用於製造具有電覆鍍通孔的構件的方法
2023-04-29 02:38:46
用於製造具有電覆鍍通孔的構件的方法
【專利摘要】本發明涉及一種用於製造具有電覆鍍通孔（110）的構件（300）的方法。所述方法在此包括以下步驟：提供具有前側（101）和與前側（101）相對置的背側（102）的半導體襯底（100），在半導體襯底（100）的前側（101）上產生環形地包圍接觸區域（103）的絕緣溝槽（121），以絕緣材料（122）填充絕緣溝槽（121），通過在接觸區域（103）中沉積導電材料在半導體襯底（100）的前側（101）上產生電接觸結構（130），去除半導體襯底（100）的背側（102）上的留在接觸區域（103）中的半導體材料（104）以便產生暴露接觸結構（130）的下側（134）的接觸孔（111），在接觸孔（111）中沉積金屬材料（114）以便將電接觸結構（130）與半導體襯底（100）的背側（102）電連接。
【專利說明】用於製造具有電覆鍍通孔的構件的方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及一種用於製造具有電覆鍍通孔的構件、尤其是微機械構件的方法。
【背景技術】
[0002]延伸穿過半導體襯底的電接觸結構用於微機電構件(MEMS，micro-electro-mechanical system:微機電系統)。因此，例如使用這種又稱作穿通接觸部(Durchkontakt )、覆鍛通孑 L (Durchkontakt ierung)、VIA (vertical interconnect access:垂直互連接入)或在娃襯底的情況下例如稱作TSV (Through Silicon Via:娃過孔)的接觸結構，以便將構件的不同層面電連接。在此，所述垂直的覆鍍通孔允許特別節省空間的結構類型。除簡單的再布線以外，這種覆鍍通孔能夠實現各個組件相互堆疊成一個所謂的三維封裝。因此，可以以三維封裝的形式節省空間地構建例如傳感器晶片、傳感器罩和分析處理電路(ASIC)，其中藉助電覆鍍通孔實現各個組件之間的垂直的電連接。對於各個組件的堆疊和覆鍍接通也可以術語「MEMS三維集成」。
[0003]在垂直接通的實現中，力求具有儘可能小的基面的接觸結構。電覆鍍通孔同時具有儘可能小的體電阻(Durchgangswiderstand)。為了實現這點,通常在半導體襯底中產生很窄的、具有幾乎垂直的壁的孔。這例如可以藉助通常的開槽方法或雷射實現。在隨後在接觸孔的側壁和底部上沉積薄的絕緣層並且打開接觸孔底部處的絕緣層之後，完全地或部分地以金屬填充所述孔。所述填充在此或者藉助CVD方法(chemical vapour deposition:化學氣相沉積)或通過藉助電鍍方法結合先前沉積的初始層(seed-layer:籽晶層)沉積金屬層來實現。
[0004]因為在所述方案中覆鍍通孔的製造完全在晶片工藝結束時進行，所以這些方法也稱作後過孔(Via-Last)。在所述後過孔方法中關鍵的是絕緣層的差的質量，因為在具有高縱橫比的深孔中由技術決定地僅僅能夠以小的厚度實現絕緣材料的沉積。此外，典型地用作絕緣材料的氧化物具有相對較差的氧化物質量，因為在晶片工藝結束時僅僅可以使用具有較低最大工藝溫度的沉積過程。此外，由於孔的高縱橫比，打開孔的底部處的絕緣層特別困難。這尤其適用厚的絕緣層的情況。最後，典型地在金屬沉積之前實施的擴散勢壘沉積也由於高縱橫比和孔的深度在技術上很困難。
