交叉點非易失性存儲器件及其製造方法
2023-05-02 03:54:41 1
專利名稱：交叉點非易失性存儲器件及其製造方法
技術領域：
本發明涉及非易失性存儲器件及其製造方法，更具體涉及交叉點非易失性存儲器件及其製造方法。
背景技術：
非易失性存儲器件不會丟失在其中存儲的數據，即使電源被中斷。因此，非易失性存儲器件正廣泛地用於計算機、移動通信終端、記憶卡等。
快閃記憶體件通常用作非易失性存儲器件。通常，快閃記憶體件包括存儲單元，每個具有層疊的柵極結構。層疊的柵極結構可以包括在溝道區上順序地層疊的隧道氧化物層、浮柵、柵間介質層以及控制柵電極。
最近，已提出了新的非易失性存儲器件，如電阻隨機存取存儲器(電阻RAM)。電阻RAM的基本單元包括具有兩個電極和在兩個電極之間插入的可變電阻材料層的數據存儲元件。可變電阻材料層，即，數據存儲材料層，根據電極之間施加的電信號(電壓或電流)的極性和/或數量具有可逆的電阻變化。
在Hsu等人的、名稱為「Cross-pointResistor Memory Array andMethod of Fabrication」的美國專利公開號US2004/0108528中公開了交叉點電阻RAM。根據該公開內容，採用巨大磁阻(CMR)材料層或高溫超導(HTSC)材料層作為數據存儲材料層。CMR或HTSC材料層的例子是PrCaMnO3(PCMO)層和GdCaBaCO2O5+5層。但是，為了形成材料層，可能需要混合至少四種材料，以及所得材料層的晶體結構可能高度地取決於底下的層。由此，材料層的組合比跨過器件不可能均勻。此外，使用在半導體器件的製造中廣泛地使用的典型光刻和刻蝕工藝可能難以構圖PCMO層或HTSC材料層。而且，根據美國專利公開號US2004/0108528，使用化學機械拋光(CMP)工藝澱積並拋光貴金屬層如鉑(Pt)，銥(Ir)或釕(Ru)，由此形成下電極。但是，由於上述貴金屬在化學上是非常穩定的，因此通過CMP工藝可能難以拋光它們，從而形成下電極。
發明內容
根據本發明的示例性實施例的非易失性存儲器件包括多個第一間隔線和橫跨多個第一間隔線的多個第二間隔線，以在其間限定多個交叉點。在各個交叉點處，在第一和第二間隔線之間串聯連接二極體和二元金屬氧化物非易失性數據存儲介質。在某些實施例中，間隔線包括襯底中的第一導電類型的多個摻雜區，以及二極體包括第一導電類型的摻雜區上的第二導電類型的摻雜區。在某些實施例中，在二極體和二元金屬氧化物之間可以連接電極。
本發明的其他實施例涉及使用二元金屬氧化物層作為數據存儲材料層的交叉點非易失性存儲器件。這些非易失性存儲器件可以包括在襯底中布置的多個間隔摻雜線。多個間隔的上電極橫跨摻雜線，以便在上電極重疊摻雜線的地點形成交叉點。設置多個下電極，其中各個下電極布置在摻雜線和上電極之間的各個交叉點處。在上電極和下電極之間設置二元金屬氧化物數據存儲材料層。在下電極和摻雜線之間設置摻雜區，以及與摻雜線一起形成二極體。摻雜區具有與摻雜線相反的導電性。
在某些實施例中，二元金屬氧化物層可以表示為MxOy的化學式。在此，字符「M」，「O」，「x」和「y」分別指金屬、氧、金屬組成比率、以及氧組成比率，以及金屬「M」可以是過渡金屬和/或鋁(Al)。過渡金屬可以是鎳(Ni)、鈮(Nb)、鈦(Ti)、鋯(Zr)、鉿(Hf)、鈷(Co)、鐵(Fe)、銅(Cu)和/或鉻(Cr)。可以用作數據存儲材料層的二元金屬氧化物的具體例子包括CuO、NiO、CoO、ZnO、CrO2、TiO2、HfO2、ZrO2、Fe2O3和Nb2O5。
在其他實施例中，摻雜區分別可以是布置在摻雜線上的交叉點處的摻雜層圖形。在此情況下，摻雜層圖形可以是摻雜的多晶矽層圖形和/或摻雜的單晶矽層圖形。
在再一實施例中，摻雜線可以是N-型線，以及摻雜層圖形可以是P-型圖形。
