摺疊腔自拉曼倍頻全固體黃光雷射器的製作方法
2023-05-23 22:56:21
專利名稱：摺疊腔自拉曼倍頻全固體黃光雷射器的製作方法
技術領域：
本發明涉及一種固體雷射器，特別是一種摺疊腔自拉曼倍頻全固體黃光雷射器。(二) 背景技術雷射技術是二十世紀的重大發明之一，現已廣泛用於工業生產、通訊、信息處理、醫療 衛生、軍事、文化教育以及科學研究等各個領域。隨著半導體雷射二極體技術的重大突破， 固體雷射器得到強勁的發展，其應用領域不斷地擴展。利用LD泵浦的全固體雷射器是一種 高效、穩定、、光束質量好、長壽命、結構緊湊的第二代新型固體雷射器，已成為雷射學科 的重點發展方向之一，在空間通訊，光纖通信，大氣研究，環境科學，醫療器械，光學圖象 處理，雷射印表機等高科技領域有著獨具特色的應用前景。黃光波段的雷射可以治療皮膚血管瘤、鮮紅斑痣、毛細血管擴張、酒渣鼻及蜘蛛痣等， 在雷射醫療領域有廣泛的應用。黃光雷射可以作為鈉信標光源，在軍事、氣象領域有重要應 用。黃光雷射器在光譜學、信息存儲、雷射雷達等領域也有廣泛的應用。目前，由LD泵浦 的全固化雷射器通過腔內倍頻產生紅光、綠光、藍光的研究已經比較成熟，但是，用LD泵 浦的微型雷射器產生黃光波段的雷射比以上幾個波段都困難，這是因為當前的激活離子沒有 足夠大受激發射截面的譜線使得可以通過直接倍頻產生黃光。目前，國外已經有關於固體黃光雷射器的報導。他們主要採用兩種方式來實現 一是採 用將兩束光禾口頻的方法 (Intracavity sum-frequency generation of 3. 23 W continuous-wave yellow light in an Nd:YAG laser,《0ptics Comraunications》，Vol. 255, 2005, 248-252)， 二是使用倍頻拉曼光的技術。和頻的方法具有體積大，功率低，轉換效率 差，結構不穩定，難以實現等缺點；倍頻拉曼光的方法比和頻的方法簡單，但是目前世界上 多是採用腔外倍頻拉曼光的方法(Low threshold, diode end-pumped Nd3+:GdV04 self-Raman laser,《Optical Materials》，Vol. 29, 2007， 1817-1820)和腔內倍頻連續拉曼光的方法 (Efficient all-solid-state yellow laser source producing 1. 2-沐average power, 《0ptics Letters》，Vol. 24， 1999, 1490-1492; All-solid-state 704 mW continuous-wave yellow source based on an intracavity, frequency-doubled crystalline Raman laser, 《0ptics Letters》，Vol. 32, 2007， 1114-1116)。腔外倍頻拉曼光的方法由於腔外拉曼光 的功率低導致倍頻效率差，輸出的黃光功率低；而腔內倍頻連續拉曼光的方法則由於基頻光 的峰值功率低，轉換成拉曼光的效率差，也不能獲得高功率的黃光輸出。(三) 發明內容為克服現有技術的缺陷，以實現體積小、成本低、功率高、結構穩定的黃光雷射器，本 發明提供一種摺疊腔自拉曼倍頻全固體黃光雷射器。