一種線性調節斜坡補償電壓斜率的系統的製作方法
2023-05-02 11:44:01 1
專利名稱：一種線性調節斜坡補償電壓斜率的系統的製作方法
技術領域：
本發明涉及一種峰值電流控制模式晶片中的斜坡補償技術，尤其是涉及一種線性
調節斜坡補償電壓斜率的系統。
背景技術：
峰值電流控制模式(PCM， Peak Current Model)是開關電源領域應用最廣泛的控 制方式之一，其主要優點體現在(l)由於輸出負載電流正比於電感電流，PCM實現了逐個 開關周期內控制輸出電流，從而具有更優越的負載調整特性和抗輸入電源擾動能力；(2) 具有瞬時峰值電流限流功能，不會因過流而使開關管損壞，大大減少了過載與短路的保護； (3)整個反饋電路變成了一個一階電路，因此誤差放大器的控制環補償網絡得以簡化，穩定 度得以提高且可改善頻響環路的穩定性，易補償；(4)輸出電壓紋波較小。但是，由於PCM中 輸出負載電流與電感電流平均值成正比，而不是與電感電流峰值成正比，而電感電流平均 值與電感電流峰值之間存在差值，當開關電源系統的開關信號佔空比大於50%時存在難以 校正的電感電流峰值與電感電流平均值的誤差，開關電源系統開環不穩定。為了彌補這一 缺點，通常的做法是在電流採樣信號上疊加一個正斜率的斜坡信號或者在誤差放大器的輸 出端疊加一個負斜率的斜坡信號加以補償電感電流峰值和電感電流平均值之間的誤差，使 開關電源系統的開關信號佔空比大於50%的情況下保持開關電源系統環路穩定。然而傳統 的斜坡補償電壓的斜率為一固定值，容易產生過補償和欠補償，如果斜坡補償電壓斜率太 大，則在大的佔空比時易發生過補償，從而將降低開關電源系統的帶載能力；如果斜坡補償 電壓斜率太小，則在較小的佔空比時易發生欠補償，從而將降低開關電源系統穩定性和負 載調節能力。
發明內容
本發明所要解決的技術問題是提供一種簡單實用，能夠根據峰值電流控制模式芯 片中的開關信號的佔空比的大小線性的調節斜坡補償電壓的斜率，且不會產生過補償或欠 補償問題的系統。
本發明解決上述技術問題所採用的技術方案為一種線性調節斜坡補償電壓斜率
的系統，包括佔空比檢測電路、電壓電流轉換電路、斜坡產生電路和基準電流源，所述的佔
空比檢測電路將輸入的開關信號轉換為與所述的開關信號成線性關係的電壓信號，並將所
述的電壓信號傳輸給所述的電壓電流轉換電路，所述的電壓電流轉換電路將所述的電壓信
號線性的轉換成第一電流信號並輸出，所述的第一電流信號與所述的基準電流源相疊加形
成輸入給所述的斜坡產生電路的第二電流信號，所述的斜坡產生電路輸出斜坡補償電壓，
所述的斜坡補償電壓與所述的開關信號的佔空比成線性關係。 所述的佔空比檢測電路主要由反相器、第一NMOS電晶體、第二NMOS電晶體、第一 電阻和第一電容組成，所述的反相器的輸入端接入所述的開關信號，所述的反相器的輸出 端分別與所述的第一 NM0S電晶體的柵極和所述的第二 NM0S電晶體的柵極相連接，所述的第一 NM0S電晶體的漏極接入基準電壓，所述的第一 NMOS電晶體的源極與所述的第一電阻 的第一端相連接，所述的第二 NMOS電晶體的漏極與所述的第一電阻的第一端相連接，所述 的第二NMOS電晶體的源極接地，所述的第一電容連接於所述的第一電阻的第二端與所述 的第二NMOS電晶體的源極之間，所述的第一電阻與所述的第一電容的公共連接端輸出與 所述的開關信號成線性關係的電壓信號。 