Tft-lcd陣列基板、製造方法及斷線維修方法
2023-05-06 15:54:06
專利名稱：Tft-lcd陣列基板、製造方法及斷線維修方法
技術領域：
本發明涉及液晶顯示技術，尤其涉及一種TFT-IXD (薄膜電晶體液晶顯示器)陣列 基板、製造方法及斷線維修方法。
背景技術：
薄膜電晶體液晶顯示器(ThinFilm Transistor-Liquid Crystal Display, TFT-LCD)具有體積小、功耗低、無輻射、製造成本相對較低等特點，在當前的平板顯示器市 場佔據了主導地位。
TFT-LCD的主體結構包括對盒在一起並將液晶夾設其間的陣列基板和彩膜基板， 陣列基板上形成有提供掃描信號的柵線、提供數據信號的數據線以及形成像素點的像素電 極。
TFT-IXD的製備工藝主要包括製備陣列基板和彩膜基板的陣列工藝、將陣列基板 和彩膜基板對盒並注入液晶的成盒工藝以及後續的模組工藝。在上述陣列工藝過程中，斷 線是一種常見的不良，而且相比於像素點不良，斷線不良發生的比率非常高；這當中包括柵 線斷線和數據線斷線。柵線斷線和數據線斷線的發生會導致一整行或列的像素不能正常地 工作，進而影響畫面的成像。
針對可能出現柵線斷線的情況而言，由於柵線在整個TFT結構的最底層，如果在 完成所有的TFT工藝之後，再對其柵線上的斷線不良進行維修的話，就增大了維修的難度， 而且也會對其它層產生不好的影響。因此，在目前的TFT-LCD工藝中，都是在完成柵線的形 成工藝之後，馬上進行OS test (斷線/短路檢測)來判斷柵線上是否存在斷線不良；如果 存在，則馬上進行斷線維修。
在整個TFT工藝完成之後，還要進行一次檢測，用以判斷數據線上或者其他部分 是否存在斷線不良。由上可見，在成盒工藝之前，至少要進行兩次斷線不良的檢測，這樣就 會使得檢測及維修的過程佔用較長的時間，影響到TFT製造過程中進行斷線維修的效率。發明內容
本發明的實施例提供一種TFT-LCD陣列基板、製造方法及斷線維修方法，能夠簡 化TFT工藝過程中進行檢測和維修的流程，提高TFT工藝過程中進行斷線維修的效率。
為達到上述目的，本發明的實施例採用如下技術方案
一種TFT-IXD陣列基板，包括由柵線和數據線限定的數個像素單元，每個像素單 元內形成有薄膜電晶體和像素電極；其中，在所述像素單元中導電圖案上或者與導電圖案 鄰接的區域形成有至少兩處穿刺結構，所述穿刺結構包括基底以及形成在該基底上的穿透 絕緣層的尖刺。
一種TFT-IXD陣列基板的製造方法，包括
步驟1、在基板上形成柵線層、有源層、數據線層、絕緣層及像素電極層，其中，在形 成柵線或者數據線的同時通過構圖工藝形成與所述柵線或者數據線電性連接的穿刺結構4的基底；該穿刺結構的基底上方未覆蓋金屬阻擋層，且該穿刺結構形成在導電圖案上或者 與導電圖案鄰接的區域；
步驟2、對完成步驟1的基板進行熱處理，使所述未覆蓋所述金屬阻擋層的穿刺結 構的基底上形成尖刺，直到所述尖刺穿透所述絕緣層。
一種應用於上述TFT-IXD陣列基板的斷線維修方法，包括
步驟1'、確定柵線斷點或者數據線斷點的位置；
步驟2'、在絕緣層上方沉積導電材料，將分別位於所述斷點兩側的、且與所述斷 點距離最近的至少兩處穿刺結構的尖刺部分進行電性連接。
本發明實施例提供的TFT-IXD陣列基板、製造方法及斷線維修方法，由於設置了 尖刺部分可穿透絕緣層的穿刺結構，因此在出現柵線斷線或者數據線斷線的時候，只需 要將位於絕緣層以上的、且與出現斷線的柵線或者數據線相連接的至少兩個穿刺結構進 行連接，就相當於通過搭橋給斷線部分設置了一條新的通路；通過本發明實施例提供的 TFT-LCD陣列基板、製造方法及斷線維修方法，可以將柵線和數據線的斷線不良的檢測和維 修都放在整個TFT工藝完成後再進行，這樣就可以省卻柵線形成工藝後的一次OS test，提 高TFT工藝過程中進行斷線維修的效率。
