表面安裝多片器件的製作方法
2023-05-24 00:15:51
專利名稱：表面安裝多片器件的製作方法
技術領域：
本發明涉及雙引線表面安裝多片器件。本發明例如在高壓二極體和低電容高功率瞬變電壓抑制器(TVS)器件的製造中有用。
背景技術：
圖1是包含二極體片10的已知表面安裝結構的示意截面圖。二極體片10布置在顯示了輪廓的封裝40之內。該結構包含上引線框20和下引線框21。引線框、包含引線的導電框以及未封裝小片能夠連接的端板(header)，在半導體工業中是眾所周知的。引線框20、21具有端板區20A、21A(也被稱為「小片焊盤」或「晶片焊盤」)，其與二極體10電接觸，並且通常配備有凹坑(未顯示)以增強電接觸。引線框20、21還具有延伸超過封裝40的引線區20B、21B。通過圍繞封裝40的下面纏繞引線區20B、21B(成為所謂的「J彎曲」構造)，或者通過向下並向外彎曲引線區20B、21B(成為所謂的「鷗型翼」構造)，能夠將該結構容易地表面安裝在諸如電路板之類的別的結構上。
在許多應用中，例如在垂直空間非常珍貴的膝上型計算機的電路板中，具有薄封裝的表面安裝器件是所希望的。本發明通過提供多片表面安裝器件而同時避免在器件之內需要將小片堆疊在彼此之上來應對這些以及其他需求。
發明內容
根據本發明的第一方面，提供一種可表面安裝的器件，其包含(a)第一小片，包含下電觸點和上電觸點；(b)第二小片，包含下電觸點和上電觸點；(c)第一引線框部分，包含端板區和引線區，其中第一小片的下觸點和第一引線框部分的端板區電並且機械連接；(d)第二引線框部分，包含端板區和引線區，其中第二小片的下觸點和第二引線框部分的端板區電並且機械連接；(e)(一個或多個)導電部件，布置在第一小片的上電觸點和第二小片的上電觸點之間，並且與它們電且機械連接；以及(f)封裝材料，其封裝以下每一個的至少一部分第一和第二小片、第一和第二引線框部分的端板區以及導電部件。典型地，下電觸點和上電觸點在第一和第二小片的相對表面上。
第一和第二引線框部分的引線區從封裝材料中延伸，並且適合於允許器件用別的電氣組件進行表面安裝。第一和第二小片並不在封裝器件之內堆疊在彼此之上。
可表面安裝的器件能夠是例如TVS器件，例如低電容和/或高電壓TVS器件。在某些實施例中，第一和第二小片對應於二極體，例如整流二極體和/或雪崩擊穿二極體。作為特定的例子，第一小片能夠對應於雪崩擊穿二極體，而第二小片則能夠對應於具有比雪崩擊穿二極體的電容低的電容的整流二極體。在其他實施例中，第一小片能夠對應於晶閘管浪湧抑制器，而第二小片則能夠對應於具有比晶閘管浪湧抑制器的電容低的電容的整流二極體。
用於可表面安裝的器件的示範性導電部件包括導線和通常平面的部件(如果希望的話，其能夠配備有用於改善電接觸的凹坑)。在某些實施例中，多個導電部件(例如導線接頭)布置在第一小片的上電觸點和第二小片的上電觸點之間，並且與它們電且機械連接。
典型地，第一和第二引線框部分的端板區並不在器件之內相互重疊，並且更加典型地在器件之內共面。
在許多實施例中，第一和第二引線框部分每個都將包含一個或多個分離區，其對應於從前體(precursor)引線框分離的位置。
根據本發明的另一個方面，提供了製造上面的可表面安裝的器件的方法。該方法包含(a)提供前體引線框，其包含第一引線框部分、第二引線框部分和可分離部分；(b)放置和第一引線框部分的端板區電並且機械連接的第一小片的下觸點；(c)放置和第二引線框部分的端板區電並且機械連接的第二小片的下觸點；(d)放置和第一小片的上電觸點與第二小片的上電觸點電並且機械連接的一個或多個導電部件；(e)將第一和第二小片、第一和第二引線框部分的端板區以及導電部件的至少一部分封裝在封裝材料中；以及(f)將第一和第二引線框部分從前體引線框的可分離部分分開。
