透明薄膜的形成方法,根據該方法形成的透明薄膜及具有透明薄膜的透明基體的製作方法
2023-05-06 06:32:11
專利名稱：透明薄膜的形成方法,根據該方法形成的透明薄膜及具有透明薄膜的透明基體的製作方法
技術領域：
本發明涉及以含有碳等的氮化矽(SiN)為基本骨架的可見光透過率高的薄膜的形成方法。進一步涉及具備由該方法製造的透明薄膜的透明基體，如適用於建築物、車輛及顯示器等用途的具有透明薄膜的透明基體。
背景技術：
使用化學氣相沉積法(下面叫做「CVD」法)在玻璃基板上形成薄膜的技術已廣為人知。所形成薄膜也多樣，其中之一可例舉氮化矽(SiN)膜。氮化矽薄膜在半導體領域廣泛用作絕緣膜。還有，氮化矽薄膜因結構緻密，所以還用作鈉或銀等各種離子的擴散阻擋層，如耐酸掩膜。具備氮化矽薄膜的玻璃基板因在可見光區域的透過率高，所以適合用作建築物、車輛及顯示器用基板。
氮化矽薄膜的形成方法已知有用常壓CVD法使單矽烷(SiH4)和氨氣(NH3)成膜的方法。但是，以往成膜方法中，原料氣體中的單矽烷濃度較低，如在0.1mol％以下。氮化矽薄膜在膜中的張力大，偶爾引起從玻璃基板剝離的問題。作為能夠解決該問題的方法，已知有一種在薄膜中引入氧製成氧氮化矽(SiON)膜，以降低其張力的技術。如在特開平10-309777號公報中記載了用CVD法在玻璃基板表面形成以氮化矽和氧氮化矽為主要成分的薄膜的技術。
還有，特開2001-100811號公報中記載，著眼於氮化矽薄膜的鈍化功能等，為了形成純氮化矽薄膜，即不含雜質的氮化矽薄膜，在等離子體CVD法中，把原料氣體單矽烷與氨氣的流量比(SiH4/NH3)設定在約0.086的低值的方法。
但是，以往CVD法中的氮化矽及氧氮化矽的成膜速度雖然與成膜裝置也有關，但只不過是幾nm/s程度，較小。尤其在浮法玻璃的製造工藝中，在浮槽內浮在熔融錫上的玻璃帶(glass ribbon)表面上用CVD法形成上述薄膜時(下面，把該形成方法叫做「在線CVD法」)，按照以往的成膜速度，薄膜難以生長成能夠充分發揮其特性程度的厚度。在線CVD法中，在形成主要成分為氮化矽及氧氮化矽的薄膜時，為了生長至能夠充分發揮其特性的膜厚，雖然與玻璃帶的移動速度也有關，但需要大致8nm/s以上的成膜速度。
發明內容
本發明就是著眼於以上問題進行。其目的在於提供，以能夠適用於在線CVD法的快速成膜速度形成薄膜中的張力被緩和而不易從基體剝離，並且在可見光區的透過率高的透明薄膜的方法。進一步提供，具備由該方法製造的透明薄膜的透明基體，適用於建築物、車輛或顯示器等用途的具有透明薄膜的透明基體。
為實現上述目的，本發明提供一種使用原料氣體根據化學氣相沉積法形成透明薄膜的方法，其中成膜速度為8nm/s以上，該透明薄膜含有選自碳(C)和氧(O)中的至少一種、氮(N)、氫(H)及矽(Si)。
圖1為本發明的具有透明薄膜的透明基體的一個實施形式的斷面圖。
圖2為用於在線CVD法的裝置的概略示意圖。
圖3為層積了透明薄膜和功能性薄膜的透明基體的一個實施形式的斷面圖。
具體實施例方式
本發明的形成方法中，原料氣體優選含有0.2mol％以上含矽化合物。
原料氣體優選含有含矽化合物及氨氣。原料氣體中氨氣對含矽化合物的摩爾比例如優選為40～400。
原料氣體中，含矽化合物優選含有單矽烷(SiH4)。
原料氣體可向預先切斷的玻璃板吹氣，但優選向浮槽內的玻璃帶表面吹氣。玻璃帶(glass ribbon)表面溫度優選700～830℃。玻璃帶可以具有4mm以下的厚度，或者也可以具有向4mm以下厚度成型程度的快速線速。