在又一實施例中，下電極和上電極可以包括銥層、鉑層、釕層、氧化銥層、氧化釕層、鎢層、氮化鈦層和/或多晶矽層。
在再一實施例中，非易失性存儲器件還可以包括在二元金屬氧化物層和襯底之間的空間中的絕緣層。該絕緣層可以是氧化矽層、氮化矽層和/或氮氧化矽層。
本發明的其他實施例提供使用二元金屬氧化物層作為數據存儲材料層製造非易失性存儲器件的方法。這些方法包括在襯底中形成多個間隔的摻雜線。在摻雜線上形成多個摻雜區，以及在摻雜區上形成多個下電極。這裡，摻雜區與摻雜線接觸以及具有與摻雜線相反的導電性。在下電極上形成二元金屬氧化物層。在二元金屬氧化物層上形成多個間隔的上電極，以便上電極重疊下電極以及交叉摻雜線。
在某些實施例中，摻雜線的形成可以包括，在襯底上形成具有線狀開口的掩模圖形；以及使用掩模圖形作為離子注入掩模，將雜質離子注入襯底中。
在其他實施例中，摻雜區和下電極的形成可以包括，在具有摻雜線的襯底上形成摻雜層，摻雜層具有與摻雜線相反的導電性；在摻雜層上形成下導電層；以及順序地構圖下導電層和摻雜層。
在再一實施例中，當摻雜線由N-型雜質離子形成時，摻雜層可以由P-型雜質離子形成。
在又一實施例中，摻雜層可以是摻雜的多晶矽層和/或摻雜的單晶矽層。
在又一實施例中，下電極和上電極可以包括銥層、鉑層、釕層、氧化銥層、氧化釕層、鎢層、氮化鈦層和/或多晶矽層。
在再一實施例中，在形成二元金屬氧化物層之前，可以在襯底上形成絕緣層，以覆蓋摻雜區和下電極，以及被平整，以露出下電極。在此情況下，可以在下電極上和在平整的絕緣層上形成二元金屬氧化物層。
在又一其他實施例中，二元金屬氧化物層可以表示為MxOy的化學式。在此，字符「M」，「O」，「x」和「y」分別指金屬、氧、金屬組成比率以及氧組成比率，以及金屬「M」可以是過渡金屬和/或鋁。過渡金屬可以是鎳、鈮、鈦、鋯、鉿、鈷、鐵、銅或鉻。如上所述可以提供具體例子。
圖1是根據本發明的實施例的電阻RAM器件的平面圖；以及圖2A、2B、3A、3B、4A、4B、5A、5B、6A和6B是說明根據本發明的實施例製造電阻RAM器件的方法的剖面圖。
具體實施例方式
在下文中參考附圖更完全地描述本發明，其中示出本發明的優選實施例。但是，本發明可以以許多不同的形式體現，不應該被認為是局限於在此闡述的實施例。相反地，提供這些實施例是為了本公開是徹底的和完全的，並將本發明的範圍完全傳遞給所屬領域的技術人員。而且，在此描述和說明的每個實施例也包括其互補導電類型的實施例。在整篇中，相同的數字始終指相同的元件。
應當理解當元件被稱為「連接到」、「響應」、「響應於」其它元件時，它可以被直接連接、響應或響應於其他元件，或可以存在插入元件。相反，術語「直接」意味著不存在插入元件。在此使用的術語「和/或」包括一個或多個相關列項的任意和所有組合以及可以省略為「/」。
還應當理解，在此使用的術語「行」或「水平」和「列」或「垂直」表示互相可以垂直的兩個非平行方向。但是，這些術語不要求如圖所示的絕對或垂直方向。
應當理解儘管在此可以使用了術語第一和第二等描述各個元件，但是這些元件不應該受這些術語限制。這些術語僅僅用來使一個元件與其它元件相區別。例如，在不脫離公開內容的教導條件下，下面論述的第一線可以稱為第二線，同樣，第二線可以稱為第一線。
為了便於描述，在此可以使用空間相對術語，如「在...底下」，「在...下面」，「下」，「在...之上」，「上」等來描述一個元件和/或部件與圖中所示的另一(些)元件和/或部件的關係。應當理解空間相對術語是用來包括除圖中描繪的取向之外的使用或操作中器件的不同取向。例如，如果圖中的器件被翻轉，那麼描述為在其他元件或部件「下面」和/或「底下」的元件將定向在其他元件或部件「之上」。因此，例子術語「在...之下」可以包括「在...之上」和「在...之下」的兩種取向。器件可以被另外定向(旋轉90度或其他取向)，由此解釋在此使用的空間相對描述詞。
