半導體放大電路和半導體駐極體電容擴音器的製作方法
2023-04-29 01:16:16 2
專利名稱：半導體放大電路和半導體駐極體電容擴音器的製作方法
技術領域：
本發明涉及一種抗猝發噪聲影響的半導體放大電路，以及具有該電路的半導體駐極體電容擴音器。
駐極體電容擴音器廣泛用作數字手提電話的擴音器等。
如
圖10所示，傳統在駐極體電容擴音器基本上包括振動膜2，它是一層高聚物駐極體薄膜，與圓環(ring)粘連在一起；背電極3，它與振動膜2的相對；間隔器4，它內插在背電極3和圓環1之間，用於在振動膜2和背電極3之間開拓一個空間；背電極支撐器5，用於支撐背電極3；IC晶片61、62，它們固定在印刷電路板8上；以及外殼7，用於容納上述器件。在該圖中，標號9是前布。
電容器由振動膜2和背電極3組成，並且通過振動膜2振動改變電容器的電容，由此將聲音轉化成話音信號，然後放大和發送該信號。對於放大這一信號的電路，廣泛使用如圖11所示的半導體放大電路。
該電路由電壓轉換電路A和放大電路B組成構成，其中電壓轉換電路A用於將話音信號轉換成電壓信號並輸出，而放大電路B用於放大由電壓轉換電路A輸入的電壓信號並輸出。電壓轉換電路A形成於IC晶片61中，而放大電路B形成於IC晶片62中。在該圖中，Vdd表示電源電壓端，GND是接地電壓端，Vout1是電壓轉換電路A的輸出端，而Vout是放大電路B的輸出端。
但是，在此現有技術中，半導體放大電路易受猝發噪聲的影響。也就是說，在數字手提電話(TDMA系統)中建立的射頻振蕩器是猝發噪聲的源(RF猝發信號)，並且由射頻振蕩器發出的猝發噪聲會進入電源線或導線，並且較大的猝發成分(猝發工作頻率200-400Hz)將出現在半導體放大電路的輸出信號中。特別是，放大電路B的輸入信號線被暴露時，並且放大電路B放大了侵入該線路的猝發噪聲，對於降低駐極體電容擴音器或手提電話本身中的噪聲來說，這會引起嚴重的問題。
如果放大電路20的輸出級設置噪聲阻斷電容，那麼對低程度的猝發噪聲是有效的，但不能充分抑制噪聲，並且它會帶來一個附加的問題，即從降低的成本的角度，它會增加部件數。
在此背景下產生了本發明。因此，本發明的一個目的是提供一種可以抗猝發噪聲影響的半導體放大電路和半導體駐極體電容電話。
本發明的半導體放大電路是用於放大和發送弱信號的電路，它包括電壓轉換電路，用於接收弱信號，並且將該信號作為電壓信號輸出；和放大電路，用於接收電壓轉換電路輸出的電壓信號，並且放大和發送該信號，其中電壓轉換電路和放大電路形成於同一個半導體晶片中。
依照此結構，由於放大電路的輸入端隱藏在半導體晶片中，所以猝發信號幾乎不能進入放大電路。
電壓轉換電路最好包括結型或MOS型FET，FET的源極接地，柵極接收弱信號；還包括一電阻，電阻連接在FET的漏極和電源線之間，用於將FET的漏電流轉換成電壓，並且將其作為電壓信號輸出。
最好，電壓轉換電路包括結型或MOS型的第一FET，其柵極接收弱信號，而其源極接地；第二FET，其源極和漏極連接在第一FET的漏極和電源線之間，用於將源電壓作為電壓信號輸出；以及參考電壓發生電路，用於接收電源線上的電源電壓，產生參考電壓，並將其發送給第二FET的柵極。
在該結構中，如果因猝發噪聲進入電源線等而改變電源電壓，那麼儘管第二FET的源電壓會起伏，但由於饋送到第二FET之柵極的參考電壓同時也會起伏，所以第二FET之源電壓的改變程度小於電源電壓。因此，如果猝發噪聲進入電源線等，進入放大電路的猝發噪聲也是很小的。
放大電路最好包括用於從外部調節該電路增益的增益調節電路。這是因為通過對放大電路進行增益調節可以緩解電壓轉換電路的離散性。
最好，在放大電路的輸出端和電源線和／或接地線之間，提供用電晶體形成的用於防衝擊的電容器。因此，如果因猝發噪聲的影響而在放大電路的輸出端出現較大的猝發成分，那麼電容器可以阻斷它。