本發明從另一側面提供由本發明方法形成的一種透明薄膜，該透明薄膜的氫的原子含有率為4～20原子％、優選5～20原子％。該透明薄膜即使厚度在40nm以上，可見光透過率也能夠在83％以上。
本發明從另一側面還提供一種含有透明基體和在該透明基體表面形成透明薄膜、且該透明薄膜為本發明的上述透明薄膜的具有透明薄膜的透明基體。透明基體優選為玻璃板。還有，該具有透明薄膜的透明基體也可以進一步含有形成於透明薄膜表面的功能性薄膜。
下面，參照附圖進一步詳細說明本發明的優選實施例。
圖1表示由含有碳和/或氧、氮、氫及矽，且以這些各元素為主要成分的透明薄膜2覆蓋的透明基體，如玻璃基板1。薄膜2可以由濺射法、離子鍍法或真空蒸鍍法等所謂物理蒸鍍法形成，但本發明中使用CVD法。物理蒸鍍法的優點在於膜厚均勻，但從薄膜形成後的耐久性等方面考慮，優選由CVD法成膜。CVD法中尤其優選常壓熱CVD。根據情況也可以使用利用設置於透明基體附近的催化劑與原料氣體的接觸分解反應的催化劑CVD法。由CVD法的成膜可以通過把氣體狀原料吹向切斷成給定大小並加熱過的透明基體上來進行。例如，可以在把玻璃板放在網眼傳送帶上並使之通過加熱爐的期間供給原料氣體，使原料在加熱至給定溫度的玻璃基板表面反應。
該透明薄膜的原料氣體優選至少含有含矽化合物和氨氣。這裡，含矽化合物不僅包括以SinH2n+2表示的氫化矽，還包括有機矽化合物。例如，除了單矽烷(SiH4)、二矽烷(Si2H6)等氫化矽外，還可以使用四氯化矽(SiCl4)、二氯化矽(SiH2Cl2)、三氯化矽(SiHCl3)、四氟化矽(SiF4)等用滷元素取代一部分氫的氫化矽，四甲基矽烷((CH3)4Si)等含烷基矽烷等。其中尤其優選單矽烷。單矽烷容易與氨氣反應，因此，成膜時副產物少，並且能夠在寬範圍調節透明薄膜中的碳、氧及氫的含有率。
氨氣是一直用於CVD法的氮原料，容易得到且廉價。氨氣以外的氮原料以往使用氮氣、胺類及肼類有機物等，但氮氣反應性弱，並且有機物難以獲得工業生產規模的原料，並且，用於工業生產時其毒性也成問題。還有，如果把氨氣用做原料氣體，則能夠防止碳混入到透明薄膜中，因此，還能提高成膜速度。
透明薄膜的成膜速度如果以工業生產為前提，則越快越好。例如，在特開平10-309777號公報的實施例中記載了，以矽烷和乙胺為原料，以60nm/min＝1nm/s的成膜速度形成氮化矽薄膜。對於此，在本發明中通過使用含有氫化矽和氨氣的原料氣體，使成膜速度在8nm/s以上。另一方面，在實際生產中，成膜速度越快，透明薄膜的均勻性越容易受影響，如存在膜厚在不同地方有幾倍差，或者產生針孔等缺點。因此，成膜速度必須要有界限，在要求快速成膜速度的在線CVD法中，只要達到15nm/s，則對於需要快速在線速度的1mm的玻璃帶也能夠形成充分厚度的透明薄膜。因此，成膜速度目標優選為8～15nm/s。
原料氣體中的含矽化合物的濃度優選在0.2mol％以上。該濃度小於0.2mol％時，即使透明基體的表面溫度在800℃以上，成膜速度也小於8nm/s，成膜時將花費過多的時間。尤其在線CVD法時，成膜速度若小於8nm/s，則雖然受成膜裝置和操作條件的影響，但會發生能夠利用的玻璃帶的厚度限定在大致超過4mm的範圍的問題。另一方面，如果含矽化合物的濃度過高，則難以把與氨氣的摩爾比控制在上述範圍內，所以，CVD法時的含矽化合物的濃度上限適合在2.4mol％。還有，如果含矽化合物的濃度過高，則在氣相中進行熱解反應而成為粉末狀，透明薄膜上會產生針孔等缺陷，以及成膜速度下降，不僅如此，還存在含矽化合物在原料氣體中爆炸的危險。因此，實用上，含矽化合物的濃度在1.4mol％以下。
