等離子體顯示板的製造方法
2023-04-29 06:59:16 2
專利名稱：等離子體顯示板的製造方法
技術領域：
本發明涉及一種等離子體顯示板的製造方法。更具體地，本發明涉及一種等離子體顯示板的製造方法，通過該方法，隨著隔肋形成工藝的增強更一致地形成放電室(discharge cell)。
背景技術：
通常，等離子體顯示板(PDP)是一種顯示裝置，它利用由氣體放電得到的等離子體輻射的真空紫外線激發磷光體(phosphor)，並通過受激的磷光體產生的可見光顯示所需圖象。因為PDP使寬屏幕高解析度成為可能，所以它已成為世人矚目的下一代平板顯示裝置。
通常，PDP按三電極表面放電方案構造。該方案中，在一基板上共面地形成兩個電極，在與該基板隔開預定間隙的另一基板上形成地址電極。在兩基板之間形成隔肋，從而分隔多個放電室。
傳統上，每個PDP都是單獨製造的，因為生產率低，導致製造成本增加。因此，正在開發多板製造技術，其中多個PDP形成為彼此面對的基板，然後將該基板切割為單獨的PDP。
同時，一般通過以下工藝形成隔肋。首先，在一基板前表面上接連形成隔肋層和抗蝕劑，然後使用掩模將抗蝕劑構圖為預定圖案。本情況中，抗蝕劑被構圖，從而形成對應於放電室圖形的開口。接著，根據抗蝕劑圖案來刻蝕隔肋層，然後烘烤隔肋層。這時，隔肋層的被刻蝕部分形成為放電空間。
可通過噴沙法(sandblast method)刻蝕隔肋層，其中給隔肋層施加研磨劑，從而刻蝕未形成有抗蝕劑的部分。
因為PDP越來越大，並且用多板技術製造PDP，所以可能不能足夠均勻地刻蝕隔肋層。特別是，在形成PDP的基板的中心附近，因為各種原因研磨劑的流動可能被阻擋，隔肋層可能沒有被充分刻蝕。因此，在基板中心附近形成的隔肋比其他部分的隔肋具有更大的寬度，從而放電空間變得更小。
因此，放電電壓和板亮度的均勻性變壞，放電瑕疵可能導致惡化顯示特性。
本發明背景部分揭示的信息僅僅用於增進理解發明背景，因此除非有明確的相反說明，它不應被作為一種承認或任何形式的暗示，該承認或暗示即該信息構成對本技術領域普通技術人員已知的現有技術的說明。
發明內容
本發明提供一種製造具有一致的隔肋和放電空間的PDP的方法。
根據本發明一實施例的製造PDP的示例性方法涉及由第一和第二基板製造至少一個PDP。PDP含有隔開放電室的隔肋和在各個放電室中用於放電的電極。該方法包括形成隔肋。在隔肋的形成過程中，在第一基板上形成隔肋形成層，形成抗蝕劑來覆蓋隔肋形成層，構圖抗蝕劑從而形成對應於預定放電室圖形的開口，根據抗蝕劑圖形來刻蝕隔肋形成層，並且烘烤刻蝕後的隔肋形成層。構圖抗蝕劑期間，遠離第一基板中心的開口的面積形成得和第一基板中心附近的開口的面積不同。在一實施例中，本發明是一種形成用於等離子體顯示板的多個隔肋的方法。該方法包括在基板上形成隔肋形成層；形成覆蓋隔肋形成層的抗蝕劑；構圖抗蝕劑，從而形成對應於等離子體顯示板的預定放電室圖形的多個開口，其中更遠離基板中心的開口和更接近基板中心的開口具有不同的尺寸面積；根據該多個開口刻蝕隔肋形成層；以及烘烤刻蝕後的隔肋形成層。
在抗蝕劑構圖期間，遠離第一基板中心的開口的面積可形成得比第一基板中心附近的開口的面積更小。
在構圖抗蝕劑期間，設置在第一區域的開口的面積可形成得比設置在第二區域的開口的面積更大，其中第一區域是圓形的，它的中心在第一基板的中心，第二區域定義為第一區域的外部。