為了更清楚地說明本發明實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例描述 中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發明的一些 實施例，對於本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動性的前提下，還可以根據這些 附圖獲得其他的附圖。
圖1為本發明實施例中的TFT-LCD陣列基板的示意圖2為圖1中的穿刺結構沿A-A線的剖面圖一；
圖3為本發明實施例一中的TFT-IXD陣列基板的示意圖一；
圖4為本發明實施例一中的TFT-IXD陣列基板的示意圖二 ；
圖5為本發明實施例二中的TFT-IXD陣列基板的示意圖一；
圖6為本發明實施例二中的TFT-IXD陣列基板的示意圖二 ；
圖7為圖1中的穿刺結構沿A-A線的剖面圖二 ；
圖8為圖1中的穿刺結構沿A-A線的剖面圖三；
圖9為本發明實施例三中的TFT-IXD陣列基板的製造方法流程圖10為本發明實施例三中的穿刺結構形成過程的示意圖11為本發明實施例四中的斷線維修方法的流程圖12為本發明實施例四中的斷線維修的效果圖一；
圖13為本發明實施例四中的斷線維修的效果圖二 ；
圖14為本發明實施例四中的斷線維修的效果圖三；
圖15為本發明實施例四中的斷線維修的效果圖四；
圖16為本發明實施例四中的斷線維修的效果圖五；
圖中標記1-柵線；2-數據線；3-薄膜電晶體；4-像素電極；5-穿刺結構；51-穿 刺結構的基底；52-穿刺結構的尖刺；6-絕緣層；7-玻璃基板；8-金屬阻擋層；9-擋光條；10-導電膜；11-柵金屬薄膜；12-金屬阻擋層薄膜；13-光刻膠；14-斷點；15-導電帶。
具體實施方式
下面將結合本發明實施例中的附圖，對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完 整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發明一部分實施例，而不是全部的實施例。基於 本發明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有作出創造性勞動前提下所獲得的所有其他 實施例，都屬於本發明保護的範圍。
下面結合附圖對本發明實施例TFT-LCD陣列基板、製造方法及斷線維修方法進行 詳細描述。
結合圖1和圖2所示，本發明實施例提供的TFT-IXD陣列基板，包括柵線1、數據線 2以及由柵線1和數據線2限定的數個像素單元，每個像素單元內形成有薄膜電晶體3和像 素電極4;其中，在所述像素單元中導電圖案上或者與導電圖案鄰接的區域形成有至少兩 處穿刺(pinhole)結構5，所述穿刺結構5包括基底51以及形成在該基底51上的穿透絕緣 層6的尖刺52 ；而且，所述基底51與所述導電圖案(圖2中以柵線1為例)電性連接；
這裡的導電圖案可以是任何可能出現斷線不良的金屬導線(比如柵線、數據線、 公共電極線等)中的一種，或者是上述任何可能出現斷線不良的金屬導線的一種與擋光條 的組合。
此外，從圖2中可以看到，在玻璃基板7上形成有柵線1，由於柵線多是由金屬鋁 (Al)或銅(Cu)來形成的，因此在進行TFT工藝過程中的熱處理時容易在柵線表面形成尖 刺；為了防止柵線1上形成尖刺，因此在柵線1上鋪設有金屬阻擋層8，該金屬阻擋層8的 材料可以是金屬鉬(Mo)。
