概率的基礎上，提高了所述MEMS麥克風的信噪 比。
[0050] 為使本發明的上述目的、特徵和優點能夠更為明顯易懂，下面結合附圖對本發明 的【具體實施方式】做詳細的說明。
[0051] 在以下描述中闡述了具體細節以便於充分理解本發明。但是本發明能夠以多種不 同於在此描述的其它方式來實施，本領域技術人員可以在不違背本發明內涵的情況下做類 似推廣。因此本發明不受下面公開的具體實施的限制。
[0052] 如圖1所示，本發明實施例提供了一種矽基MEMS麥克風，包括：
[0053] 娃基底1，所述娃基底1中具有貫穿所述娃基底1的背孔10 ;
[0054] 固定於所述矽基底1上方的振膜2,所述振膜2完全覆蓋所述背孔10 ;
[0055] 固定於所述振膜2背離所述振膜2 -側的穿孔背板3,所述穿孔背板3具有多個穿 孔30,且與所述振膜2之間具有空氣間隙；
[0056] 至少一個固定於所述背孔10側壁上的限位平臺4,所述限位平臺4與所述振膜2 之間具有預留間隔，且所述限位平臺4沿所述背孔10側壁至背孔10中心方向上的長度小 於所述背孔10側壁至所述背孔10中心的距離。
[0057] 需要說明的是，本發明實施例對所述限位平臺4沿所述背孔10側壁至背孔10中 心方向上的長度並不做限定，在本發明的一個實施例中，可以為了進一步降低娃基MEMS麥 克風在跌落時或有很強的聲波信號通過背孔10時，振膜2因振動幅度過大而受到損壞的概 率，延長所述限位平臺4沿所述背孔10側壁至背孔10中心方向長的長度，在本發明的另一 個實施例中，也可以為了提高所述MEMS麥克風的信噪比，縮短所述限位平臺4沿所述背孔 10側壁至背孔10中心方向長的長度，只要保證所述限位平臺4沿所述背孔10側壁至背孔 10中心方向上的長度小於所述背孔10側壁至所述背孔10中心的距離即可。
[0058] 還需要說明的是，本發明對所述預留間隔的高度也不做限定，只要所述預留間隔 小於所述振膜2距所述矽基底1底部的距離，即可在一定程度上降低矽基MEMS麥克風在跌 落時或有很強的聲波信號通過背孔10時，振膜2因振動幅度過大而受到損壞的概率，具體 視所述振膜2所能承受的最大振動幅度而定。
[0059] 在本發明的一個實施例中，為了提高所述MEMS麥克風的信噪比，所述矽基MEMS麥 克風包括一個限位平臺4,在本發明的另一個實施例中，為了進一步降低矽基MEMS麥克風 在跌落時或有很強的聲波信號通過背孔10時，振膜2因振動幅度過大而受到損壞的概率， 所述矽基MEMS麥克風包括多個限位平臺4,本發明對此並不做限定，具體視情況而定。
[0060] 需要說明的是，當本發明實施例所提供的MEMS麥克風包括多個限位平臺4時，所 述多個限位平臺4優選為均勻分布，但本發明對此並不做限定，在本發明的其他實施例中， 所述多個限位平臺4也可以不均勻分布。
[0061] 在本發明的一個具體實施例中，如圖2所示，所述MEMS麥克風優選包括四個限位 平臺4,所述四個限位平臺4在所述背孔10的側壁上均勻分布，以在降低矽基MEMS麥克風 在跌落時或有很強的聲波信號通過背孔10時，振膜2因振動幅度過大而受到損壞的概率基 礎上，保證所述MEMS麥克風的信噪比。