在另一個實施例中，上面的可表面安裝的器件進一步包含第三小片，其具有下電觸點和上電觸點，其中，第三小片的下觸點和第二引線框部分的端板區電並且機械連接，而第三小片的上觸點則和(一個或多個)導電部件電並且機械連接。如上面那樣，下電觸點和上電觸點典型地在第一、第二和第三小片的相對表面上。
可表面安裝的器件能夠是例如TVS器件(例如低電容和/或高電壓TVS器件)。在某些實施例中，第一小片對應於雙向雪崩擊穿二極體，而第二和第三小片則對應於整流二極體(例如具有陰極側向上的一個整流器和具有陰極側向下的另一個整流器——在本領域中被稱作「反並聯」的布置)，其每一個都具有比雙向雪崩擊穿二極體的電容低的電容。
在其他的實施例中，第一小片對應於雙向晶閘管浪湧抑制器，而第二和第三小片則對應於整流二極體(例如相互反並聯地布置)，其每一個都具有比雙向晶閘管浪湧抑制器的電容低的電容。
在其他的實施例中，第二和第三小片能夠由具有兩個活動區域的單個小片替換(例如，具有陰極在上表面上並且陽極在下表面上的一個活動區域，以及具有陽極在上表面上並且陰極在下表面上的另一個活動區域——亦即，呈反並聯布置)。
在某些實施例中，提供了多個導電部件，其以下述方式布置在第一小片的上電觸點、第二小片的上電觸點以及第三小片的上電觸點之間，並且和它們電且機械連接，所述方式為第一、第二和第三小片的上電觸點短接在一起。
在本發明的另一個實施例中，上面的可表面安裝的器件包括與第一引線框部分的端板區電並且機械連接的兩個或多個小片以及與第二引線框部分的端板區電並且機械連接的兩個或多個小片，同時(一個或多個)導電部件與每個小片電並且機械連接。
如典型的那樣，「上」和「下」等等，當這些術語涉及方向時，僅僅指示相對方向，並且不必和例如地球的重力場施加的力的方向相關聯。
本發明的優點在於，能夠提供表面安裝多片器件而不堆疊小片。通過消除堆疊小片的需要，本發明能夠提供較薄的封裝，這在例如如上所述的膝上型計算機的無數應用中證明是非常寶貴的。
本發明的其他優點是(a)能夠構造表面安裝多片器件，其包含串聯的小片，並且如果希望的話，包含並聯(例如反並聯)的小片；以及(b)能夠構造表面安裝多片器件，其包含變化尺寸的小片。這些特徵用堆疊的小片設計目前是不可得到的。
本發明的另一個優點在於，能夠提供表面安裝多片器件，其具有相對於相當的堆疊小片結構的較低的熱阻，這改善了器件的功率使用容量。
本發明的還一個優點是，能夠提供雙引線、多片、低電容、高功率、雙向TVS器件(例如雪崩型或晶閘管型TVS器件)。
一旦查看隨後的詳細說明和權利要求，對本領域技術人員而言，本發明的這些和其他實施例與優點將立刻變得明顯。
圖1是已知的雙引線表面安裝器件的示意性截面圖；圖2A是根據本發明的實施例的雙引線表面安裝多片器件的示意性截面圖；圖2B是顯示器件的小片和引線框部分的圖2A的器件的示意性局部平面圖；圖2C是顯示器件的導電連結、小片以及引線框部分的圖2A的器件的示意性局部平面圖；圖3A、3B和4是根據本發明的其他實施例的雙引線表面安裝多片器件的示意性截面圖；圖5A是根據本發明的實施例的雙引線表面安裝多片器件的示意性截面圖；圖5B是顯示器件的小片和引線框部分的圖5A的器件的示意性局部平面圖；圖5C是顯示器件的導電連結、小片以及引線框部分的圖5A的器件的示意性局部平面圖；圖6是顯示根據本發明的實施例的雙引線多片器件的導電連結、小片以及引線框部分的示意性局部平面圖；圖7是根據本發明的實施例的雙引線表面安裝多片器件的示意性截面圖；圖8是根據本發明的實施例的前體引線框的示意性平面圖。
具體實施例方式
參考顯示了本發明的優選實施例的附圖，現在來更加充分地在下文中說明本發明。然而，可以以不同的形式體現本發明，並且本發明不應當被解釋為限制到在此闡述的實施例。
