一種用於太陽電池製造的吸雜工藝方法

2023-05-06 14:11:56

專利名稱：一種用於太陽電池製造的吸雜工藝方法
技術領域：
本發明涉及一種用於太陽電池製造的吸雜工藝方法，屬於太陽能電池領域。
背景技術：
太陽能晶體矽在矽片的製備生產等工序中會引入高密度的缺陷和雜質，雜質和缺陷的存在會在禁帶中引人允許電子佔據的能級，且極微量的雜質都會嚴重影響晶體矽的電性能。濃磷吸雜是利用濃磷擴散形成重擴散層，磷的摻入會引起費米能級的變化，在與缺陷的非平衡過程中，離子成對效應會增強，金屬的固溶度會增加，最後達到吸雜的目的。

發明內容
本發明的目的是提供一種太陽能電池製造過程中去除矽片本體金屬雜質的濃磷吸雜工藝方法。該工藝方法可以通過重磷擴散工藝方法，在濃磷區固定矽片本體的金屬雜質，然後通過酸洗工藝去除這些金屬雜質，減少矽片本體的複合中心，提高短路電流，從而提高了矽片的轉化效率。本發明的內容通過採取以下技術措施予以實現一種用於太陽電池製造的吸雜工藝方法，含有以下步驟(1)高濃度磷擴散由N2 (氮氣)攜帶高濃度的P0CL3 (三氯氧磷)進入擴散爐管， 在矽片正表面沉積一層濃磷擴散層；(2)去除濃磷擴散層將沉積濃磷擴散層的矽片重新酸洗制絨，去除矽片正表面的濃磷擴散層；(3)制絨重新制絨，形成新的絨面；去除矽片濃磷區固定的金屬雜質；(4)測試製絨後矽片的電阻率。一種用於太陽電池製造的吸雜工藝方法，在爐管恆溫860-900°C情況下，通過N2 攜帶液態P0CL3氣體，在矽片的表面沉積重磷擴散層，然後重新清洗並重新制絨，去除矽片濃磷區固定的金屬雜質，達到吸雜的目的。一種用於太陽電池製造的吸雜工藝方法，包括以下步驟1、濃磷重擴步驟爐管恆溫擴散溫度為850-1000 °C，N2的通入量為 22000-25000sccm,P0CL3 的通入量為 2200_2500sccm，02 的通入量為 1500sccm，擴散時間為 20_35min ；2、去濃磷擴散層步驟由於濃磷擴散形成的矽片表面會形成一層重磷擴散區，將上述處理過的矽片放入濃度為9% -11%的氫氟酸溶液中浸泡10-20min，去掉矽片表面的重磷擴散層；3、重新制絨步驟將上述去掉重磷擴散層的矽片重新制絨；4、測試步驟測試製絨後的矽片的電阻率。本發明工藝採用濃磷擴散的方式，在P0CL3氣氛下熱處理，在矽片內部形成高磷層，經過處理後的金屬雜質會聚集在磷重擴的地方，通過酸洗工藝出除，從而達到吸雜的作用。