結合上述描述，可以得到以下兩種實現穿刺結構的方案(以設置與柵線電性連接 的穿刺結構為例)
其一，在柵線上的某些區域不設置所述金屬阻擋層，則經過熱處理之後，未設置金 屬阻擋層的區域會出現尖刺，從而形成了以未覆蓋金屬阻擋層的柵線部分為基底的穿刺結 構；
其二，在柵線的鄰接區域設置與所述柵線電性連接的穿刺結構基底，並通過熱處 理使所述基底上形成尖刺，從而形成基底與柵線電性連接的穿刺結構。
不管採用上述哪種方案來實現所述穿刺結構，都需要保證，所述穿刺結構只能與 一種導電圖案電性連接；例如，如果穿刺結構的基底與柵線相連，則形成在其上的尖刺就不 能與數據線或者像素電極有任何電性接觸，否則會造成像素不良。
不過，針對第一種方案來說，直接在柵線上形成所述尖刺，可能會對柵線上的信號 傳輸產生不良影響，因此在本實施例中以第二種方案為優選的實施方式。下面仍結合圖2 所示，以在柵線1的鄰接區域形成所述穿刺結構為例，對本發明實施例提供的TFT-LCD陣列 基板做進一步描述
如圖2所示，與柵線1同層設置的還有穿刺結構5的基底51，在基底51上形成有 尖刺52，該尖刺52穿透絕緣層6，在絕緣層6之上還可露出其尖端部分；如果所述尖刺52 與像素電極4之間有接觸的話，那麼柵線1和像素電極4之間就形成了電連接，從而產生像 素不良；因此，為了防止尖刺52和像素電極4之間產生接觸，應該把穿刺結構5設置在每個6像素單元中像素電極4對應的區域以外的區域。
上述描述僅是以穿刺結構5與柵線1電性連接，用以對柵線1上的斷線進行維修 為例；當然，穿刺結構5的基底51還可以是與數據線2進行電性連接，以便於對數據線2上 出現的斷線進行維修。
本發明實施例提供的TFT-IXD陣列基板，由於設置了與柵線或者數據線電性連接 的、並且其尖刺部分穿透絕緣層的穿刺結構，因此在出現柵線斷線或者數據線斷線的時候， 只需要將位於絕緣層以上的、且與出現斷線的柵線或者數據線相連接的至少兩個穿刺結構 進行連接；這樣，就可以將柵線和數據線的斷線不良的檢測和維修都放在整個TFT工藝完 成後再進行，省卻柵線形成工藝後的一次OS test，提高TFT工藝過程中進行斷線維修的效 率。
下面結合具體實施例以及相關的附圖，對本發明實施例提供的TFT-LCD陣列基板 作進一步描述。
實施例一
在本實施例中，以在TFT-LCD陣列基板中包含有與柵線電性連接的穿刺結構、且 所述穿刺結構的基底與柵線同層設置為例，對本發明實施例提供的TFT-LCD陣列基板做進 一步說明。
本實施例中的TFT-IXD陣列基板，包括柵線1、數據線2以及由柵線1和數據線2 限定的數個像素單元，每個像素單元內形成有薄膜電晶體3和像素電極4 ；其中，在所述像 素單元中柵線的鄰接區域形成有至少兩處穿刺結構5，所述穿刺結構5包括基底51以及形 成在該基底51上的穿透絕緣層6 (本實施例中的絕緣層6包含柵絕緣層和鈍化層)的尖刺 52 ；而且，所述柵線1與所述基底51電性連接。
具體地，對於穿刺結構5的基底51如何與柵線1進行電性連接，其主要有以下兩 種實現方案
其一，所述至少兩處穿刺結構5可以形成在柵線的至少一側，而且，所述穿刺結構 5的基底51直接與柵線1連接；參看圖1所示，圖中僅以其中一條柵線的一側形成有穿刺 結構為例，在實際的陣列基板中其他的柵線對應地也都形成有其相連接的至少兩處穿刺結 構，只是圖中未全部示出。