本發明的半導體駐極體電容擴音器是這樣一種器件，其中電容器由振動膜和背電路組成，通過振動膜的振動改變電容器的電容，從而將話音轉換成話音信號，並且放大和發送該信號，用上述任何一種半導體放大電路放大話音信號。
在該半導體駐極體電容擴音器中，在其中形成有半導體放大電路的半導體晶片的上面，提供起背電極作用的電極層。
圖1是一電路圖，示出了本發明半導體放大電路的一個實施例。
圖2是一電路圖，示出了其修改形式。
圖3是一截面示意圖，示出了本發明半導體駐極體電容擴音器的實施例。
圖4是一示意圖，示出了擴音器外殼的解剖透視示意圖。
圖5(A)是外殼的截面示意圖，圖5(B)是外殼的示意底視圖。
圖6是擴音器中間隔層的示意平面圖。
圖7是擴音器中振動膜的截面示意圖。
圖8是一電路圖，示出了圖2所示電路中與擴音器的電氣連接關係。
圖9是一曲線圖，示出了包含在半導體放大電路發出的話音信號中的猝發噪聲之等級和頻率之間關係。圖9(A)和圖9(B)分別是本發明和傳統電路測量半導體ECM猝發噪聲的結果。
圖10是一截面示意圖，示出了傳統的駐極體電容擴音器。
圖11是一電路圖，示出了傳統的半導體放大電路。
以下參照附圖，描述本發明的一個實施例。舉例說明的半導體放大電路是一種用於放大由手提電話的半導體駐極體電容擴音器檢測到的弱話音信號γ和發送該信號的電路。如圖1所示，它基本上包括電壓轉換電路10，用於接收話音信號，並且將該信號作為電壓信號輸出；和放大電路20，用於接收電壓信號，放大該信號，並且將其作為話音信號輸出。半導體放大電路的最大特點是電壓轉換電路10和放大電路20形成於同一個半導體晶片C中。
在半導體晶片C的外表面上，提供了電源電壓端Vdd，用於饋送電源電壓；接地電壓端GND；輸入端Vin，用於饋送話音信號α；以及輸出端Vout，用於輸出話音信號γ。在振動膜中，L表示電源線，而G是接地線(固體接地型)。以下描述組成電路。
電壓轉換電路10包括FET11，其源極接地，柵極接收話音信號α；電阻12，它連接在FET11漏極和電源線L之間，用於將FET11的漏電流轉換成電壓，並且輸出電壓信號β；以及偏壓電路13，用於將FET11的柵極電壓偏置到0V。這裡所用的FET11是N溝道降低型(depression type)中的結型FET，但也可以使用CMOS型FET。對於偏壓電路13，使用二極體或千兆數量級的電阻。
對於放大電路20，使用高輸入阻抗和低輸出阻抗的運算放大器，它被設計成通過放大電壓信號β但不進行反相來產生話音信號γ。
對於如此構造的半導體放大電路，以下描述其工作情況。由於在FET11的柵極提供偏壓電路13，所以FET11之柵一源電壓VGS的偏壓為0V。假設FET11在VGS=0時的漏電流ID為IDSS，那麼IDSS和FET11之夾斷電壓VP之間的關係如以下公式所示。在該公式中，β是由FET11之柵極尺寸所確定的常數。
公式1IDSS=β=VP2下式表述了當VGS=0時，話音信號α的電壓變化ΔVIN與FET11之漏電流ID的電流變化ΔID之間的關係。
公式2ΔID／ΔVIN=2·IDSS／VP因此，根據公式2和公式1，ΔID可以表示成公式3ΔID=-2·ΔVIN·β·VP也就是說，當話音信號α改變ΔVIN時，FET11的漏電流ID改變ΔID。運算放大器21的輸入阻抗是非常高的，並且漏電流ID流入電阻器R12，而運算放大器21的輸入電路Va變化如下。這裡電阻器R12的電阻值表示成R。
公式4ΔVa=ΔID·R=-2·ΔVIN·β·VP·R當VGS=0時，由於FET11的漏電流ID是IDSS，所以Va的直流分量表示如下。電源電壓也表達成VDD。
公式5Va=VDD-R·IDSS=VDD-R·β·Vp2當把話音信號α送入電壓轉換電路10時，如圖4和圖5所示，在電路中，產生與信號成正比的電壓Va。將該電壓作為電壓信號β送入放大電路20，並且產生話音信號γ。