所述的電壓電流轉換電路主要由低壓差線性穩壓器、第二電阻和第一電流鏡組 成，所述的低壓差線性穩壓器包括運算放大器和第三NMOS電晶體，所述的第一電流鏡包括 第四PMOS電晶體和第五PMOS電晶體，所述的運算放大器的正輸入端接入所述的電壓信號， 所述的運算放大器的輸出端與所述的第三NMOS電晶體的柵極相連接，所述的第三NMOS晶 體管的源極與所述的運算放大器的負輸入端相連接，所述的第三NMOS電晶體的源極與所 述的運算放大器的負輸入端的公共連接端與所述的第二電阻的第一端相連接，所述的第二 電阻的第二端接地，所述的第三NMOS電晶體的漏極分別與所述的第四PMOS電晶體的源極、 所述的第四PMOS電晶體的柵極及所述的第五PMOS電晶體的柵極相連接，所述的第四PMOS 電晶體的漏極和所述的第五PMOS電晶體的漏極分別接電源，所述的第五PMOS電晶體的源 極輸出所述的第一電流信號。 所述的斜坡產生電路主要由第二電流鏡、第三電流鏡、第十PMOS電晶體、第i^一 NMOS電晶體及第二電容組成，所述的第二電流鏡包括第六NMOS電晶體和第七NMOS電晶體， 所述的第三電流鏡包括第八PMOS電晶體和第九PMOS電晶體，所述的第六NMOS電晶體的漏 極接入所述的第一電流信號，所述的第六NMOS電晶體的漏極分別與所述的基準電流源的 負極端、所述的第六NMOS電晶體的柵極及所述的第七NMOS電晶體的柵極相連接，所述的第 六NMOS電晶體的源極和所述的第七NMOS電晶體的源極分別接地，所述的第七NMOS電晶體 的漏極分別與所述的第八PMOS電晶體的源極、所述的第八PMOS電晶體的柵極及所述的第 九PMOS電晶體的柵極相連接，所述的基準電流源的正極端、所述的第八PMOS電晶體的漏極 和所述的第九PMOS電晶體的漏極分別接電源，所述的第九PMOS電晶體的源極與所述的第 十PMOS電晶體的漏極相連接，所述的第十PMOS電晶體的柵極和所述的第十一 NMOS電晶體 的柵極分別接入用於控制所述的第二電容的充電時間的時鐘信號，所述的第十PMOS晶體 管的源極與所述的第十一 NMOS電晶體的漏極相連接，所述的第十一NMOS電晶體的源極接 地，所述的第二電容連接於所述的第十PMOS電晶體的源極與所述的第十一 NMOS電晶體的 漏極的公共連接端與所述的第十一 NMOS電晶體的源極之間，所述的第十PMOS電晶體的源 極、所述的第十一NMOS電晶體的漏極及所述的第二電容的公共連接端輸出所述的斜坡補 償電壓。 與現有技術相比，本發明的優點在於通過設置佔空比檢測電路、電壓電流轉換電 路和斜坡產生電路，利用佔空比檢測電路將峰值電流控制模式晶片中的開關信號的佔空比 轉換為一個與開關信號的佔空比成線性關係的電壓信號，電壓電流轉換電路則把該電壓信 號線性的轉換成第一電流信號，第一電流信號與基準電流源疊加後形成的第二電流信號經 斜坡產生電路後得到斜坡補償電壓，實現了能夠根據峰值電流控制模式晶片中的開關信號 的佔空比的大小線性的調節斜坡補償電壓的斜率的功能，很好地解決了峰值電流控制模式 晶片中在低佔空比時易發生過補償，在高佔空比時易發生欠補償的問題，使得峰值電流控 制模式晶片在所有佔空比工作範圍內都具有良好的帶載能力和負載調整能力。
圖1為本發明系統的邏輯框圖； 圖2為本發明的佔空比檢測電路原理圖； 圖3為本發明的電壓電流轉換電路原理圖； 圖4為本發明的斜坡產生電路及基準電流源的連接電路原理圖； 圖5為本發明系統的整體電路原理圖； 圖6為本發明中佔空比檢測電路的等效電路原理圖。
具體實施例方式
以下結合附圖實施例對本發明作進一步詳細描述。 如圖所示，一種線性調節斜坡補償電壓斜率的系統，包括佔空比檢測電路1、電壓 電流轉換電路2、斜坡產生電路3和基準電流源IB，佔空比檢測電路1將輸入的開關信號VI 轉換為與開關信號VI成線性關係的電壓信號Vc，並將電壓信號Vc傳輸給電壓電流轉換電 路2，電壓電流轉換電路2將電壓信號Vc線性的轉換成第一電流信號Ic並輸出，第一電流 信號Ic與基準電流源IB相疊加形成輸入給斜坡產生電路3的第二電流信號Ic2，斜坡產生 電路3經第二電流信號Ic2對其充電後得到斜坡補償電壓Vramp，斜坡補償電壓Vramp與開 關信號V1的佔空比成線性關係。 