原料氣體中氨氣對含矽化合物的摩爾比(氨氣的摩爾數/含矽化合物的摩爾數)優選為40～400。如果該比值小於40，則Si-Si鍵增多，形成在可見光區具有吸收帶的透明度低的薄膜。另一方面，如果該比值大於400，則不僅難以提高原料氣體中的含矽化合物濃度，而且導致氨氣抑制含矽化合物的分解，從而成膜速度下降。還有，該氨氣對含矽化合物的摩爾比與特開2001-100811號公報中記載的以往方法相比，氨氣比率要高几倍。
引入透明薄膜中的氧是由添加到原料氣體中的一氧化二氮、一氧化碳及二氧化碳等氧化原料供給。還有，即使不在原料氣體中添加這些氧化原料，在成膜後通過接觸大氣，自然氧化，有時在透明薄膜的表面附近引入氧。還有，引入到透明薄膜的碳雖然有時是上述有機矽化合物的殘渣，但有時是來自為了抑制如單矽烷等反應性高的含矽化合物的反應性而添加到原料氣體中的乙炔、乙烯或乙烷等低級烴。引入到透明薄膜的氫是矽烷等含氫的含矽化合物或氨氣的殘渣。推斷為通過把這些元素引入到氮化矽的基本骨架中，在各處切斷氮-矽鍵，其結果透明薄膜的張力得以緩和，透明薄膜難以從透明基體剝離。
除了上述含矽化合物、氨氣、氧化原料及低級烴外，原料氣體中還可以添加氮氣、氦氣或氫等。
形成了透明薄膜的透明基體只要是具備CVD法成膜過程中的耐腐蝕性及耐熱性，並且可用於上述建築物用窗戶等用途，則不限定其種類。可列舉玻璃板、耐熱塑料等。
使用玻璃板作為透明基體時，可對切割成適當尺寸的玻璃板形成透明薄膜，也可以根據後述的在線CVD法在形成玻璃板的同時形成透明薄膜。在工業生產中，後者在線CVD法的優點更多。在線CVD法中，在浮槽內對具有軟化點以上熱的玻璃帶表面成膜，因此，玻璃帶的熱將促進原料氣體的熱解反應。其結果，不必為了熱解反應而加熱，降低總能量成本。進一步，提高成膜速度和成膜反應效率，抑制產生針孔等缺陷。並且，具有軟化點以上熱的玻璃帶的表面尺寸自由度大，所以，根據在線CVD法，可減少氮化矽系薄膜特有的膜中張力，形成附著力及機械強度高的透明薄膜。
另外，在CVD法中，通過在形成透明薄膜之前向玻璃基板或玻璃帶的表面吹氨氣，進一步提高成膜速度。這是因為，與玻璃基板或玻璃帶接觸的氨氣分解並在那裡吸附住，當供給含矽化合物時迅速進行熱分解反應。進一步，還可以在玻璃基板或玻璃帶的表面附近配置催化劑，以促進氨氣的分解。
在線CVD法中，使用如圖2所示裝置。該裝置中，從熔爐(浮窯)11流出到浮槽12內，在錫浴15上以帶狀移動的玻璃帶10表面，隔著給定距離，在浮槽內配置給定數目的塗布機16(圖示形式中為3個塗布機16a、16b、16c)。由這些塗布機供給原料氣體，在玻璃帶10上連續形成薄膜。還有，如果利用多個塗布機，則可以在玻璃帶10上層積薄膜。玻璃帶的溫度用配置於浮槽內的加熱器和冷卻器(略圖示)調節為達到塗布機16跟前時成為給定溫度。形成了各薄膜的玻璃帶10由輥子17提升並送入緩冷爐13。由緩冷爐13緩慢冷卻的玻璃板通過省略圖示的浮法常用切斷裝置，切斷成給定大小的玻璃板。
通過在浮槽內的上遊部成膜，把不接觸熔融狀態錫的面(玻璃帶上面；頂面)錫的散熱(錫蒸氣的擴散)抑制在最小限度。玻璃帶上面的錫的擴散量多時，如果透明薄膜薄，則容易導致鈍化功能不足。例如，在透明薄膜之上塗布主要成分為銀的糊並燒成製成電極時，如果銀或錫通過透明薄膜，則銀和錫發生反應而著色，用於顯示器用途時就成問題。即，通過在浮槽內的上遊部形成透明薄膜，可使透明薄膜不變厚，解決銀或錫的透過問題。