此半導體放大電路與現有技術的不同，由於放大電路20的輸入端隱藏在半導體晶片C中，所以由手提電話射頻振蕩器發出的猝發噪聲很難進入電壓信號β。結果，如果用放大電路20放大電壓信號β，那麼放大後話音信號γ中所含的猝發噪聲非常小。
順便提一下，在每個產品中，電壓轉換電路10中使用的部件，特別是FET11的夾斷電壓(VP)是不同的。電壓信號β的直流分量正比於如75表示的FET11夾斷電壓(VP)的平方，因此，不同產品中話音信號γ的電平起伏很大。由於電壓轉換電路10和放大電路20形成於同一個半導體晶片C中，不可能用部件選擇技術調節話音γ的電平。
作為對策，如圖中虛線所表示的，在放大電路20中提供一個增益調節電路30，用於從外部調節電路的增益。此電路設計成，通過提供在半導體晶片C之外表面上的增益調節端Gadj，根據輸入電壓調節放大電路20的反饋量，並且改變放大電路20的增益。也可以將其設計成，加寬放大電路20的輸入工作範圍。
在圖1所示的放大電路中，儘管對手提電話之射頻振蕩器輻射出的猝發噪聲非常有效，但對通過電源線L或接地線G輸入的猝發噪聲不夠有效。如果還希望控制進入電壓線L等的猝發噪聲，最好使用圖2所示的半導體放大電路。
與圖1所示電路的最大不同是電壓轉換電路10′。該電路包括FET11(對應於第一FET)，其源極接地並且在柵級接收話音信號α；FET13(對應於第二FET)，其源極和漏極連接在FET11之漏極和電源線L之間，並且將源電壓作為電壓信號β輸出；和參考電壓發生電路14，用於接收電源線L上的電源電壓(Vdd)，產生參考電壓Vref，並且輸出給FET13的柵極。按同一個半導體製造過程製造FET11和FET13，並且兩個FET的結構是相同的。
該電路與半導體駐極體電容擴音器之間的連接關係如圖8所示。此方面與圖1所示電路中的相同。
將參考電壓發生電路14設計成，用電阻R141和電阻R142對電源電壓(Vdd)分壓，從而產生參考電路Vref。
在放大電路20的輸出端與電源線L和接地線G之間，每一級都提供用電晶體構成的電容器41和42，用於保護不受衝擊。電容器41和42由提高型的結型FET構成，並且如附圖所示連接，用以增加柵極區。將寄生容量設計成2pF或更大。其餘部件與圖1所示電路中的完全相同。
對於如此構造的半導體放大電路，以下描述其工作情況。與上述電路一樣，當VGS=0時，話音信號α之電壓變化ΔVIN與FET11之漏電流ID的電流變化ΔID之間的關係表示如下。這裡β1是由FET11之柵極尺寸所確定的常數。
公式6ΔID=-2·ΔVIN·β1·VP當FET11的漏電流ID改變時，FET13的漏電流ID也改變。但是，由於參照電壓Vref輸入FET13的柵極，所以FET13的柵-源電壓VGS隨著FET11的漏電流ID而變化。下面示出了兩者之間的關係。這裡β2是由FET13之柵極尺寸所確定的常數。
公式7ΔID=-2·ΔVGS·β2·VP假設運算放大器21之輸入電壓的變化為ΔVa，那麼根據公式6和公式7，ΔVa可以表不如下。
公式8ΔVa=(β1／β2)·ΔVINVa的直流分量可以表示如下。
公式9Va=VDD-(Vref+VGS)當設置Vref=VDD／2，β1=β2時，FET13的柵一源電壓VGS為零。因此，電壓信號β和話音信號γ改變大約VDD／2。除此之外，工作情基本上與圖1所示電路的相同。但是，如果猝發噪聲進入電源線L等，那麼因下述理由，較大的猝發噪聲分量不會出現在話音信號γ中。
當VDD因猝發噪聲的影響而起伏時，Vref隨該起伏而變化。但是，如公式9所示，由於VDD和Vref極性相反，所以如果VDD改變，Va不會改變很多。另外，如果因猝發噪聲而對VDD的衝擊，那麼用於防衝擊的電容器41和42會緩解此衝擊。結果，話音信號γ中不會出現較大的猝發噪聲分量。
