納米改性製造TiO的製作方法
2023-05-13 14:46:16
專利名稱：納米改性製造TiO的製作方法
技術領域：
；本發明涉及一種納米TiO2製造壓敏陶瓷材料的方法及該方法製造的壓敏電阻，屬於電器元件及其材料製造技術領域。
背景技術：
TiO2壓敏電阻是八十年代國外率先研究發展起來的。TiO2壓敏電阻具有低壓敏電壓和高介電係數雙優特性，耐浪湧能力也很強，更重要的是其工藝簡單，不要在高溫下還原燒成，省去熱處理，可以在大氣中一次燒成，使成本大大降低，是一種很有發展前途的複合功能電阻元件。
國內外做的比較成熟的壓敏陶瓷電阻主要是ZnO和SrTiO3這兩類，他們的製作工藝比較複雜，尤其是在SrTiO3的氣氛控制、ZnO複雜的燒結曲線等方面。不僅工藝複雜，成本比較高，而且其使用範圍有限。
目前，對TiO2壓敏電阻生產方法的研究主要有稀土摻雜、受主摻雜和施主摻雜等方面。如有不少人提出用Sr做受主摻雜來改變其壓敏電壓和非線性係數，或通過La做施主摻雜等等。但是這些方法製作的樣品普遍都存在壓敏電壓較高，非線性係數較低的紕漏，而且這些樣品在性能要求上沒有使較低的壓敏電壓和較高的非線性係數兩者統一。這些方法一般解決了壓敏電壓，卻忽略了非線性係數，反之亦然。因此，非常需要有新的、性能好的TiO2壓敏陶瓷電阻，以使其特有的優越的電性能更好地為工業所利用。
發明內容
；本發明的目的是克服現有技術之不足，提供一種納米TiO2製造壓敏陶瓷材料、電阻的方法及其製造的電阻，應用納米TiO2的優良特性對TiO2系壓敏陶瓷材料進行改性製造，簡化壓敏陶瓷電阻的製作工藝，提高TiO2系壓敏陶瓷電阻的性能。
本發明的技術方案是納米改性製造TiO2壓敏陶瓷材料的方法是，先用TiO2加上從一組摻雜元素Nb、Si、La、Mn、Y、Sr、Zn、納米TiO2中任選的氧化物粉(如Nb2O5、SiO2、La2O3、納米TiO2等)組成混合原料，然後將該原料在球磨罐中、加入水和酒精研磨混合3～5小時；將球磨好的料漿乾燥、過篩後(可放在乾燥箱裡烘乾，然後過280～350目標準篩)，進行造粒(將乾燥後的粉料加入適量的PVA水溶液，形狀如魚鱗狀即表示混合均勻時，再過40～55目標準篩，用50～150Mpa壓力預壓成塊，然後打碎，再次過40～55目標準篩)，得到一定粒度而且均勻分布的粉料，再用50～150Mpa的壓力將粉料壓製成小圓片；然後將成型的壓製片逐漸加熱到650～850℃後保溫20～30分鐘(可放在電阻爐中進行)，進行排膠(將加入的有機塑化劑排出，並使之具有一定的機械強度，為樣品的燒結創造條件)，再在1280～1450℃加熱燒結並保溫1～3小時(可放到管式電阻爐中進行)；最後將燒結好的燒結體(隨爐)冷卻到室溫，得到TiO2壓敏陶瓷材料。
將燒結得到的TiO2壓敏陶瓷材料進行表面加工，然後被電極，在600～800℃下燒銀，經測試後封裝，即可得到納米改性TiO2壓敏電阻。在混合原料中，摻雜納米TiO2所佔的摩爾比為4～15％(根據實際需要確定)，其它各摻雜氧化物所佔的摩爾比為0.1～2％(根據實際需要確定)。
用該納米改性方法製造的TiO2壓敏陶瓷材料或電阻，具有電容—壓敏雙功能特性，其壓敏電壓和漏電流隨著燒結溫度的升高而降低，非線性係數和介電常數隨著燒結溫度的升高而增大，介電損耗也有隨燒結溫度的升高而降低的總趨勢；其壓敏電壓V1mA為4～7V/mm，非線性係數α為4.5～7，漏電流IL為0.15～0.25mA，介電常數為(3～7)×104，介電損耗值tanδ為0.2～0.5。