在線CVD法中，通常是玻璃帶表面溫度在500～850℃的範圍可以成膜。該透明薄膜優選在成膜之前的玻璃帶表面溫度在700～830℃範圍時形成。如果在該溫度範圍，不僅成膜速度快，而且根據玻璃帶的表面尺寸自由度，氮化矽膜特有的薄膜中的張力下降，可形成附著力提高的機械強度高的透明薄膜。
該透明薄膜以氮化矽為基本骨架，所以，質地硬，且透明度高，在可見光區的吸收少。透明薄膜中的矽與氮的原子含有率優選為，矽35～45原子％、氮30～60原子％。當矽的原子含有率小於35原子％時，透明薄膜的緻密性劣化，各種離子的擴散阻擋能力下降。另一方面，如果超過45原子％，則可見光區的吸收增大，薄膜的透明性下降。還有，透明薄膜中氮原子含有率對矽原子含有率的比為，越接近氮化矽的化學計量組成比1.3越好。還有，如果透明薄膜中的氮原子含有率對矽原子含有率的比小於0.9，則可見光區的吸收增大，薄膜的透明性下降。從而，該透明薄膜的氮原子含有率對矽原子含有率的比優選調節在0.9～1.3範圍。
透明薄膜優選含有1～10原子％的選自碳或氧的至少一種。碳根據其含有率來變化透明薄膜在可見光區的吸收率。另一方面，氧會緩和透明薄膜的張力，減少壓力，提高對透明基板的附著力，同時還提高機械強度。為有效發揮這些功能，優選把碳或氧的原子含有率控制在1～10原子％範圍。另外，可以含有碳和氧中的任意一種，也可以同時含有兩種。進一步，該透明薄膜以氫作為必須構成元素。如果氫的含有率變高，則透明薄膜的緻密性劣化，並且降低各種離子的擴散阻擋能力，所以，其含量優選在4～20原子％。
透明薄膜的厚度從確保鈍化功能方面來看適合在20nm以上，而從確保高可見光透過率方面來看適合在300nm以下。還有，透明薄膜的折射率為，與後述的透明導電膜或透明基體的折射率之差越大，其反射率越高，所以，優選與通常由氧化錫構成的透明導電膜和玻璃基板的折射率相近的1.8～2.1。
還有，透明薄膜為透過率越高越好，該透明薄膜即使厚度為40nm，也可確保83％可見光透過率。
圖3表示主要成分為氧化錫(SnO2)、二氧化矽(SiO2)、矽氧化錫(SnSiO)、氧碳化矽(SiOC)、碳化矽(SiC)或二氧化鈦(TiO2)的薄膜3層積在透明薄膜2上的玻璃基板的一例。薄膜3為功能性薄膜，主要成分為氧化錫的薄膜具有透明導電膜的功能、主要成分為二氧化矽和矽氧化錫的薄膜具有鈍化膜或絕緣膜的功能、主要成分為氮化矽的薄膜具有鈍化膜或絕緣膜以及進一步具有茶色系的著色膜的功能，二氧化鈦則作為熱線反射膜或具有光催化功能的膜起作用。通過組合這些功能性薄膜3和薄膜2，在不影響透明薄膜各種功能的條件下適當調節反射率、導電性或鈍化功能等，提高其耐久性。
圖3中，玻璃基板表面的薄膜2上形成了功能性薄膜3，但對於該層積順序和層積數目不做特別限定，可根據用途和所需功能適當變更。例如，在圖3的構成中，化學穩定性及物理強度高的透明薄膜2上覆蓋著功能性薄膜3，所以，可獲得耐久性進一步高的功能性玻璃基板。
透明薄膜可以是在其膜厚的深度方向實質上均勻的組成，也可以具有組成梯度。尤其功能性薄膜可以改變與功能性薄膜接觸的透明薄膜界面附近的組成。根據此，可提高如透明薄膜與功能性薄膜的密合性。
具備該透明薄膜的玻璃基板可充分滿足用於建築物或車輛時的所需特性，尤其不發生銀的著色，所以，還能用於顯示器，以及要求特別嚴格的等離子體顯示板用基板。
本發明中「主要成分」按照慣例，是指構成成分的重量含有率在50重量％以上的成分。
實施例下面，根據實施例說明本發明，但本發明並不限定於以下實施例。