[0062] 在上述任一實施例的基礎上，在本發明的一個實施例中，所述振膜2與所述穿孔 背板3之間具有隔離層5,所述隔離層5具有第一通孔50,所述第一通孔50在所述穿孔背 板3至所述振膜2方向上的投影覆蓋所述背孔10在所述穿孔背板3至所述振膜2方向上 的投影。優選的，所述第一通孔50在所述穿孔背板3至所述振膜2方向上的投影與所述背 孔10在所述穿孔背板3至所述振膜2方向上的投影重合，但本發明對此並不做限定，具體 視情況而定。
[0063] 在上述任一實施例的基礎上，在本發明的一個實施例中，所述振膜2與所述娃基 底1之間具有絕緣層6,所述絕緣層6位於所述矽基底1表面，即所述絕緣層6中具有貫穿 所述絕緣層6的第二通孔60,所述第二通孔60在所述穿孔背板3至所述振膜2方向上的投 影與所述背孔10在所述穿孔背板3至所述振膜2方向上的投影重合，以保證聲波信號經所 述背孔10傳至振膜2時，不會受到所述絕緣層6的阻擋，提高信號的靈敏度。
[0064] 優選的，在上述任一實施例的基礎上，在本發明的一個實施例中，所述MEMS矽基 麥克風還包括：位於所述絕緣層6與所述振膜2之間的介質層7,所述介質層7沿所述振膜 2至所述矽基底1方向上的厚度與所述預留間隔沿所述振膜2至所述矽基底1方向上的厚 度相同，以便於確定所述預留間隔沿所述振膜2至所述矽基底1方向上的厚度。
[0065] 由上所述可知，本發明實施例所提供的MEMS麥克風除包括：矽基底1、振膜2、穿孔 背板3外，還包括至少一個固定於所述背孔10側壁上的限位平臺4,所述限位平臺4與所 述振膜2之間具有預留間隔，從而當所述MEMS矽基麥克風在跌落或接收到很強的聲波信號 時，可以利用所述限位平臺4對所述振膜2的振動幅度進行限制，將所述振膜2的振動幅度 限制在所述預留間隔內，降低所述振膜2因振動幅度過大而受到損壞的概率。
[0066] 而且，所述限位平臺4沿所述背孔10側壁至背孔10中心方向上的長度小於所述 背孔10側壁至所述背孔10中心的距離，使得所述限位平臺4在平行於所述振膜2所在平 面內的面積較小，即當聲波信號通過所述背孔10傳至所述振膜2的過程中，所述限位平臺4 對所述聲波信號的阻礙較小，從而使得所述MEMS麥克風中本底噪聲較小，提高了所述MEMS 麥克風的靈敏度，即在降低所述振膜2因振動幅度過大而受到損壞的概率的基礎上，提高 了所述MEMS麥克風的信噪比。
[0067] 相應的，本發明實施例還提供了一種娃基MEMS麥克風的製作方法，應用於上述任 一實施例所提供的MEMS麥克風，包括：
[0068] 在矽基底上形成振膜，所述振膜完全覆蓋所述矽基底；
[0069] 在所述振膜背離所述矽基底一側形成穿孔背板，所述穿孔背板與所述振膜之間具 有空氣間隙；
[0070] 對所述矽基底進行刻蝕，在所述矽基底中形成背孔和限位平臺，所述限位平臺位 於所述背孔的側壁上，與所述振膜之間具有預留間隔，且所述限位平臺沿所述背孔側壁至 背孔中心方向上的長度小於所述背孔側壁至所述背孔中心的距離。
[0071] 需要說明的是，本發明實施例對所述限位平臺沿所述背孔側壁至背孔中心方向上 的長度並不做限定，在本發明的一個實施例中，可以為了進一步降低矽基MEMS麥克風在跌 落時或有很強的聲波信號通過背孔時，振膜因振動幅度過大而受到損壞的概率，延長所述 限位平臺沿所述背孔側壁至背孔中心方向長的長度，在本發明的另一個實施例中，也可以 為了提高所述MEMS麥克風的信噪比，縮短所述限位平臺沿所述背孔側壁至背孔中心方向 長的長度，只要保證所述限位平臺沿所述背孔側壁至背孔中心方向上的長度小於所述背孔 側壁至所述背孔中心的距離即可。