一種摺疊腔自拉曼倍頻全固體黃光雷射器，包括雷射二極體(LD)泵浦源、諧振腔，諧 振腔由後腔鏡、45度鏡和全反鏡組成，其特徵在於諧振腔的後腔鏡和45度鏡中間放置自拉 曼晶體和調Q裝置，45度鏡和全反鏡中放置倍頻晶體；自拉曼晶體、調Q裝置和倍頻晶體 均由冷卻裝置對其進行溫度控制；由雷射二極體LD泵浦源產生的泵浦光耦合進入自拉曼晶 體並轉換成基頻光，產生的基頻光在自拉曼晶體處由於拉曼效應的作用發生受激拉曼散射而 產生拉曼光，拉曼光在倍頻晶體中完成倍頻過程，產生黃光並由45度鏡輸出。所述的雷射二極體LD泵浦源可以是LD端面泵浦源，它包括驅動電源、雷射二極體、冷 卻裝置、光纖和耦合透鏡組；也可以是LD側面泵浦源，它包括驅動電源、LD側面泵浦模塊、 冷卻裝置。3所述的諧振腔在LD側面泵浦情況下諧振腔內的側面泵浦模塊及自拉曼晶體和調Q開關 的相對位置可相互調換。所述的自拉曼晶體可以是摻釹(Nd)或摻鐿(Yb)的下列晶體的一種鴿酸鹽類(KGd(WO丄， BaW04， SrW04， Pb(W04)2、 KLu(W0j2等)、釩酸鹽類(YV04, GdV04等)、硝酸鹽類(Ba(N0j2等)， 碘酸鹽類(Lil03等)；也可以是鍵合晶體釩酸釔/摻釹釩酸釔(YV04/Nd:YV04)。所述的自拉曼晶體的摻雜濃度當摻釹時為0.05-at. %至3-at. %;摻鐿時為0. 05_at. %至10-at. %。所述的自拉曼晶體在LD端面泵浦情況下，其兩個端面均鍍有泵浦光波段及1000 nm— 1200 nm波段的增透膜；在LD側面泵浦情況下，其兩個端面均鍍有1000 nm—1200 nm波段 的增透膜。所述的自拉曼晶體可根據需要沿不同方向和角度切割，這樣可以有效的提高雷射器的性能。所述的調Q裝置可以是電光調Q裝置、聲光調Q裝置和可飽和吸收體被動調Q裝置中的 一種；聲光調Q裝置由射頻輸入裝置和調Q晶體組成，調Q晶體的兩端面均鍍有1000 nm— 1200 nm波段的增透膜；調製頻率為1一50 KHz，通過輸入射頻波改變調Q晶體的密度，來 實現周期性改變雷射諧振腔閾值的目的，起到調Q開關作用；電光調Q裝置由電光晶體和驅 動電源組成，利用晶體的電光效應，對通過其中的雷射的相位產生調製，進而改變偏振態， 完成開、關門過程；可飽和吸收體是利用材料的激發、躍遷特性，受激吸收時關門、向下躍 遷時開門，以此完成對雷射的開、關門控制。所述的冷卻裝置有兩種方式循環水冷卻——晶體側面均用帶有管道的金屬塊包住，金 屬塊的管道內持續通有循環冷卻水，用來給晶體降低溫度；半導體製冷——晶體側面被半導 體製冷塊包圍。所述的倍頻晶體可以是磷酸鈦氧鉀KTP、三硼酸鋰LBO等；倍頻晶體的兩端鍍有1000 nm 一1200 mn波段的增透膜。倍頻晶體可根據相位匹配及其他需要沿不同方向和角度切割，這 樣可以有效的改善雷射器的性能，提高雷射器的輸出功率。所述的諧振腔內的後腔鏡在LD端面泵浦時鍍有泵浦光波長的增透膜和對IOOO nm—1200 nm波段的反射率大於90X的反射膜；在LD側面泵浦時鍍有對1000 nm—1200 nm波段的反 射率大於90%的反射膜；45度鏡鍍有在1000nm—1200nni波段反射率大於90X的反射膜， 並且該膜對波長為590 nm的光透過範圍大於80%;全反鏡鍍有在1000 nm—1200 nra波段反 射率大於90%的反射膜，並且該膜對590 rra附近的黃光具有大於90X的反射率。所述的諧振腔的腔長為5 cm—50 cm，諧振腔的後腔鏡和輸出鏡的曲率半徑可根據實際 情況選擇。本發明中的所有晶體的長度均可以根據具體要求進行選取；晶體的端面形狀和面積可以 根據光束截面的面積來確定。由於拉曼效應為三階的非線性效應，需要基頻光具有高的峰值功率，所以我們在雷射器 中使用調Q裝置，這樣可以有效增加基頻光的峰值功率，從而提高基頻光到拉曼光的轉換效 率，有效的改善了雷射器的性能。