在圖2A的截面圖中示意性顯示了根據本發明的多片結構的一個實施例。如顯示的那樣，第一小片110A放置在第一引線框部分120的端板區120A(在本領域中也被稱作「小片焊盤」或「晶片焊盤」)，並且第二小片110B放置在第二引線框部分121的端板區121A。
在顯示的實施例中，第一和第二引線框部分120、121的端板區120A、121A在器件之內基本上彼此共面。第一和第二引線框部分120、121之間的間隙應當足夠大，以防止相互間電弧放電。另一方面，間隙典型地保持得小到實際上可以使器件的寬度最小化。確保第一和第二引線框部分120、121彼此共面並且維持適當的間隙尺寸的一個方法是，最初在單個前體引線框之內提供第一和第二引線框部分120、121，然後在生產過程期間，典型地在成型之後，將它們分開。下面更加詳細地討論本發明的這個特徵。
圖2A的封裝結構進一步配備了導電部件，其提供第一和第二小片110A、110B之間的電連接。在顯示的實施例中，導電部件是有凹坑的連結部件130，其被放置到上覆並接觸每個小片110A、110B的位置，以便機械並且電串聯連接小片。可選擇地有凹坑的連結130能夠例如如本領域中已知的那樣選擇和放置。
在圖2A中顯示的實施例的連結130中提供凹坑，以避免小片110A、110B上存在的鈍化接觸。對於在兩面上都具有鈍化的器件，希望在連結和引線框部分的端板區上都提供凹坑。當然，在其他實施例中，諸如使用導線接頭的那些，不存在對於凹坑的需要。
儘管顯示了基本上平面的有凹坑的連結130，但是其他導電部件，例如非平面的導電片(「片」在這裡被規定為這樣的物體，其厚度顯著小於其長度和寬度)或導線，同樣能夠用於電連接小片110A和小片110B。
完成的結構包括外殼140，其完全封裝了小片110A、110B。引線框部分120、121的端板區120A、121A也被封裝。另一方面，引線區120B、121B從器件外殼140向外橫向延伸，以允許電連接到器件。在顯示的實施例中，引線區120B、121B在共同的平面中從器件在相反的方向上延伸，但是這決不是必須的。
圖2B是圖2A的結構的示意性局部平面圖，其中僅顯示了第一和第二小片110A、110B以及引線框部分120、121。在顯示的特定設計中，使用矩形的小片110A、110B以增加表面積，並從而增加封裝結構的使用功率。圖2B中的虛線對應於引線框部分120、121中的彎曲，這在圖2A中能夠清楚地看見。圖2C和圖2B類似，除了圖2C進一步顯示了連結130相對於小片110A、110B的位置之外。連結130上的虛線對應於先前討論的凹坑。
儘管下面在圖3A-B、4、5A-C、6、7和8中未顯示，但是如果希望的話，能夠結合這些實施例清楚地提供凹坑。
大量構造是可用的，所述構造能夠將圖2A中顯示的結構100轉換成表面安裝結構。例如，圖3A顯示了一種構造，其中圍繞外殼140將引線框部分120、121的引線區120B、121B彎曲呈「J彎曲」構造。在圖3B中顯示了另一種構造，其中將引線框部分120、121的引線區120B、121B向下並向外彎曲呈「鷗型翼」構造。
如圖2A中顯示的那樣的封裝結構能夠容納若干不同類型的小片110A、110B。作為一個例子，小片110A和110B能夠對應於兩個二極體，例如一對整流二極體或一對雪崩擊穿二極體(可以是單向或雙向的)。通過在結構之內串聯地放置兩個二極體(亦即一個二極體陽極側向上，而另一個二極體則陰極側向上)，二極體的反向電壓範圍能夠擴大(亦即加倍)。