第一區域可包括多個分區域(partial region)，在每個分區域中，開口尺寸相同，所述多個分區域中的每一個的邊界線形成為圓形，每個圓形的中心位於第一基板的中心。
與在離第一基板的中心更遠的第二分區域中形成的開口的尺寸相比，在含有第一基板的中心的分區域中，開口可以以更大的尺寸形成。
刻蝕隔肋形成層期間，可以通過噴沙法刻蝕隔肋形成層。
抗蝕劑可以是光致抗蝕劑或幹膜抗蝕劑(dry film resist)。
形成隔肋形成層期間，可對應於每個等離子體顯示板的預定區域來形成隔肋形成層。
在刻蝕隔肋形成層之後且在烘烤刻蝕後的隔肋形成層之前，可除去抗蝕劑。
圖1是示出形成多個PDP的第一基板和第二基板的俯視圖。
圖2是圖1中A部分的局部分解透視圖。
圖3A到圖3E是說明根據本發明一實施例製造PDP的方法中形成隔肋的步驟的剖視圖。
圖4是根據本發明一實施例形成的抗蝕劑圖形的俯視圖。
具體實施例方式
下文中將要通過參考附圖詳細說明本發明的實施例。
圖1是示出形成多個PDP的第一基板和第二基板的俯視圖。圖2是圖1中A部分的局部分解透視圖。
第一基板10(下文中稱為後基板)和第二基板20(下文中稱為前基板)被設置為彼此面對並且隔開預定間隙，且在其上形成多個PDP 100。
對於每個PDP 100，地址電極12、第一電介質層14、隔肋16、以及磷光體層19形成在後基板10上。顯示電極21和22、第二電介質層24、以及保護層26形成在前基板20上。
下文中將會參考圖2進一步詳細說明每個PDP 100。
在後基板10上在其面對前基板20的表面沿著一方向(圖2中的y軸方向)形成地址電極12。並且，第一電介質層14形成在後基板10上，覆蓋地址電極12。地址電極12彼此平行地形成，相鄰地址電極之間保持預定間距。
分隔多個放電室18的隔肋16形成在電介質層14上。隔肋16包括平行於地址電極12(也就是圖2所示的y軸方向)形成的第一隔肋構件16a、以及在橫跨地址電極12的方向上(也就是圖2中的x軸方向)形成的第二隔肋構件16b。因此，放電室18的平面形狀為基本上矩形。
本發明不應被理解為局限在上面說明的隔肋結構中。相反，本發明可應用於各種隔肋結構，例如條紋結構，其中隔肋構件僅平行於地址電極形成，且這種隔肋結構應被理解為處於本發明的思想和範圍之中。放電室的平面形狀也可變為六角形、圓形、或者橢圓形，並且這些變化應被理解為也處於本發明的思想和範圍之中。
紅、綠或藍色的磷光體層19形成在每個放電室18中，並且用於產生等離子體放電的放電氣體填充其中。
在前基板20的面對後基板10的內側面上，顯示電極21和22形成在橫跨地址電極12的方向上(也就是圖2所示的x軸方向)。顯示電極21和22包括掃描電極21和維持電極22。
掃描電極21和維持電極22分別包括沿著橫跨地址電極12的方向延長的總線電極21b和22b、以及從總線電極21b和22b向各放電室18的中心延伸的延伸電極21a和22a。
延伸電極21a和22a用於在放電室18中產生等離子體放電。為了有足夠的開口率，延伸電極可由例如氧化銦錫(ITO)形成，它是透明材料。總線電極21b和22b用於通過補償延伸電極21a和22a的高電阻來為顯示電極提供充分的電導率，且可由金屬材料形成。
第二電介質層24和MgO保護層26順序形成在前基板20上，覆蓋顯示電極21和22。MgO保護層26保護第二電介質層24在等離子體放電期間免於受到離子撞擊，並且由於其高的二次電子發射係數而增強放電效率。