雷射器的工作流程如下LD泵浦源發出的泵浦光耦合進入自拉曼晶體，當調Q裝置 的調Q開關關閉時，泵浦光轉為反轉粒子存儲起來；當Q開關打開時，積攢的大量反轉粒子 瞬間通過受激輻射轉為基頻光，同時由於自拉曼晶體的拉曼效應，基頻光在自拉曼晶體出轉 換為拉曼光；拉曼光在倍頻晶體處完成倍頻過程轉為黃光，並由45度鏡輸出。本發明使用一塊自拉曼晶體既做雷射增益介質又做拉曼介質，採用內腔式自拉曼的方 法，並在腔內使用倍頻晶體倍頻拉曼光，成功獲得了黃色雷射。本發明採用了調Q技術，充 分利用了基頻調Q脈衝的高峰值功率和腔內拉曼光的高功率密度，改善了雷射器的性能，解 決了上述雷射器的各種缺點，提供了一種新的小體積，穩定性好的全固體黃光雷射器，本發明雷射器與背景技術中的相比具有更高的輸出功率和轉換效率，並且體積小、性能穩定、成本低。(四)
圖1是本發明雷射二極體LD端面泵浦源的光路結構示意圖，圖2是本發明雷射二極體 LD側面泵浦源的光路結構示意圖。其中l.雷射二極體，2.光纖，3.耦合透鏡，4.後腔鏡，5.自拉曼晶體，6.調Q裝 置，7. 45度鏡，8.倍頻晶體，9.全反鏡，IO.LD側面泵浦模塊，11.冷卻裝置。
具體實施方式
實施例1:本發明實施例1如圖1所示，包括雷射二極體LD端面泵浦源、諧振腔；諧振腔由後腔 鏡4、 45度鏡7和全反鏡9組成，自拉曼晶體5選摻釹釩酸釓Nd:GdV04晶體，調Q裝置6 為聲光調Q裝置，倍頻晶體8選用磷酸鈦氧鉀KTP晶體。後腔鏡4和45度鏡7中放置自拉 曼晶體5和聲光調Q裝置6， 45度鏡7和全反鏡9中放置倍頻晶體8;自拉曼晶體5、聲光 調Q裝置6和倍頻晶體8側面均用帶有管道的金屬塊圍住，金屬塊內的管道持續通有循環冷 卻水，用來給晶體降低溫度。泵浦源包括雷射二極體1、光纖2和耦合透鏡3，泵浦光經光纖2和耦合透鏡3進入諧 振腔；泵浦源的輸出波長為808 nra，最大泵浦功率為30 W,光纖的纖芯半徑為400 y m， 數值孔徑為0. 22。諧振腔的腔長為15 cm。自拉曼晶體5摻釹釩酸釓Nd:GdV04晶體，尺寸為3X3X15 ram3，摻雜濃度為0. 2-at. %， 沿物理學定義的c軸方向切割，晶體的兩端面均鍍有1000 nni—1200 nm波段的增透膜(透 過率大於99. 8%);作用是產生基頻光並通過受激拉曼散射的作用將基頻光轉換為拉曼光。聲光調Q裝置6由射頻輸入裝置和調Q晶體組成，調Q晶體的長度為35 mm，兩端面均鍍有1000 nm—1200 nm波段的增透膜(透過率大於99. 8% );調製頻率為15 KHz，通過輸入射頻波改變調Q晶體的密度，來實現周期性改變雷射諧振腔閾值的目的，起到調Q開關作 用。倍頻晶體8磷酸鈦氧鉀KTP晶體，尺寸為3X3X6 mm3，晶體的兩端面均鍍有1000 nm _1200 nm波段的增透膜(透過率大於99. 8% ),並且對587 nm波長的光高透(透過率大於 92%);為了滿足晶體在20度時的相位匹配條件，我們將KTP晶體沿9=68.7度，4>=0度角度切割。後腔鏡4為凹面鏡，曲率半徑為3000咖，鍍有808 nra波長的增透膜和1000 nm—1200 nm波段的高反膜(反射率大於99.5%)。45度鏡為平鏡鍍有1000 nm—1200 nm波段的高反膜(對1064 nm波長的反射率R>99. 8%， 對1180 nm波長的反射率R-90.8X)，並且該膜對波長為590 nm的光高透(T=90%)。全反鏡9為平鏡，鍍有1000 nm—1200 nm波段的高反膜(對1064 nm波長的反射率 R〉99.8%，對1180 nm波長的反射率R=90.8%)，並且該膜對波長為590 nm的光高反(R= 90%)。