該方法所製造的TiO2壓敏陶瓷材料及TiO2壓敏電阻，除了主晶相TiO2外，主晶相表面還有摻雜Nb、Si、La、Mn、Y、Sr、Zn的氧化物中的一種或多種物相(如LaNbTiO6、NbO2、La4Ti9O21等物相)。
超微粒子具有表面效應、體積效應和久保效應的基本特性。表面效應是指超微粒子的表面原子數與總原子數之比隨粒徑的變小而急劇增加。表面原子的晶場環境、結合能與內部原子不同，表面原子的周圍缺少相鄰的原子，有許多懸空鍵，具有不飽和性質，使得超微粒子表面具有很大的化學活性，表面能大大增加，由此而引起的種種特殊效應統稱為表面效應。當物質的體積減小時，將會出現兩種情形一種是物質本身的性質不發生變化，而只有那些與體積密切相關的性質發生變化，如半導體電子自由程變小，磁體的磁區變小等；另一種是物質本身的性質也發生了變化。在這種情況下，原來的物質是由無數個原子或分子組成的集體屬性，而製成超微細粉後，其微粒是有限個原子或分子結合的屬性(例如金屬超微細粉粒子的電子結構與大塊金屬迥然相異。在大塊金屬中，電子數量有限，不能形成連續的能帶，而是轉化成各自分立的能級)，這就是體積效應。久保效應是金屬納米粉粒子的另一個重要的性質，就是由於粒子中所具有的自由電子太少，使得其中的電子數很難改變，具有強烈的保持電中性的傾向，久保指出，在金屬超微細粒子中，電子在能級上的統計分布並不遵從人們熟知的費米統計；通常把因此對於熱、磁化率和超導電性的影響叫久保效應。
納米TiO2為白色粉末，根據生產工藝條件不同，有金紅石型、銳鈦型和混晶型，其中以金紅石型居多，它的化學性質穩定、熱穩定性和耐侯性均優於銳鈦型超微細TiO2。當溫度高於900℃時，銳鈦型可以轉化為金紅石型。納米TiO2由數目較少的分子所組成，這些分子在熱力學上處於亞熱穩態，使得納米粉TiO2在保持原物質化學性質的同時，在磁性、光吸收、催化、化學活性、電學等方面表現出奇異的性能。除具備超微粒子的表面效應、體積效應和久保效應等基本特性外，還具有良好的耐候性、無毒性、非遷移性、光敏性、高分散性、很高的耐腐蝕性、化學穩定性和熱穩定性等。由於納米TiO2壓敏陶瓷材料或電阻的性能是由納米TiO2的特性來決定的，因此本發明的壓敏陶瓷材料或電阻具有納米TiO2材料的優良性質，納米TiO2粉體顆粒尺寸的減小，還可促使陶瓷的燒結過程加速，燒結溫度降低和燒結時間縮短，大大節省人力、物力和資源。
本發明採用了納米TiO2改性製造TiO2壓敏陶瓷材料及電阻的方法，利用納米TiO2的特性，克服了國內外ZnO和SrTiO3壓敏陶瓷電阻製作工藝複雜、成本較高、使用範圍有限等缺點，尤其是SrTiO3的氣氛控制，ZnO複雜的燒結曲線的缺點；同時要求的指標也實現了低壓化，使TiO2壓敏陶瓷具有壓敏電壓隨燒結溫度升高而降低，非線性係數隨燒結溫度升高而升高的總趨勢；因而具有製作工藝簡單、成本較低、性能好、使用範圍廣等優點。
用本發明製造的壓敏陶瓷電阻，由於摻雜元素在TiO2基體表面析出，且分布均勻，因此，還具有重複性、穩定性、一致性好，電參數值有顯著改進的優點。
圖1為本發明的工藝流程2為本發明實施例4的V與α隨T的變化關係圖，圖3為本發明實施例4的ε與tan δ隨T的變化關係圖，
圖4為超微粒子的表面原子數與總原子數之比與粒徑的比例關係圖。粒徑在10nm以下，將迅速增加表面原子的比例；當粒徑降到1nm時，表面原子數比例達到約90％以上，原子幾乎全部集中到納米粒子的表面。由於納米粒子表面原子數增多，表面原子配位數不足和高的表面能，使這些原子易與其他原子相結合而穩定下來，而具有很高的化學活性。
具體實施例方式下面結合附圖和實施例對本發明作進一步說明。