需要注意的是，圖1中所示的陣列基板是以公共電極線(圖中未示出)作為存儲 電容的底電極(Cst on Common)，柵線1和像素電極4之間具有一定的距離，因此所述穿刺 結構5形成在柵線1的上側或者下側都可以，當然也可以在柵線1的上側和下側均形成有 所述穿刺結構5 ；不過，對於圖3所示的陣列基板，其是以柵線作為存儲電容的底電極(Cst on fete)，此時柵線1和像素電極4對應的區域有交疊部分，為了避免穿刺結構5的尖刺52 與像素電極4之間產生接觸，因此針對這種陣列基板就只能將所述穿刺結構5形成在柵線 1的遠離像素電極4的一側。
其二，除了上述穿刺結構5直接與柵線1連接在一起成為一體這樣的陣列基板，還 可以通過擋光條9將穿刺結構5與柵線1進行電性連接。如圖4所示，所述擋光條9的一 端與柵線1相連，另一端沒有電性連接；由於擋光條9與像素電極4對應的區域存在部分交 疊，因此，可以在擋光條9的遠離像素電極4的一側設置所述穿刺結構5 ；圖4中所示僅是 該實現方案的一個具體實例，穿刺結構5可以設置在但不局限於擋光條9的遠離與其相連的柵線1的頂端部分。只要是穿刺結構5能夠通過擋光條9與柵線1之間建立電性連接， 穿刺結構5的具體位置可以根據實際TFT工藝中線路排布的需要來確定。
本發明實施例提供的TFT-IXD陣列基板，由於設置了與柵線電性連接的、並且其 尖刺部分穿透絕緣層的穿刺結構，因此在出現柵線斷線的時候，只需要將與所述出現斷線 的柵線相連接的多處穿刺結構中的至少兩處進行電性連接即可實現對柵線斷線的維修；這 樣，就可以將柵線斷線不良的檢測和維修都放在整個TFT工藝完成後再進行，省卻柵線形 成工藝後的一次OS test，提高TFT工藝過程中進行斷線維修的效率。
實施例二
在本實施例中，以在TFT-LCD陣列基板中包含有與數據線電性連接的穿刺結構為 例，對本發明實施例提供的TFT-LCD陣列基板做進一步說明。
如圖5所示，本實施例中的TFT-IXD陣列基板，包括柵線1、數據線2以及由柵線 1和數據線2限定的數個像素單元，每個像素單元內形成有薄膜電晶體3和像素電極4 ；其 中，在所述像素單元中數據線的鄰接區域形成有至少兩處穿刺結構5，所述穿刺結構5包括 基底51以及形成在該基底51上的穿透絕緣層6(本實施例中的絕緣層6隻包含鈍化層) 的尖刺52 ；而且，所述數據線2與所述基底51電性連接。
具體地，對於穿刺結構5的基底51如何與數據線2進行電性連接，其實現方式同 柵線1與基底51進行連接的方式類似，同樣有以下兩種實現方案
其一，所述至少兩處穿刺結構5可以形成在數據線2的至少一側，而且，所述穿刺 結構5的基底51與所述數據線2同層設置且直接與數據線2連接；參看圖5所示，圖中僅 以其中一條數據線的一側形成有穿刺結構為例，在實際的陣列基板中其他的數據線對應地 也都形成有其相連接的至少兩處穿刺結構，只是圖中未全部示出。
其二，所述至少兩處穿刺結構5還可以通過擋光條9與數據線2進行電性連接；擋 光條9多是形成在柵線層，為了方便將穿刺結構5與擋光條9進行連接，本實現方案中優選 地將穿刺結構5的基底51與擋光條9同層設置。如圖6所示，所述擋光條9上的一部分與 數據線2對應的區域具有交疊(見圖中圓形區域)，在交疊區域通過設置柵絕緣層過孔或 者在擋光條9上形成可穿透柵絕緣層的尖刺從而將擋光條9和數據線2連接起來；同時，在 擋光條9的一側或者在擋光條9的兩端設置穿刺結構5。如果擋光條9與像素電極4對應 的區域具有交疊的話，則穿刺結構5要避開所述像素電極4所對應的區域，以免造成像素不 良ο
本發明實施例提供的TFT-IXD陣列基板，由於設置了與數據線電性連接的、並且 其尖刺部分穿透絕緣層的穿刺結構，因此在出現數據線斷線的時候，只需要將與所述出現 斷線的數據線相連接的多處穿刺結構中的至少兩處進行電性連接即可實現對數據線斷線 的維修；這樣，就可以省卻每次進行斷線維修時都需要重新打孔的過程，簡化了數據線斷線 維修的流程，提高TFT工藝過程中進行斷線維修的效率。