雷射器的工作流程雷射二極體1發出808 nm波長的泵浦光經光纖2和耦合透鏡3進 入摻釹釩酸釓Nd:GdV04晶體中，當聲光調Q開關6關閉時，泵浦光轉為反轉粒子存儲起來； 當Q開光打開時，積攢的大量反轉粒子通過受激輻射瞬間轉為1063 nm基頻光；具有較高峰 值功率的基頻光在摻釹釩酸釓Nd:GdV04晶體處，由於受激拉曼散射的作用轉為1173 nm拉曼 光，在KTP倍頻晶體8處由於倍頻效應轉換為587 nm黃光，經全反鏡9反射後並由45度鏡7輸出。實施例2:本發明實施例2如圖2所示，包括雷射二極體LD側面泵浦模塊10、諧振腔；諧振腔由後腔鏡4、 45度鏡7和全反鏡9組成，自拉曼晶體5為摻釹鎢酸鋇Nd:BaW(X晶體，調Q裝置 6是聲光調Q裝置，倍頻晶體8選用磷酸鈦氧鉀KTP晶體。後腔鏡4和45度鏡7中放置LD 側面泵浦模塊10及自拉曼晶體5和聲光調Q裝置6， 45度鏡7和全反鏡9中放置倍頻晶體 8;上述晶體側面均用帶有管道的金屬塊圍住，金屬塊內的管道持續通有循環冷卻水，用來 給晶體降低溫度。所述的雷射二極體LD側面泵浦模塊10是由波長為808nm附近的LD側泵雷射頭(最高 功率180W)、驅動電源和水冷箱組成的。 諧振腔的腔長為13 cm。自拉曼晶體5摻釹鎢酸鋇Nd:BaW(X晶體，尺寸為5X5X46. 6 mm3，摻雜濃度為1. 2_at. %，兩個端面均鍍有IOOO nm—1200 nm波段的增透膜(透過率大於99. 8% )。聲光調Q裝置6由射頻輸入裝置和調Q晶體組成，調Q晶體的長度為35mm，兩端面均 鍍有1000 nm—1200 nm波段的增透膜(透過率大於99. 8% );調製頻率為10 KHz,通過輸 入射頻波改變調Q晶體的密度，來實現周期性改變雷射諧振腔閾值的目的，起到調Q開關作 用。倍頻晶體8磷酸鈦氧鉀KTP晶體，尺寸為3X3X6 mm3,晶體的兩端面均鍍有1000 nm 一1200 nm波段的增透膜(透過率大於99. 8% )，並且對587 nm波長的光高透(透過率大於 92%);為了滿足晶體在溫度為20度時的相位匹配條件，我們將KTP晶體沿0=68.7度， *=0度角度切割。後腔鏡4為薄凸透鏡，曲率半徑為800 mm,鍍有1000 nm—1200 mn波段的高反膜(反 射率大於99.5%)。45度鏡為平鏡鍍有1000 nm—1200 nm波段的高反膜(對1064 ran波長的反射率R>99. 8%, 對1180 nm波長的反射率R二90.8X)，並且該膜對波長為590 nra的光高透(T=90%)。全反鏡9為平鏡，鍍有1000 nm—1200 nm波段的高反膜(對1064 nm波長的反射率 R>99.8%，對1180 nm波長的反射率R=90.8%)，並且該膜對波長為590 nm的光高反(R= 90%)。雷射器的工作流程LD側面泵浦源發出808 nm波長的泵浦光耦合進入摻釹鎢酸鋇 Nd:BaW04晶體中，當聲光調Q開關6關閉時，泵浦光轉為反轉粒子存儲起來；當Q開光打開 時，積攢的大量反轉粒子通過受激輻射瞬間轉為基頻光；具有較高峰值功率的基頻光在自拉 曼晶體處由於受激拉曼散射的作用轉為拉曼光，在KTP倍頻晶體8處由於倍頻效應轉換為黃 光，經全反鏡9反射後並由45度鏡7輸出。實施例3:與實施例1相同，只是所述的自拉曼晶體5為摻釹釩酸釔Nd:YV04晶體，尺寸為3X3X 15 mm:i，沿物理學定義的c軸方向切割，晶體的兩端面均鍍有1000 nm—1200 nm波段的增 透膜(透過率大於99. 8%),晶體摻雜濃度為2. 2-at. %。