作為另一個例子，通過使小片110A對應於高電容單向雪崩擊穿二極體，並且使小片110B對應於具有比雪崩擊穿二極體的擊穿電壓高的擊穿電壓的低電容整流二極體，能夠構造低電容單向瞬變電壓抑制器(TVS)器件。在這個實施例中，兩個二極體被相反地施加偏壓(亦即連接呈陰極對陰極或陽極對陽極構造)。因為低電容整流二極體和高電容雪崩擊穿二極體串聯，所以最後的電容為Cnet＝(CAD×CRD)/(CAD+CRD)，其中CAD是單向雪崩擊穿二極體的電容，而CRD則是整流二極體的電容。通過檢查這個公式，能夠看出，如果CAD遠大於CRD，則器件的最後電容近似等於CRD(亦即Cnet≈CRD，其中CAD＞＞CRD)。因為這個原因，所以本發明的TVS器件例行地為低電容器件。
器件能夠使用的峰值浪湧電流I是額定功率P除以電壓V(亦即I＝P/V)。例如，具有100V的箝位電壓的600W雪崩擊穿二極體能夠使用6安培的峰值浪湧電流(注意在反向偏壓中使用雪崩型TVS二極體)。因為整流二極體被正向偏壓，所以能夠合理地假設正向電壓在6安培下為大約1V。因此，這個例子中的整流二極體只需要大約6W的正向額定功率，以使用和600W、100V雪崩擊穿二極體相同的浪湧電流。
額定功率一般和小片尺寸成比例(亦即小片越大，則熱阻越低，並且額定功率越高)。因此，在許多實施例中，整流二極體能夠遠小於雪崩型二極體。(然而，注意，如果希望整流器和TVS尺寸相同，則仍然會顯著減少電容，因為反向擊穿電壓和電容成反比。)為了容納小片尺寸的這種不同，能夠將引線框部分120的端板120A製造得相對於引線框部分121的端板121A不對稱(例如見圖4)。用這種方法，增加了能夠裝配在封裝器件之內的雪崩擊穿二極體小片110A的尺寸，並且使使用功率最大化。
儘管通過堆疊雪崩擊穿二極體小片和整流二極體小片，也能夠實現上述結構的功能，但是這會需要較厚的封裝，這有悖於更薄器件方向的半導體工業中的趨勢。同樣，堆疊方法導致較高的熱阻，這限制了器件的功率使用容量。進而，在堆疊的表面安裝封裝中使較小尺寸的整流二極體小片和較大尺寸的雪崩擊穿二極體小片對準會非常困難，因為較小的小片在焊接時會轉移位置。
通過使小片110A對應於高電容單向晶閘管浪湧抑制器，並且使小片110B對應於具有比晶閘管浪湧抑制器的擊穿電壓高的擊穿電壓的低電容整流二極體，能夠構造低電容TVS器件的另一個例子。
在這個連接中，注意，晶閘管浪湧抑制器顯示了通常被稱為「消弧效應」(crowbar effect)的現象(並且因此這種類型的TVS通常被稱作「消弧型TVS」)。這時意味著，一旦器件在其轉折電壓(VBO)和轉折電流(IBO)下箝位高壓浪湧，它就切換到低壓(亦即典型地＜10V)低阻抗狀態(亦即接通狀態)。由於IBO在毫安範圍內，所以器件只需在低壓下使用高電流。這允許晶閘管浪湧抑制器使用比具有相同額定功率的雪崩擊穿二極體大得多的電流。因此，整流二極體一般在尺寸方面相對接近於晶閘管浪湧抑制器，以使用浪湧電流(但是如果希望的話，能夠較小)。然而，因為整流二極體具有反向擊穿電壓，其典型地基本上高於晶閘管浪湧抑制器的反向擊穿電壓，所以它的電容較低，並且器件的最後電容減少。
上面的TVS器件是表面安裝、低電容、高功率器件。這些特徵使得它們有益於許多應用。例如，這些器件在保護高速數據線免受功率浪湧的影響方面是有用的，因為它們的低電容和洩漏電流致使它們對於它們被設計用來在正常操作期間進行保護的電路基本上是透明的。
注意，圖2A-4顯示了封裝結構100，其中將第一引線框部分120上的(a)一個小片110A和第二引線框部分121上的(b)一個小片110B串聯放置。然而，更加廣泛地，本發明的封裝結構允許第一引線框部分上的1、2、3或更多的小片和第二引線框部分上的1、2、3或更多的小片串聯連接。在單個引線框部分上放置多個小片的地方，它們相互電並聯(例如反並聯)。
