一種電子束缺陷檢測方法
2023-05-06 10:25:11 1
一種電子束缺陷檢測方法
【專利摘要】本發明公開了一種電子束缺陷檢測方法，包括以下步驟：以特定順序對所述多個晶片的多個檢測區域進行電子束掃描，獲得所述多個晶片的影像數據；其中所述特定順序為對在檢測方向上相鄰的所述檢測區域不連續掃描；以及將所述多個晶片的影像數據進行比對，以查找出所述待測晶圓的缺陷位置。本發明能夠有效減少電子束掃描過程中已檢測區域表面殘餘電子對相鄰待檢測區域的影響，實現了穩定、準確的電子束缺陷掃描檢測。
【專利說明】—種電子束缺陷檢測方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及一種晶圓缺陷檢測方法，尤其涉及一種穩定的電子束缺陷檢測方法。【背景技術】
[0002]由於集成電路製造本身工藝的複雜度不斷地提高，為了能夠在實際的生產過程中及時的發現問題並採取相應的措施，一般都會在製造過程配置一定數量的光學和電子的缺陷檢測設備。通用的缺陷檢測的工作原理是將晶片上的物理圖像轉換成為可由不同亮暗灰階表示的數據圖像，再通過與其它晶片上的數據比較來檢測有問題的缺陷位置。請參見圖1，其所示為一個晶圓上的完整的晶片分布圖，圖2所示為該晶圓上一個具體晶片的檢測區域分布圖，通常每一個晶片具有多個檢測區域，即圖中的長方形區域，這些檢測區域為實際需要進行掃描的位置。
[0003]目前，在業內現有的電子束缺陷檢測的方法主要採用兩種，第一種方法如圖3所示，一束電子束從晶圓的一邊到另一邊(水平或垂直方向)進行連續的掃描並進行數據比對。另一種方法如圖4所示，首先對一個晶片的檢測區域進行連續的掃描，然後再對另兩個晶片進行掃描，最後再進行數據的比對來檢測有問題的缺陷位置。然而，由於電子束在晶片上進行連續掃描後，檢測區域表面殘留的電子並不能馬上消除，以至於影響相鄰的還未被檢測的區域。請參見圖5左圖，由通孔的電子束影像可知該通孔未收到相鄰表面電荷影響。請參見圖5右圖，由通孔的影像可知其受到了相鄰表面電荷的影響。通過對圖5的通孔影像照片進行對比可知，受到相鄰表面電荷影響的通孔產生了十分明顯的形變，當對這些受到相鄰電子束影響而發生形變的通孔進行電子束檢測時，會出現大量的噪音，造成真正的缺陷很難被識別出來，並增加了工程判斷的難度。
[0004]因此，尋找一種能夠在進行電子束掃描時避免產生檢測區域相互影響的穩定的電子束缺陷檢測方法就顯得尤為重要。
【發明內容】
[0005]本發明的目的在於克服現有技術的缺陷，提供一種能夠實現穩定的電子束缺陷檢測方法。
[0006]本發明是通過以下技術方案實現的:
[0007]—種電子束缺陷檢測方法，用於對待測晶圓上多個晶片進行缺陷檢測，其中每一所述晶片包含多個檢測區域；所述電子束缺陷檢測方法包括以下步驟:
[0008]步驟S1:以特定順序對所述多個晶片的多個檢測區域進行電子束掃描，獲得所述多個晶片的影像數據；其中所述特定順序為對在檢測方向上相鄰的所述檢測區域不連續掃描；以及步驟S2:將所述多個晶片的影像數據進行比對，以查找出所述待測晶圓的缺陷位置。
[0009]優選的，以特定順序對所述多個晶片的多個檢測區域進行電子束掃描的步驟包括:對所述多個晶片的多個檢測區域分別標註序號，其中，在所述檢測方向上相鄰的所述檢測區域的序號不連續；以及依據所述檢測區域的序號的順序，連續進行電子束掃描
