一種複合鍍膜的smd晶體諧振器晶片的製作方法

2023-05-13 23:01:56 1

專利名稱：一種複合鍍膜的smd晶體諧振器晶片的製作方法
技術領域：
本實用新型涉及一種複合鍍膜的SMD晶體諧振器晶片。
背景技術：
SMD晶體諧振器製造廠家對晶片的加工鍍膜方法是將晶片部分表面鍍上一層銀 作為晶片的電極(此電極的面積小於晶片表面積)，增強導電性能，使晶體在電場的作用下 形成逆壓電效應。但由於銀和水晶晶片結合度不是很好，特別是在空氣溼度比較大的情況 下鍍膜時，銀層附著力會急劇降低，在加熱或振動後發生銀層脫落。有銀層脫落現象的晶體 諧振器，電阻值升高，相應的功耗增加，甚至造成不「起振」或工作不穩定的現象。
發明內容本實用新型的目的是提供一種複合鍍膜的SMD晶體諧振器晶片，可以提高銀層的 附著力，提高晶體諧振器可靠性。本實用新型是這樣實現的晶片上、下表面設有鍍膜電極，所述鍍膜電極由在晶片 表面鍍金屬Cr形成的鍍Cr基層和在基層表面鍍金屬銀形成的鍍銀表層構成。由於金屬Cr在晶片上附著力強，而鍍銀表層是鍍在Cr層上而不是直接鍍在水晶 晶片上，因此附著力大大加強。檢驗銀層附著力最基本的方法是使用3M膠帶粘上晶片後撕 開，開是否有銀層脫落到膠帶上。使用複合鍍膜的晶片，使用3M膠帶檢測未發現有脫銀現 象。雖然鍍Cr可以增加銀層附著力，但如果Cr層過厚，會導致晶體諧振器的電阻增 加。本發明人通過實驗發現，鍍Cr基層的厚度在6. (T6.5nm Cr時，產品電阻值變化僅在 2 Ω以內，不會使晶體諧振器的電阻值升高。由上述技術方案可知，本實用新型鍍銀表層通過鍍Cr基層附著在晶片上，可以增 強銀層的附著力，可以提高晶體諧振器可靠性。

圖1是本實用新型結構示意圖。圖2是圖1的俯視圖。
具體實施方式
如圖1和圖2所示，本實用新型晶片1用自動濺射鍍膜方式在晶片上、下表面形成 鍍膜電極2，鍍膜電極2由在晶片1表面鍍金屬Cr形成的鍍Cr基層21和在基層21表面鍍 金屬銀形成的鍍銀表層22構成，其中鍍Cr基層21的厚度為6. (Γ6. 5nm。
權利要求1.一種複合鍍膜的SMD晶體諧振器晶片，晶片(1)上、下表面設有鍍膜電極O)，其特 徵在於所述鍍膜電極O)由在晶片(1)表面鍍金屬Cr形成的鍍Cr基層和在基層 (21)表面鍍金屬銀形成的鍍銀表層0 構成。
2.根據權利要求1所述的複合鍍膜的SMD晶體諧振器晶片，其特徵在於鍍Cr基層 (21)的厚度為6. 0 6· 5nm。
專利摘要本實用新型涉及一種複合鍍膜的SMD晶體諧振器晶片，晶片上、下表面設有鍍膜電極，所述鍍膜電極由在晶片表面鍍金屬Cr形成的鍍Cr基層和在基層表面鍍金屬銀形成的鍍銀表層構成。本實用新型具有銀層附著力強，晶體諧振器可靠性高的特點。
文檔編號H03H9/19GK201821325SQ20102054806
公開日2011年5月4日 申請日期2010年9月29日 優先權日2010年9月29日
發明者吳亞華, 吳成秀 申請人:銅陵市峰華電子有限公司