在此具體實施例中，佔空比檢測電路1主要由反相器U1、第一NM0S電晶體M1、第 二 NMOS電晶體M2、第一電阻Rl和第一電容Cl組成，反相器Ul的輸入端接入開關信號VI， 在此開關信號VI為一個周期為T、佔空比為D的方波信號，反相器U1的輸出端分別與第一 NMOS電晶體Ml的柵極和第二 NMOS電晶體M2的柵極相連接，第一 NMOS電晶體Ml的漏極接 入基準電壓V2，在此基準電壓V2為常數，不同的峰值電流控制模式晶片中，V2的大小可調 節該晶片所需的斜坡補償電壓。第一NMOS電晶體M1的源極與第一電阻R1的第一端相連 接，第二NMOS電晶體M2的漏極與第一電阻R1的第一端相連接，第二NMOS電晶體M2的源 極接地，第一電容C1連接於第一電阻R1的第二端與第二NM0S電晶體M2的源極之間，第一 電阻R1與第一電容C1的公共連接端輸出與開關信號V1成線性關係的電壓信號Vc。
當開關信號VI在第n個周期內，且nT《t《n(T+TXD)時，即當開關信號VI為 高電平時，第一 NMOS電晶體Ml導通，而第二 NMOS電晶體M2關閉，此時第一 NMOS電晶體Ml 的源極和第二 NMOS電晶體M2的漏極的公共連接端的電位V3等於基準電壓V2。當開關信 號VI在第n個周期內，且n (T+TXD)《t《(n+l) T時，即當開關信號VI為低電平時，第一 NMOS電晶體Ml關閉，而第二 NMOS電晶體M2導通，此時第一 NMOS電晶體Ml的源極和第二 NMOS電晶體M2的漏極的公共連接端的電位V3等於0V，可得知第一 NMOS電晶體Ml的源極 和第二NMOS電晶體M2的漏極的公共連接端的電位V3與開關信號VI完全同步且電位V3的 最高電平恆定為基準電壓V2，即電位V3是一個與開關信號VI在時域上同步且高電平為常 數即V2的方波信號，此時佔空比檢測電路1可以等效為一個方波信號V3與第一電阻Rl和 第一電容Cl可構成一個RC迴路，如圖6所示，當第一電阻Rl的阻值和第一電容Cl的電容 值足夠大時，第一電容Cl與第一電阻Rl相連接的一端的電壓可以近似為直流電壓Vc，將該 直流電壓Vc作為輸入給電壓電流轉換電路2的電壓信號Vc，該電壓信號Vc與開關信號VI的佔空比D成線性關係，即存在Vc = V2XD，而與開關信號V1的幅度和頻率均無關係。具 體分析如下令Ud(t)為第一電容Cl上的瞬時電壓，在一個周期內，當nT《t《n(T+TXD) 時，RC迴路為零狀態響應，存在Ud(t) = VCX (1-e—t^)，而當n(T+TXD)《t《(n+l)T時， RC迴路為零輸入響應，存在Ud(t) = VcXe—t氣其中，R和C為RC迴路的時間常數，在此， 時間參數RC的大小應根據晶片所需的Vc電壓的精度和電阻R、電容C在晶片中所佔面積 綜合考慮，由上述兩式可知R和C越大，則Ua (t)變化的越緩慢，Ua (t)的穩態響應可以近 似的看成一個三角波，當R和C大到使Ua (t)的擺幅非常小時，為了方便計算，可以將其近 似為一個直流電壓(即電壓信號)Vc，即在一個周期T內第一電容Cl上的電壓為常數即為
電壓信號VC，因此一個周期T內第一電容Cl的充電電荷2charge-C!x^^x(TxD)，第一 電容C1的放電電荷Olischarge-C!x^xT(l-D)，根據電荷守恆定理，得到Qcharge = Qdischarge，即
C^^^x(TxD)K:!x^xT(1-D)，從而可得到Vc = V2XD，由Vc = V2XD可知電壓信