例如，圖5A-5C顯示了封裝結構100，其中，第一引線框部分120上的(a)一個小片110Z和第二引線框部分121上的相互反並聯的(b)兩個小片110X、110Y串聯放置。(如上面討論的那樣，在某些實施例中，兩個小片110X、110Y能夠用具有兩個活動區域的單個小片替換。)更加具體地，圖5A-5C中顯示的器件類似於圖2A-2C的器件之處在於，其包括第一引線框部分120，具有端板區120A和引線區120B；第二引線框部分121，具有端板區121A和引線區121B；連結130；以及封裝140。然而，圖2A-2C的器件只包含相互串聯的第一和第二小片110A、110B，而圖5A-5C的器件則包含第一和第二小片110X、110Y，它們相互電並聯(例如反並聯)，並且它們進一步和第三小片110Z串聯。
如圖2C中的那樣，有凹坑的連結130能夠用於相互連接圖5C中的小片110X、110Y和110Z。然而，同樣能夠使用各種連接方案。例如，導線接頭131A、131B能夠用於將小片110X、110Y和110Z短接在一起，如圖6所示。
圖5A-5C的結構能夠容納若干不同類型的小片110X、110Y、110Z。例如，通過使小片110Z對應於高電容雙向雪崩擊穿二極體，並且通過使小片110X和110Y對應於兩個相反偏壓的低電容整流二極體，其中整流二極體中的每一個都具有比適當偏壓下的雪崩擊穿二極體的擊穿電壓高的擊穿電壓，能夠構造雙引線、低電容、雙向瞬變電壓抑制器器件。
如上面的那樣，因為低電容整流二極體和高電容雪崩擊穿二極體串聯，所以器件的最後電容很低。此外，因為整流二極體中的一個在雪崩擊穿二極體的擊穿期間將被施加正向偏壓，所以整流二極體的額定功率能夠遠遠低於雪崩擊穿二極體的額定功率，尤其是在較高的額定電壓下。因此，在許多實施例中，整流二極體能夠比雪崩擊穿二極體小得多，在所述情況下，第一和第二引線框部分可以相對於彼此不對稱(例如見圖7)。通過使第一和第二引線框部分不對稱，增加了將要裝配在封裝器件之內的雪崩擊穿二極體小片110Z的尺寸。
例如通過使小片110Z對應於高電容雙向晶閘管浪湧抑制器，並且通過使小片110X和110Y對應於兩個相反偏壓的低電容整流二極體，能夠構造雙引線、低電容、雙向瞬變電壓抑制器器件。整流二極體中的每一個都具有比適當偏壓下的雙向晶閘管浪湧抑制器的擊穿電壓高的擊穿電壓。如上面的那樣，因為較低電容的整流二極體和較高電容的晶閘管浪湧抑制器串聯，所以器件的最後電容降低。
雪崩或晶閘管種類的低電容、雙引線、雙向TVS器件，目前在軸向或表面安裝封裝中都是不可得到的，這或許是由於下述事實通過在軸向封裝或表面安裝封裝中堆疊小片來複製圖5A-5C中顯示的結構的功能，如果不是不可能的話，也是很困難的。
現在轉到本發明的另一個方面，如果希望的話，在製造過程的早期階段，能夠在單個前體引線框之內提供上面附圖中的第一和第二引線框部分120、121。在圖8中顯示了這樣的前體引線框200的一個例子的局部平面圖。前體引線框200典型地包含例如銅的金屬的構圖片。使用已知的工藝，例如通過衝壓工藝，或者通過光刻工藝，能夠形成前體引線框200。
前體引線框200包括由側欄126A、126B、頂欄126C和底欄126D(僅局部顯示)組成的圍欄組件。第一和第二引線框部分120、121(其包括端板區120A、121A和引線區120B、121B)經由連接部件124連接到圍欄組件的頂欄和底欄126C、126D。注意，第一和第二引線框部分120、121保持在相同的平面中，並且由連接部件124相互精確對準。
左右側欄126A、126B配備有開口128，藉此能夠為了精確穿過各種工作點而安裝引線框。與引線框連接的用於精確標引和執行各種過程的各種設備，在半導體工業中是眾所周知的，因此不在這裡顯示。如果希望的話，能夠沿著垂直的虛線彎曲引線框部分120、121，以得到如圖2A中顯示的那樣的外形。