實施例1如圖2所示，該納米改性製造TiO2壓敏陶瓷材料的方法是，先用TiO2，按摩爾比加上0.6％的Nb2O5、0.3％的SiO2、0.9％的La2O3、4％的納米TiO2粉組成混合原料，然後將該原料在行星式球磨機中、加入水和酒精研磨混合3小時；將球磨好的料漿乾燥、過篩後(放在乾燥箱裡55℃烘乾，然後過280目標準篩)，進行造粒(將乾燥後的粉料加入適量的PVA水溶液，形狀如魚鱗狀即表示混合均勻時，再過40目標準篩，用50Mpa壓力預壓成塊，然後打碎，再次過40目標準篩)，得到一定粒度而且均勻分布的粉料，再用150Mpa的壓力將粉料壓製成小圓片(φ＝13mm，d＝1.5mm)；然後將成型的壓製片逐漸加熱到650℃後保溫30分鐘(放在電阻爐中進行)，進行排膠(將加入的有機塑化劑排出，並使之具有一定的機械強度，為樣品的燒結創造條件)，再在1280℃加熱燒結並保溫3小時(放到管式電阻爐中進行)；最後將燒結好的燒結體(隨爐)冷卻到室溫，得到TiO2壓敏陶瓷材料。
將燒結得到的TiO2壓敏陶瓷材料進行表面加工，然後被電極，在600℃下燒銀，經測試後封裝，即可得到納米改性TiO2壓敏電阻。所製造的TiO2壓敏陶瓷材料除了主晶相TiO2外，還有LaNbTiOb、NbO2、La4Ti9O24三種物相。
用該納米改性方法製造的TiO2壓敏陶瓷材料或電阻，具有電容—壓敏雙功能特性，其壓敏電壓和漏電流隨著燒結溫度的升高而降低，非線性係數和介電常數隨著燒結溫度的升高而增大，介電損耗也有隨燒結溫度的升高而降低的總趨勢；其壓敏電壓V1mA為4V/mm，非線性係數α為4.5，漏電流IL為0.15mA，介電常數為7×104，介電損耗值tanδ為0.2。
實施例2如圖2所示，該納米改性製造TiO2壓敏陶瓷材料的方法是，先用TiO2，按摩爾比加上0.5％的Nb2O5、0.4％的SiO2、0.8％的La2O3、7％的納米TiO2粉組成混合原料，然後將該原料在行星式球磨機中、加入水和酒精研磨混合4小時；將球磨好的料漿乾燥、過篩後(放在乾燥箱裡50℃烘乾，然後過320目標準篩)，進行造粒(將乾燥後的粉料加入適量的PVA水溶液，形狀如魚鱗狀即表示混合均勻時，再過45目標準篩，用55Mpa壓力預壓成塊，然後打碎，再次過45目標準篩)，得到一定粒度而且均勻分布的粉料，再用140Mpa的壓力將粉料壓製成小圓片(φ＝13mm，d＝1.5mm)；然後將成型的壓製片逐漸加熱到750℃後保溫20分鐘(放在電阻爐中進行)，進行排膠(將加入的有機塑化劑排出，並使之具有一定的機械強度，為樣品的燒結創造條件)，再在1340℃加熱燒結並保溫1.5小時(放到管式電阻爐中進行)；最後將燒結好的燒結體(隨爐)冷卻到室溫，得到TiO2壓敏陶瓷材料。
將燒結得到的TiO2壓敏陶瓷材料進行表面加工，然後被電極，在600℃下燒銀，經測試後封裝，即可得到納米改性TiO2壓敏電阻。所製造的TiO2壓敏陶瓷材料及TiO2壓敏電阻，除了主晶相TiO2外，還有LaNbTiO6、NbO2、La4Ti9O24三種物相。
用該納米改性方法製造的TiO2壓敏陶瓷材料或電阻，具有電容—壓敏雙功能特性，其壓敏電壓和漏電流隨著燒結溫度的升高而降低，非線性係數和介電常數隨著燒結溫度的升高而增大，介電損耗也有隨燒結溫度的升高而降低的總趨勢；其壓敏電壓V1mA為7V/mm，非線性係數α為7，漏電流IL為0.25mA，介電常數為3×104，介電損耗值tanδ為0.5。
該例的壓敏電阻與常規配方工藝製造的壓敏電阻比較值如下