在此使用的專業詞彙是僅僅用於描述特定的實施例而不打算限制本發明。如在此使用的單數形式「a」，「an」和「the」同樣打算包括複數形式，除非上下文另外清楚地表明。還應當理解，在該說明書中使用術語「comprises」和/或「comprising」或「includes」和/或「including」時，說明所述部件、區域、整體、步驟、操作、元件和/或組件的存在，但是不排除存在或添加一個或多個其他部件、區域、整體、步驟、操作、元件、組件和/或其組。
除非另外限定，在此使用的所有術語(包括技術和科學術語)具有與本發明所屬領域的普通技術人員通常理解相同的意思。還應當理解如在通常使用的詞典中定義的那些術語應該解釋為具有符合相關技術和本公開的環境中的意思且不被理想化解釋或過度地形式感知，除非在此被清楚地限定。
圖1是根據本發明的示例性實施例的電阻RAM器件的平面圖，以及圖2A、2B、3A、3B、4A、4B、5A、5B、6A和6B是說明根據本發明的示例性實施例製造電阻RAM器件的方法的剖面圖，以及由此形成的器件。詳細地，圖2A，3A，4A，5A和6A是沿圖1的線I-I′的剖面圖，以及圖2B，3B，4B，5B和6B是沿圖1的線II-II′的剖面圖。
參考圖1，6A和6B，多個間隔的，以及在某些實施例中，平行的摻雜線106被布置在襯底，如半導體襯底100中。摻雜線106可以是由N-型雜質離子，如砷(As)離子或磷(P)離子形成的擴散層。摻雜線106可以被設置為電阻RAM器件的位線。橫跨摻雜線106布置多個間隔的，以及在某些實施例中，平行的，上電極116。上電極116在其中形成摻雜線106的半導體襯底100的表面上彼此以預定距離隔開。上電極116橫跨摻雜線106，以便在上電極116重疊摻雜線106的各個區域中可以形成交叉點「C」。上電極116可以被設置為電阻RAM器件的字線。在本發明的某些實施例中，當從平面圖觀察時，上電極116可以分別與摻雜線106成90。的角度。上電極116可以由貴金屬層、貴金屬氧化物層、鎢層、氮化鈦層和/或多晶矽層形成。在此情況下，貴金屬層可以是銥層、鉑層和/或釕層。此外，貴金屬氧化物層可以是氧化銥層和/或氧化釕層。
在摻雜線106和上電極116之間的交叉點「C」處布置具有與摻雜線106相反導電性的摻雜區108′。當摻雜線106由如上所述的N-型雜質離子形成時，摻雜區108′可以用P-型雜質離子，如硼(B)離子來摻雜。摻雜區108′分別製成具有摻雜線106的P-N結。換句話說，摻雜區108′在交叉點「C」處分別形成具有摻雜線106的多個P-N結二極體。在本發明的某些實施例中，摻雜區108′分別可以是在摻雜線106上的交叉點「C」處布置的摻雜層圖形。下面，參考數字108′將指摻雜層圖形。摻雜層圖形108′可以是摻有P-型雜質離子的多晶矽層圖形和/或摻有P-型雜質離子的單晶矽層圖形。在摻雜層圖形108′上分別布置下電極110′。下電極110』可以由貴金屬層、貴金屬氧化物層、鎢層、氮化鈦層和/或多晶矽層形成。在此情況下，貴金屬層可以是銥層、鉑層和/或釕層。此外，貴金屬氧化物層可以是氧化銥層和/或氧化釕層。
具有摻雜層圖形108′和下電極110′的半導體襯底100覆有絕緣層112。在某些實施例中，絕緣層112填充摻雜層圖形108′之間和下電極110′之間的空間，以及露出下電極110′的各個頂表面。絕緣層112可以由具有好的填隙性能的材料形成，例如，氧化矽、氮化矽和/或氮氧化矽。