[0005]原則上也可以在更早的工藝階段中製造覆鍍通孔。因此，例如在晶片工藝的中間在晶片中產生盲孔，並且盲孔設有絕緣層以及勢壘層(Barriere-schicht)。在隨後以金屬填充接觸孔之後，可以通過簡單的前側工藝在金屬填充和晶片的前側上的結構之間產生連接。隨後，可以進行其他的前側工藝。在此典型地在晶片前側、所謂的金屬後端上建立金屬印製導線之前製造所填充的盲孔。
[0006]在正常的晶片工序結束時，在背側上磨削晶片，其中如此深地執行磨削，使得暴露盲孔的金屬填充。最後，在晶片背側上沉積絕緣層並且在絕緣層中打開至金屬接觸面的接觸區域。然後，還可以通過另一在晶片背側上沉積的金屬層面進行金屬接觸部的再布線。在這種典型的中過孔(Via-Middle)工藝中，所使用的金屬和矽襯底的熱膨脹係數的不同可能導致先前施加的TSV結構在後端工藝期間的損壞。此外，磨削工藝證實是很困難的，因為同時必須磨削不同的材料一例如矽、氧化物、勢壘材料和金屬並且此外在此必須通過氧化物絕緣面儘可能地避免金屬模糊(Metall-verschmierung)。
【發明內容】
[0007]因此，本發明的任務是，提供一種用於製造電覆鍍通孔的中過孔方法，所述中過孔方法在更高的後端工藝溫度上是穩健的並且在所述中過孔方法中同時避免磨削期間的金屬散布(Metallverschleppung)。所述任務通過根據權利要求1的方法解決。此外，所述任務通過根據權利要求11的構件解決。其他有利的實施方式在從屬權利要求中說明。
[0008]根據本發明，提供一種用於製造具有覆鍍通孔的構件的方法，其中提供一種具有前側和與前側相對置的背側的半導體襯底並且在半導體襯底的前側上產生環形地包圍接觸區域的絕緣溝槽。隨後，在絕緣溝槽中施加絕緣材料，以便產生環形的絕緣結構。然後實施後端工藝的方法步驟，在所述後端工藝範疇內通過在接觸區域中沉積導電材料在半導體襯底的前側上產生電接觸結構。隨後，在半導體襯底的背側上去除留在接觸區域中的半導體材料，以便產生暴露接觸結構的下側的接觸孔。最後，在接觸孔中沉積金屬材料，以便將電接觸結構與半導體材料的背側電連接。在所述方法中，在構件的製造工藝結束之後才以金屬填充接觸孔，從而完成的覆鍍通孔不遭受更高的後端工藝溫度。由此通常可以在後端工藝期間避免由於覆鍍通孔的金屬填充和半導體襯底的不同熱膨脹係數而出現的對TSV結構的損壞。同時現在可以在晶片工藝結束時使用更高的最大工藝溫度，這例如能夠實現所沉積的氧化層的更好質量。通過使用環形絕緣溝槽，可以實現覆鍍通孔的金屬填充和環繞的半導體材料之間的特別厚的絕緣層，這又降低漏電流和電容式幹擾的危險。與完全在晶片工藝結束時施加覆鍍通孔的後過孔工藝相比，在根據本發明的方法中既不需要沉積擴散勢壘也不需要通過接觸孔打開接觸孔底部處的絕緣層。由此消除所伴隨的問題。
[0009]根據一種實施方式，將絕緣溝槽構造為盲孔，並且在半導體襯底的前側上產生電接觸結構之後從背側減薄半導體襯底，以便在此暴露絕緣材料。所述方法允許處理期間晶片的更大層厚度，由此一方面簡化晶片的處理並且另一方面降低晶片破裂的危險。因為在磨削半導體晶片之後才以金屬填充接觸孔，所以與中過孔方法不同地降低氧化物絕緣面上的金屬模糊的危險。
[0010]在另一種實施方式中規定，在減薄半導體襯底之後，在半導體襯底的背側上產生絕緣層。隨後藉助各向同性的蝕刻方法相對於絕緣層和絕緣溝槽中的絕緣材料選擇性地去除留在接觸區域中的半導體材料。由此可以實現接觸孔的自調準的打開。在此，也可以可靠地蝕刻具有高縱橫比的深的接觸孔。
[0011]另一種實施方式規定，在半導體襯底的背側上產生絕緣層，並且從襯底前側起去除半導體材料直至絕緣層以產生絕緣溝槽。然後，在接觸區域中打開半導體襯底的背側上的絕緣層，並且通過相對於絕緣層和絕緣溝槽中的絕緣材料選擇性地蝕刻留在接觸區域中的半導體材料以產生接觸孔。藉助所述方法可以以特別簡單的方式產生具有定義深度的接觸孔。在此在背側上產生的絕緣層不僅用於以前側工藝製造絕緣溝槽而且用於以背側工藝打開接觸孔。