在上述TFT-LCD陣列基板的實施例中，分別以設有與柵線和數據線相連的穿刺結 構為例，不過本發明提供的TFT-LCD陣列基板並不局限於此；例如，在一種TFT-LCD陣列 基板中，還可以同時設有與柵線相連的第一穿刺結構、以及與數據線相連的第二穿刺結構， 只要能夠保證所述第一穿刺結構和第二穿刺結構之間沒有電性連接，則基於該陣列基板的 TFT-LCD在進行維修時可以很方便地同時對柵線斷線和數據線斷線進行維修，提高TFT工藝過程中進行斷線維修的效率。
針對上述實施例一和實施例二中提供的TFT陣列基板而言，穿刺結構的高度都可 以通過熱處理時的溫度和時間控制來實現對其尖刺部分高度的控制；一般而言，穿刺結構 的尖刺52要穿透絕緣層6但不能接觸到液晶層，因此，在上述TFT陣列基板的基礎上，還可 以在絕緣層6的上方形成與所述穿刺結構對應的完全覆蓋所述尖刺52的導電膜10(參見 圖7)。首先，該導電膜可以減弱熱處理時所述尖刺52向上延伸的程度，對液晶層起到一定 的保護作用；其次，該導電膜還可以避免在加電過程中可能出現的穿刺結構融化的現象。為 了簡化流程，該導電膜可以與像素電極形成在同一層，當然該導電膜不能與像素電極相連。
另外，在絕緣層8上相對所述穿刺結構的區域還可以形成有過孔(參見圖8)，所述 穿刺結構的尖刺52就位於該過孔中；基於這樣的結構，即使在加電過程中穿刺結構出現融 化現象，融化變形的尖刺部分仍然位於所述過孔中，在進行維修時還是只需通過沉積導電 物質將至少兩個穿刺結構進行連接即可，從而避免加電過程中可能出現的穿刺結構融化的 現象對維修效果帶來的不良影響。
為了更好地實現上述TFT-IXD陣列基板，本發明實施例還提供了一種上述 TFT-IXD陣列基板的製造方法。
實施例三
如圖9所示，本實施例提供的TFT-IXD陣列基板的製造方法，包括
步驟1、在基板上形成柵線層、有源層、數據線層、絕緣層及像素電極層，其中，在形 成柵線或者數據線的同時通過構圖工藝形成與所述柵線或者數據線電性連接的穿刺結構 的基底；該穿刺結構的基底上方未覆蓋金屬阻擋層，且該穿刺結構形成在導電圖案上或者 與導電圖案鄰接的區域；
這裡的導電圖案可以是任何可能出現斷線不良的金屬導線(比如柵線、數據線、 公共電極線等)中的一種，或者是上述任何可能出現斷線不良的金屬導線的一種與擋光條 的組合。
步驟2、對完成步驟1的基板進行熱處理，使所述未覆蓋所述金屬阻擋層的穿刺結 構的基底上形成尖刺，直到所述尖刺穿透所述絕緣層。穿刺結構中的尖刺的高度可以通過 對溫度和時間的調節來實現；例如，當柵線層的金屬厚度為2500 A，溫度為200°C的時候， 通過0. 5小時左右的加熱，就會在金屬表面形成高度為0. 5 1. 2 μ m左右的尖刺結構。
在上述步驟1中，可以在形成柵線的同時將所述穿刺結構的基底形成在所述柵線 的至少一側，且所述穿刺結構的基底與所述柵線直接相連；或者，可以在形成數據線的同時 將所述穿刺結構的基底形成在所述數據線的至少一側，且所述穿刺結構的基底與所述數據 線直接相連；
或者，
可以在形成柵線的同時將所述穿刺結構的基底形成在所述擋光條的一側，而且， 所述擋光條與所述柵線直接相連，或者所述擋光條通過柵絕緣層上的過孔或者在擋光條上 形成的尖刺與所述數據線相連。
具體地，以形成與柵線電性連接的穿刺結構為例並結合圖10所示，對上述步驟1 形成與所述柵線電性連接的穿刺結構的基底的實現過程作進一步介紹
步驟11、在玻璃基板7上沉積柵金屬薄膜11 (材料為Al)、以及金屬阻擋層薄膜12 (材料為Mo)，然後塗覆光刻膠13 (以正性光刻膠為例)，並在需要製作柵線的區域利用 不透光掩模，同時在需要製作穿刺結構的區域利用半透光掩模，其他區域利用完全透光掩 模；