在下電極110′上和在絕緣層112上布置二元金屬氧化物層114。二元金屬氧化物層114被插入在下電極110′和上電極116之間，如圖6A和6B所示，並充當電阻RAM器件的數據存儲材料層。二元金屬氧化物層114可以表示為MxOy的化學式。在該式子中，字符「M」、「O」、「x」以及「y」分別指的是金屬、氧、金屬組成比率以及氧組成比率。金屬「M」可以是過渡金屬和/或鋁(Al)。在此情況下，過渡金屬可以是鎳(Ni)、鈮(Nb)、鈦(Ti)、鋯(Zr)、鉿(Hf)、鈷(Co)、鐵(Fe)、銅(Cu)和/或鉻(Cr)。可以用作數據存儲材料層的二元金屬氧化物的具體例子包括CuO、NiO、CoO、ZnO、CrO2、TiO2、HfO2、ZrO2、Fe2O3和Nb2O5。如上所述，根據本發明的示例性實施例的電阻RAM器件採用二元金屬氧化物層114作為數據存儲材料層。二元金屬氧化物層114具有可逆變化的電阻，在小於3V的電壓下可以被檢測。此外，可以通過半導體器件的製造中使用的常規光刻和刻蝕工藝來構圖二元金屬氧化物層114。而且，根據本發明的其他實施例，包括摻雜層圖形108′和摻雜線106的二極體分別被布置為，在交叉點「C」處，與下電極110′接觸。二極體可以用來減小或防止漏電流流到鄰近於選擇單元的其他單元，以便開關電流和電壓僅僅被施加到該選擇單元。結果，根據本發明的某些實施例的電阻RAM器件在單元之間可能幾乎沒有串擾，以及可能消耗小的功率。
下面，將描述根據本發明的實施例製造電阻RAM器件的方法。
參考圖1、2A和2B，在半導體襯底100上形成多個間隔的，以及在某些實施例中，平行的，掩模圖形102。在某些實施例中，以線形形成每個掩模圖形102，以及在掩模圖形102之間形成開口102′，以露出半導體襯底100的部分表面。掩模圖形102，可以是，例如氧化矽層圖形。換句話說，可以通過在半導體襯底100上澱積氧化矽層以及使用光刻和刻蝕工藝構圖氧化矽層形成掩模圖形102。接下來，使用掩模圖形102作為離子注入掩模將雜質離子104注入半導體襯底100。因此，在半導體襯底100中形成多個摻雜線106。雜質離子104可以是N-型雜質離子，如As離子或P離子。
參考圖1、3A和3B，掩模圖形102被除去。當掩模圖形102由氧化矽層形成時，可以通過使用含HF蝕刻劑的溼法刻蝕工藝除去掩模圖形102。此後，在具有摻雜線106的半導體襯底100上順序地形成摻雜層108和下導電層110。摻雜層108可以是摻有P-型雜質離子(例如，B離子)的多晶矽層和/或摻有P-型雜質離子的單晶矽層。在形成作為摻雜層108的摻雜多晶矽層中，可以在使用化學氣相澱積(CVD)工藝形成多晶矽層的過程中，就地摻雜P-型雜質離子。在其他實施例中，可以在形成多晶矽層之後，使用擴散摻雜工藝和/或離子注入工藝摻雜P-型雜質離子。在形成作為摻雜層108的摻雜單晶矽層中，可以在使用CVD工藝在具有摻雜線106的半導體襯底100上外延地生長單晶矽層的同時，由雜質源，如乙硼烷(B2H6)源就地摻雜P-型雜質離子。在其他實施例中，可以在形成單晶矽層之後，使用擴散摻雜工藝和/或離子注入工藝摻雜P-型雜質離子。
由於在後續退火工序過程中下導電層110被氧化，下導電層110和其相鄰的材料層之間的界面性能可能被損壞，因此下導電層110可以由抗氧化的金屬形成。下導電層110可以是銥層、鉑層、釕層、氧化銥層和/或氧化釕層。在其他實施例中，下導電層110可以是鎢層、氮化鈦層和/或多晶矽層。
參考圖1、4A和4B，下導電層110和摻雜層108被構圖，由此形成順序地層疊在摻雜線106上的摻雜層圖形108′和下電極110′。在某些實施例中，當從平面圖觀察時，摻雜層圖形108′和下電極110′分別可以基本上具有矩形形狀。摻雜層圖形108′分別與摻雜線106一起構成二極體。