[0012]在另一種實施方式中規定，為了在絕緣溝槽中施加絕緣材料，使用氧化物沉積和多晶矽沉積的組合。組合的材料沉積特別有利於填充具有中等溝槽寬度的溝槽。
[0013]在另一種實施方式中規定，藉助衝壓方法在絕緣溝槽中施加的玻璃、尤其是硼矽玻璃用作絕緣材料。通過使用玻璃、尤其是硼矽玻璃作為絕緣材料，可以產生相對較寬的絕緣溝槽，通過所述絕緣溝槽可以降低可能的寄生電容和漏電流的危險。在此，可以藉助衝壓方法特別有利地填充恰恰更寬的溝槽。因為玻璃具有與矽相當的熱膨脹係數，所以可以因此降低襯底中熱感應的機械應力。
[0014]在另一種實施方式中規定，與在半導體襯底的背側上製造再布線一起進行金屬材料在接觸孔中的沉積。由此可以節省方法步驟，這又導致製造方法的簡化並且與此相關地又導致構件的製造成本的降低。
[0015]另一種實施方式規定，藉助磨削工藝、溼蝕刻工藝或幹蝕刻工藝或藉助磨削工藝和溼蝕刻工藝或幹蝕刻工藝的組合來進行半導體襯底的減薄。藉助磨削工藝可以有效地減薄特別厚的半導體層。與此相反，溼蝕刻工藝和幹蝕刻工藝能夠實現半導體材料的選擇性去除。
[0016]在另一種實施方式中規定，為了以金屬材料填充接觸孔，使用低溫沉積方法結合勢壘層和/或籽晶層。藉助低溫沉積方法可以將完成的構件的熱負荷保持得相對較低。勢壘層在此有效防止金屬擴散到半導體材料中。與此相反，初始層或籽晶層能夠實現金屬材料在接觸孔中的最佳生長。
[0017]另一種實施方式規定，在鍵合工藝範疇內在接觸孔中沉積金屬材料之前將電接觸結構與功能襯底的互補接觸結構電連接，在所述鍵合工藝中將半導體襯底與功能襯底連接。因為在鍵合工藝之後才進行接觸孔中的金屬沉積，所以保證了完成的覆鍍通孔不遭受在鍵合工藝期間出現的熱負荷。
[0018]在另一種實施方式中規定，在將半導體襯底與功能襯底連接之前在半導體襯底的前側上產生用於容納設置在功能襯底的表面上的功能結構的空穴。藉助這種空穴產生用於功能結構的容納空間，其能夠實現功能結構相對於外界的氣密包封。
[0019]此外，根據本發明提出一種構件，其包括具有從前側至與前側相對置的背側穿透半導體襯底的覆鍍通孔。覆鍍通孔在此包括由以絕緣材料填充且環形地包圍接觸區域的絕緣溝槽組成的絕緣結構、設置在接觸區域中的半導體襯底的前側上的電接觸結構以及設置在接觸區域中由絕緣結構限界且將電接觸結構與半導體襯底的背側電連接的金屬填充。由於製造具有任意厚度的絕緣溝槽的可能性，可以使覆鍍通孔匹配不同的技術應用。尤其藉助相對較寬的絕緣溝槽可以實現金屬填充與環繞的半導體襯底的良好電絕緣。同時還可以減小幹擾電容。還可以任意構造金屬填充的直徑，由此覆鍍通孔的體電阻可以相對簡單地匹配不同的應用。
[0020]在一種實施方式中規定，半導體襯底具有空穴並且如此與功能襯底連接，使得設置在功能襯底的表面上的功能結構位於空穴內。電接觸結構在此與功能結構的互補的接觸結構電連接。在所述裝置中，半導體襯底用作用於功能襯底的功能結構的罩。覆鍍通孔在此允許包圍在兩個襯底之間的功能結構的電連接。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0021]以下根據附圖詳細描述本發明。附圖示出:[0022]圖1:具有在前側上環形構造的、環形的絕緣溝槽的半導體襯底；
[0023]圖2:圖1中的半導體襯底，具有以絕緣材料填充的絕緣溝槽；