後腔鏡4和45度鏡7中放置自拉 曼晶體5和聲光調Q裝置6， 45度鏡7和全反鏡9中放置倍頻晶體8,諧振腔的腔長為13 cm。實施例4:與實施例1相同，只是所述的自拉曼晶體5為摻釹鎢酸鑥鉀Nd:KLu(W04)2晶體，尺寸為3 X3X16 mm3，晶體的兩端面均鍍有1000 nm—1200 nm波段的增透膜(透過率大於99. 8%)， 晶體的摻雜濃度為1-at. %;後腔鏡4和45度鏡7中放置自拉曼晶體5和聲光調Q裝置6， 45度鏡7和全反鏡9中放置倍頻晶體8，諧振腔的腔長為15 cm。實施例5:與實施例1相同，只是所述的自拉曼晶體5為摻釹鎢酸鍶Nd:SrW04晶體，尺寸為4X4X 35 mm3，晶體的摻雜濃度為1.5-at.%，晶體的兩端面均鍍有1000 nm—1200 nm波段的增透 膜(透過率大於99.8%)。後腔鏡4和45度鏡7中放置自拉曼晶體5和聲光調Q裝置6， 45 度鏡7和全反鏡9中放置倍頻晶體8，諧振腔的腔長為12 crn。調Q開關為聲光調Q，調製頻率為20 KHz。 實施例6:與實施例1相同，只是所述的自拉曼晶體6為摻釹鎢酸鉛Nd:PbW04晶體，尺寸為3X3X 16 mm3，晶體的兩端面均鍍有1000 nm_1200 nm波段的增透膜(透過率大於99. 8% )，晶體 的摻雜濃度為0.5-at.%。調Q裝置6為Cr4+:YAG可飽和吸收體被動Q開關，其小信號透過 率為90%，晶體的兩端面均鍍有1000 nm—1200 nm波段的增透膜(透過率大於99. 8% )。 後腔鏡4和45度鏡7中放置自拉曼晶體5和聲光調Q裝置6， 45度鏡7和全反鏡9中放置 倍頻晶體8，諧振腔的腔長為13 cm。實施例7:與實施例2相同，只是所述的自拉曼晶體5為摻釹鎢酸釓鉀Nd:KGd(TO丄晶體，尺寸為4 X4X35咖3，晶體的兩端面均鍍有1000 nm—1200 ran波段的增透膜(透過率大於99. 8%)， 晶體的摻雜濃度為1. 1-at.%;所述的倍頻晶體7為三硼酸鋰LBO晶體，晶體的兩端面均鍍 有IOOO nm—1200 nm波段的增透膜(透過率大於99. 8% )。所述的諧振腔的腔長為15 cm， 後腔鏡4和45度鏡7中放置聲光調Q裝置6和LD側面泵浦模塊10及自拉曼晶體5， 45度 鏡7和全反鏡9中放置倍頻晶體8。調Q開關為聲光調Q,調製頻率為IO KHz。實施例8:與實施例1相同，只是所述的自拉曼晶體5是鍵合摻釹釩酸釔(YV04/Nd:YV04)，其摻雜 濃度為0.5%，尺寸為3mraX3 mmX3 mm (YV04) +3mmX3咖X8咖(Nd:YV04)，晶體的兩 端面均鍍有808 nm波長和1000 nm_1200 nm波段的增透膜(透過率大於99. 8% )。諧振腔 的腔長為11 cm，後腔鏡4和45度鏡7中放置自拉曼晶體5和聲光調Q裝置6， 45度鏡7 和全反鏡9中放置倍頻晶體8。實例9-與實施例1相同，只是所述的自拉曼晶體5為摻鐿釩酸釓Yb:GdV04晶體，尺寸為5X5X 1 mm3，摻雜濃度為3-at.%;晶體的兩端面均鍍有1000 nm—1200 nm波段的增透膜(透過率 大於99.8%);泵浦源的輸出波長為940 nm，光纖的纖芯半徑為100 " m。後腔鏡4和45 度鏡7中放置自拉曼晶體5和聲光調Q裝置6， 45度鏡7和全反鏡9中放置倍頻晶體8，諧 振腔的腔長為12 cm。上述九個實施例中的所有晶體均經過水冷卻裝置11控溫，水溫為20度。
權利要求