[0010]優選的，所述檢測方向為水平方向或垂直方向。
[0011]優選的，當所述檢測方向為水平方向時，相鄰序號的所述檢測區域在垂直方向上的位置不同或在水平方向上不相鄰。
[0012]優選的，當所述檢測方向為垂直方向時，相鄰序號的所述檢測區域在水平方向上的位置不同或在垂直方向上不相鄰。
[0013]優選的，所述特定順序為對所述多個晶片依次進行電子束掃描，且對每一所述晶片的多個所述檢測區域進行電子束掃描時對在所述檢測方向上相鄰的所述檢測區域不連
續掃描。
[0014]本發明通過晶圓內晶片上不同檢測區域依據特定順序進行電子束掃描，以避免檢測方向上相鄰的檢測區域被連續掃描，從而降低了待檢測區域由於相鄰已檢測區域表面殘餘電子影響而產生的形變，實現了穩定、準確的電子束缺陷掃描檢測。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0015]圖1所示為現有技術中一晶圓上的完整的晶片分布示意圖；
[0016]圖2所示為現有技術中晶圓內一個晶片的檢測區域分布圖；
[0017]圖3和圖4所示為現有技術的電子束缺陷檢測方法示意圖；
[0018]圖5所示為採用現有技術的電子束缺陷檢測方法未受到和受到相鄰檢測區域表面電子影響的通孔影像圖；
[0019]圖6和圖7所不為本發明一實施例電子束缺陷檢測方法的不意圖；
[0020]圖8所示為本發明一實施例電子束缺陷檢測方法的流程圖。
【具體實施方式】
[0021]為使本發明的內容更加清楚易懂，以下結合說明書附圖，對本發明的內容作進一步說明。當然本發明並不局限於該具體實施例，本領域內的技術人員所熟知的一般替換也涵蓋在本發明的保護範圍內。
[0022]下面將結合圖6至圖8詳細描述根據本發明的電子束檢測方法的一較佳實施例。
[0023]如圖8所示，本發明一實施例電子束缺陷檢測方法包括以下步驟:
[0024]首先，進行步驟S1:以特定順序對多個晶片的多個檢測區域進行電子束掃描，獲得多個晶片的影像數據；其中所述特定順序為對在檢測方向上相鄰的檢測區域不連續掃描。
[0025]具體來說，步驟SI進一步包括對多個晶片的多個檢測區域分別標註序號，其中，在所述檢測方向上相鄰的所述檢測區域的序號不連續；以及依據所述檢測區域的序號的順序，連續進行電子束掃描。請參照圖6和圖7，其所示為對待測晶圓上的一個晶片10的示意圖，該晶片具有多個檢測區域11?18。首先，如圖6所示，對該晶片的多個檢測區域11?18分別標註序號I?8，需要注意的是，在檢測方向上相鄰的檢測區域的序號是不連續的。本實施例中，電子束的掃描方向，也即是檢測方向為水平方向，因此相鄰的檢測區域的序號在水平方向上不連續，例如對檢測區域11標註序號1，檢測區域12標註序號5，檢測區域13標註序號8，檢測區域14標註序號4，檢測區域15標註序號2，檢測區域16標註序號6，檢測區域17標註序號3，檢測區域18標註序號7。因此，相鄰序號的檢測區域或者在垂直方向上不處於同一高度，或者在水平方向上被其他檢測區域隔開。當然，在其他實施例中，檢測方向也可以是垂直方向，則此時相鄰序號的檢測區域在水平方向上不處於同一位置或在垂直方向上被其他檢測區域隔開。之後，如圖7所示，電子束缺陷掃描儀可依據檢測區域的序號的順序，對每個晶片的多個檢測區域在水平方向上連續進行電子束掃描，從而獲得該晶片的影像數據。