步驟12、對完成步驟11的基板進行曝光和顯影，此時在柵線對應的區域保留有全 部光刻膠，而在穿刺結構對應的區域保留有部分光刻膠；
步驟13、對完成步驟12的基板依次進行溼刻、灰化、幹刻及剝離等工藝流程。其 中，經過溼刻工藝，可以將沒有光刻膠的區域刻蝕下去，遺留下柵極1和穿刺結構對應的區 域；隨後進行灰化工藝，將穿刺結構對應區域的光刻膠灰化掉，而柵極線位置仍有部分光刻 膠殘留；在之後的幹刻工藝中，選擇性地將穿刺結構對應區域的雙層金屬中的Mo刻蝕掉， 僅留下Al金屬；最後，通過剝離工藝，將柵線1上殘留的光刻膠剝離，從而得到覆蓋有金屬 阻擋層8的柵線1，以及未覆蓋金屬阻擋層的穿刺結構的基底51。
上述形成穿刺結構的過程，僅是以柵線對應的穿刺結構為例，至於數據線對應的 穿刺結構，其形成過程大致相似，主要存在以下不同點
在進行步驟11時，變為在柵絕緣層上沉積源漏金屬薄膜(材料為Al)、以及金屬 阻擋層薄膜，然後塗覆光刻膠(同樣以正性光刻膠為例)，並在需要製作數據線的區域利用 不透光掩模，同時在需要製作穿刺結構的區域利用半透光掩模，而在其他區域利用完全透 光掩模；
之後對應地，經過一系列工藝形成覆蓋有金屬阻擋層的數據線，以及未覆蓋金屬 阻擋層的穿刺結構的基底。
此外，在進行步驟1的過程中，還可以在形成像素電極的同時通過構圖工藝形 成與所述穿刺結構對應的導電膜10，該導電膜10可以完全覆蓋尖刺52 (參見圖7)。在 TFT-IXD陣列基板中設置這樣一層導電膜10，不僅可以減弱熱處理時所述尖刺52向上延伸 的程度，對液晶層起到一定的保護作用，而且還可以避免在加電過程中出現穿刺結構融化 的現象。
為了避免加電過程中可能出現的穿刺結構融化的現象對維修效果帶來的不良影 響，還可以在絕緣層6上刻蝕出所述穿刺結構對應的過孔(參見圖8)。由於穿刺結構所採用 的材料多為活潑金屬(一般為Al)，很容易在其表面形成一層氧化膜，因此在刻蝕過程中， 穿刺結構不會受到刻蝕的影響，從而形成穿刺結構的尖刺52位於所述過孔中的結構。基於 這樣的結構，即使在加電過程中穿刺結構出現融化現象，融化變形的尖刺部分仍然位於所 述過孔中，在進行維修時還是只需通過沉積導電物質將至少兩個穿刺結構進行連接即可， 從而避免加電過程中可能出現的穿刺結構融化的現象對維修效果帶來的不良影響。
本發明實施例提供的TFT-LCD陣列基板的製造方法，通過設置與柵線或者數據線 電性連接的、並且其尖刺部分穿透絕緣層的穿刺結構，在出現柵線或者數據線斷線的時候， 只需要將與所述出現斷線的柵線或者數據線相連接的多處穿刺結構中的至少兩處進行電 性連接即可實現對柵線或者數據線斷線的維修，簡化了 TFT工藝中斷線維修的流程；尤其 針對柵線斷線的情況，可以將柵線斷線不良的檢測和維修都放在整個TFT工藝完成後再進 行，省卻柵線形成工藝後的一次OS test，從而提高TFT工藝過程中進行斷線維修的效率。
實施例四
針對上述TFT-LCD陣列基板，本發明實施例還提供了一種斷線維修的方法，如圖1011所示，包括
步驟1'、確定柵線斷點或者數據線斷點的位置；
步驟2'、在絕緣層上方沉積導電材料，將分別位於所述斷點兩側的、且與所述斷 點距離最近的至少兩處穿刺結構的尖刺部分進行電性連接。
具體地，如果出現柵線斷線，則將與所述柵線電性連接的多處穿刺結構中的至少 兩處穿刺結構的尖刺部分通過所述導電材料進行連接。下面針對柵線斷線的情況並結合前 面提及到的幾種具體的TFT-LCD陣列基板的實例來展示本發明實施例提供的維修方法的 維修效果。