[0024]圖3:圖2中的半導體襯底，在與包括功能結構的功能襯底鍵合之前具有在前側上產生的接觸結構和空穴；
[0025]圖4:在鍵合工藝之後的半導體襯底和功能襯底；
[0026]圖5:從背側減薄半導體襯底之後的半導體襯底；
[0027]圖6:半導體襯底，具有半導體襯底的背側上的絕緣層，所述絕緣層已在接觸區域中打開；
[0028]圖7:在去除半導體襯底的留在接觸區域中的半導體材料之後的完成的構件；
[0029]圖8:圖7中在以金屬材料填充接觸孔之後的構件。
【具體實施方式】
[0030]以下示例性地根據具有至少一個微機電功能結構——例如微機電的運動或轉速傳感器——的構件的製造來詳細解釋根據本發明的方法。在此在半導體襯底中產生覆鍍通孔，所述半導體襯底用作用於設置在功能襯底上的微機電功能結構的罩晶片。初發點在此是例如矽晶片形式的半導體襯底，在所述半導體襯底中首先產生以絕緣材料填充的絕緣溝槽形式的環形的絕緣結構。絕緣溝槽121的製造在此例如可以藉助通常的開槽方法或藉助雷射實現。圖1示出具有前側101和與前側101相對置的背側102的半導體襯底100。在半導體襯底100的前側101上首先產生環形的溝槽結構121。溝槽結構121在此環形地包圍內部的接觸區域103，其中「環形」在此情況下除圓形和矩形之外還意味著其他任意延伸的封閉形狀。在此通過藉助光刻方法(開槽)或藉助雷射去除半導體材料來產生溝槽結構121。在此優選去除半導體材料直至定義的深度，從而溝槽結構121僅僅延伸穿過半導體襯底100的一部分。圖1示出具有產生完成的溝槽結構121的半導體襯底100。
[0031]隨後，以絕緣材料填充溝槽結構121。在所述方法階段中，允許高溫。根據應用，為了產生絕緣層可以使用不同的方法。在此，尤其對於具有相對較小的、低於ΙΟμπι的溝槽寬度的溝槽結構而言有利的是，使用熱氧化層來封閉溝槽結構。對於中等的溝槽寬度(在5 μ m和25 μ m之間)，例如以氧化物沉積和多晶矽沉積的組合來填充溝槽。在此，首先在溝槽結構121的側壁和底部上沉積氧化層並且藉助多晶矽填充如此形成的、減小的溝槽結構。對於相對較寬的溝槽(大於10 μ m),以玻璃一例如硼矽玻璃填充溝槽證明是特別有利的。為此，以衝壓方法在溝槽結構121中施加玻璃。圖2示出具有通過在溝槽結構121內沉積絕緣材料122而產生的絕緣結構120的半導體襯底100。
[0032]在填充絕緣溝槽121之後進行後端工藝，其中在由絕緣溝槽環繞的襯底面上產生電接觸面。後端工藝也可以包括晶片堆的製造，其中可以彼此堆疊地設置多個晶片。因此，例如可以將傳感器晶片鍵合到準備好的襯底晶片上。在當前實施例中，將功能襯底200鍵合到半導體襯底100上，其中半導體襯底100用作用於設置在功能襯底200上的微機電功能結構221的罩晶片。藉助覆鍍通孔，在此建立至功能襯底200的接觸元件的電連接。為此，優選以CMOS工藝製造與由絕緣溝槽包圍的矽柱塞的電接觸。但對於MEMS應用，還可以使用襯底作為罩並且製造與第二晶片、例如傳感器晶片的接觸區域。接觸區域103中的電接觸結構130的製造和兩個晶片的連接優選在一個步驟中藉助金屬鍵合方法進行。藉助兩個金屬層面的鍵合方法是特別有利的，所述兩個金屬層面構造為具有液相的合金的組合，其熔融溫度低於各個金屬層的熔融溫度。對此，可以考慮例如鋁和鍺、銅和鋅和類似系統作為金屬組合。