[0072] 還需要說明的是，本發明對所述預留間隔的高度也不做限定，只要所述預留間隔 小於所述振膜距所述矽基底底部的距離，即可在一定程度上降低矽基MEMS麥克風在跌落 時或有很強的聲波信號通過背孔時，振膜因振動幅度過大而受到損壞的概率，具體視所述 振膜所能承受的最大振動幅度而定。
[0073] 在本發明的一個實施例中，在矽基底上形成振膜之前包括：在所述矽基底上形成 絕緣層，以保證所述矽基底與所述振膜相互絕緣。相應的，在該實施例中，對所述矽基底進 行刻蝕之後包括：對所述絕緣層進行刻蝕，在所述絕緣層中形成第二通孔，所述第二通孔在 所述穿孔背板至所述振膜方向上的投影與所述背孔在所述穿孔背板至所述振膜方向上的 投影重合，以保證聲波信號經所述背孔傳至振膜時，不會受到所述絕緣層的阻擋，提高信號 的靈敏度。
[0074] 在上述任一實施例的基礎上，在本發明的另一個實施例中，在所述振膜上形成穿 孔背板，所述穿孔背板與所述振膜之間具有空氣間隙包括：在所述振膜表面形成隔離層； 對所述隔離層進行刻蝕，形成第一通孔，所述第一通孔在所述振膜至所述矽基底方向上的 投影覆蓋所述背孔在所述振膜至所述矽基底方向上的投影；在所述隔離層表面形成背板 層；對所述背板層進行刻蝕，在所述背板層中形成多個貫穿所述背板層的穿孔，形成穿孔背 板，所述穿孔背板與所述振膜之間具有空氣間隙；其中，所述空隙間隙沿所述穿孔背板至所 述振膜方向上的高度為所述隔離層沿所述穿孔背板至所述振膜方向上的厚度。優選的，所 述第一通孔在所述穿孔背板至所述振膜方向上的投影與所述背孔在所述穿孔背板至所述 振膜方向上的投影重合，但本發明對此並不做限定，具體視情況而定。
[0075] 在上述任一實施例的基礎上，在本發明的有一個實施例中，該方法還包括：在所述 絕緣層和所述振膜之間形成介質層，所述介質層沿所述振膜至所述矽基底方向上的厚度與 所述預留間隔沿所述振膜至所述矽基底方向上的厚度相同，以便於確定所述預留間隔沿所 述振膜至所述矽基底方向上的厚度。
[0076] 綜上所述，本發明實施例所提供的MEMS麥克風及其製作方法中，所述MEMS麥克風 除包括：矽基底、振膜、穿孔背板外，還包括至少一個固定於所述背孔側壁上的限位平臺，所 述限位平臺與所述振膜之間具有預留間隔，從而當所述MEMS矽基麥克風在跌落或接收到 很強的聲波信號時，可以利用所述限位平臺對所述振膜的振動幅度進行限制，將所述振膜 的振動幅度限制在所述預留間隔內，降低所述振膜因振動幅度過大而受到損壞的概率。
[0077] 而且，所述限位平臺沿所述背孔側壁至背孔中心方向上的長度小於所述背孔側壁 至所述背孔中心的距離，使得所述限位平臺在平行於所述振膜所在平面內的面積較小，即 當聲波信號通過所述背孔傳至所述振膜的過程中，所述限位平臺對所述聲波信號的阻礙較 小，從而使得所述MEMS麥克風中本底噪聲較小，提高了所述MEMS麥克風的靈敏度，即在降 低所述振膜因振動幅度過大而受到損壞的概率的基礎上，提高了所述MEMS麥克風的信噪 比。
[0078] 本說明書中各個部分採用遞進的方式描述，每個部分重點說明的都是與其他部分 的不同之處，各個部分之間相同相似部分互相參見即可。
[0079] 對所公開的實施例的上述說明，使本領域專業技術人員能夠實現或使用本發明。 對這些實施例的多種修改對本領域的專業技術人員來說將是顯而易見的，本文中所定義的 一般原理可以在不脫離本發明的精神或範圍的情況下，在其它實施例中實現。因此，本發明 將不會被限制於本文所示的實施例，而是要符合與本文所公開的原理和新穎特點相一致的 最寬的範圍。