如圖所示，本實施例中，依次掃描檢測區域11，15，17，14，12，16，18，13。由於掃描過程中，相鄰的檢測區域，如檢測區域11和檢測區域12，不會被連續掃描，例如在掃描檢測區域11後，將繼續掃描檢測區域15，因此在掃描檢測區域12時，檢測區域11表面積累的電子已經消除而將不會影響檢測區域12，由此能夠有效避免電子束掃描時檢測區域的表面電子對相鄰檢測區域上電路圖形的成像的影響。需要注意的是，本實施例中是將待測晶圓上的多個晶片依次檢測，也即是依次對多個晶片的檢測區域進行電子束掃描，且對每一個晶片的多個檢測區域進行電子束掃描時均採用上述方法，使在檢測方向上相鄰的檢測區域不會被連續掃描。而在其他實施例中，也可以一束電子束從晶圓的一邊到另一邊(跨多個晶片)進行連續的掃描並獲取所有晶片的影像數據，而並不限於在一個晶片掃描完成之後再接續進行下一個晶片的掃描。
[0026]接著，在步驟S2中，將多個晶片的影像數據進行比對，以查找出待測晶圓的缺陷位置，例如通過相鄰晶片的影像數據比較來確定缺陷位置。
[0027]綜上所述，本發明通過對晶圓內晶片上不同檢測區域依據特定順序進行電子束掃描，以避免檢測方向上相鄰的檢測區域被連續掃描，從而降低了待檢測區域由於相鄰已檢測區域表面殘餘電子影響而產生的形變，實現了穩定、準確的電子束缺陷掃描檢測。
[0028]雖然本發明已以較佳實施例揭示如上，然所述諸多實施例僅為了便於說明而舉例而已，並非用以限定本發明，本領域的技術人員在不脫離本發明精神和範圍的前提下可作若干的更動與潤飾，本發明所主張的保護範圍應以權利要求書所述為準。
【權利要求】
1.一種電子束缺陷檢測方法，用於對待測晶圓上多個晶片進行缺陷檢測，其特徵在於，每一所述晶片包含多個檢測區域，所述檢測方法包括: 步驟S1:以特定順序對所述多個晶片的多個檢測區域進行電子束掃描，獲得所述多個晶片的影像數據；其中所述特定順序為對在檢測方向上相鄰的所述檢測區域不連續掃描；以及 步驟S2:將所述多個晶片的影像數據進行比對，以查找出所述待測晶圓的缺陷位置。
2.根據權利要求1所述的電子束缺陷檢測方法，其特徵在於，以特定順序對所述多個晶片的多個檢測區域進行電子束掃描的步驟包括: 對所述多個晶片的多個檢測區域分別標註序號，其中，在所述檢測方向上相鄰的所述檢測區域的序號不連續；以及 依據所述檢測區域的序號的順序，連續進行電子束掃描。
3.根據權利要求2所述的電子束缺陷檢測方法，其特徵在於，所述檢測方向為水平方向或垂直方向。
4.根據權利要求3所述的電子束缺陷檢測方法，其特徵在於，當所述檢測方向為水平方向時，相鄰序號的所述檢測區域在垂直方向上的位置不同或在水平方向上不相鄰。
5.根據權利要求3所述的電子束缺陷檢測方法，其特徵在於，當所述檢測方向為垂直方向時，相鄰序號的所述檢測區域在水平方向上的位置不同或在垂直方向上不相鄰。
6.根據權利要求1所述的電子束缺陷檢測方法，其特徵在於，所述特定順序為對所述多個晶片依次進行電子束掃描，且對每一所述晶片的多個所述檢測區域進行電子束掃描時對在所述檢測方向上相鄰的所述檢測區域不連續掃描。
【文檔編號】H01L21/66GK103500722SQ201310495814
【公開日】2014年1月8日 申請日期:2013年10月21日 優先權日:2013年10月21日
【發明者】倪棋梁, 陳宏璘, 龍吟 申請人:上海華力微電子有限公司