1.一種摺疊腔自拉曼倍頻全固體黃光雷射器，包括雷射二極體泵浦源、諧振腔，諧振腔由後腔鏡、45度鏡和全反鏡組成，其特徵在於諧振腔的45度鏡和全反鏡中放置倍頻晶體，後腔鏡和45度鏡中間放置自拉曼晶體和調Q裝置；自拉曼晶體、調Q裝置和倍頻晶體均由冷卻裝置對其進行溫度控制；由雷射二極體LD泵浦源產生的泵浦光耦合進入自拉曼晶體並轉換成基頻光，產生的基頻光在自拉曼晶體處由於拉曼效應的作用發生受激拉曼散射而產生拉曼光，拉曼光在倍頻晶體中完成倍頻過程，產生黃光並由45度鏡輸出。
2. 如權利要求1所述的摺疊腔自拉曼倍頻全固體黃光雷射器，其特徵在於所述的雷射 二極體LD泵浦源可以是LD端面泵浦源，它包括驅動電源、雷射二極體、冷卻裝置、光纖和 耦合透鏡組；也可以是LD側面泵浦源，它包括驅動電源、LD側面泵浦模塊、冷卻裝置。
3. 如權利要求1所述的摺疊腔自拉曼倍頻全固體黃光雷射器，其特徵在於所述的諧振 腔在LD側面泵浦情況下諧振腔內的側面泵浦模塊及自拉曼晶體和調Q開關的相對位置可相 互調換。
4. 如權利要求1所述的摺疊腔自拉曼倍頻全固體黃光雷射器，其特徵在於所述的自拉 曼晶體可以是摻釹Nd或摻鐿Yb的下列晶體的一種鎢酸鹽類、釩酸鹽類、硝酸鹽類、碘酸 鹽類；也可以是鍵合晶體釩酸釔/摻釹釩酸釔YV04/Nd:YV04。
5. 如權利要求1或4所述的摺疊腔自拉曼倍頻全固體黃光雷射器，其特徵在於所述的 自拉曼晶體的慘雜濃度當摻釹時為0. 05-at. %至3-at. %;摻鐿時為 0. 05-at. %至10-at. %。
6. 如權利要求1所述的摺疊腔自拉曼倍頻全固體黃光雷射器，其特徵在於所述的自拉 曼晶體在LD端面泵浦情況下，其兩個端面均鍍有泵浦光波段及1000 nm—1200 nm波段的增 透膜；在LD側面泵浦情況下，其兩個端面均鍍有IOOO nm—1200 nm波段的增透膜。
7. 如權利要求1所述的摺疊腔自拉曼倍頻全固體黃光雷射器，其特徵在於所述的調Q 裝置可以是電光調Q裝置、聲光調Q裝置和可飽和吸收體被動調Q裝置中的一種。
8. 如權利要求1所述的摺疊腔自拉曼倍頻全固體黃光雷射器，其特徵在於所述的倍頻 晶體可以是磷酸鈦氧鉀KTP、三硼酸鋰LBO等；倍頻晶體的兩端鍍有1000 nm—1200 nm波 段的增透膜。
9. 如權利要求1所述的摺疊腔自拉曼倍頻全固體黃光雷射器，其特徵在於所述的諧振 腔內的後腔鏡在LD端面泵浦時鍍有泵浦光波長的增透膜和對1000 nm—1200 nm波段的反射 率大於90%的反射膜；在LD側面泵浦時鍍有對1000 nni—1200 nm波段的反射率大於90% 的反射膜；45度鏡鍍有在1000 nm— 1200 nm波段反射率大於90%的反射膜，並且該膜對 波長為590 nm的光透過範圍大於80%;全反鏡鍍有在1000 nm—1200 nm波段反射率大於90 %的反射膜，並且該膜對590順附近的黃光具有大於90%的反射率。
10. 如權利要求1所述的摺疊腔自拉曼倍頻全固體黃光雷射器，其特徵在於所述的諧振 腔的腔長為5 cm—50 cm。
全文摘要
摺疊腔自拉曼倍頻全固體黃光雷射器，包括雷射二極體(LD)泵浦源、諧振腔，諧振腔由後腔鏡、45度鏡和全反鏡組成，其特徵在於諧振腔的後腔鏡和45度鏡中間放置自拉曼晶體和調Q裝置，45度鏡和全反鏡中放置倍頻晶體；自拉曼晶體、調Q裝置和倍頻晶體均由冷卻裝置對其進行溫度控制。本發明雷射器與背景技術中的相比具有體積小、輸出功率和轉換效率高，並且體積小、性能穩定、成本低，可廣泛地應用於雷射醫療領域。
文檔編號H01S3/04GK101308992SQ200810138028
公開日2008年11月19日 申請日期2008年6月30日 優先權日2008年6月30日
發明者叢振華, 劉兆軍, 琛 張, 張行愚, 李述濤, 王青圃, 範書振, 陳曉寒 申請人:山東大學