【權利要求】
1. 一種矽基MEMS麥克風，其特徵在於，包括： 娃基底，所述娃基底中具有貫穿所述娃基底的背孔； 固定於所述矽基底上方的振膜，所述振膜完全覆蓋所述背孔； 固定於所述振膜背離所述振膜一側的穿孔背板，所述穿孔背板具有多個穿孔，且與所 述振膜之間具有空氣間隙； 至少一個固定於所述背孔側壁上的限位平臺，所述限位平臺與所述振膜之間具有預留 間隔，且所述限位平臺沿所述背孔側壁至背孔中心方向上的長度小於所述背孔側壁至所述 背孔中心的距離。
2. 根據權利要求1所述的矽基MEMS麥克風，其特徵在於，所述矽基MEMS麥克風包括多 個限位平臺。
3. 根據權利要求2所述的矽基MEMS麥克風，其特徵在於，所述多個限位平臺在所述背 孔的側壁上均勻分布。
4. 根據權利要求3所述的矽基MEMS麥克風，其特徵在於，所述矽基MEMS麥克風包括四 個限位平臺。
5. 根據權利要求1所述的矽基MEMS麥克風，其特徵在於，所述振膜與所述矽基底之間 具有絕緣層，所述絕緣層位於所述矽基底表面。
6. 根據權利要求5所述的矽基MEMS麥克風，其特徵在於，還包括：位於所述絕緣層與 所述振膜之間的介質層，所述介質層沿所述振膜至所述矽基底方向上的厚度與所述預留間 隔沿所述振膜至所述矽基底方向上的厚度相同。
7. -種矽基MEMS麥克風的製作方法，其特徵在於，包括： 在矽基底上形成振膜，所述振膜完全覆蓋所述矽基底； 在所述振膜背離所述矽基底一側形成穿孔背板，所述穿孔背板與所述振膜之間具有空 氣間隙； 對所述矽基底進行刻蝕，在所述矽基底中形成背孔和限位平臺，所述限位平臺位於所 述背孔的側壁上，與所述振膜之間具有預留間隔，且所述限位平臺沿所述背孔側壁至背孔 中心方向上的長度小於所述背孔側壁至所述背孔中心的距離。
8. 根據權利要求7所述的製作方法，其特徵在於，在所述振膜上形成穿孔背板，所述穿 孔背板與所述振膜之間具有空氣間隙包括： 在所述振膜表面形成隔離層； 對所述隔離層進行刻蝕，形成第一通孔，所述第一通孔在所述振膜至所述矽基底方向 上的投影覆蓋所述背孔在所述振膜至所述矽基底方向上的投影； 在所述隔離層表面形成背板層； 對所述背板層進行刻蝕，在所述背板層中形成多個貫穿所述背板層的穿孔，形成穿孔 背板，所述穿孔背板與所述振膜之間具有空氣間隙； 其中，所述空隙間隙沿所述穿孔背板至所述振膜方向上的高度為所述隔離層沿所述穿 孔背板至所述振膜方向上的厚度。
9. 根據權利要求7所述的製作方法，其特徵在於，在矽基底上形成振膜之前包括：在所 述矽基底上形成絕緣層； 對所述矽基底進行刻蝕之後包括： 對所述絕緣層進行刻蝕，在所述絕緣層中形成第二通孔，所述第二通孔在所述穿孔背 板至所述振膜方向上的投影與所述背孔在所述穿孔背板至所述振膜方向上的投影重合。
10.根據權利要求9所述的製作方法，其特徵在於，該方法還包括： 在所述絕緣層和所述振膜之間形成介質層，所述介質層沿所述振膜至所述矽基底方向 上的厚度與所述預留間隔沿所述振膜至所述矽基底方向上的厚度相同。
【文檔編號】H04R31/00GK104105041SQ201410374326
【公開日】2014年10月15日 申請日期:2014年7月31日 優先權日:2014年7月31日
【發明者】蔡孟錦 申請人:歌爾聲學股份有限公司