實施例3如圖2所示，該納米改性製造TiO2壓敏陶瓷材料的方法是，先用TiO2，按摩爾百分比加上2％的MnO2、0.1％的Y2O3、0.1％的SrO、11％的納米TiO2粉組成混合原料，然後將該原料在行星式球磨機中、加入水和酒精研磨混合4小時；將球磨好的料漿乾燥、過篩後(放在乾燥箱裡60℃烘乾，然後過320目標準篩)，進行造粒(將乾燥後的粉料加入適量的PVA水溶液，形狀如魚鱗狀即表示混合均勻時，再過45目標準篩，用55Mpa壓力預壓成塊，然後打碎，再次過45目標準篩)，得到一定粒度而且均勻分布的粉料，再用140Mpa的壓力將粉料壓製成小圓片(φ＝13mm，d＝1.5mm)；然後將成型的壓製片逐漸加熱到750℃後保溫25分鐘(放在電阻爐中進行)，進行排膠(將加入的有機塑化劑排出，並使之具有一定的機械強度，為樣品的燒結創造條件)，再在1370℃加熱燒結並保溫1.5小時(放到管式電阻爐中進行)；最後將燒結好的燒結體(隨爐)冷卻到室溫，得到TiO2壓敏陶瓷材料。
將燒結得到的TiO2壓敏陶瓷材料進行表面加工，然後被電極，在700℃下燒銀，經測試後封裝，即可得到納米改性TiO2壓敏電阻。所製造的TiO2壓敏陶瓷材料及TiO2壓敏電阻，除了主晶相TiO2外，還有LaNbTiO6、NbO2、La4Ti9O24三種物相。
用該納米改性方法製造的TiO2壓敏陶瓷材料或電阻，具有電容-壓敏雙功能特性，其壓敏電壓和漏電流隨著燒結溫度的升高而降低，非線性係數和介電常數隨著燒結溫度的升高而增大，介電損耗也有隨燒結溫度的升高而降低的總趨勢；其壓敏電壓V1mA為5V/mm，非線性係數α為5.5，漏電流IL為0.2mA，介電常數為4×104，介電損耗值tanδ為0.4。
實施例4如圖2所示，該納米改性製造TiO2壓敏陶瓷材料的方法是，先用TiO2，按摩爾百分比加上0.9％的Nb2O5、0.2％的SiO2、0.7％的La2O3、9％的納米TiO2粉組成混合原料，然後將該原料在行星式球磨機中、加入水和酒精研磨混合4小時；將球磨好的料漿乾燥、過篩後(放在乾燥箱裡50℃烘乾，然後過320目標準篩)，進行造粒(將乾燥後的粉料加入適量的PVA水溶液，形狀如魚鱗狀即表示混合均勻時，再過45目標準篩，用100Mpa壓力預壓成塊，然後打碎，再次過45目標準篩)，得到一定粒度而且均勻分布的粉料，再用80Mpa的壓力將粉料壓製成小圓片(φ＝13mm，d＝1.5mm)；然後將成型的壓製片逐漸加熱到700℃後保溫25分鐘(放在電阻爐中進行)，進行排膠(將加入的有機塑化劑排出，並使之具有一定的機械強度，為樣品的燒結創造條件)，再在1380℃加熱燒結並保溫2小時(放到管式電阻爐中進行)；最後將燒結好的燒結體(隨爐)冷卻到室溫，得到TiO2壓敏陶瓷材料。
將燒結得到的TiO2壓敏陶瓷材料進行表面加工，然後被電極，在650℃下燒銀，經測試後封裝，即可得到納米改性TiO2壓敏電阻。所製造的TiO2壓敏陶瓷材料及TiO2壓敏電阻，除了主晶相TiO2外，還有LaNbTiO6、NbO2、La4Ti9O24三種物相。
用該納米改性方法製造的TiO2壓敏陶瓷材料或電阻，具有電容—壓敏雙功能特性，其壓敏電壓和漏電流隨著燒結溫度的升高而降低，非線性係數和介電常數隨著燒結溫度的升高而增大，介電損耗也有隨燒結溫度的升高而降低的總趨勢；其壓敏電壓V1mA為6V/mm，非線性係數α為5，漏電流IL為0.18mA，介電常數為5×104，介電損耗值tanδ為0.3。