[0033]圖3示出具有在接觸區域103中產生的電接觸結構130以及襯底前側101的表面上的其他用作連接結構的金屬層面131、132的半導體襯底100。此外，圖3示出準備好用於與半導體襯底100鍵合的晶片200。例如被構造為傳感器晶片的晶片200在此包括具有在其上設置的功能層220的功能結構210。在藉助絕緣層240與功能結構210分離的功能層220內構造微機電功能結構221，例如微機電運動傳感器。微機電功能結構221通過電連接和接觸結構222、223與設置用於連接半導體晶片的電接觸結構130的電接觸結構230連接。此外，在功能層220上設置多個連接結構231、232，所述多個連接結構用作用於與半導體晶片的連接結構131、132連接的互補的連接結構。
[0034]如圖3中所示的那樣，已在半導體襯底100中產生用於容納微機電功能結構221的空穴105。半導體材料的去除在此可以藉助合適的蝕刻方法實現。為了鍵合，晶片200和半導體襯底100如此定向，使得互補的連接盤231、232貼靠連接盤131、132以及互補的接觸盤230貼靠接觸盤130。在加熱步驟之後，連接結構131、132、231、232現在構成連接半導體襯底100和晶片200的連接結構331、332。與此相反，接觸盤130、230現在構成連接半導體襯底100和晶片的接觸結構130。相應的方法階段在圖4中示出。
[0035]在後端工藝以後，從背側102減薄半導體襯底100。所述減薄在此可以藉助磨削工藝、藉助溼蝕刻工藝或幹蝕刻工藝或藉助這些工藝的組合實現。在減薄時，藉助磨削工藝、溼蝕刻工藝或幹蝕刻工藝或藉助這些工藝的組合如此程度地去除半導體襯底100的背側102上的半導體材料，直至藉助絕緣材料122填充的絕緣溝槽121完全暴露。相應的方法狀態在圖5中示出。
[0036]隨後，藉助合適的方法從半導體晶片100的背側102去除留在絕緣結構120之間的接觸區域103中的半導體材料104。事先在半導體襯底的背側102上施加絕緣層140，所述絕緣層也可以用作用於蝕刻接觸區域103中的半導體材料104的保護掩膜。在這種情況下，打開接觸區域103中的絕緣層140。相應的方法狀態在圖6中示出。
[0037]隨後，優選藉助各向同性的蝕刻方法相對於絕緣層140和絕緣材料121選擇性地如此程度地去除絕緣材料104，直至接觸結構330的下側333暴露。為了蝕刻半導體柱塞104，優選使用各向同性的蝕刻方法，所述各向同性的蝕刻方法還允許高的縱橫比，例如藉助C1、F3或XeF2或藉助SF6等離子蝕刻。相應的方法狀態在圖7中示出。
[0038]最後，以導電材料、尤其是金屬材料填充所形成的接觸孔111。還可以與半導體襯底100的背側102上的再布線150的製造同時地進行填充工藝。可以以已知的方法進行接觸孔111的填充。在此，低溫方法——例如銅的電鍍施加(Cu-E⑶)是特別有利的。電鍍銅沉積在此可以藉助用於抑制金屬擴散的合適的勢壘層和用於改善層生長的籽晶層進行組合。相應的方法狀態在圖8中示出。
[0039]對於已鍵合的晶片特別有利的是，在晶片鍵合工藝之後才藉助金屬進行接觸孔111的填充，從而使金屬填充104在鍵合工藝期間不遭受熱負荷。因此，對於填充工藝，還可以使用與矽相比具有高熱膨脹係數的金屬一一例如銅。圖8示出具有鍵合在半導體襯底100上的傳感器晶片200的完成的構件300。半導體襯底100在此用作用於微機電功能結構211的罩晶片。例如可以被構造為運動傳感器的微機電功能結構211通過電連接與接觸結構223、222、333和114與電導體結構150電連接。
[0040]在圖9至14中示出一種替代的工藝變型方案，其在不減薄半導體晶片的情況下也行。因此，與圖1相似，圖9示出半導體襯底100，其與圖9中的半導體襯底不同地在背側102上具有絕緣層141。絕緣溝槽121現在被構造直至絕緣層141。這優選藉助合適的蝕刻方法實現，其中絕緣層141用作蝕刻終止層。