號Vc與電位V3的佔空比成線性關係，斜率為V2，而電位V3與開關信號VI在時域上完全同 步，因此可知電壓信號Vc與開關信號VI的佔空比D成線性關係，且斜率為V2，上述Q為第 一電容C1的電容值，R為第一電阻R1的電阻值。 在此具體實施例中，電壓電流轉換電路2主要由低壓差線性穩壓器(LDO， lowdropout regulator) 7、第二電阻R2和第一電流鏡4組成，低壓差線性穩壓器7包括運 算放大器U2和第三NMOS電晶體M3，第一 電流鏡4包括第四PM0S電晶體M4和第五PM0S晶 體管M5，運算放大器U2的正輸入端接入電壓信號Vc，運算放大器U2的輸出端與第三NMOS 電晶體M3的柵極相連接，第三NM0S電晶體M3的源極與運算放大器U2的負輸入端相連接， 第三NM0S電晶體M3的源極與運算放大器U2的負輸入端的公共連接端與第二電阻R2的第 一端相連接，第二電阻R2的第二端接地，第三NM0S電晶體M3的漏極分別與第四PM0S晶體 管M4的源極、第四PM0S電晶體M4的柵極及第五PM0S電晶體M5的柵極相連接，第四PM0S 電晶體M4的漏極和第五PM0S電晶體M5的漏極分別接電源，第五PM0S電晶體M5的源極輸 出第一電流信號Ic。電壓電流轉換電路2利用運算放大器U2的深度負反饋得到一個與運 算放大器U2的正輸入端接入的電壓信號Vc相同的電壓Vcl，由運算放大器U2和第三NM0S 電晶體M3構成的低壓差線性穩壓器7的作用就是迫使Vcl = Vc，該電壓Vcl加在第二電阻 R2上得到一個與電壓信號Vc相關的直流電流IM3 d，即流過第三NM0S電晶體M3的漏極的直
流電流lM3j^^"-^"，R2為第二電阻R2的電阻值，直流電流1 31)通過由第四PM0S晶體
管M4和第五PM0S電晶體M5組成的第一電流鏡4得到一個與電壓Vcl成線性關係的直流
補償電流Ic，第一電流鏡4迫使Ic = IM3 D，即有Ic-Im3—d=^ ，將該直流補償電流Ic作為輸
入給斜坡產生電路3的第一電流信號Ic，由於Vc = Vcl，因此第一電流信號Ic與電壓信號 Vc也存在線性關係，第一電流信號Ic也與開關信號VI的佔空比D成線性關係，即根據Vc
TV2xDT V2xD
V2XD和I,Im3一d-^可得到1(:=~^~ ，從^ = ^~可得出第一電流信號Ic與開關十
'、.-
7號V1的佔空比D成線性關係。 在此具體實施例中，斜坡產生電路3主要由第二電流鏡5、第三電流鏡6、第十PM0S
電晶體M10、第i^一 NMOS電晶體Mil及第二電容C2組成，第二電流鏡5包括第六NMOS晶體
管M6和第七NMOS電晶體M7，第三電流鏡6包括第八PMOS電晶體M8和第九PMOS電晶體
M9，第六NM0S電晶體M6的漏極接入第一電流信號Ic，第六NMOS電晶體M6的漏極分別與基
準電流源IB的負極端、第六NMOS電晶體M6的柵極及第七NMOS電晶體M7的柵極相連接，
第六NMOS電晶體M6的源極和第七NMOS電晶體M7的源極分別接地，第七NMOS電晶體M7
的漏極分別與第八PMOS電晶體M8的源極、第八PMOS電晶體M8的柵極及第九PMOS電晶體
M9的柵極相連接，基準電流源IB的正極端、第八PMOS電晶體M8的漏極和第九PMOS電晶體
M9的漏極分別接電源，第九PMOS電晶體M9的源極與第十PMOS電晶體M10的漏極相連接，
第十PMOS電晶體Mll的柵極和第十一NMOS電晶體Mll的柵極分別接入用於控制第二電容
C2的充電時間的時鐘信號Vclock，第十PMOS電晶體M10的源極與第十一 NMOS電晶體Mil
的漏極相連接，第i^一 NMOS電晶體Mll的源極接地，第二電容C2連接於第十PMOS電晶體
M10的源極與第十一 NMOS電晶體Mil的漏極的公共連接端與第十一 NMOS電晶體Mil的源
極之間，第十PMOS電晶體MIO的源極、第十一NMOS電晶體Mll的漏極及第二電容C2的公共
連接端輸出斜坡補償電壓Vramp。由於第一電流信號Ic與電壓信號Vc存在線性關係，且又
因為電壓信號Vc與開關信號Vl的佔空比D存在線性關係，而基準電流源IB的基準電流為