隨便提一下，手提電話有一射頻振蕩器，用於發送和接收無線電波，並且它一直是猝發噪聲的源，對駐極體電容擴音器有很大的影響。當在圖5所示的半導體駐極體電容電話中使用圖1或圖2所示的半導體放大電路時，由於半導體放大電路本身能有力地抵抗猝發噪聲，所以可以在擴音器以及手提電話本身中降低噪聲電平。
同樣可以在圖3至圖7所示的半導體駐極體電容擴音器中使用圖1和圖2所示的半導體放大電路。以下參照附圖，描述該擴音器的結構。
如圖3所示，擴音器基本上包括半導體晶片100，圖1或圖2所示的半導體放大電路形成於該晶片中；電極層140，它通過絕緣層130層壓在半導體晶片100的表面上；絕緣層150，它形成於電極層140上；振動膜200，它與圓環230相連；間隔層170，它插入圓環230和絕緣薄膜150之間，用於在振動膜200和絕緣薄膜150之間提供一空間180；以及外殼300，用於容納這些部件。
電極層140與振動膜200相對，起圖11所示駐極體電容擴音器之背電路3的作用。根據下述方法，將振動膜200接地，同時將電極層140與形成於絕緣層130上的接線(未示出)以及形成於半導體晶片100表面的電極(輸入端Vin未示出)相連。概括地說，當振動膜200振動時，收集在電極層140中的電荷改變，並且此時的電壓為話音信號α。
外殼300包括主殼體310和蓋子320，其中主殼體310形成凹穴300，允許將半導體晶片100放於其中；而蓋子320用於封閉主殼體310。
如圖4所示，通過層壓四個框架部件來形成殼體310。這四個框架是第一層311、第二層312、第三層313和第四層314。第一層311、第二層312、第三層313和第四層314的所有尺寸都相同，並且當對它們層壓時，形成一個接近矩形的平行六面體。第一層311是導電的粘接件，而第二層312、第三層313和第四層314是陶瓷。
在最低層第四層314的表面，通過鎳電鍍或鋁電鍍形成接地導電層314B。在形成於第四層314之側面的兩個凹坑的表面和背面，分別形成用於信號輸出314E的端子導電層以及用於電源314F的端子導電層。
在第四層314的中心，形成一凹穴314A，作為背隔室350。凹穴314A的尺寸小於半導體晶片100，因此半導體晶片100不會掉進去。
在層壓在第四層314上的第三層313的中心，開一開口313A，並且當把第三層313層壓在第四層314上時，第四層314的導電層314B可以通過第三層313的開口313A看到。在第三層313的表面上，除了開口313A，通過鎳電鍍或鋁電鍍形成接地導電層313B。在第三層313側面形成兩個凹坑313C和313D，在其表面和側面，分別形成用於信號輸出端313E的端子導電層以及用於電源313F的端子導電層。它們分別與第四層的用於信號輸出端314E的端子導電層以及用於電源314F的端子導電層相連。
將第三層313的開口313A設置成略大於半導體晶片100，因此可以將半導體晶片100放入。
在層壓在第三層313上的第二層312的中心，形成開口312A，它大於開口313A，並且當把第二層312層壓在第三層313上時，可以通過第二層312的開口312A看見第三層313的導電層313B。另外，在第二層312的表面上，形成與半導體晶片100的電極層191和接合線190相連的三個焊接點。
這三個焊接點是接地焊接點312G，用於連接導電層313B和314B；信號輸出焊接點312E，用於連接用於信號輸出端313E的端子導電層；以及電源焊接點312F，用於連接用於電源的端子導電層313F和314F。接地焊接點312G形成於角落凹穴312K中，而信號輸出焊接點312E和電源焊接點312F分別形成於側面兩個凹坑312C和312D的表面和背面。
在層壓在第二層312上的第一層311的中心，開設一開口331A，它大於開口312A。
如圖3、圖4和圖5所示，通過層壓和烘烤第一層311、第二層312、第三層313和第四層314，形成主殼體310。根據第一層311之開口311A、第二層312之開口312A和第三層313之開口313A之間的尺寸關係，用若干步形成主殼體310之凹穴330的一個側面。順便提一下，還可以將第二層312和第三層313合併成一體，形成一個總的三層結構。