在製造期間，小片(未顯示)典型地被焊接到引線框120、121的端板區120A、121A。然後能夠向每個小片的未粘著的上表面提供一層焊料。然後能夠在小片之上放置諸如上述有凹坑的連結之類的導電部件(未顯示)，並且能夠加熱所得到的組件，以將連結焊接到半導體小片。例如，能夠加熱連結，以將小片上的焊料一直升高到適當的熔化溫度。作為另一個例子，小片上表面上使用的焊料能夠具有比小片下表面上使用的焊料更低的熔化溫度。這將有助於防止用於小片上表面粘接的加熱免於軟化先前進行的小片下表面粘接。
根據使用引線框的器件的製造中使用的已知技術能夠執行隨後的過程。例如，能夠將所得到的組件放置在模具中，並且能夠在壓力下將例如環氧樹脂的封裝材料壓入模具。材料將四處流動，並且完全封裝每個小片以及第一和第二引線框部分120、121的端板區120A、120B。一旦樹脂固化並且打開模具，器件就將包含固態樹脂外殼140，其具有從其中延伸的引線區120B、121B以及連接部件124。然後例如通過切削或衝壓操作，切斷連接部件124，以將封裝的器件從前體引線框的餘部分開。例如，能夠沿著圖8中的水平虛線切削連接部件124。
儘管未顯示，能夠構造前體引線框，以便以每對最終被放置在單獨的器件中的方式包括許多對的第一和第二引線框部分。這允許使用成批處理技術，如本領域中已知的那樣。用這種方法，根據本發明，能夠同時製造成組的相同封裝結構。
儘管在此具體顯示並說明了各種實施例，但是可以意識到，本發明的修改和變化由上面的教導所覆蓋，並且處於附加的權利要求的範圍之內，而不會背離本發明的精神和預定的範圍。
權利要求
1.一種可表面安裝的器件，包括(a)第一小片，包含下電觸點和上電觸點；(b)第二小片，包含下電觸點和上電觸點；(c)第一引線框部分，包含端板區和引線區，其中所述第一小片的所述下觸點和所述第一引線框部分的所述端板區電並且機械連接；(d)第二引線框部分，包含端板區和引線區，其中所述第二小片的所述下觸點和所述第二引線框部分的所述端板區電並且機械連接；(e)導電部件，布置在所述第一小片的所述上電觸點和所述第二小片的所述上電觸點之間，並且與它們電且機械連接；以及(f)封裝材料，其封裝以下的至少一部分(i)所述第一和第二小片中的每一個；(ii)所述第一和第二引線框部分的所述端板區；以及(iii)所述導電部件，其中所述第一和第二引線框部分的所述引線區從所述封裝材料延伸，並且適合於允許所述器件用別的電氣組件表面安裝，並且其中所述第一和第二小片並不在所述封裝器件之內堆疊在彼此之上。
2.如權利要求1所述的可表面安裝的器件，其中，所述第一和第二引線框部分的所述端板區不在所述器件之內相互堆疊。
3.如權利要求1所述的可表面安裝的器件，其中，所述第一和第二引線框部分的所述端板區在所述器件之內基本上共面。
4.如權利要求1所述的可表面安裝的器件，其中，所述第一和第二引線框部分每一個都包含分離區，其對應於從前體引線框分離的位置。
5.如權利要求1所述的可表面安裝的器件，其中，所述導電部件為導線。
6.如權利要求1所述的可表面安裝的器件，其中，所述導電部件為導電片。
7.如權利要求1所述的可表面安裝的器件，其中，多個導電部件放置在所述第一小片的所述上電觸點和所述第二小片的所述上電觸點之間，並且和它們電且機械連接。
8.如權利要求1所述的可表面安裝的器件，其中，所述第一和第二小片對應於二極體。
9.如權利要求8所述的可表面安裝的器件，其中，所述二極體是整流二極體。
10.如權利要求8所述的可表面安裝的器件，其中，所述二極體是雪崩擊穿二極體。