參考圖1、5A和5B，形成絕緣層112，以覆蓋摻雜層圖形108，和下電極110′。此外，在某些實施例中，形成絕緣層112，以填充摻雜層圖形108′之間和下電極110′之間的空間。絕緣層112可以由具有好的填隙性能的材料形成，例如，氧化矽、氮化矽和/或氮氧化矽。此後，絕緣層112被平整，以便下電極110′的各個頂表面被露出。絕緣層112的平面化可以使用化學機械拋光(CMP)工藝來執行。如上所述，根據本發明的示例性實施例，在形成摻雜層圖形108′和下電極110′之後，接著用絕緣層112覆蓋它們。結果，由於沒有必要使用CMP工藝拋光下電極110′，甚至可以使用貴金屬形成下電極110′。此外，在通過CMP工藝拋光絕緣層112的同時，下電極110′可以用作拋光停止層，因此可以不必設置附加的拋光停止層。
接著，形成二元金屬氧化物層114，以覆蓋絕緣層112和由絕緣層112露出的下電極110′的頂表面。二元金屬氧化物層114可以表示為MxOy的化學式。在該式子中，字符「M」、「O」、「x」以及「y」分別指的是金屬、氧、金屬組成比率以及氧組成比率。金屬「M」可以是過渡金屬和/或鋁(Al)。在此情況下，過渡金屬可以是鎳(Ni)、鈮(Nb)、鈦(Ti)、鋯(Zr)、鉿(Hf)、鈷(Co)、鐵(Fe)、銅(Cu)和/或鉻(Cr)。二元金屬氧化物層114可以通過使用濺射工藝在絕緣層112和下電極110′上形成金屬「M」層以及使用O2等離子體處理工藝氧化金屬「M」層來製成。在此情況下，可以就地執行O2等離子體處理工藝。在另一情況中，可以通過O2反應濺射工藝、CVD工藝和/或原子層澱積(ALD)工藝形成二元金屬氧化物層114。可以用作數據存儲材料層的二元金屬氧化物的具體例子包括CuO、NiO、CoO、ZnO、CrO2、TiO2、HfO2、ZrO2、Fe2O3和Nb2O5。
參考圖1、6A和6B，在二元金屬氧化物層114上形成多個間隔的，以及在某些實施例中，平行的，上電極116，以便上電極重疊下電極114並橫跨摻雜線106。為了形成上電極116，可以在二元金屬氧化物層114上形成上導電層(未示出)然後構圖。上電極116橫跨摻雜線106，以便在上電極116重疊摻雜線106的各個區域中可以形成交叉點「C」。在交叉點「C」處分別布置摻雜層圖形108′和下電極110′。如下電極110′，上電極116可以由銥層、鉑層、釕層、氧化銥層和/或氧化釕層形成。在另一情況中，上電極116可以由鎢層、氮化鈦層和/或多晶矽層形成。在上電極116和下電極110′之間插入的部分二元金屬氧化物層114被設為電阻RAM器件的數據存儲材料層。
如上所述，本發明的實施例可以提供使用二元金屬氧化物層作為數據存儲材料層的交叉-點非易失性存儲器件。根據本發明的示例性實施例，可以提供可以在低電壓下穩定地工作的高度集成的電阻RAM器件。
此外，在電阻RAM器件的各個單元中形成二極體，可以減小由漏電流引起的相鄰單元之間的串擾以及也可以減小功耗。
在附圖和說明書中，已公開了本發明的實施例，儘管使用了特定術語，但是它們僅僅用於一般性和描述性意義，並非用於限制，本發明的範圍將闡述在下面的權利要求中。
權利要求
1.一種非易失性存儲器件，包括布置在襯底中的多個間隔的摻雜線；橫跨摻雜線以便在上電極重疊摻雜線的位置形成交叉點的多個間隔的上電極；多個下電極，其中各個下電極布置在摻雜線和上電極之間的各個交叉點處；上電極和下電極之間的二元金屬氧化物數據存儲材料層；以及在下電極和摻雜線之間以及與摻雜線一起形成二極體的摻雜區，摻雜區具有與摻雜線相反的導電性。
2.根據權利要求1的器件，其中二元金屬氧化物層表示為化學式MxOy，其中字符「M」，「O」，「x」和「y」分別指金屬、氧、金屬組成比率以及氧組成比率，以及金屬「M」是過渡金屬和/或鋁。
3.根據權利要求2的器件，其中過渡金屬包括鎳、鈮、鈦、鋯、鉿、鈷、鐵、銅和/或鉻。