一個常數，在此，基準電流源IB為斜坡產生電路3提供一個固定偏置，其基準電流的大小由
峰值電流控制模式晶片所需斜坡補償大小決定，因此第一電流信號Ic和基準電流源IB疊
加後形成的第二電流信號Ic2(Ic2 = Ic+IB)與開關信號V1的佔空比D也存在線性關係，
第二電流信號Ic2通過由第六NM0S電晶體和第七NM0S電晶體組成的第二電流鏡5及由第
八PMOS電晶體和第九PMOS電晶體組成的第三電流鏡6得到恆定電流(即第二電容C2的充
電電流)Iramp，其中，第二電流鏡5和第三電流鏡的作用就是迫使恆定電流Iramp等於第二
電流信號Ic2。上述時鐘信號Vclock為峰值電流控制模式晶片中的振蕩器的輸出信號，其
在同一個峰值電流控制模式晶片中具有固定的頻率f和佔空比Dclock，當時鐘信號Vclock
為低電平時，第十PMOS電晶體M10導通，第十一NM0S電晶體關閉，斜坡產生電路3以恆定
電流Iramp在一定的時間內給第二電容C2充電即可得到斜坡補償電壓Vramp，其中，充電
時間tl = Dclock/f ;當時鐘信號Vclock為高電平時，第十PMOS電晶體MIO關閉，第i^一
NM0S電晶體導通，第二電容C2通過第i^一 NMOS電晶體以很大的電流放電，在下一個時鐘
周期發生之前放電完畢，其中放電電流與第十一NMOS電晶體的寬長比相關，綜上第二電容
C2上的穩態相應為一個斜坡補償電壓Vramp，且該斜坡補償電壓Vramp可以近似為一個三
，，Iramp xtl Ic2xDclock 角波，Vramp=~^^=~^^ ， c2為第二電容的電容值，即斜坡補償電壓Vramp的
formula see original document page 8
斜率與恆定電流Iramp成線性關係，根據^=^~和Vramp-~^~—=~^^可得
formula see original document page 8
到fxR2xC2 XD+fxC2 ，從V腿P- fxR2xc2 xD+fxC2可得知斜
坡補償電壓Vramp與開關信號VI的佔空比D成線性關係。在同一個峰值電流控制模式晶片中，f、 R2和C2為定值，因此合理調節Vramp- xD+ ^:":叭"中的基準電壓
fxR2xC2 fxC2
V2和基準電流源IB的基準電流的大小，可使晶片在所有佔空比條件下都具有合適的斜坡 補償大小，具有良好的帶載能力和抗電源幹擾能力，實現根據峰值電流控制模式晶片中的 開關信號的佔空比的大小線性調節斜坡補償電壓的斜率的功能。
權利要求
一種線性調節斜坡補償電壓斜率的系統，其特徵在於包括佔空比檢測電路、電壓電流轉換電路、斜坡產生電路和基準電流源，所述的佔空比檢測電路將輸入的開關信號轉換為與所述的開關信號成線性關係的電壓信號，並將所述的電壓信號傳輸給所述的電壓電流轉換電路，所述的電壓電流轉換電路將所述的電壓信號線性的轉換成第一電流信號並輸出，所述的第一電流信號與所述的基準電流源相疊加形成輸入給所述的斜坡產生電路的第二電流信號，所述的斜坡產生電路輸出斜坡補償電壓，所述的斜坡補償電壓與所述的開關信號的佔空比成線性關係。
2. 根據權利要求1所述的一種線性調節斜坡補償電壓斜率的系統，其特徵在於所述的 佔空比檢測電路主要由反相器、第一NMOS電晶體、第二NMOS電晶體、第一電阻和第一電容 組成，所述的反相器的輸入端接入所述的開關信號，所述的反相器的輸出端分別與所述的 第一NM0S電晶體的柵極和所述的第二NMOS電晶體的柵極相連接，所述的第一NMOS電晶體 的漏極接入基準電壓，所述的第一NMOS電晶體的源極與所述的第一電阻的第一端相連接， 所述的第二 NM0S電晶體的漏極與所述的第一電阻的第一端相連接，所述的第二 NM0S晶體 管的源極接地，所述的第一電容連接於所述的第一電阻的第二端與所述的第二NMOS晶體 管的源極之間，所述的第一電阻與所述的第一電容的公共連接端輸出與所述的開關信號成 線性關係的電壓信號。