如圖12或者13所示，針對圖1所示的TFT-IXD陣列基板，在柵線1上出現斷點 14，則可以通過在絕緣層上方通過CVD (Chemical Vapor D印osition，化學氣相沉積)工藝 沉積導電物質形成導電帶15，從而將該斷點14兩側的至少兩處穿刺結構的尖刺部分連接 起來；
如圖14所示，針對圖4所示的具有擋光條且通過該擋光條將柵線和穿刺結構進行 連接的TFT-IXD陣列基板，如果在柵線1上出現斷點14，則可在絕緣層上方像素電極對應區 域以外的區域通過CVD工藝沉積導電物質形成導電帶15，從而將斷點14兩側的至少兩處穿 刺結構的尖刺部分連接起來。
如果出現數據線斷線，則將與所述數據線電性連接的多處穿刺結構中的至少兩處 穿刺結構的尖刺部分通過所述導電材料進行連接。下面針對數據線斷線的情況並結合前面 提及到的幾種具體的TFT-LCD陣列基板的實例來展示本發明實施例提供的維修方法的維 修效果。
如圖15所示，針對圖5中的TFT-IXD陣列基板，在數據線2上出現斷點14，則可以 通過在絕緣層上方通過CVD工藝沉積導電物質形成導電帶15，從而將該斷點14兩側的至少 兩處穿刺結構的尖刺部分連接起來；
如圖16所示，針對圖6中的具有擋光條且通過該擋光條將數據線和穿刺結構進行 連接的TFT-IXD陣列基板，如果在數據線2上出現斷點14，則可在絕緣層以上像素電極對應 區域以外的區域通過CVD工藝沉積導電物質形成導電帶15，從而將斷點14兩側的至少兩處 穿刺結構的尖刺部分連接起來。
本發明實施例提供的TFT-IXD陣列基板的斷線維修方法，由於在上述TFT-IXD陣 列基板中設置了與柵線或者數據線電性連接的、並且其尖刺部分穿透絕緣層的穿刺結構， 因此在出現柵線斷線或者數據線斷線的時候，只需要將位於絕緣層以上的、且與出現斷線 的柵線或者數據線相連接的至少兩個穿刺結構進行連接，就相當於通過搭橋給斷線部分設 置了一條新的通路，簡化了 TFT工藝中斷線維修的流程；尤其針對柵線斷線的情況，可以將 柵線斷線不良的檢測和維修都放在整個TFT工藝完成後再進行，這樣就可以省卻柵線形成 工藝後的一次OS test，提高TFT工藝過程中進行斷線維修的效率。
通過本發明實施例提供的技術方案，其實還可以對TFT-IXD陣列基板上的公共電 極線進行斷線維修；需要注意的是，由於公共電極線與像素電極的交疊區域較多，因此，在 公共電極線的側邊處可以設置穿刺結構的區域就會受到更多的限制。不過，只要能夠保證 所述穿刺結構的尖刺部分不與像素電極相接觸，即可通過本發明實施例提供的方案來實現 公共電極線的斷線維修，因此，針對公共電極線進行斷線維修的情況也應屬於本發明的保護範圍。
以上所述，僅為本發明的具體實施方式
，但本發明的保護範圍並不局限於此，任何 熟悉本技術領域的技術人員在本發明揭露的技術範圍內，可輕易想到的變化或替換，都應 涵蓋在本發明的保護範圍之內。因此，本發明的保護範圍應以權利要求的保護範圍為準。
權利要求
1.一種TFT-IXD陣列基板，包括由柵線和數據線限定的數個像素單元，每個像素單元 內形成有薄膜電晶體和像素電極，其特徵在於，在所述像素單元中導電圖案上或者與導電 圖案鄰接的區域形成有至少兩處穿刺結構，所述穿刺結構包括基底以及形成在該基底上的 穿透絕緣層的尖刺。
2.根據權利要求1所述的TFT-LCD陣列基板，其特徵在於，所述基底與所述像素單元中 的柵線或者數據線電性連接。
3.根據權利要求2所述的TFT-LCD陣列基板，其特徵在於，所述基底與所述柵線同層設 置；或者，所述基底與所述數據線同層設置。
4.根據權利要求2所述的TFT-LCD陣列基板，其特徵在於，所述至少兩處穿刺結構形成 在所述柵線或者數據線的至少一側，且所述柵線或者數據線直接與所述至少兩處穿刺結構 的基底進行連接。