實施例1把用浮法製造的厚度1.1mm的低鹼玻璃預先切斷成邊長10cm的正方形，清洗並乾燥。在該玻璃板上根據常壓CVD法形成主要成分為氮化矽的透明薄膜。成膜是在玻璃板以1.5m/min的速度被送入約830℃的爐內的條件下進行。從設置在爐內的塗布機供給氨氣對單矽烷的摩爾比為200、單矽烷濃度0.5mol％、及載氣為氮氣的原料氣體，在玻璃基板表面形成厚度40nm的主要成分為氮化矽的透明薄膜。此時成膜速度為10nm/s。
從X射線激發光電子分光分析及盧瑟福反向散射分析可以確認，該透明薄膜的組成結構為矽40原子％、氮43原子％、氧2原子％及氫15原子％。使用分光光度計測定該透明薄膜的可見光透過率的結果為88.7％，用偏振光橢圓率測量儀測定550nm的折射率的結果為1.90。該特性水平為，不僅對建築和汽車等用途，對要求高透明性的顯示器用、即使是用作要求特別嚴格的等離子體顯示板用基板，在其實際使用上也不成問題。還有，透明薄膜的表面電阻為1010Ω/□(方框)以上，確認絕緣性高。
進一步，為了確認該透明薄膜的鈍化功能，在透明薄膜上塗布銀糊，在500℃實施1小時燒成處理。其結果，看不到銀的著色(黃色變化)。該低鹼玻璃是根據浮法製造而成的，因此，可通過該銀是否著色來判斷錫是否透過了透明薄膜。即，可以說該透明薄膜充分具備了顯示器用途所要求的鈍化功能。
下述表1及表2中總結了上述成膜條件及透明薄膜的特性。
實施例2使用圖2所示裝置，根據在線CVD法，在玻璃帶表面形成以氮化矽為基本骨架的薄膜。浮槽內流入1500℃～1600℃的由普通鹼石灰玻璃組成的熔融玻璃坯料。當玻璃帶溫度達到830℃時，從位於最上遊側的第一個塗布機(圖3中的16a)供給氨氣對單矽烷的摩爾比為100、單矽烷濃度0.4mol％、及作為載氣含有氮的原料氣體，在厚度2.8mm的玻璃帶表面形成厚度45nm的透明薄膜。此時成膜速度為9nm/s。用緩冷爐緩慢冷卻該玻璃帶，進一步用配置於輸送下遊側的切斷機切斷成給定尺寸，製作玻璃基板。
用與實施例1相同的手段檢測該透明薄膜的特性。其結果，該透明薄膜的組成結構為矽44原子％、氮41原子％、氧2原子％及氫13原子％。其可見光透過率為85.1％，折射率為1.97，表面電阻值為1010Ω/□(方框)以上。並且看不到銀著色。
下述表1及表2中總結了上述成膜條件及透明薄膜的特性。
比較例1在實施例2中除了使用氨氣對單矽烷的摩爾比為450、單矽烷濃度為0.15mol％的原料氣體以外，其餘相同來形成薄膜。此時成膜速度為3nm/s，薄膜的厚度為15nm。用與實施例1相同的手段檢測該透明薄膜的特性。其結果，該透明薄膜的組成結構為矽36原子％、氮40原子％、氧2原子％及氫22原子％。其可見光透過率為89.5％，折射率為1.85，表面電阻為1010Ω/□(方框)以上。還有，雖然透明性高，但能看見銀著色。因此，可以確認該薄膜鈍化功能低，無法用於要求高透明性的顯示器用途。
下述表1及表2中總結了上述成膜條件及透明薄膜的特性。
比較例2除了在實施例2中代替氨氣使用乙胺、且乙胺對單矽烷的摩爾比為25、單矽烷濃度0.5mol％的原料氣體，成膜速度為1nm/s，其厚度為4nm以外，其餘相同來形成薄膜。用與實施例1相同的手段檢測該薄膜的特性。其結果，該薄膜的組成結構為矽33原子％、氮31原子％、氧16原子％及碳21原子％。雖然沒有測定該薄膜的可見光透過率與折射率，但經目測可以知道具備與實施例1的透明薄膜相同程度的透明性。還有，雖然其表面電阻為1010Ω/□(方框)以上，但能看見銀著色。因此，可以確認該薄膜鈍化功能低。