3. 根據權利要求1或2所述的一種線性調節斜坡補償電壓斜率的系統，其特徵在於所 述的電壓電流轉換電路主要由低壓差線性穩壓器、第二電阻和第一電流鏡組成，所述的低 壓差線性穩壓器包括運算放大器和第三NMOS電晶體，所述的第一電流鏡包括第四PM0S晶 體管和第五PMOS電晶體，所述的運算放大器的正輸入端接入所述的電壓信號，所述的運算 放大器的輸出端與所述的第三NMOS電晶體的柵極相連接，所述的第三NMOS電晶體的源極 與所述的運算放大器的負輸入端相連接，所述的第三NM0S電晶體的源極與所述的運算放 大器的負輸入端的公共連接端與所述的第二電阻的第一端相連接，所述的第二電阻的第二 端接地，所述的第三NM0S電晶體的漏極分別與所述的第四PM0S電晶體的源極、所述的第四 PM0S電晶體的柵極及所述的第五PM0S電晶體的柵極相連接，所述的第四PM0S電晶體的漏 極和所述的第五PM0S電晶體的漏極分別接電源，所述的第五PM0S電晶體的源極輸出所述 的第一電流信號。
4. 根據權利要求3所述的一種線性調節斜坡補償電壓斜率的系統，其特徵在於所述的 斜坡產生電路主要由第二電流鏡、第三電流鏡、第十PMOS電晶體、第i^一 NM0S電晶體及第 二電容組成，所述的第二電流鏡包括第六NM0S電晶體和第七NMOS電晶體，所述的第三電流 鏡包括第八PMOS電晶體和第九PMOS電晶體，所述的第六NMOS電晶體的漏極接入所述的第 一電流信號，所述的第六NMOS電晶體的漏極分別與所述的基準電流源的負極端、所述的第 六NMOS電晶體的柵極及所述的第七NMOS電晶體的柵極相連接，所述的第六NMOS電晶體的 源極和所述的第七NMOS電晶體的源極分別接地，所述的第七NMOS電晶體的漏極分別與所 述的第八PMOS電晶體的源極、所述的第八PMOS電晶體的柵極及所述的第九PMOS電晶體 的柵極相連接，所述的基準電流源的正極端、所述的第八PMOS電晶體的漏極和所述的第九 PMOS電晶體的漏極分別接電源，所述的第九PMOS電晶體的源極與所述的第十PMOS電晶體 的漏極相連接，所述的第十PMOS電晶體的柵極和所述的第十一 NMOS電晶體的柵極分別接 入用於控制所述的第二電容的充電時間的時鐘信號，所述的第十PMOS電晶體的源極與所述的第十一 NMOS電晶體的漏極相連接，所述的第十一NMOS電晶體的源極接地，所述的第二 電容連接於所述的第十PMOS電晶體的源極與所述的第十一NMOS電晶體的漏極的公共連接 端與所述的第十一NMOS電晶體的源極之間，所述的第十PMOS電晶體的源極、所述的第十一 NMOS電晶體的漏極及所述的第二電容的公共連接端輸出所述的斜坡補償電壓。
全文摘要
本發明公開了一種線性調節斜坡補償電壓斜率的系統，通過設置佔空比檢測電路、電壓電流轉換電路和斜坡產生電路，利用佔空比檢測電路將峰值電流控制模式晶片中的開關信號的佔空比轉換為一個與佔空比成線性關係的電壓信號，電壓電流轉換電路把電壓信號線性轉換成第一電流信號，第一電流信號與基準電流源疊加後形成的第二電流信號經斜坡產生電路後得到斜坡補償電壓，實現了根據峰值電流控制模式晶片中的開關信號的佔空比的大小線性的調節斜坡補償電壓的斜率的功能，很好地解決了峰值電流控制模式晶片中在低佔空比時易發生過補償，在高佔空比時易發生欠補償的問題，使得晶片在所有佔空比工作範圍內都具有良好的帶載能力和負載調整能力。
文檔編號H02M3/158GK101795070SQ201010143890
公開日2010年8月4日 申請日期2010年4月2日 優先權日2010年4月2日
發明者曾強 申請人:日銀Imp微電子有限公司