上述PDP結構僅僅是一示例性結構，本發明不應被理解為局限於其中。本發明可應用於各種其他類型的PDP，並且這樣的變化應被理解為處於本發明的思想和範圍之中。
在根據本發明一實施例的製造PDP的方法中，地址電極12、第一電介質層14、隔肋16和磷光體層19形成在後基板10上，顯示電極21和22、第二電介質層24和MgO保護層26形成在前基板20上。接下來，後基板10和前基板20被切割成多個PDP 100。
地址電極12、第一電介質層14和磷光體層19在後基板10上的形成、以及顯示電極21和22、電介質層24和MgO保護層26在前基板20上的形成可根據傳統方案來進行，因此不再進一步詳細說明。代替地，下文將詳細說明隔肋16的形成。
圖3A到圖3E是說明根據本發明一實施例的、PDP製造方法中形成隔肋16的步驟的剖視圖。在圖3A到圖3E中，為了更好地理解，僅示出了涉及隔肋16的形成的部分。
首先，如圖3A所示，在後基板10上形成對應於多個PDP中的每個的隔肋形成層160。可通過在後基板10上塗覆用於隔肋的糊並乾燥之來形成隔肋形成層160。
雖然上面說明的並在圖中示出的隔肋形成層160僅形成在對應於PDP100的預定部分上，但是本發明不應被理解為局限於此。例如，隔肋形成層160可形成在基板的整個表面上。
接下來，如圖3B所示，抗蝕劑170形成在後基板10上，覆蓋隔肋形成層160。本情況中，抗蝕劑170可以是光致抗蝕劑(PR)、幹膜抗蝕劑(DFR)或其他相似的材料。雖然附圖示出抗蝕劑170覆蓋後基板10的整個表面，但是本發明並不局限於此。應注意的是，抗蝕劑可僅覆蓋隔肋形成層160。
然後如圖3C所示，根據預定的放電室圖形構圖抗蝕劑170，從而形成具有開口174的抗蝕劑圖形172。本情況中，曝光掩模180放置在抗蝕劑170上，抗蝕劑170被曝光並被顯影從而形成含有放電室圖形的開口174的抗蝕劑圖形172。
在此構圖抗蝕劑170期間，形成抗蝕劑圖形172，使得開口174可根據其位置具有不同的面積。開口174的不同開口面積可通過已經具有這樣的不同開口面積的曝光掩模180或通過各種其他方案來形成。
下文中，將參考圖4詳細說明根據本發明一實施例的示例性抗蝕劑圖形172。圖4是根據本發明一實施例形成的抗蝕劑圖形的俯視圖。
遠離第一基板10的中心C的開口174d的面積被形成為具有比第一基板10的中心C附近的開口174a的面積更小的尺寸。開口174的面積根據它們的位置以不同的尺寸形成，因為當通過例如噴沙法形成隔肋和放電室時，刻蝕的量會不同。
為了放電室的更好的一致性，位於離第一基板10的中心C相同距離內的所有開口面積具有相同的尺寸。然後，隨著開口174離基板的中心C更遠，其他開口面積以減小的尺寸形成。
更詳細地，在第一基板10上定義第一和第二區域A和B，其中第一區域A是圓形的，它的中心在第一基板10的中心C處，第二區域B被定義為第一區域A的外部區域。第一區域A被分為多個分區域A1、A2和A3。各個分區域A1、A2和A3的邊界由其中心在第一基板10的中心C的同心圓形形成。其中心在相同分區域A1、A2或A3中的開口174基本上具有相同的尺寸。
根據本發明一實施例，分區域A1、A2和A3的邊界中的每一個、以及第一區域A本身形成為圓形，但是本發明並不局限於此。每個區域可形成為不同形狀，例如矩形或六角形，並且這些不同形狀應被理解為處於本發明的思想和範圍之中。