[0041]隨後以絕緣材料122、尤其是玻璃——例如硼矽玻璃來填充絕緣溝槽121。在附圖10中示出所述方法狀態。
[0042]然後在半導體襯底100的前側101上產生空穴105。此外，例如通過沉積合適的材料在半導體襯底100的前側101上產生相應的接觸與連接盤130、131、132。相應的方法狀態在附圖10中示出。
[0043]在鍵合工藝中，將如此準備好的半導體晶片100以其前側101鍵合到功能襯底210上或相應的晶片200上。相應的方法狀態在附圖11中示出。
[0044]在另一個方法步驟中，打開接觸區域103中設置在半導體襯底100的背側102上的絕緣層141。所述方法狀態在附圖12中示出。
[0045]隨後，藉助合適的方法相對於絕緣層141和相對於絕緣結構120的絕緣材料122選擇性地去除留在接觸區域103中的半導體材料104，並且在此暴露接觸結構130的下側。相應的方法狀態在附圖13中示出。
[0046]最後，以導電材料、優選以金屬填充如此構成的空腔。在金屬化時還可以同時在半導體襯底100的背側102上產生再布線結構151、152、153、154。相應的方法狀態在附圖14
中示出。
[0047]替代完全填充的過孔，金屬化也可以實現為僅僅浸潤環形絕緣結構的側壁的、薄
的金屬層。
[0048]儘管已通過優選的實施例詳細地說明本發明的細節，但本發明不限於所公開的示例。而是可以由本領域人員從中導出其他變型方案，而不脫離本發明的保護範圍。除在此提到的材料——例如襯底材料、金屬化材料和絕緣材料，基本上還可以使用其他合適的材料。為此不同材料的任何有意義的組合基本上是適合的。
[0049]因此，例如還可以藉助噴射印刷法進行接觸孔的金屬化和/或再布線的製造，其中為了金屬化例如使用具有易排出的有機物的納米銀墨作為溶劑。對此，基本上還可考慮金屬膏印刷方法。
[0050]此外，在此製造的在微機電構件旁的覆鍍通孔基本上也可以用於微機電構件。
[0051]基本上可能的是，藉助以下方法來製造微機電構件:藉助所謂的晶片上晶片(Wafer-on-Wafer)方法——其中晶片彼此鍵合併且隨後分離已鍵合的晶片、藉助所謂的晶片上晶粒(Die-on-Wafer)方法——其中將各個晶粒鍵合在晶片上並且隨後分離晶片，或者藉助所謂的晶粒上晶粒(Die-on-Die)方法——其中彼此鍵合已經分離的晶粒。
【權利要求】
1.一種用於製造具有電覆鍍通孔(110)的構件(300)的方法，所述方法包括以下步驟:提供具有前側(101)和與所述前側相對置的背側(102)的半導體襯底(100)，在所述半導體襯底(100)的所述前側(101)上產生環形地包圍接觸區域(103)的絕緣溝槽(121)，在所述絕緣溝槽(121)中施加絕緣材料(122),通過在所述接觸區域(103)中沉積導電材料在所述半導體襯底(100)的所述前側(101)上產生電接觸結構(130)，去除所述半導體襯底(100)的所述背側(102)上的留在所述接觸區域(103)中的半導體材料(104)，以便產生暴露所述接觸結構(130)的下側(134)的接觸孔(111)，在所述接觸孔(111)中沉積金屬材料(114 )，以便將所述電接觸結構(130 )與所述半導體襯底(100)的所述背側(102)電連接。
2.根據權利要求1所述的方法，其中，將所述絕緣溝槽(121)構造為盲孔，其中，在所述半導體襯底(102)的所述前側(101)上產生所述電接觸結構(130)之後從所述背側(102)減薄所述半導體襯底(100)並且`在此暴露所述絕緣材料(122)。