實施例5如圖2所示，該納米改性製造TiO2壓敏陶瓷材料的方法是，先用TiO2，按摩爾百分比加上0.5％的Nb2O5、0.7％的La2O3、0.15％的SiO2、15％的納米TiO2粉組成混合原料，然後將該原料在行星式球磨機中、加入水和酒精研磨混合4.5小時；將球磨好的料漿乾燥、過篩後(放在乾燥箱裡50℃烘乾，然後過300目標準篩)，進行造粒(將乾燥後的粉料加入適量的PVA水溶液，形狀如魚鱗狀即表示混合均勻時，再過50目標準篩，用80Mpa壓力預壓成塊，然後打碎，再次過50目標準篩)，得到一定粒度而且均勻分布的粉料，再用120Mpa的壓力將粉料壓製成小圓片(φ＝13mm，d＝1.5mm)；然後將成型的壓製片逐漸加熱到700℃後保溫25分鐘(放在電阻爐中進行)，進行排膠(將加入的有機塑化劑排出，並使之具有一定的機械強度，為樣品的燒結創造條件)，再在1340℃加熱燒結並保溫2.5小時(放到管式電阻爐中進行)；最後將燒結好的燒結體(隨爐)冷卻到室溫，得到TiO2壓敏陶瓷材料。
將燒結得到的TiO2壓敏陶瓷材料進行表面加工，然後被電極，在700℃下燒銀，經測試後封裝，即可得到納米改性TiO2壓敏電阻。所製造的TiO2壓敏陶瓷材料及TiO2壓敏電阻，除了主晶相TiO2外，還有LaNbTiO6、NbO2、La4Ti9O24種物相。
用該納米改性方法製造的TiO2壓敏陶瓷材料或電阻，具有電容—壓敏雙功能特性，其壓敏電壓和漏電流隨著燒結溫度的升高而降低，非線性係數和介電常數隨著燒結溫度的升高而增大，介電損耗也有隨燒結溫度的升高而降低的總趨勢；其壓敏電壓V1mA為4.5V/mm，非線性係數α為5.5，漏電流IL為0.22mA，介電常數為5.2×104，介電損耗值tanδ為0.4。
實施例6如圖2所示，該納米改性製造TiO2壓敏陶瓷材料的方法是，先用TiO2，按摩爾百分比加上0.6％的Nb2O5、0.7％的La2O3、0.2％的SiO2、6％的納米TiO2粉組成混合原料，然後將該原料在行星式球磨機中、加入水和酒精研磨混合3.5小時；將球磨好的料漿乾燥、過篩後(放在乾燥箱裡60℃烘乾，然後過350目標準篩)，進行造粒(將乾燥後的粉料加入適量的PVA水溶液，形狀如魚鱗狀即表示混合均勻時，再過55目標準篩，用150Mpa壓力預壓成塊，然後打碎，再次過55目標準篩)，得到一定粒度而且均勻分布的粉料，再用50Mpa的壓力將粉料壓製成小圓片(φ＝13mm，d＝1.5mm)；然後將成型的壓製片逐漸加熱到850℃後保溫20分鐘(放在電阻爐中進行)，進行排膠(將加入的有機塑化劑排出，並使之具有一定的機械強度，為樣品的燒結創造條件)，再在1450℃加熱燒結並保溫1小時(放到管式電阻爐中進行)；最後將燒結好的燒結體(隨爐)冷卻到室溫，得到TiO2壓敏陶瓷材料。
將燒結得到的TiO2壓敏陶瓷材料進行表面加工，然後被電極，在800℃下燒銀，經測試後封裝，即可得到納米改性TiO2壓敏電阻。所製造的TiO2壓敏陶瓷材料及TiO2壓敏電阻，除了主晶相TiO2外，還有LaNbTiO6、NbO2、La4Ti9O24種物相。
用該納米改性方法製造的TiO2壓敏陶瓷材料或電阻，具有電容—壓敏雙功能特性，其壓敏電壓和漏電流隨著燒結溫度的升高而降低，非線性係數和介電常數隨著燒結溫度的升高而增大，介電損耗也有隨燒結溫度的升高而降低的總趨勢；其壓敏電壓V1mA為4.14V/mm，非線性係數α為6.4，漏電流IL為0.17mA，介電常數為5.52×104，介電損耗值tanδ為0.3325。
權利要求
1.一種納米改性製造TiO2壓敏陶瓷材料的方法，其特徵是先用TiO2加上從一組摻雜元素Nb、Si、La、Mn、Y、Sr、Zn、納米TiO2中任選的氧化物粉組成混合原料，然後將該原料在球磨罐中、加入水和酒精研磨混合3～5小時；將球磨好的料漿乾燥、過篩後，進行造粒，得到一定粒度而且均勻分布的粉料，再用50～150Mpa的壓力將粉料壓製成小圓片；然後將成型的壓製片逐漸加熱到650～850℃後保溫20～30分鐘，進行排膠，再在1280～1450℃加熱燒結並保溫1～3小時；最後將燒結好的燒結體冷卻到室溫，得到TiO2壓敏陶瓷材料。