當結合附圖考慮時，通過參照下面的詳細描述，能夠更完整更好地理解本發明以及容易得知其中許多伴隨的優點，但此處所說明的附圖用來提供對本發明的進一步理解， 構成本發明的一部分，本發明的示意性實施例及其說明用於解釋本發明，並不構成對本發明的不當限定，其中圖1是表示作為本發明的流程示意圖。
具體實施例方式參照圖1對本發明的實施例進行說明。實施例如圖1所示；顯然，本領域技術人員基於本發明的宗旨所做的許多修改和變化屬於本發明的保護範圍。實施例1 一種用於太陽電池製造的吸雜工藝方法，包括以下步驟(1)濃磷重擴爐管恆溫擴散溫度為860°C，N2的通入量為23000sCCm，P0CL3的通入量為2300sccm，02的通入量為1500sccm，擴散時間為35min。(2)去濃磷擴散層由於濃磷擴散形成的矽片表面會形成一層重磷擴散區，將上述處理過的矽片放入濃度為9% -11%的氫氟酸溶液中浸泡10-20min，去掉矽片表面的重磷擴散層。(3)重新制絨將上述去掉重磷擴散層的矽片重新制絨。(4)測試製絨後的矽片的電阻率。實施例2 一種用於太陽電池製造的吸雜工藝方法，包括以下步驟(1)濃磷重擴爐管恆溫擴散溫度為850°C，N2的通入量為22000sCCm，P0CL3的通入量為2200sccm，02的通入量為1500sccm，擴散時間為25min。(2)去濃磷擴散層由於濃磷擴散形成的矽片表面會形成一層重磷擴散區，將上述處理過的矽片放入濃度為9% -11%的氫氟酸溶液中浸泡10-20min，去掉矽片表面的重磷擴散層。(3)重新制絨將上述去掉重磷擴散層的矽片重新制絨。(4)測試製絨後的矽片的電阻率。或步驟(1)所敘述的恆定擴散溫度為880°C，擴散時間為25min。實施例3 一種用於太陽電池製造的吸雜工藝方法，包括以下步驟(1)濃磷重擴爐管恆溫擴散溫度為1000°C，N2的通入量為25000sCCm，P0CL3的通入量為2500sccm，02的通入量為1500sccm，擴散時間為32min。(2)去濃磷擴散層由於濃磷擴散形成的矽片表面會形成一層重磷擴散區，將上述處理過的矽片放入濃度為9% -11%的氫氟酸溶液中浸泡10-20min，去掉矽片表面的重
磷擴散層。(3)重新制絨將上述去掉重磷擴散層的矽片重新制絨。(4)測試製絨後的矽片的電阻率。或步驟(1)所敘述的恆定擴散溫度為900°C，擴散時間為15min。如上所述，對本發明的實施例進行了詳細地說明，但是只要實質上沒有脫離本發明的發明點及效果可以有很多的變形，這對本領域的技術人員來說是顯而易見的。因此，這樣的變形例也全部包含在本發明的保護範圍之內。
權利要求
1.一種用於太陽電池製造的吸雜工藝方法，其特徵在於含有以下步驟(1)高濃度磷擴散由N2攜帶高濃度的P0CL3進入擴散爐管，在矽片正表面沉積一層濃磷擴散層；(2)去除濃磷擴散層將沉積濃磷擴散層的矽片重新酸洗制絨，去除矽片正表面的濃磷擴散層；(3)制絨重新制絨，形成新的絨面；去除矽片濃磷區固定的金屬雜質；(4)測試製絨後矽片的電阻率。
2.根據權利要求1所述的一種用於太陽電池製造的吸雜工藝方法，包括以下步驟 濃磷重擴步驟爐管恆溫擴散溫度為850-1000°C，N2的通入量為22000-25000sCCm，P0CL3的通入量為2200-2500sccm，02的通入量為1500sccm，擴散時間為20_35min ；去濃磷擴散層步驟由於濃磷擴散形成的矽片表面會形成一層重磷擴散區，將上述處理過的矽片放入濃度為9% -11%的氫氟酸溶液中浸泡10-20min，去掉矽片表面的重磷擴散層；重新制絨步驟將上述去掉重磷擴散層的矽片重新制絨； 測試步驟測試製絨後的矽片的電阻率。
3.根據權利要求2所述的一種用於太陽電池製造的吸雜工藝方法，其特徵在於步驟 (1)所敘述的恆定擴散溫度為860°C，擴散時間為35min。
4.根據權利要求2所述的一種用於太陽電池製造的吸雜工藝方法，其特徵在於步驟 (1)所敘述的恆定擴散溫度為880°C，擴散時間為25min。
5.根據權利要求2所描述的一種用於太陽電池製造的吸雜工藝方法，其特性在於步驟 (1)所敘述的恆定擴散溫度為900°C，擴散時間為15min。
全文摘要
本發明公開了一種用於太陽電池製造的吸雜工藝方法，包括以下步驟(1)高濃度磷擴散由N2攜帶高濃度的POCL3進入擴散爐管，在矽片正表面沉積一層濃磷擴散層；(2)去除濃磷擴散層將沉積濃磷擴散層的矽片重新酸洗制絨，去除矽片正表面的濃磷擴散層；(3)制絨重新制絨，形成新的絨面。(4)測試製絨後矽片的電阻率。本發明工藝採用濃磷擴散的方式，在POCL3氣氛下熱處理，在矽片內部形成高磷層，經過處理後的金屬雜質會聚集在磷重擴的地方，通過酸洗工藝出除，從而達到吸雜的作用。
文檔編號H01L31/18GK102332500SQ20111029928
公開日2012年1月25日 申請日期2011年9月28日 優先權日2011年9月28日
發明者周堅, 孫良欣, 郭育林 申請人:桂林尚科光伏技術有限責任公司