3.根據權利要求2所述的方法，其中，在減薄所述半導體襯底(100)之後，在所述半導體襯底(100)的所述背側(102)上產生絕緣層(140)，其中，藉助各向同性的蝕刻方法相對於所述絕緣層(140)和所述絕緣溝槽(121)中的所述絕緣材料(122)選擇性地去除留在所述接觸區域(103)中的絕緣材料(104)。
4.根據權利要求1所述的方法，其中，在所述半導體襯底(100)的所述背側(102)上產生絕緣層(141 )，以及從所述半導體襯底(100)的所述前側(101)去除所述半導體材料直至所述絕緣層(141)以產生所述絕緣溝槽(121 )，其中，在所述接觸區域中打開所述半導體襯底(100)的所述背側(102)上的所述絕緣層(141 )，其中，通過蝕刻留在所述接觸區域(103)中的半導體材料(104)相對於所述絕緣層(141)和所述絕緣溝槽(121)中的所述絕緣材料(122)選擇性地產生所述接觸孔(111)。
5.根據以上權利要求中任一項所述的方法，其中，藉助衝壓方法在所述絕緣溝槽(121)中施加玻璃、尤其是硼矽玻璃用作絕緣材料(122)。
6.根據以上權利要求中任一項所述的方法，其中，為了在所述絕緣溝槽(121)中施加所述絕緣材料(122)，使用氧化物沉積和多晶矽沉積的組合。
7.根據以上權利要求中任一項所述的方法，其中，與在所述半導體襯底(100)的所述背側(102)上製造再布線(150) —起進行所述金屬材料(114)在所述接觸孔(111)中的沉積。
8.根據以上權利要求中任一項所述的方法，其中，為了以所述金屬材料(114)填充所述接觸孔(111)，使用低溫沉積方法結合勢壘層和/或籽晶層(115，116)。
9.根據以上權利要求中任一項所述的方法，其中，在鍵合工藝範疇內在所述接觸孔(111)中沉積所述金屬材料(122)之前將所述電接觸結構(130)與所述功能襯底(210)的互補接觸結構(230)連接，在所述鍵合工藝中將所述半導體襯底(100)與功能襯底(210)連接。
10.根據權利要求9所述的方法，其中，在將所述半導體襯底(100)與所述半導體襯底(100)的所述前側(101)上的所述功能襯底(210)連接之前，產生用於容納設置在所述功能襯底(210)上的功能結構(221)的空穴(105)。
11.一種構件(300)，其包括具有從前側(101)至與所述前側(101)相對置的背側(102)穿透所述半導體襯底(100)的電覆鍍通孔(110)，其中，所述覆鍍通孔(110)包括由環形地包圍接觸區域(103)並且以絕緣材料(122)填充的絕緣溝槽(121)組成的絕緣結構(120)、設置在所述接觸區域(103)中所述半導體襯底(100)的所述前側(101)上的電接觸結構(330)以及設置在所述接觸區域(103)中由所述絕緣結構(120)限界且將所述電接觸結構(330)與所述半導體襯底(100)的所述背側(102)電連接的金屬填充(114)。
12.根據權利要求11所述的構件(300)，其中，所述半導體襯底(100)具有空穴(105)並且如此與功能襯底(210)連接，使得設置在所述功能襯底(210)的表面上的功能結構(221)位於所述空穴(105)內 ， 其中，所述電接觸結構(130)與所述功能結構(221)的互補的接觸結構(230)電連接。
13.根據權利要求11或12所述的構件(300)，其中，所述絕緣溝槽(121)具有玻璃、尤其是硼矽玻璃作為絕緣材料(122)。
【文檔編號】B81C1/00GK103508410SQ201310251111
【公開日】2014年1月15日 申請日期:2013年6月21日 優先權日:2012年6月21日
【發明者】J·萊茵穆特, J·弗萊, Y·貝格曼 申請人:羅伯特·博世有限公司