11.如權利要求1所述的可表面安裝的器件，其中所述第一小片對應於雪崩擊穿二極體，並且其中所述第二小片對應於具有比所述雪崩擊穿二極體更低的電容的整流二極體。
12.如權利要求1所述的可表面安裝的器件，其中所述第一小片對應於晶閘管浪湧抑制器，並且其中所述第二小片對應於具有比所述晶閘管浪湧抑制器更低的電容的整流二極體。
13.如權利要求1所述的可表面安裝的器件，進一步包含第三小片，其包含下電觸點和上電觸點，其中所述第三小片的所述下觸點和所述第二引線框部分的所述端板區電並且機械連接，並且其中所述第三小片的所述上觸點和所述導電部件或分開的導電部件電並且機械連接。
14.如權利要求13所述的可表面安裝的器件，其中，多個導電部件放置在所述第一小片的所述上電觸點、所述第二小片的所述上電觸點以及所述第三小片的所述上電觸點之間，並且與它們電且機械連接，以便所述第一、第二和第三小片的所述上電觸點短接在一起。
15.如權利要求13所述的可表面安裝的器件，其中所述第一小片對應於雙向雪崩擊穿二極體，並且其中所述第二和第三小片對應於具有比所述雙向雪崩擊穿二極體更低的電容的整流二極體。
16.如權利要求13所述的可表面安裝的器件，其中所述第一小片對應於雙向晶閘管浪湧抑制器，並且其中所述第二和第三小片對應於具有比所述雙向晶閘管浪湧抑制器更低的電容的整流二極體。
17.如權利要求13所述的可表面安裝的器件，其中，所述導電部件是導電片。
18.如權利要求13所述的可表面安裝的器件，其中，所述下電觸點和上電觸點在所述第一、第二和第三小片的相對表面上。
19.如權利要求13所述的可表面安裝的器件，其中，所述器件是TVS器件。
20.如權利要求13所述的可表面安裝的器件，其中，所述器件是低電容高電壓TVS器件。
21.如權利要求1所述的可表面安裝的器件，其中，所述下電觸點和上電觸點在所述第一和第二小片的相對表面上。
22.如權利要求1所述的可表面安裝的器件，其中，所述器件是TVS器件。
23.如權利要求1所述的可表面安裝的器件，其中，所述器件是低電容高電壓TVS器件。
24.如權利要求1所述的可表面安裝的器件，其中兩個或多個小片和所述第一引線框部分的所述端板區電並且機械連接，其中兩個或多個小片和所述第二引線框部分的所述端板區電並且機械連接，並且其中所述導電部件和每個小片電且機械連接。
25.一種製造如權利要求1所述的可表面安裝的器件的方法，包含(a)提供前體引線框，其包含所述第一引線框部分、所述第二引線框部分和可分離部分；(b)放置和所述第一引線框部分的所述端板區電並且機械連接的所述第一小片的所述下觸點，並且放置和所述第二引線框部分的所述端板區電並且機械連接的所述第二小片的所述下觸點；(c)放置和所述第一小片的所述上電觸點與所述第二小片的所述上電觸點電並且機械連接的所述導電部件；(d)將以下的至少一部分封裝在所述封裝材料中(i)所述第一和第二小片；(ii)所述第一和第二引線框部分的所述端板區；以及(iii)所述導電部件；以及(e)將所述第一和第二引線框部分從所述前體引線框的所述可分離部分分開。
全文摘要
提供了可表面安裝的多片器件(100)，其包括第一和第二引線框部分(120，121)和至少兩個小片(110A，110B)。引線框部分每個都包括端板區(120A，121A)和引線區(120B，121B)。有利地，第一和第二引線框部分的端板區，以至少一個半導體小片被放置在每個端板區上的方式，處於共同的平面內。導電部件連結(130)被放置在兩個小片之上，以電並且機械相互連接小片。
文檔編號H01L23/495GK1820367SQ200480019727
公開日2006年8月16日 申請日期2004年7月12日 優先權日2003年7月10日
發明者帕迪·奧謝, 埃蒙·梅德利, 芬巴爾·奧多諾霍, 加裡·霍斯曼 申請人:通用半導體公司