根據本實施例，分區域A1、A2和A3分別稱為第一分區域A1、第二分區域A2和第三分區域A3。本情況中，開口174滿足條件S1＞S2＞S3＞S4。
這裡，S1表示其中心在第一分區域A1中的開口174a的面積，S2表示其中心在第二分區域A2中的開口174b的面積，S3表示其中心在第三分區域A3中的開口174c的面積，S4表示其中心在第二區域B中的開口174d的面積。
也就是說，在第一區域A中，開口174a、174b、174c的面積隨著它們從含有第一基板10的中心的第一分區域A1到鄰接第二區域B的第三分區域A3，變得越來越小。另外，第二區域B中的開口174d具有比第一區域A中的每個開口174a、174b、174c更小的面積S4。
接下來，如圖3D所示，依照抗蝕劑圖形172來刻蝕隔肋形成層160，從而除去對應於放電室圖形的部分，從而可形成放電室空間。本情況中，可通過溼蝕刻或幹蝕刻來刻蝕隔肋形成層160。本發明一實施例中，通過噴沙法來刻蝕隔肋形成層160，噴沙法是一種幹蝕刻。也就是說，噴沙設備190通過噴射研磨劑到形成有抗蝕劑圖形172的隔肋形成層160上來在用於開口174的部分刻蝕隔肋形成層160。
如上所述，根據本實施例，抗蝕劑圖形172在中心部分具有更大的開口，在該中心部分中有更多因素阻礙對隔肋形成層160的刻蝕；於是中心部分處磨蝕的退化得到補償。因此，遍及整個後基板10隔肋形成層160被一致地刻蝕。從而，一致地形成隔肋和放電室。
接下來，如圖3E所示，除去抗蝕劑圖形172，然後通過烘烤隔肋圖形162來完成隔肋16。
如上所述，根據本發明一實施例，在構圖抗蝕劑170期間抗蝕劑170的開口174的形成考慮了阻礙研磨劑的流動的因素。因此，在整個面板中得到了一致的放電電壓和一致的發光特性。因此，防止了放電瑕疵，從而提高了顯示特性。
根據本發明一實施例，抗蝕劑的開口174形成為矩形，但是本發明不應被理解為局限於此。相反，可根據放電室的所需圖形形成各種形狀的開口，並且這些各種形狀的開口應被理解為處於本發明的思想和範圍之內。
另外，雖然已經聯繫應用於多板製造技術的示例性實施例解釋了本發明，但是本發明也可應用於其他方案，例如，由一後基板和一前基板製造僅一個PDP的方案。
雖然已經結合當前被認為是實用示例性實施例的實施例說明了本發明，但是應明白的是本發明並不局限於所公開的實施例，相反，本發明試圖覆蓋在所附權利要求書的思想和範圍中包括的各種修改和等價布置。
權利要求
1.一種由第一和第二基板製造至少一個等離子體顯示板的方法，該等離子體顯示板包括用於分隔放電室的隔肋和用於使各個放電室放電的電極，該方法包括形成多個隔肋，其中該隔肋的形成包括在該第一基板上形成隔肋形成層；形成覆蓋該隔肋形成層的抗蝕劑；構圖該抗蝕劑，從而形成對應於預定放電室圖形的其多個開口；根據該多個開口刻蝕該隔肋形成層；以及烘烤刻蝕後的隔肋形成層，其中，在構圖該抗蝕劑期間，遠離該第一基板的中心的開口的面積形成為與該第一基板的該中心附近的開口的面積不同。
2.如權利要求1所述的方法，其中，在構圖該抗蝕劑期間，遠離該第一基板的該中心的該開口的面積形成為比該第一基板的該中心附近的該開口的面積小。
3.如權利要求1所述的方法，其中，在構圖該抗蝕劑期間，設置在第一區域中的開口的面積形成為比設置在第二區域中的開口的面積大，其中該第一區域為圓形且其中心位於該第一基板的該中心，該第二區域被定義為該第一區域的外部區域。