如圖3所示，在用於封閉主殼體310的蓋子320的背面，形成一圓環形突起321，用於按壓與振動膜200相連的圓環230，並且在蓋子320的中心附近，開一聲音孔322。
用已知的半導體工藝技術形成半導體晶片100、絕緣層130、電極層140、絕緣層150和間隔層170。電極層140由鋁製成，而絕緣層150是TiN，通過汽相沉積等方法形成。間隔層170由聚醯亞胺樹酯製成，用刻蝕等方法形成。對於電極層140，當使用抗蝕性較好的材料時，不需要使用絕緣層150。在圖3中，標號110是形成在半導體晶片100上的構成電壓轉換電路10等元件。
在絕緣薄膜150上，如圖6所示，形成一個接近圓環形的間隔層170。在間隔層170中，如附圖所示，形成切斷線171。空間180和背隔室350通過間隔層170的切斷線171以及通信通道360(見圖3)相互溝通。
如圖3所示，在半導體晶片100的表面上，在沒有層壓絕緣層130和其它層的部分，形成電極191(圖中只示出一個，這些電極對應於接地電壓端GND、輸出端Vout和電源端Vdd)，並且這些電極通過接合線190等與主殼體310上的接地焊接點312G、信號輸出焊接點312E和電源焊接點312F電氣相連。
振動膜200是高聚物駐極體REP薄膜210，形成圖2所示一側的電極薄膜220。在厚度為5微米至12．5微米的高聚物FEP薄膜210上，蒸發厚度大約為400的鎳層。用冠狀輻射或EB輻射使不形成電極薄膜1220的面(即背面)極化，並且在高聚合物FET薄膜210中半永久性地充電，從而獲得駐極體。
順便提一下，對於電極1220，可以蒸發厚度大約為400的鋁，可以層壓聚醯亞胺等製成的絕緣塗層，以增強環境抵抗力。另一種方法是，蒸發鋁和鎳。
這種振動膜200適合於由黃銅或不鏽鋼製成的圓環230。通過諸如圓環230、殼體300的蓋子320以及主殼體310等接地導電層，將振動膜200上的電極薄膜220接地。圓環230、蓋子320和主殼體310通過一種導電粘結材料相互導通。
在具有如此結構的半導體駐極體電容擴音器中，電容器由振動膜200和電極層140組成，通過振動膜200的振動使電容器的電容改變，從而將話音轉換成話音信號α。為了放大話音信號α，使用圖1或圖2中的半導體放大電路。與圖10所示的電容擴音器相比，除其它優點外，還有部件數量較少，並且縮小了尺寸。
將圖3至圖7所示的半導體駐極體電容擴音器放在PW(平行導線)單元(cell)中，在900MHz和大約10V／m的400猝發電場(連續波)中，用FET分析器測量由圖2所示半導體放大電路發出的話音信號γ。圖9(A)中的曲線圖示出了電路的測量結果。圖9(B)示出了使用相同擴音器時圖11所示半導體放大器電路的測量結果。在圖1所示的半導體放大電路中，也獲得了相同的特性。
在圖11所示的傳統半導體放大電路中，在400Hz及其更高的諧波處觀察到明顯的峰。通過安裝35pF的外部電容器，不能降低噪聲。另一方面，在圖8所示的本發明的半導體放大電路中，沒有檢測到這類噪聲峰。如果在1900MHz和大約10V／m的400Hz猝發電場(連續波)中測量，獲得了相同的結果。因此，實驗證明，不僅在手提電話中，還是在PHS應用中，都沒有RF猝發噪聲的問題。
本發明的半導體放大電路不僅可以應用於半導體駐極體電容擴音器中，而且可以用其它用途。電壓轉換電路和放大電路只要具有相同的功能，不限於某種具體的電路結構。
在本發明的半導體駐極體電容擴音器中，電容器由振動膜和背電極組成；通過振動膜的振動來改變電容器的電容，從而將話音轉換成話音信號；然後放大該信號；只要呈現相同的原理，還可以同樣運用其它的結構。