2.根據權利要1所述的納米改性製造TiO2壓敏陶瓷材料的方法，其特徵是混合原料中，摻雜納米TiO2所佔的摩爾比為4～15％，其它各摻雜氧化物所佔的摩爾比為0.1～2％；造粒是將球磨後乾燥、過篩的粉料加入適量的PVA水溶液，待形狀如魚鱗狀混合均勻時過篩，預壓成塊，然後打碎，再次過篩。
3.根據權利要1或2所述的納米改性製造TiO2壓敏陶瓷材料的方法，其特徵是所燒結的TiO2壓敏陶瓷材料除了主晶相TiO2外，主晶相表面還有摻雜Nb、Si、La、Mn、Y、Sr、Zn的氧化物中的一種或多種物相。
4.根據權利要1或2所述的納米改性製造TiO2壓敏陶瓷材料的方法，其特徵是該壓敏陶瓷材料的壓敏電壓和漏電流隨著燒結溫度的升高而降低，非線性係數和介電常數隨著燒結溫度的升高而增大，介電損耗也有隨燒結溫度的升高而降低的總趨勢。
5.根據權利要3所述的納米改性製造TiO2壓敏陶瓷材料的方法，其特徵是該壓敏陶瓷材料的壓敏電壓和漏電流隨著燒結溫度的升高而降低，非線性係數和介電常數隨著燒結溫度的升高而增大，介電損耗也有隨燒結溫度的升高而降低的總趨勢。
6.一種權利要3所述納米改性製造TiO2壓敏陶瓷電阻的方法，其特徵是先用TiO2加上從一組摻雜元素Nb、Si、La、Mn、Y、Sr、Zn、納米TiO2中選擇的氧化物粉組成混合原料，然後將該原料在球磨罐中，加入水和酒精研磨混合3～5小時；將球磨好的料漿乾燥、過篩後，進行造粒，得到一定粒度而且均勻分布的粉料，再用55～150Mpa的壓力將粉料壓製成小圓片；然後將壓製片逐漸加熱到650～850℃後保溫20～30分鐘，進行排膠，再在1280～1450℃加熱燒結並保溫1～3小時，將燒結好的燒結體隨爐冷卻到室溫，得到TiO2壓敏陶瓷材料；再將燒結得到的TiO2壓敏陶瓷材料進行表面加工，然後被電極，在600～800℃下燒銀，經測試後封裝，得到TiO2壓敏電阻。
7.根據權利要6所述的納米改性製造TiO2壓敏陶瓷電阻的方法，其特徵是混合原料中，摻雜納米TiO2所佔的摩爾比為4～15％，其它各摻雜氧化物所佔的摩爾比為0.1～2％；造粒是將球磨後乾燥、過篩的粉料加入適量的PVA水溶液，待形狀如魚鱗狀混合均勻時過篩，預壓成塊，然後打碎，再次過篩。
8.一種權利要6所述的納米改性方法製造的TiO2壓敏陶瓷電阻，其特徵是該電阻具有電容一壓敏雙功能特性，其壓敏電壓和漏電流隨著燒結溫度的升高而降低，非線性係數和介電常數隨著燒結溫度的升高而增大，介電損耗也有隨燒結溫度的升高而降低的總趨勢。
9.根據權利要8所述的納米改性方法製造的TiO2壓敏陶瓷電阻，其特徵是該電阻的壓敏電壓V1mA為4～7V/mm，非線性係數α為4.5～7，漏電流IL為0.15～0.25mA，介電常數為(3～7)×104，介電損耗值tanδ為0.2～0.5。
10.根據權利要8或9所述的納米改性方法製造的TiO2壓敏陶瓷電阻，其特徵是該電阻的TiO2壓敏陶瓷體除了主晶相TiO2外，還有摻雜Nb、Si、La、Mn、Y、Sr、Zn的氧化物中的一種或多種物相。
全文摘要
本發明涉及一種納米TiO
文檔編號C04B35/46GK1686934SQ20051001075
公開日2005年10月26日 申請日期2005年4月19日 優先權日2005年4月19日
發明者甘國友, 嚴繼康, 杜景紅, 周融, 陳海芳, 張小文, 孫加林, 陳敬超 申請人:昆明理工大學