4.如權利要求3所述的方法，其中該第一區域包括多個分區域，在每個分區域中開口具有相同的尺寸，該多個分區域中的每一個的邊界線形成為圓形，每個圓形的中心在該第一基板的該中心。
5.如權利要求4所述的方法，其中在更接近該第一基板的該中心的第一分區域中，以比形成在更遠離該第一基板的該中心的第二分區域中的開口的尺寸更大的尺寸形成該開口。
6.如權利要求1所述的方法，其中在刻蝕該隔肋形成層期間，通過噴沙法刻蝕該隔肋形成層。
7.如權利要求1所述的方法，其中該抗蝕劑包含光致抗蝕劑和幹膜抗蝕劑之一。
8.如權利要求1所述的方法，其中在該第一基板上定義每個均對應於等離子體顯示板的多個預定區域，且在每個對應的預定區域上形成該隔肋形成層。
9.如權利要求1所述的方法，還包括在刻蝕該隔肋形成層之後且在烘烤刻蝕後的隔肋形成層之前除去該抗蝕劑。
10.一種形成用於等離子體顯示板的多個隔肋的方法，該方法包括在基板上形成隔肋形成層；形成覆蓋該隔肋形成層的抗蝕劑；構圖該抗蝕劑，從而形成對應於該等離子體顯示板的預定放電室圖形的多個開口，其中更遠離該基板的中心的開口具有不同於更接近該基板的該中心的開口的尺寸面積；根據該多個開口刻蝕該隔肋形成層；以及烘烤刻蝕後的隔肋形成層。
11.如權利要求10所述的方法，其中更遠離該基板的該中心的該開口的面積比更接近該基板的該中心的該開口的面積小。
12.如權利要求10所述的方法，其中位於第一區域內的第一開口的面積比位於第二區域內的第二開口的面積大，其中該第一區域具有中心在該基板的該中心的圓形形狀，且該第二區域被定義為該第一區域的外部區域。
13.如權利要求12所述的方法，其中該第一區域包含多個分區域，每個分區域具有中心在該基板的該中心的圓形形狀，且其中該多個分區域中的每一個中的開口具有相同的尺寸。
14.如權利要求13所述的方法，其中在更接近該基板的該中心的第一分區域中形成更大尺寸的開口，在更遠離該基板的該中心的第二分區域中形成更小的開口。
15.如權利要求10所述的方法，其中蝕刻該隔肋形成層包括通過噴沙法刻蝕。
16.如權利要求10所述的方法，其中該抗蝕劑包含光致抗蝕劑和幹膜抗蝕劑之一。
17.如權利要求10所述的方法，其中形成該隔肋形成層包括在該基板上塗覆糊層。
18.如權利要求10所述的方法，其中該隔肋形成層形成在該基板上的預定部分上。
19.如權利要求10所述的方法，其中該隔肋形成層形成在該基板的整個表面上。
20.如權利要求10所述的方法，還包括在刻蝕該隔肋形成層之後且在烘烤刻蝕後的隔肋形成層之前除去該抗蝕劑。
全文摘要
本發明涉及等離子體顯示板的製造方法。在該方法中，由第一和第二基板製造至少一個含有用於分開放電室的隔肋的等離子體顯示板。該製造方法包括根據工藝形成隔肋，該工藝包括在第一基板上形成隔肋形成層，形成覆蓋隔肋形成層的抗蝕劑，構圖抗蝕劑以形成對應於預定放電室圖形的開口，根據抗蝕劑圖形刻蝕隔肋形成層，以及烘烤刻蝕後的隔肋形成層。在構圖抗蝕劑期間，遠離第一基板中心的開口的面積形成得和第一基板中心附近的開口的面積不同。
文檔編號H01J11/22GK1753132SQ20051008465
公開日2006年3月29日 申請日期2005年7月15日 優先權日2004年9月23日
發明者金俊亨 申請人:三星Sdi株式會社