5.根據權利要求2所述的TFT-LCD陣列基板，其特徵在於，在所述像素單元內還形成有 擋光條，所述柵線或者數據線通過所述擋光條與所述至少兩處穿刺結構的基底進行電性連接。
6.根據權利要求4或5所述的TFT-LCD陣列基板，其特徵在於，在所述絕緣層上與所述 尖刺對應的區域形成有過孔，所述尖刺位於所述過孔內。
7.根據權利要求1至5中任一項所述的TFT-LCD陣列基板，其特徵在於，在絕緣層上方 對應所述穿刺結構的區域還形成有完全覆蓋所述尖刺的導電膜。
8.根據權利要求7所述的TFT-LCD陣列基板，其特徵在於，所述導電膜與所述像素電極 同層設置。
9.一種TFT-IXD陣列基板的製造方法，其特徵在於，包括步驟1、在基板上形成柵線層、有源層、數據線層、絕緣層及像素電極層，其中，在形成柵 線或者數據線的同時通過構圖工藝形成與所述柵線或者數據線電性連接的穿刺結構的基 底；該穿刺結構的基底上方未覆蓋金屬阻擋層，且該穿刺結構形成在導電圖案上或者與導 電圖案鄰接的區域；步驟2、對完成步驟1的基板進行熱處理，使所述未覆蓋所述金屬阻擋層的穿刺結構的 基底上形成尖刺，直到所述尖刺穿透所述絕緣層。
10.根據權利要求9所述的製造方法，其特徵在於，在步驟1中，將所述穿刺結構設置在 所述柵線或者數據線的至少一側，且所述穿刺結構的基底與所述柵線或者數據線相連；或 者，將所述穿刺結構設置在所述擋光條的一側，所述擋光條與所述柵線或者數據線相連。
11.根據權利要求9或10所述的製造方法，其特徵在於，在所述步驟1中，所述在形 成柵線或者數據線的同時形成與所述柵線或者數據線電性連接的穿刺結構的基底，具體包 括步驟11、在基板上沉積柵金屬薄膜或源漏金屬薄膜、以及金屬阻擋層薄膜；步驟12、對完成步驟11的基板進行曝光和顯影，使得柵線或者數據線對應的區域保留 有全部光刻膠，而穿刺結構對應的區域保留有部分光刻膠；步驟13、對完成步驟12的基板依次進行溼刻、灰化、幹刻及剝離的工藝流程，從而得到覆蓋有金屬阻擋層的柵線或者數據線，以及未覆蓋金屬阻擋層的穿刺結構的基底。
12.根據權利要求9或10所述的製造方法，其特徵在於，還包括在所述步驟1中，在形成像素電極的同時通過構圖工藝形成與所述穿刺結構對應的導 電膜，該導電膜完全覆蓋所述穿刺結構的尖刺。
13.根據權利要求9或10所述的製造方法，其特徵在於，還包括步驟3、對完成步驟2的基板進行刻蝕，使絕緣層上形成與所述尖刺對應的過孔；所述 絕緣層包括柵絕緣層和鈍化層、或者只包括鈍化層。
14.一種權利要求1至8中任一項所述的TFT-IXD陣列基板的斷線維修方法，其特徵在 於，包括步驟1'、確定柵線斷點或者數據線斷點的位置；步驟2'、在絕緣層上方沉積導電材料，將分別位於所述斷點兩側的、且與所述斷點距 離最近的至少兩處穿刺結構的尖刺部分進行電性連接。
全文摘要
本發明實施例公開了一種TFT-LCD陣列基板、製造方法及斷線維修方法，涉及液晶顯示技術，能夠簡化TFT工藝過程中進行檢測和維修的流程。一種TFT-LCD陣列基板，包括由柵線和數據線限定的數個像素單元，每個像素單元內形成有薄膜電晶體和像素電極；其中，在所述像素單元中導電圖案上或者與導電圖案鄰接的區域形成有至少兩處穿刺結構，所述穿刺結構包括基底以及形成在該基底上的穿透絕緣層的尖刺。本發明實施例提供的TFT-LCD陣列基板可適用於提高TFT工藝過程中進行斷線維修的效率。
文檔編號G02F1/1362GK102033374SQ20091023551
公開日2011年4月27日 申請日期2009年9月29日 優先權日2009年9月29日
發明者周偉峰, 明星, 肖光輝, 郭建, 陳永 申請人:北京京東方光電科技有限公司