4.根據權利要求1的器件，其中摻雜區分別是在摻雜線上的交叉點處布置的摻雜層圖形。
5.根據權利要求4的器件，其中摻雜線是N-型線，以及摻雜層圖形是P-型圖形。
6.根據權利要求4的器件，其中摻雜層圖形是摻雜的多晶矽層圖形和/或摻雜的單晶矽層圖形。
7.根據權利要求1的器件，其中下電極包括銥層、鉑層、釕層、氧化銥層、氧化釕層、鎢層、氮化鈦層和/或多晶矽層。
8.根據權利要求1的器件，其中上電極包括銥層、鉑層、釕層、氧化銥層、氧化釕層、鎢層、氮化鈦層和/或多晶矽層。
9.根據權利要求1的器件，還包括二元金屬氧化物層和襯底之間的空間中的絕緣層。
10.根據權利要求9的器件，其中絕緣層包括氧化矽層、氮化矽層和/或氮氧化矽層。
11.一種製造非易失性存儲器件的方法，包括在襯底中形成多個間隔的摻雜線；形成多個摻雜區和在摻雜區上形成多個下電極，摻雜區與摻雜線接觸，以及具有與摻雜線相反的導電性；在下電極上形成二元金屬氧化物層；以及在二元金屬氧化物層上形成多個間隔的上電極，以便上電極重疊下電極以及交叉摻雜線。
12.根據權利要求11的方法，其中形成摻雜線包括在襯底上形成具有線形開口的掩模圖形；以及使用掩模圖形作為離子注入掩模，將雜質離子注入半導體襯底中。
13.根據權利要求12的方法，其中雜質離子是N-型雜質離子。
14.根據權利要求11的方法，其中形成摻雜區和下電極包括在具有摻雜線的襯底上形成摻雜層，摻雜層具有與摻雜線相反的導電性；在摻雜層上形成下導電層；以及順序地構圖下導電層和摻雜層。
15.根據權利要求14的方法，其中當摻雜線包括N-型雜質離子時，摻雜層包括P-型雜質離子。
16.根據權利要求14的方法，其中摻雜層包括摻雜的多晶矽層和/或摻雜的單晶矽層。
17.根據權利要求11的方法，其中下電極包括銥層、鉑層、釕層、氧化銥層、氧化釕層、鎢層、氮化鈦層和/或多晶矽層。
18.根據權利要求11的方法，其中在形成二元金屬氧化物層之前執行下列步驟在襯底上形成絕緣層包括在摻雜區上和在下電極上；以及平整絕緣層，以露出下電極；以及其中在下電極上和在平整的絕緣層上形成二元金屬氧化物層。
19.根據權利要求11的方法，其中二元金屬氧化物層表示為MxOy的化學式，其中字符「M」，「O」，「x」和「y」分別指金屬、氧、金屬組成比率以及氧組成比率，以及金屬「M」是過渡金屬和/或鋁。
20.根據權利要求19的方法，其中過渡金屬包括鎳、鈮、鈦、鋯、鉿、鈷、鐵、銅和/或鉻。
21.根據權利要求11的方法，其中上電極包括銥層、鉑層、釕層、氧化銥層、氧化釕層、鎢層、氮化鈦層和/或多晶矽層。
22.一種非易失性存儲器件，包括多個第一間隔線；多個第二間隔線，橫跨多個第一間隔線，以在其間限定多個交叉點；以及在各個交叉點處，在第一和第二間隔線之間串聯連接二極體和二元金屬氧化物非易失性數據存儲介質。
23.根據權利要求22的器件，其中多個間隔線包括襯底中的第一導電類型的多個摻雜區，以及其中二極體包括第一導電類型的摻雜區上的第二導電類型的摻雜區。
24.根據權利要求23的器件，還包括各個二極體和二元金屬氧化物之間的電極。
全文摘要
一種使用二元金屬氧化物層作為數據存儲材料層的交叉點非易失性存儲器件，包括在襯底中布置的間隔摻雜線。多個間隔的上電極橫跨摻雜線，以便在上電極重疊摻雜線的地點形成交叉點。下電極被布置在摻雜線和上電極之間的交叉點處。二元金屬氧化物層被設置在上電極和下電極之間，以及被設為數據存儲材料層。摻雜區被設置在下電極和摻雜線之間，以及與摻雜線一起形成二極體。摻雜區具有與摻雜線相反的極性。
文檔編號H01L21/82GK1812096SQ20051012045
公開日2006年8月2日 申請日期2005年11月10日 優先權日2004年11月10日
發明者白寅圭, 李文淑 申請人:三星電子株式會社