在本發明的半導體放大電路中，在同一半導體晶片上形成用於將弱輸入信號轉換成電壓信號的電路轉換電路以及用於放大該電壓信號的放大電路，因此放大電路的信號輸入端隱藏在半導體晶片中，並且猝發噪聲幾乎不能進入放大電路中。也就是說，由於放大電路抵抗猝發噪聲的影響，所以可以大大降低噪聲。
對於本發明的半導體放大電路，由於電壓轉換電路包括結型或MOS型的FET，其源極接地，柵級接收弱信號，並且在FET的漏極和電源線之間連接一電阻，用於將FET的漏電流轉換成電壓並將其作為電壓信號輸出，所以如果猝發噪聲進入電源線等，此進入放大電路的猝發噪聲很小，並且進一步抵抗猝發噪聲的影響。
另外，對於本發明的半導體放大電路，由於提供了增益調節電路，可以從外部調節放大電路的增益，所以通過放大電路的增益調節可以緩解電壓轉換電路特性的離散性(dispersion of charateristices)。因為容易調節電路，所以這是非常有利的。
另外，對於本發明的半導體放大電路，由於在放大電路輸出端和電源線和／接地線之間提供了由電晶體形成的防衝擊電容器，所以如果因猝發噪聲的影響在放大電路的輸出端出現較大的猝發分量，那麼電容器可以將其阻斷。也就是說，不使用外部電容器，也可以降低噪聲，以低成本獲得低噪聲的電路。
對於本發明的半導體駐極體電容擴音器，由於用上述半導體放大電路放大話音信號，所以可以獲得與上述電路相同的優點，並且極為有利於降低噪聲，降低成本。
本發明的半導體放大電路和半導體駐極體電容擴音器可用於手提電話等的擴音器中。
權利要求
1．一種用於放大和發送弱信號的半導體放大電路，其特徵在於，所述半導體放大電路包括電壓轉換電路，用於接收所述弱信號，並且將該信號作為電壓信號輸出；和放大電路，用於接收所述電壓轉換電路輸出的電壓信號，並且放大和發送該信號，其中所述電壓轉換電路和放大電路形成於同一個半導體晶片中。
2．如權利要求1所述的半導體放大電路，其特徵在於，所述電壓轉換電路包括結型或MOS型FET，FET的源極接地，柵極接收所述弱信號；和一電阻，所述電阻連接在FET的漏極和電源線之間，用於將FET的漏電流轉換成電壓，並且將其作為電壓信號輸出。
3．如權利要求1所述的半導體放大電路，其特徵在於，所述電壓轉換電路包括結型或MOS型的第一FET，其柵極接收所述弱信號，而其源極接地；第二FET，其源極和漏極連接在第一FET的漏極和電源線之間，用於將源電壓作為電壓信號輸出；以及參考電壓發生電路，用於接收電源線上的電源電壓，產生參考電壓，並將其發送給第二FET的柵極。
4．如權利要求1所述的半導體放大電路，其特徵在於，所述放大電路包括用於從外部調節該電路增益的增益調節電路。
5．如權利要求1所述的半導體放大電路，其特徵在於，在放大電路的輸出端和電源線和／或接地線之間，提供用電晶體形成的用於防衝擊的電容器。
6．一種半導體駐極體電容擴音器，其特徵在於，電容器由振動膜和背電路組成，通過振動膜的振動改變電容器的電容，從而將話音轉換成話音信號，並且放大和發送該信號，用如權利要求1-5中任何一項所述的半導體放大電路放大所述話音信號。
7．如權利要求6所述的半導體駐極體電容擴音器，其特徵在於，其中在形成有所述半導體放大電路的半導體晶片的上面，提供起所述背電極作用的電極層。
全文摘要
本發明提供了一種可以抵抗猝發噪聲影響的半導體放大電路和半導體駐極體電容擴音器。包括:電壓轉換電路,用於接收弱信號並將該信號作為電壓信號輸出;和放大電路20,用於接收電壓信號,放大和發送該信號。電壓轉換電路和放大電路形成於同一個半導體晶片中。由於放大電路的輸入端隱藏在半導體晶片中,所以猝發噪聲幾乎不能進入放大電路中。
文檔編號H03F3/187GK1290998SQ00104109
公開日2001年4月11日 申請日期2000年3月9日 優先權日1999年10月1日
發明者竹內孝信, 大林義昭, 安田護, 佐伯真一, 大澤周治 申請人:星電器製造株式會社, 三菱電機株式會社