下述表1及表2中總結了上述成膜條件及透明薄膜的特性。
表1
*1)代替氨氣使用乙胺表2
通過對比上述實施例及比較例，可以確認能夠通過改變CVD法的原料氣體中的矽烷和氨氣的濃度來調節透明薄膜的組成結構。而且可知，由本發明成膜條件形成的透明薄膜具備高可見光透過性、高絕緣性及高鈍化功能。
具體來說，通過比較實施例1、2及比較例1，可以確認原料氣體中氨氣對單矽烷的摩爾比越高，所形成薄膜中的矽含有率越低。進一步，隨著矽含有率增加，薄膜的可見光透過率下降，折射率上升。
本發明通過如上所述構成，起到如下效果。根據本發明透明薄膜的形成方法，可以實現能夠用於在線CVD法的快速成膜速度。還有，原料氣體中通過適當保持含矽化合物濃度，以及適當調節含矽化合物與氨氣的含有比率，能夠可靠地形成在保持快速成膜速度的同時，透明度高，並且難以從透明基體剝離的透明薄膜。
通過把本發明成膜方法用於在線CVD法，可在短時間內大面積形成沒有針孔等缺陷的透明薄膜。還有，在線CVD法中，能夠從玻璃帶獲得原料氣體的熱分解反應所需能量，因此，可以削減具備透明薄膜的玻璃基板的總能量成本。
具備本發明透明薄膜的玻璃基板能夠充分滿足建築物用和車輛用所要求的特性，尤其因不產生銀的著色，所以適合用作顯示器用，要求特別嚴格的等離子體顯示板用基板。
權利要求
1.一種透明薄膜的形成方法，是使用原料氣體根據化學氣相沉積法形成透明薄膜的方法，其特徵在於成膜速度為8nm/s以上，該透明薄膜含有選自碳(C)和氧(O)中的至少一種、氮(N)、氫(H)及矽(Si)。
2.如權利要求1記載的透明薄膜的形成方法，其特徵在於所述原料氣體含有0.2mol％以上含矽化合物。
3.如權利要求1記載的透明薄膜的形成方法，其特徵在於所述原料氣體含有含矽化合物及氨氣。
4.如權利要求3記載的透明薄膜的形成方法，其特徵在於所述原料氣體中氨氣對含矽化合物的摩爾比為40～400。
5.如權利要求1記載的透明薄膜的形成方法，其特徵在於所述原料氣體中含有單矽烷(SiH4)。
6.如權利要求1記載的透明薄膜的形成方法，其特徵在於把所述原料氣體吹到浮槽內的玻璃帶表面。
7.如權利要求6記載的透明薄膜的形成方法，其特徵在於所述玻璃帶表面溫度為700～830℃。
8.如權利要求1記載的透明薄膜的形成方法，其特徵在於所述玻璃帶具有4mm以下的厚度，或者成型為4mm以下厚度。
9.由權利要求1記載的方法形成的透明薄膜，其特徵在於該透明薄膜的氫的原子含有率為4～20原子％。
10.如權利要求9記載的透明薄膜，其特徵在於厚度在40nm以上，並且可見光透過率在83％以上。
11.一種具有透明薄膜的透明基體，其特徵在於含有透明基體和在所述透明基體表面形成的透明薄膜，所述透明薄膜為權利要求9記載的透明薄膜。
12.如權利要求11記載的具有透明薄膜的透明基體，其特徵在於所述透明基體為玻璃板。
13.如權利要求11記載的具有透明薄膜的透明基體，其特徵在於進一步含有形成於所述透明薄膜表面的功能性薄膜。
全文摘要
本發明提供一種使用原料氣體根據化學氣相沉積法形成透明薄膜的方法，其特徵在於成膜速度為8nm/s以上，該透明薄膜含有選自碳(C)和氧(O)中的至少一種、氮(N)、氫(H)及矽(Si)。根據該方法，可在浮槽內的玻璃帶上形成薄膜中的張力被緩和而不易從基體剝離，並且在可見光區的透過率高的透明薄膜。
文檔編號C03C17/34GK1625534SQ03803029
公開日2005年6月8日 申請日期2003年1月31日 優先權日2002年1月31日
發明者大谷強, 平田昌宏 申請人:日本板硝子株式會社